一種鹽堿地植物種植系統的制作方法
【專利摘要】本發明公開了一種鹽堿地植物種植系統，包括設置在鹽堿地中的種植溝，所述種植溝的內部由下向上填充有透氣防滲層和種植土層，其中，所述種植溝的側壁為防水側壁；所述種植溝內沿其長度方向間隔設置有若干集水井，所述集水井具有由透水材料制成的透水井壁，所述集水井的底部位于所述種植土層內。本發明的鹽堿地植物種植系統中，所述集水井具有由透水材料制成的透水井壁，所述集水井的底部位于所述種植土層內。在雨水充沛季節，集水井中的水由泵抽出排放到種植溝外，減少了種植溝內積存的水份，防止了種植土層水量過多時植物的爛根，并且還可以用于灌溉其它植物，在雨量較少時，集水井中的水慢慢滲入種植土層，補充植物生長所需的水分。
【專利說明】一種鹽堿地植物種植系統
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種植物種植系統，具體地說，涉及一種適于鹽堿地中植物生長的種植系統。
【背景技術】
[0002]鹽堿地是指土壤含有過量可溶性鹽類的土地，土地鹽堿化的原因是由于土壤和地下水含鹽過高，在強烈的地表蒸發作用下，地下淺層水經毛細管輸送到地表被蒸發掉，毛細管向地表輸水的過程中，也把水中的鹽分帶到地表，水被蒸發后，土壤鹽分通過毛細管作用上升并積聚于土壤表層，鹽分就留在了地表及地面淺層土壤中，這樣積累的鹽分多了，又沒有足夠的淡水稀釋并將其排走，就形成了土壤鹽堿化。鹽堿度在0.3%以上、0.8%以下的鹽堿地因為含鹽量大、要么閑置，要么被勉強利用，就是被勉強利用的，其產量也很低，經濟效益不好。
[0003]目前，國內外對鹽堿地的處理方法一般包括排鹽法和壓鹽法，但它們都存在著許多不足之處，排鹽法是靠使用大量的淡水對鹽堿地進行長期沖洗而使鹽堿地表面的含鹽量降低，壓鹽法是利用自然降水或人工大水灌溉，促使部分鹽堿沿著土壤的孔隙、裂縫等向下滲透，將表層土壤的鹽分隨水帶至底層。上述方法雖然能夠使鹽堿地表層的含鹽量降低，但不能夠保持長久，而且需要大量的水源。
[0004]為此，中國專利文獻CN102232328A公開了一種改良鹽堿地的方法及鹽堿地的種植方法，該方法將鹽堿表層土去除掉，在去除了表層土的鹽堿地上設置設置透氣性防滲骨料層，在所述透氣性防滲骨料層上設置種植土層，然后于種填土層上種植植物。該透氣性防滲骨料層有效的防止了地下鹽堿水`的上竄，但同時也抑制了種植土層中水份的下滲，在多雨季節大量的雨水積蓄在種植土層中，容易造成植物的根系腐爛，影響植物的生成。

【發明內容】

[0005]為解決現有技術中，雨量充沛時種植土層中的水無法下滲，造成植物根系腐爛的技術問題，從而提供一種適于鹽堿地植物長期生長的植物種植系統。
[0006]為此，本發明采取的技術方案為:
[0007]一種鹽堿地植物種植系統，包括設置在鹽堿地中的種植溝，所述種植溝的內部由下向上填充有透氣防滲層和種植土層，所述種植溝的側壁為防水側壁；所述種植溝內沿其長度方向間隔設置有若干集水井，所述集水井具有由透水材料制成的透水井壁，所述集水井的底部位于所述種植土層內。
[0008]上述鹽堿地植物種植系統中，所述透氣防滲層和植物種植土層間還設置有防護層。
[0009]上述鹽堿地植物種植系統中，所述透氣防滲層和所述防護層之間還設置有找平層。
[0010]上述鹽堿地植物種植系統中，所述種植土層的至少部分底面與水平面形成一夾角。此處所述種植土層的底面指種植土層與其下方相鄰層相接觸的表面。
[0011]上述鹽堿地植物種植系統中，所述種植土層的至少部分底面沿所述種植溝的寬度方向傾斜設置，并與水平面形成一夾角。
[0012]上述鹽堿地植物種植系統中，所述種植溝內所述種植土層在其寬度方向上地勢低的一端設置有所述集水井。
[0013]上述鹽堿地植物種植系統中，所述種植土層的至少部分底面沿所述種植溝的長度方向傾斜設置，并與水平面形成一夾角。
[0014]上述鹽堿地植物種植系統中，所述種植溝的底面、所述透氣防滲層、找平層和/或防護層平行于所述種植土層與所述防護層相接觸的底面。
[0015]上述鹽堿地植物種植系統中，所述防護層為透水磚層。
[0016]上述鹽堿地植物種植系統中，所述找平層為細土和/或沙子層。
[0017]上述鹽堿地植物種植系統中，所述透氣防滲層為透氣防滲沙層。
[0018]上述鹽堿地植物種植系統中，所述種植土層為客土層或鹽堿土層。
[0019]上述鹽堿地植物種植系統中，所述種植土層的上表面不低于所述鹽堿地的地表面，此處所述種植土層的上表面為種植土層與外界大氣相接觸的表面。
[0020]在上述的鹽堿地植物種植系統中，所述透水材料是由骨料和親水性骨料粘結劑粘結而成的具有微孔的材料，所述骨料為石英砂、硅砂、覆膜砂、陶粒等，所述親水性結結劑為環氧樹脂、聚氨酯和丙烯 酸酯中的一種或幾種，所述骨料和親水性骨料粘結劑的質量比為100:(1-15)。
[0021]與現有技術相比，本發明具有如下優點:
[0022]( I)本發明的鹽堿地植物種植系統中，所述種植溝內沿其長度方向間隔設置有若干集水井，所述集水井具有由透水材料制成的透水井壁，所述集水井的底部位于所述種植土層內。在雨水充沛季節，集水井中的水由泵抽出排放到種植溝外，減少了種植溝內積存的水份，防止了種植土層水量過多時植物的爛根，并且還可以用于灌溉其它植物，在雨量較少時，集水井中的水慢慢滲入種植土層，補充植物生長所需的水分。
[0023](2)本發明的鹽堿地植物種植系統中，種植土層與防護層相接觸的至少部分底面與水平面形成一夾角。從而使種植土層中的水分順坡度流向由透水材料制成的集水井中，利于種植溝內水份的收集。
[0024](3)本發明的鹽堿地植物種植系統還包括有防護層，所述防護層可以阻止種植土層中植物的根系向下延伸而破壞透氣防滲層，從而避免了透氣防滲層被植物的根系破壞進而失去防滲效果。
[0025](4)本發明的鹽堿地植物種植系統中，所述防護層為透水磚層，所述透水磚層堅硬的質地不僅可以阻止種植土層中植物的根系向下延伸而破壞透氣防滲層，還可以在透水磚中涵養一部分由上層種植土層下滲的水，在外部氣候干旱時，透水磚的水用于補給植物根系，滿足植物生長所需的水分。
[0026](5)本發明的鹽堿地植物種植系統還設置有找平層，所述找平層為細土層、沙子層或由細土和沙子混合形成的層，其作用之一是起到找平的作用，為鋪設透水磚層做準備，另外還能儲存少量的水份，在外部氣候干旱時，儲水層中的水向上蒸發補給植物根系，滿足植物生長所需的水分。[0027](6)本發明的鹽堿地植物種植系統中種植土層根據實際情況可以鋪設客土層，也可以鋪設為鹽堿土層，由于透氣防滲層有效阻止了地下鹽堿水的上竄，當種植土層為鹽堿土層時，其上種植吸鹽植物，從而實現對鹽堿土的改良，且減少客土帶來的費用，減少土壤資源的浪費，成本得到降低；然而直接鋪設客土層，當年就可以看到種植效果，如花卉生長良好，經濟作物取得收益等。
[0028](7)本發明所述種植系統的長寬可以根據實際情況確定，沒有太多本身因素的限制，操作簡單靈活；鋪設的透氣防滲層不被破壞，可以長期阻隔鹽堿。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]為了使本發明的內容更容易被清楚的理解，下面根據本發明的具體實施例并結合附圖，對本發明作進一步詳細的說明，其中
[0030]圖1為本發明一種鹽堿地植物種植系統的俯視圖；
[0031]圖2為鹽堿地植物種植系統中一種種植溝的垂直于其長度方向的剖面示意圖；
[0032]圖3為鹽堿地植物種植系統中其中一種種植溝的垂直于其長度方向的剖面示意圖；
[0033]圖4為鹽堿地植物種植系統中其中一種種植溝的垂直于其長度方向的剖面示意圖；
[0034]圖5為鹽堿地植物種植系統中其中一種種植溝的垂直于其長度方向的剖面示意圖；
[0035]圖6為鹽堿地植物種植系統中其中一種種植溝的沿其長度方向的剖面示意圖。
.[0036]其中，附圖標記表示為:
[0037]1-透氣防滲層，3-找平層，4-防護層，5-種植土層，6-種植溝，7_側壁，9_集水井，10-鹽堿地地表面。
【具體實施方式】
[0038]實施例1
[0039]如圖1所示，本發明的鹽堿地植物種植系統，包括平行設置在鹽堿地中的間隔Im的6條種植溝6，所述種植溝6的側壁7為防水側壁，所述防水側壁是在挖掘好種植溝6后在其側壁上貼附塑料布形成，以防止種植溝6外部的鹽堿水由其側壁7滲入種植溝6。所述種植溝6內沿其長度方向間隔設置有3個集水井9，所述集水井9的井壁由透水材料制成透水井壁，所述集水井9的底部位于所述種植土層5內；圖2為本發明一種種植溝垂直于其長度方向的剖面示意圖，如圖2所示，所述種植溝6的內部由下向上填充有Icm厚的透氣防滲層1、IOcm厚的找平層3、8cm厚的防護層4和至少60cm厚的種植土層5,所述種植土層5的上表面比所述鹽堿地的地表面10高5cm。且所述種植土層5與所述防護層4相接觸的底面沿所述種植溝6的寬度方向傾斜設置，并與水平面形成15°C的夾角，所述集水井9設置在所述種植土層5在其寬度方向上的地勢低的一端，所述種植溝6的底面、所述透氣防滲層
1、找平層3和防護層4均平行于所述種植土層5與所述防護層相接觸的底面。
[0040]在本實施例中，挖掘所述種植溝6時，使種植溝6的底面沿其寬度方向傾斜設置，并與水平面形成15°C的夾角，然后在種植溝底面上方依次鋪設所述透氣防滲層1、找平層3和防護層4，且保證所述透氣防滲層1、找平層3和防護層4平行于所述種植溝底面，進而確保在鋪設的種植土層5時，其底面為傾斜的底面，從而使所述種植溝6的底面、所述透氣防滲層1、找平層3和防護層4均平行于所述種植土層5與所述防護層相接觸的底面。
[0041]在本實施例中，所述防護層4為由透水磚鋪設而成的透水磚層，所述透水磚層質地堅硬可有阻止植物根系向下延伸。所述找平層3為由沙子鋪設而成的沙子層，所述找平層3除起到找平的作用外，還可以儲存由透水磚層滲入的水份，在外部氣候干燥時，找平層3中的水份向上蒸發，補充植物生長所需的水份。在其它實施例中，所述找平層3可以是由細土鋪成的細土層，或由細土和沙子的混合物鋪設形成的混合層。所述透氣防滲層I為由透氣防滲沙鋪設形成的透氣防滲沙層，用以阻止地下鹽堿水的上竄和上層儲存的水份的外滲。所述種植土層5是由客土鋪設形成的客土層。
[0042]實施例2
[0043]如圖3所示，本實施例中所述種植溝的結構與實施例1中種植溝的結構基本相同，其區別僅在于，所述種植溝6的底面、所述透氣防滲層I均平行于水平面，將所述找平層3沿其寬度方向以厚度逐漸遞減的方式鋪設，使所述找平層3與所述防護層4相接觸的表面傾斜設置，所述防護層5沿所述表面(所述找平層3與所述防護層4相接觸的表面)平行鋪設，進而使所述種植土層5具有傾斜的底面。
[0044]實施例3
[0045]如圖4所示，本實施例中所述種植溝的結構與實施例1中種植溝的結構基本相同，其區別僅在于，所述種植土層5設置成部分傾斜的底面，所述透氣防滲層1、所述找平層3、所述防護層4在各層地勢低的一端沿種植溝寬度方向平行于水平面延伸至種植溝的一側壁，從而將各層分成傾斜部和水平部，所述集水井9位于所述防護層4的水平部的上方。
[0046]實施例4
[0047]如圖5所示，本實施例中所述種植溝的結構與實施例1中種植溝的結構基本相同，其區別僅在于，在所述種植溝的寬度方向上，所述種植土層5的底面為V字形，所述透氣防滲層1、所述找平層3、所述防護層4為V字形，所述集水井9設置在沿所述種植溝的寬度方向上地勢最低的一端。
[0048]實施例5
[0049]如圖6所示，本實施例中所述種植溝的結構與實施例1中種植溝的結構基本相同，其區別僅在于，本實施例中所述種植土層5與所述防護層4相接觸的底面沿所述種植溝6的長度方向傾斜設置，并與水平面形成一 15°C夾角。在挖掘所述種植溝6時，使種植溝6的底面沿其長度方向傾斜設置，并與水平面形成15°C的夾角，然后在種植溝底面上方依次鋪設所述透氣防滲層1、找平層3和防護層4，且保證所述透氣防滲層1、找平層3和防護層4平行于所述種植溝底面，進而確保在鋪設的種植土層5時，其底面為沿所述種植溝長度方向傾斜的底面，從而使所述種植溝6的底面、所述透氣防滲層1、找平層3和防護層4均平行于所述種植土層5與所述防護層相接觸的底面。
[0050]實施例6
[0051]本實施例中所述種植溝的結構與實施例1中種植溝的結構基本相同，其區別僅在于，本實施例中的種植溝不具有找平層，在所述種植溝中鋪設透氣防滲層后，直接鋪設透水磚層，然后再鋪設種植土層。[0052]需要說明的是，所述種植土層5依據當地的具體情況可以為客土層，也可以是鹽堿土層，當種植土層為鹽堿土層時，其上種植吸鹽植物，當種植土層為客土層時，其上可以種植各種植物。在其它實施方式中，所述種植溝可以設置為5條、8條等任意條，其數量依據鹽堿地的大小而定，所述集水井可以設置2、5個、6個或更多個，其具體數量依據所述種植溝的長度而定，相鄰種植溝之間的土是為了起到支持作用，因此，種植溝間的間距最好不小于為0.5m，所述種植溝的寬度、深度、所述種植溝中各層的厚度、所述種植土層底面傾斜的角度等可以根據當地的環境或具體要達到的要求設置，不必拘泥于固定的尺寸，只要能達到要求即可。本發明附圖只是示意圖，并不代表實際的尺寸和實際的比例關系。
[0053]顯然，上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例，而并非對實施方式的限定。對于所屬領域的普通技術人員來說，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發明創造的保護范圍`之中。
【權利要求】
1.一種鹽堿地植物種植系統，包括設置在鹽堿地中的種植溝(6)，所述種植溝(6)的內部由下向上填充有透氣防滲層(I)和種植土層(5)，其特征在于，所述種植溝(6)的側壁(7)為防水側壁；所述種植溝內沿其長度方向間隔設置有若干集水井(9 )，所述集水井具有由透水材料制成的透水井壁，所述集水井(9)的底部位于所述種植土層(5)內。
2.根據權利要求1所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述透氣防滲層(I)和植物種植土層(5)間還設置有防護層(4)。
3.根據權利要求2所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述透氣防滲層(I)和所述防護層(4)之間還設置有找平層(3)。
4.根據權利要求1-3任一所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述種植土層(5)的至少部分底面與水平面形成一夾角。
5.根據權利要求4所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述種植土層(5)的至少部分底面沿所述種植溝(6)的寬度方向傾斜設置，并與水平面形成一夾角。
6.根據權利要求5所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述種植溝(6)內所述種植土層(5 )在其寬度方向上地勢低的一端設置有所述集水井(9 )。
7.根據權利要求4所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述種植土層(5)的至少部分底面沿所述種植溝(6)的長度方向傾斜設置，并與水平面形成一夾角。
8.根據權利要求2-7任一所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于， 所述種植溝(6)的底面、所述透氣防滲層(I)、找平層(3)和/或防護層(4)平行于所述種植土層(5)的底面。
9.根據權利要求2-8任一所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述防護層(4)為透水磚層。
10.根據權利要求3-9任一所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述找平層(3)為細土和/或沙子層。
11.根據權利要求10所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述透氣防滲層(I)為透氣防滲沙層。
12.根據權利要求11所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述種植土層(5)為客土層或鹽堿土層。
13.根據權利要求1-12任一所述的鹽堿地植物種植系統，其特征在于，所述種植土層(5)的上表面不低于所述鹽堿地的地表面(10)。
【文檔編號】A01G9/02GK103430788SQ201310250577
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年6月21日 優先權日:2013年6月21日
【發明者】秦升益, 劉春雨 申請人:北京仁創科技集團有限公司