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仙人掌快速繁殖培養方法

文檔序號:245502閱讀:990來源:國知局
專利名稱:仙人掌快速繁殖培養方法
技術領域
本發明屬植物種苗繁殖方法,特別涉及仙人掌的種苗繁殖方法。
背景技術
仙人掌是一種對自然界適應性很強的植物,除有觀賞價值外,由于其富含多種維生素和礦物質、蛋白質、纖維素等,近年來,其食用和藥用價值日益受到人們的重視。仙人掌全株可入藥,具有行氣治血、清熱解毒、促進新陳代謝之功效,在臨床有降血糖、降血脂的作用。仙人掌無疑是一種新的藥物和蔬菜資源,具有很好的市場開發前景。
中國專利CN-1358426A公開了一種食用仙人掌的快速繁殖方法,是將帶雌座的小塊仙人掌,經消毒處理后,直接接種入培養基,光照培養至長出新芽,完成種苗的繁殖。
此繁殖方法存在兩方面問題,一是仙人掌只經消毒就直接接種到培養基,叢芽霉株污染率高,叢芽可利用率低;二是光照增殖培養出的種苗,其根系發育欠佳,移栽大棚或大田,存活率極低。

發明內容
本發明的目的是提供一種叢芽污染率低,繁殖快,種苗存活率高的一種仙人掌快速繁殖培養方法。
本發明的仙人掌快速繁殖方法包括以下步驟(一)備外植體取仙人掌嫩莖,去除刺毛,經清潔、干燥后,切成1cm2見方帶有多個芽點的小塊,再滅菌處理制成外植體備用;(二)增殖培養取步驟(一)的小塊前植體接種入叢芽誘導培養基內,光照強度1500-2000lx,溫度24-30℃,每天光照10-15小時,12天后開始崩生小芽,25天左右,待小芽長至2厘米左右長時,切下小芽,進入生根誘導。或再分瓶于叢芽誘導培養基增殖培養后,進入生根誘導,每次增殖率為5-10倍;(三)生根誘導取步驟(二)的增殖小芽,接種在生根培養基上,可以在與上相同培養條件下培養15-25天,待長出5-6條根時出瓶,完成生根誘導,移栽大面積種植。
(四)煉苗培植將生根的小苗洗去原培養基,再植于透氣性良好的土壤中,在20-35℃,最好在28℃左右,保濕、避陽光暴曬下再生根培養18-25天,待根系發育壯大后,移栽大面積種植。
本發明的仙人掌快速繁殖培養方法中,所述叢芽誘導培養基可以是由下列成份的重量比溶于1000ml水中制得MS培養基 4736mg6-BA 2-3mg瓊脂 6000-8000mg蔗糖 20000-40000mg;所述生根培養基是由下列成份的重量比溶于1000ml水中制得MS培養基 2368m gNAA2-4mgMET1-2mg瓊脂 6000-8000mg蔗糖 20000-40000mg;或MS培養基 2368mgIAA0.8-1.2mgIBA0.8-1.2mgNAA0.3-0.8mg瓊脂 6000-8000mg蔗糖 20000-40000mg。
制作仙人掌外植體時,清洗是用清潔劑如洗衣粉水等先清洗仙人掌莖,再用自來水洗凈;干燥的條件是常溫常態下自然干燥1-5天,最好是在溫度25℃45℃條件下干燥1-3天,尤以30小時±5小時為好;滅菌處理是常規的方法,最好先用70-75%酒精滅菌10-30秒,再用0.1%升汞滅菌5-8分鐘,用無菌水沖洗4-6次后備用。
本發明所用外植體是取仙人掌的嫩莖,嫩莖上均帶芽點,不限于長出花蕾后才帶雌座的仙人掌。這使得本發明取材更方便更容易。
本發明的仙人掌快速繁殖培養方法在制作外植體時,采用了清洗、干燥和化學滅菌三道技術處理,其中干燥這一環節是至關重要的,理由是仙人掌這種植物本身具有通過莖部吸收空氣中水份維持生命的本能,常溫下自然干燥后,莖部表面水份蒸發,表皮變得干燥,附在表面的一些細菌和霉菌自然死亡,而深部的仙人掌芽座仍存活。再經消毒殺菌程序后接種生長出的叢芽霉株發生率明顯減少,叢芽茁壯健康,叢芽利用率提高。
下面是仙人掌莖經清洗、滅菌及相同培養條件下,經干燥和未經干燥的外植體在叢芽誘導培養基內的生長情況。實驗組為干燥組,對照組為未干燥組。常壓下自然干燥。培養條件是光照強度1500-20001x,每天光照12小時,溫度26℃-30℃,培養15天。

通過試驗證明,干燥時間在1-5天內為好,時間短了,達不到干燥效果,霉株污染率仍高,多于5天,影響發芽率。
本發明的仙人掌快速繁殖培養方法中,生根誘導是一個非常重要的不可缺少的環節。將小芽分別從莖塊上切下,在生根培養基上讓其獨立發育根系,這時再出瓶,其存活才能有保障。完成生根誘導后的種苗,可在溫室大棚內擴種,其存活率為90%以上;步驟(四)更進一步強化種苗的生命力,使煉苗更適宜在自然界中擴種。煉苗培養后,根莖更加健康發達,此時移栽大田,存活率可達90%以上。煉苗培植需透氣性良好的土壤作培養基,以珍珠巖基質為最好,定植前,需洗凈原培養基。
本發明的方法適宜食用仙人掌種苗繁殖,也適宜尚待開發的野生仙人掌的種苗繁殖。
具體實施例方式(一)備外植體仙人掌嫩莖,去除刺毛,先用洗衣粉水清洗,自來水沖洗干凈,置于清潔的環境中,在20-30℃自然干燥20-30小時,切塊為1cm2見方小塊,每塊帶多個芽點,用70-75%酒精滅菌10-30秒,再用0.1%升汞滅菌5-8分鐘,用無菌水沖洗4-6次備用;(二)增殖培養取上述消毒后的仙人掌小塊,接種入叢芽誘導培養基內在光照強度1500-2000lx,每天光照10-15小時,在28±2℃下,培養25天,小芽長至2cm長,切下小芽,再分瓶增殖接種培養。
(三)生根誘導取上述增殖小芽,接種在生根培養基上,在光照強度1500-2000lx,每天光照10-15小時,在28±2℃下,培養25天,待長出5-6條根時出瓶,完成生根誘導。可移栽大棚內種植。
(四)煉苗培植可將上述長根的小苗,洗去培養基,定植于珍珠巖基質中,一次性澆透水,用塑料薄膜覆蓋,外加遮蔭網,在26-30℃煉苗25天,長出新根的小苗,移栽至大田,成活率為95%。
權利要求
1.仙人掌快速繁殖培養方法,其特征在于依次包括以下步驟(一)備外植體取仙人掌嫩莖,去除剌毛,經清潔、干燥后,切成1cm2見方帶有多個芽點的小塊,再滅菌處理制成外植體備用;(二)增殖培養取步驟(一)的小塊外植體接種入叢芽誘導培養基內,每天光照培養10-15小時,溫度24-30℃,待小芽長至1.5-2.5厘米長時,切下小芽,再分瓶增殖接種培養;(三)生根誘導取步驟(二)的增殖小芽,接種在生根培養基上,在與前相同培養條件下經15-25天,待長出5-6條根時出瓶,完成生根誘導,移栽大面積繁殖。
2.如權利要求1所述的仙人掌快速繁殖培養方法,其特征在于步驟(三)后再煉苗培植,即將生根的小苗,洗去原培養基,再植于透氣性良好的土壤中,在25-32℃,避陽光暴曬下再生根培養18-25天,使根系發育壯大,煉苗培植完成,大田內擴種。
3.如權利要求1或2所述的仙人掌快速繁殖培養方法,其特征在于步驟(一)的仙人掌莖干燥的條件是常溫常態下自然干燥1-3天。
4.如權利要求3所述的仙人掌快速繁殖培養方法,其特征在于干燥的條件是溫度25℃±5℃,時間30小時±5小時。
5.如權利要求1或2所述的仙人掌快速繁殖培養方法,其特征在于叢芽誘導培養基是由下列成份的重量比溶于1000ml水中制得MS培養基 4736mg6-BA 2-3mg瓊脂 6000-8000mg蔗糖 20000-40000mg。
6.如權利要求1或2所述的仙人掌的快速繁殖培養方法,其特征在于生根培養基是由下列成份的重量比溶于1000ml水中制得MS培養基 2368mgNAA 2-4mgMET 1-2mg瓊脂 6000-8000mg蔗糖 20000-40000mg;或MS培養基 2368mgIAA 0.8-1.2mgIBA 0.8-1.2mgNAA 0.3-0.8mg瓊脂 6000-8000mg蔗糖 20000-40000mg。
7.如權利要求2所述的仙人掌的快速繁殖培養方法,其特征在于煉苗增殖在珍珠巖基質中培養。
全文摘要
本發明涉及仙人掌種苗快速繁殖方法,它解決了叢芽培養污染率高,種苗存活率低的問題。是包括(一)外植體清潔、干燥和消毒;(二)增殖光照培養;(三)生根誘導培養;(四)煉苗培植。所用培養基是常規MS培養基加入一定量的激素等成份。本發明的方法取材容易,叢芽污染率低,利用率高,繁殖快,種苗存活率在90%以上,是值得采用和推廣的一種仙人掌種苗人工繁殖培養技術。
文檔編號A01H4/00GK1413453SQ0213403
公開日2003年4月30日 申請日期2002年11月8日 優先權日2002年11月8日
發明者許青 申請人:許青
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