本發明涉及tft超薄液晶基板鍍膜工藝。
背景技術:
近年來,中國電子信息產業取得了長足的發展,已成為中國工業部門的第一大產業,是拉動中國經濟增長的最主要的支柱之一;與此同時,液晶行業取得了突破性進展;但隨著社會日益劇增的需求,需要不斷創新在保證高品質、低成本提高其tft液晶屏的反應速度及極端環境下的穩定性;因金屬膜的導電反應速度比常規ito膜的反應速度快,膜層信賴性穩定,在極端環境不使用不受外界環境干擾等特點,因此需要開發新的工藝提升產品的核心競爭力。
技術實現要素:
本發明所要解決的技術問題是實現一種在保證原有ito產品的高透過率,低反射率的同時提高產品的感知反應速度及極端環境下的穩定性,改良tft基板表面鍍膜設計和對生產過程中的工藝管控,來實現屏幕性能的提升。
為了實現上述目的,本發明采用的技術方案為:tft液晶基板金屬邊框局部鍍膜工藝:
1)在tft基板的鍍膜面鍍制ito膜;
2)將遮擋板覆蓋在tft基板的鍍膜面,所述遮擋板上預留有鏤空的鍍膜間隙,所述鍍膜間隙位置與tft基板上鍍至金屬邊框位置相同;
3)在遮擋板上鍍至金屬膜,金屬膜透過鍍膜間隙沉積在ito膜上的金屬層構成金屬邊框;
4)取下遮擋板。
所述1)中,tft基板的鍍膜面整面鍍制有一層ito膜,所述ito膜的透過率≥93%以上,反射率≤0.5%以內。
所述2)中遮擋板覆蓋在tft基板上時,mask與基板貼合對位時使用ccd高清鏡頭與tft基板邊緣的對位靶標對標,靶標重合后開始鍍膜。
所述3)中金屬邊框厚50nm±5nm,阻抗≤15ω/sq。
所述遮擋板為不銹鋼材質。
一種利用所述tft液晶基板金屬邊框局部鍍膜工藝生產的tft液晶基板,tft基板的鍍膜面設有ito層,tft基板的邊緣設有bm區域,其特征在于:所述bm區域上方鍍制有金屬邊框。
本發明通過改進工藝在基板邊緣鍍制金屬邊框,與現有單純的ito導電膜相比,產品在保證原有的高透過率及低反射率的情況下,屏幕觸控反應速度及觸控穩定性明顯提升,并且產品設計方案已投入到實際生產中并量產,根據客戶段反饋的結果,該產品性能優良。
附圖說明
下面對本發明說明書中每幅附圖表達的內容作簡要說明:
圖1為基板局部鍍制金屬邊框的示意圖;
圖2為金屬邊框制作示意圖。
具體實施方式
本發明針對tft表面膜層結構進行發明更改,以及對生產工藝進行嚴格的管控,在保證原有ito產品的高透過率,低反射率的同時提高產品的感知反應速度及極端環境下的穩定性,改良tft基板表面鍍膜設計和對生產過程中的工藝管控,來實現屏幕性能的提升。
tft超薄液晶基板制作工藝如下:
1、tft基板整面鍍上ito膜;先整張基板整面鍍上常規ito膜;保證ito膜的高透過、低反射等條件,ito膜的透過率≥93%以上,反射率≤0.5%以內。
2、使用遮擋板(mask)阻擋的方式在每單個屏幕的邊緣mb區域局部鍍上metal-border膜;根據產品設計制作對應遮擋板,遮擋板的設計需滿足鍍膜條件,大張遮擋板上具有鍍膜間隙,遮擋板的大小根據一次性制作的tft基板數量來定。
遮擋板為不銹鋼材質,因不銹鋼材質強度大,不易變形;表面光滑,與基本貼合時不會對tft玻璃基板產生損傷;材料密度大,在真空鍍膜時,放氣量小,不易破壞真空鍍膜環境;
鍍金屬邊框(metal-border)時,使用之前設計的遮擋板,與tft基板需鍍膜面貼合,貼合過程需重點管控metal-border的精度,metal-border的位置精度≤0.3mm;
為保證產品質量,確保局部metal-border的精度,mask與基板貼合對位時使用ccd高清鏡頭與tft基板邊緣的對位靶標對標,靶標重合后開始鍍膜。
3、金屬鍍膜;metal-border選用磁控濺射方式鍍膜,該鍍膜方式膜層附著力強、膜層致密、膜厚均勻;金屬鍍膜會從遮擋板的鍍膜間隙滲入沉積在tft基板上(bm區域),metal-border膜層主要性能如下:膜厚50nm±5nm,阻抗≤15ω/sq。
上面結合附圖對本發明進行了示例性描述,顯然本發明具體實現并不受上述方式的限制,只要采用了本發明的方法構思和技術方案進行的各種非實質性的改進,或未經改進將本發明的構思和技術方案直接應用于其它場合的,均在本發明的保護范圍之內。