本公開一般涉及電容器領(lǐng)域，尤其涉及金屬化薄膜電容器薄膜結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

薄膜電容(Film Capacitor)器又稱塑料薄膜電容(Plastic Film Capacitor)，其以塑料薄膜為電介質(zhì)。薄膜電容器是以金屬箔當(dāng)電極，將其和聚乙酯，聚丙烯，聚苯乙烯或聚碳酸酯等塑料薄膜，從兩端重疊后，卷繞成圓筒狀的構(gòu)造之電容器。而依塑料薄膜的種類又被分別稱為聚乙酯電容(又稱Mylar電容)，聚丙烯電容(又稱PP電容)，聚苯乙烯電容(又稱PS電容)和聚碳酸電容。通常的薄膜電容器其制法是將鋁等金屬箔當(dāng)成電極和塑料薄膜重疊后卷繞在一起制成。但是另外薄膜電容器又有一種制造法，叫做金屬化薄膜(Metallized Film)，其制法是在塑料薄膜上以真空蒸鍍上一層很薄的金屬做為電極。如此可以省去電極箔的厚度，縮小電容器單位容量的體積，所以薄膜電容器較容易做成小型，容量大的電容器。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

鑒于現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，期望提供一種金屬化薄膜電容器薄膜結(jié)構(gòu)。

一方面，提供一種金屬化薄膜電容器薄膜結(jié)構(gòu)，包括電介質(zhì)薄膜和覆蓋在所述電介質(zhì)薄膜上的蒸鍍電極層，所述蒸鍍電極層包括第一金屬層和第二金屬層，所述第一金屬層位于所述第二金屬層上，所述第一金屬層與所述第二金屬層重疊處設(shè)有加厚區(qū)，所述加厚區(qū)寬度為所述第二金屬層寬度的35％-50％。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案，通過在電解質(zhì)薄膜上蒸鍍電極層，并且蒸鍍電極層上設(shè)有加厚區(qū)，將加厚區(qū)設(shè)置為其中第二層金屬寬度的35％-50％，在保證原有金屬化薄膜特性不受影響的情況下，降低卷制后芯包的ESR(Equivalent Series Resistance，等效串聯(lián)電阻)值。

附圖說明

通過閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本申請(qǐng)的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更明顯：

圖1為本發(fā)明實(shí)施例中金屬化薄膜電容器薄膜結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用于解釋相關(guān)發(fā)明，而非對(duì)該發(fā)明的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與發(fā)明相關(guān)的部分。

需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來詳細(xì)說明本申請(qǐng)。

請(qǐng)參考圖1，本發(fā)明提供一種金屬化薄膜電容器薄膜結(jié)構(gòu)，包括電介質(zhì)薄膜1和覆蓋在電介質(zhì)薄膜上的蒸鍍電極層，蒸鍍電極層包括第一金屬層2和第二金屬層3，第一金屬層2位于第二金屬層3上，第一金屬層2與第二金屬層3重疊處設(shè)有加厚區(qū)4，加厚區(qū)4寬度為第二金屬層3寬度的35％-50％。

本發(fā)明提供的金屬化薄膜電容器薄膜結(jié)構(gòu)中包括覆蓋在電介質(zhì)薄膜上的蒸鍍電極層，其中蒸鍍電極層包括兩層金屬層，第一金屬層和第二金屬層重疊處設(shè)置有加厚區(qū)，加厚區(qū)方阻低、耐壓低，非加厚區(qū)方阻高、耐壓高，通過兩層金屬層和形成的耐壓區(qū)能夠有效降低卷制后芯包的ESR值，并且加厚區(qū)的寬度設(shè)置為第二金屬層寬度的35％-50％，在工藝制作的要求之內(nèi)將加厚區(qū)的寬度設(shè)置為上述值，一方面能夠保證原有金屬化薄膜的特性不受到影響，另一方面能夠有效降低卷制后芯包的ESR值。

加厚區(qū)的寬度可以設(shè)置為第二金屬層寬度的35％-50％，其中可以設(shè)置為35％，40％、45％、50％等等。

進(jìn)一步的，第一金屬層2前端面21與第二金屬層3前端面處于同一豎直面，第一金屬層2后端面22為斜坡面。

本申請(qǐng)中的第一金屬層和第二金屬層同時(shí)進(jìn)行蒸鍍形成在電介質(zhì)薄膜上，其中第一金屬層的第一端面與第二金屬層的端面平齊，上述的前端面為附圖1中第一金屬層和第二金屬層的左側(cè)端面，上述的后端面為附圖1中第一金屬層的右側(cè)端面，第一金屬層的寬度小于第二金屬層，因此在第一金屬層的后端面形成有斜坡面。

進(jìn)一步的，第一金屬層2前端面21至后端面22中點(diǎn)之間的區(qū)域?yàn)榧雍駞^(qū)4。

其中第一金屬層和第二金屬層重疊的位置設(shè)有加厚區(qū)，加厚區(qū)4在第一金屬層斜坡面的一端，位于斜坡面的中點(diǎn)位置，保證了加厚區(qū)寬度的精確，有效降低卷制后芯包的ESR值。

進(jìn)一步的，加厚區(qū)4寬度為第二金屬層3寬度的50％。本發(fā)明中優(yōu)選的將加厚區(qū)的寬度設(shè)置為第二金屬層寬度的50％，一方面工藝上能夠較容易的達(dá)到，不會(huì)造成太多的工藝步驟和原材料等的浪費(fèi)，另一方面，加厚區(qū)寬度設(shè)置為50％能夠有效提升薄膜的特性，降低卷制后芯包的ESR值。

進(jìn)一步的，第一金屬層2為鋅金屬層。

進(jìn)一步的，第二金屬層3為鋁金屬層。本發(fā)明中第一金屬層和第二金屬層材料分別為鋅和鋁，這兩種金屬形成的蒸鍍金屬層和形成在蒸鍍金屬層上的加厚區(qū)能夠有效提升卷制后芯包的性能。

根據(jù)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的技術(shù)方案，通過在電解質(zhì)薄膜上蒸鍍電極層，并且蒸鍍電極層上設(shè)有加厚區(qū)，將加厚區(qū)設(shè)置為其中第二層金屬寬度的35％-50％，在保證原有金屬化薄膜特性不受影響的情況下，降低卷制后芯包的ESR值。

以上描述僅為本申請(qǐng)的較佳實(shí)施例以及對(duì)所運(yùn)用技術(shù)原理的說明。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本申請(qǐng)中所涉及的發(fā)明范圍，并不限于上述技術(shù)特征的特定組合而成的技術(shù)方案，同時(shí)也應(yīng)涵蓋在不脫離所述發(fā)明構(gòu)思的情況下，由上述技術(shù)特征或其等同特征進(jìn)行任意組合而形成的其它技術(shù)方案。例如上述特征與本申請(qǐng)中公開的(但不限于)具有類似功能的技術(shù)特征進(jìn)行互相替換而形成的技術(shù)方案。