一種大櫻桃吉塞拉快速繁育方法
【專利摘要】本發明公開了一種大櫻桃吉塞拉快速繁育方法，通過1)、外植體獲取及脫毒；2)、外植體誘導培養；3)、叢生芽培養；4)、生根培養；5)、煉苗；6)、大田培育，將實驗室克隆技術與大棚訓練方法技術結合繁殖吉賽拉砧木，解決了以往繁殖速度慢，且砧木品種差的問題，繁育速度相比扦插繁育提高30倍以上，技術先進，節省時間，一年可繁育10——100萬株生產苗木，有很高的推廣價值和應用價值。
【專利說明】一種大櫻桃吉塞拉快速繁育方法
【技術領域】[0001]本發明涉及櫻桃栽培領域，特別涉及大櫻桃吉塞拉快速繁育方法。
【背景技術】
[0002]大櫻桃原產于歐洲，為優良的喬木水果果樹品種，因大櫻桃具有果實成熟期早、果粒大、色澤絢麗、口感好、經濟效益高等諸多特點，而且營養物種豐富，保健功能強，深受消費者喜愛。中國屬引種栽培國家，發展速度很快。同時大櫻桃又是嫁接栽培的果樹品種，生產栽培過程中，砧木品種選用十分重要。因為砧木決定樹勢、樹齡、抗性、適應性，也影響豐產性能、果實品質和花果時間等。針對不能用種子繁殖的多倍體植物，目前采用常規扦插繁殖的缺點主要表現為:
[0003]1、技術不穩定。
[0004]2、扦插的材料來源少，材料不能達到理想的繁育目的。
[0005]3、繁殖技術為常規方法，不能與現代先進的科學技術接軌。
[0006]繁殖速度慢，不能滿足產業化發展的需要。
[0007]“吉塞拉”是由德國育成的三倍體優良矮化砧木品種。具有使樹體矮化開張、早花早果、早熟和豐產、穩產、抗旱、抗寒、固地性好，對土壤適應范圍廣等諸多優點。在目前，中國大櫻桃產業化大發展的背景下，良種砧木遠跟不上生產需要，市場苗木極為混亂，不良砧木品種會給產業持續發展帶來許多負面效應，到目前許多地區已經出現了樹體不健康(病害嚴重)、死樹、不結果或果實品質差等現象，而且良種繁育技術不夠先進，
[0008]綜上，之前生產中砧木繁殖多以種子繁殖求得效益和速度，對砧木質量的重要問題重視不夠，所以砧木品種不優、混亂。吉塞拉是大櫻桃的優良砧木品種，但為3倍體生物，沒有種子，所以大量快速繁殖有難度。有扦插繁殖技術應用，但繁殖速度較慢，遠不能滿足生產需要。

【發明內容】

[0009]為解決上述現有技術存在的問題，本發明提出一種大櫻桃吉塞拉快速繁育方法，通過實驗室克隆技術與大棚訓練方法技術結合，繁育速度相比扦插繁育提高30倍以上，技術先進，節省時間，一年可繁育10——100萬株生產苗木，有很高的推廣價值和應用價值。
[0010]為達到上述目的，本發明的技術方案為:
[0011]一種大櫻桃吉塞拉快速繁育方法，包括如下步驟:
[0012]I)、外植體獲取及脫毒
[0013]外植體要通過材料脫毒、殺菌消毒后獲取無菌莖尖；
[0014]2)、外植體誘導培養
[0015]外植體誘導培養基:MS+6-BA0.5mg / L+ZT0.4mg / L+IBA0.1mg / L，對“吉塞拉”外植體誘導培養30d，獲得新生芽體。
[0016]3)、叢生芽增殖培養[0017]選擇用MS為基本培養基，用4種激素6-BA (6_芐氨基嘌呤)、ZT (玉米素)、ΚΤ (激動素)、IBA (吲哚丁酸)組合，對“吉塞拉”外植體誘導培養25d ;可明顯提高叢生芽增殖系數(達到11)。
[0018]4)、生根培養
[0019]采用:1 / 4MS+6-BA0.3mg / L+IBA0.5mg / L培養基，黑暗處理15d進行生根培養，生根效果達到5根/株左右。
[0020]5)、煉苗技術
[0021]煉苗基質及配方選用:草糞:園土 =1:1配比，在大棚對煉苗環境(溫度、濕度)全程控制7d.煉苗溫度保持在18°C~26°C之間，煉苗濕度保持在80%。成活率達90%以上；
[0022]6)、大田培育
[0023]通過煉苗成活的幼苗在移入大田，在自然環境中培育2——3月。
[0024]進一步，所述步驟I)外植體獲取及脫毒的具體操作為:①脫毒:將盆栽苗放入熱處理箱內，進行變溫 處理，開始處理時溫度為30-32 V，然后每隔Id提高TC，直至37~38°C,穩定處理6周。②殺菌消毒:取1.5-2.0cm長新梢,用自來水沖洗10~12h,然后在超凈工作臺上用70%酒精浸泡材料30s，用0.1%升汞浸泡8~12min，并不時輕輕攪動；加入適量吐溫-傾去升汞-用無菌水沖洗8~10次后，用無菌紗布吸干水分；③外植體獲取:在無菌室解剖鏡下，切取0.3mm左右莖尖接種至培養基培養。
[0025]進一步，所述步驟2)中培養環境條件為:清潔環境，培養溫度22_28°C，光照時間8-14h / d，光照強度 1000-3000Lx。
[0026]進一步，所述步驟3)中培養基配方及具體濃度為:Ms+6_BA0.5mg / L+ZT0.2mg /L+KT0.2mg / L+IBA0.lmg/L。
[0027]進一步，所述步驟5)中煉苗基質也可為草炭土:蛭石:珍珠巖=6:3:1混合配比或草糞:園土 =1:1配比。
[0028]進一步，所述步驟5)中溫度煉苗溫度在18°C~26°C之間；
[0029]進一步，所述步驟5)中濕度控制方法為:試管苗移栽后的前三天濕度控制在90%以上，每天白天用噴霧噴頭隔I小時噴一次水，噴灑過程中只噴葉面，不噴根部和營養土，連續三天，幼苗健康，葉子變綠，此后每天噴水兩次，如此連續一周，一周后每隔兩天噴灑一次稀薄營養液，隔五天噴灑一次1000倍的多菌靈液，經過一個多月的精心管理后幼苗便可健康生長。
[0030]相對于現有技術，本發明的有益效果為:通過實驗室克隆技術與大棚訓練方法技術結合繁殖吉賽拉砧木，解決了以往繁殖速度慢，且砧木品種差的問題，繁育速度相比扦插繁育提高30倍以上，技術先進，節省時間，一年可繁育10—50萬株甚至更多的生產苗木，有很高的推廣價值和應用價值。
[0031]如，2010年4月，我們成功獲取12瓶“吉賽拉5號”外植體，并誘導叢生芽56個，同年研究篩選優化條件(培養基)和各環節技術，到年底(2010.12)，實驗室培育芽苗約I萬株。
[0032]2011年在快繁技術體系研究成熟的情況下，基于約I萬株芽苗，從2012.2——9月份，開始叢生芽增殖培養，繼代增殖擴繁9代，獲得有效新生芽約53萬個，因受實驗室條件限制，無法進行再擴大，從8月份進入生根培養、大棚煉苗和擴繁的大循環過程。到2013.4月份，共從大棚連續移入大田的試管苗達到21.2萬株。如果實驗室培養面積寬敞，各環節操作不相礙，出苗量會成倍性大大增加。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1為本發明流程圖。
【具體實施方式】
[0034]下面結合附圖及【具體實施方式】對本發明做進一步詳細描述:
[0035]一種大櫻桃吉塞拉快速繁育方法，包括如下步驟:
[0036]I)、外植體獲取及脫毒
[0037]外植體要通過材料脫毒、殺菌消毒后獲取無菌莖尖；
[0038]2)、外植體誘導培養
[0039]外植體誘導培養基:用4種激素6-BA(6_芐氨基嘌呤)、ZT (玉米素)、KT (激動素)、IBA(吲哚丁酸)組合，MS+6-BA0.5mg / L+ZT0.4mg / L+IBA0.1mg / L，對“吉塞拉”外植體誘導培養30d，獲得新生芽體。
[0040]3)、叢生芽增殖培養
[0041]選擇用MS為基本培養基，用4種激素6-BA(6_芐氨基嘌呤)、ZT(玉米素)、ΚΤ(激動素)、IBA(吲哚丁酸)組合，最佳優化培養基:Ms+6-BA0.5mg / L+ZT0.2mg /L+KT0.2mg / L+IBA0.1mg / L，對“吉塞拉”外植體誘導培養25d，可明顯提高叢生芽增殖系數(達到11)。
[0042]4)、生根培養
[0043]采用優化組合培養基:1 / 4MS+6-BA0.3mg / L+IBA0.5mg / L培養基，黑暗處理15d進行生根培養，生根效果達到5根/株左右。
[0044]5)、煉苗技術
[0045]煉苗基質及配方選用:草糞:園土 =1:1配比，在大棚對煉苗環境(溫度、濕度)全程控制7d.煉苗溫度保持在18°C~26°C之間，煉苗濕度保持在80%。成活率達90%以上；
[0046]6)、大田培育
[0047]通過煉苗成活的幼苗在移入大田，在自然環境中培育2——3月。
[0048]進一步，所述步驟I)外植體獲取及脫毒的具體操作為:①脫毒:將盆栽苗放入熱處理箱內，進行變溫處理，開始處理時溫度為30-32 V，然后每隔Id提高TC，直至37~38°C,穩定處理6周。②殺菌消毒:取1.5-2.0cm長新梢,用自來水沖洗10~12h,然后在超凈工作臺上用70%酒精浸泡材料30s，用0.1%升汞浸泡8~12min，并不時輕輕攪動；加入適量吐溫-傾去升汞-用無菌水沖洗8~10次后，用無菌紗布吸干水分；③外植體獲取:在解剖鏡下，切取0.3mm左右莖尖接種至培養基培養。
[0049]進一步，所述步驟2)中培養環境條件為:清潔環境，培養溫度22_28°C，光照時間8-14h / d，光照強度 1000-3000Lx。
[0050]進一步，所述步驟3)中培養基配方及具體濃度為:Ms+6-BA0.5mg / L+ZT0.2mg /L+KT0.2mg / L+IBA0.lmg/L。
[0051]進一步，所述步驟4)中培養基配方及具體濃度為:1 / 4MS+6-BA0.3mg /L+IBA0.5mg / L培養基，黑暗處理IOd進行生根培養。
[0052]進一步，所述步驟5)中煉苗基質也可為草炭土:蛭石:珍珠巖=6:3:1混合配比或草糞:園土 =1:1配比。
[0053]進一步，所述步驟5)中溫度煉苗溫度在18°C~26°C之間；
[0054]進一步，所述步驟5)中濕度控制方法為:試管苗移栽后的前三天濕度控制在90%以上，每天白天用噴霧噴頭隔I小時噴一次水，噴灑過程中只噴葉面，不噴根部和營養土，連續三天，幼苗健康，葉子變綠，此后每天噴水兩次，如此連續一周，一周后每隔兩天噴灑一次稀薄營養液，隔五天噴灑一次1000倍的多菌靈液，經過一個多月的精心管理后幼苗便可健康生長。
[0055]如圖1所示，一種大櫻桃吉塞拉快速繁育方法，其步驟為:
[0056]1、外植體獲取及脫毒
[0057]外植體要通過材料脫毒、殺菌消毒等過程后獲取莖尖等無菌材料。①脫毒:將盆栽苗放入熱處理箱內，進行變溫處理，開始處理時溫度為30-32°C，然后每隔Id提高I °C，直至37~38°C，穩定處理6周。②殺菌消毒:取1.5-2.0cm長新梢 ，用自來水沖洗10~12h，然后在超凈工作臺上用70%酒精浸泡材料30s，用0.1 %升汞浸泡8~12min，并不時輕輕攪動。加入適量吐溫-傾去升汞-用無菌水沖洗8~10次后，用無菌紗布吸干水分。③外植體獲取:在解剖鏡下，切取0.3mm左右莖尖接種至培養基培養。
[0058]2、外植體誘導培養
[0059]外植體誘導培養基:外植體誘導培養基:用4種激素6-BA(6_節氨基嘌呤)、ZT (玉米素)、KT (激動素)、IBA (吲哚丁酸)組合，即:MS+6-BA0.5mg / L+ZT0.4mg /L+IBA0.1mg / L，對“吉塞拉”外植體誘導培養30d，獲得新生芽體。
[0060]培養環境條件:培養溫度22_28°C，光照時間8_14h / d，光照強度1000_3000Lx。培養室保持清潔衛生，發現污染及時清除，以防蔓延和相互傳染。
[0061]3、叢生芽培養技術
[0062]擇用MS為基本培養基，用4種激素6-BA (6_芐氨基嘌呤)、ZT (玉米素)、ΚΤ (激動素)、ΙΒΑ(吲哚丁酸)組合，最佳優化培養基:Ms+6-BA0.5mg / L+ZT0.2mg / L+KT0.2mg /L+IBA0.1mg / L，對“吉塞拉”外植體誘導培養25d，可明顯提高叢生芽增殖系數(達到11)。
[0063]4、生根培養技術
[0064]采用優化組合培養基:1 / 4MS+6-BA0.3mg / L+IBA0.5mg / L培養基，黑暗處理15d進行生根培養，生根效果達到5根/株左右。
[0065]5、煉苗技術
[0066]“吉賽拉”煉苗基質，最佳配方是I / 2草糞+1 / 2園土。煉苗效果成活率達到90.2%，而且生長速度快，植株粗壯，葉片濃綠。另外，用草炭土:蛭石:珍珠巖=6:3:1混合配方，煉苗成活率可達88%，而生長速度較快，植株粗壯，葉片濃綠。
[0067]另外試管苗移栽后的前三天必須控制好溫濕度，濕度應控制在90%以上，每天白天用噴霧噴頭隔I小時噴一次水，噴灑過程中只噴葉面，不噴根部和營養土，這樣連續三天，幼苗健康，葉子變綠，此后每天噴水兩次，如此連續一周。一周后每隔兩天噴灑一次稀薄營養液，隔五天噴灑一次1000倍的多菌靈液，經過一個多月的精心管理后幼苗便可健康生長。煉苗溫度一般應保持在15°c~28°C之間，最佳溫度煉苗溫度在15°C~25°C之間。[0068]6、大田培育
[0069]通過煉苗成活的幼苗在2——3月移入大田進行培育，培育條件為自然環境。
[0070]以上所述，僅為本發明的【具體實施方式】，但本發明的保護范圍并不局限于此，任何不經過創造性勞動想到的變化或替換，都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此，本發明的保護范圍應該以權利要求書所限`定的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種大櫻桃吉塞拉快速繁育方法，其特征在于，包括如下步驟: 1)、外植體獲取及脫毒: 外植體要通過材料脫毒、殺菌消毒后獲取無菌莖尖； 2)、外植體誘導培養: 外植體誘導培養基:用MS+6-BA0.5mg / L+ZT0.4mg / L+IBA0.1mg / L，對“吉塞拉”外植體誘導培養30d，獲得新生芽體； 3)、叢生芽增殖培養: 選擇用MS為基本培養基，用4種激素6-BA (6-芐氨基嘌呤)、ZT (玉米素)、KT (激動素)、IBA(吲哚丁酸)組合，對“吉塞拉”外植體誘導培養25d ； 4)、生根培養: 采用:1 / 4MS+6-BA0.3mg / L+IBA0.5mg / L培養基，黑暗處理15d進行生根培養，生根效果達到5根/株左右； 5)、煉苗技術 煉苗基質及配方選用:草糞:園土 =1:1配比，在大棚對煉苗環境(溫度、濕度)全程控制7d ;煉苗溫度保持在18°C~26°C之間，煉苗濕度保持在80%。成活率達90%以上； 6)、大田培育 通過煉苗成活的幼苗在移入大田，`在自然環境中培育2——3月。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于:所述步驟I)外植體獲取及脫毒的具體操作為:①脫毒:將盆栽苗放入熱處理箱內，進行變溫處理，開始處理時溫度為30-32°C，然后每隔Id提高I °C，直至37~38°C，穩定處理6周。②殺菌消毒:取1.5-2.0cm長新梢，用自來水沖洗10~12h，然后在超凈工作臺上用70%酒精浸泡材料30s，用0.1 %升汞浸泡8~12min，并不時輕輕攪動；加入適量吐溫-傾去升汞-用無菌水沖洗8~10次后，用無菌紗布吸干水分；③外植體獲取:在解剖鏡下，切取0.3mm左右莖尖接種至培養基培養。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于:所述步驟2)中培養環境條件為:清潔環境，培養溫度22-28°C，光照時間8-14h / d，光照強度1000_3000Lx。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于:所述步驟3)中培養基的具體濃度為:MS+6-BA0.5-1.0mg / L ；ZT0.1-0.2mg / L ；IBA0.3mg / L。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于:所述步驟5)中煉苗基質也可為草炭土:蛭石:珍珠巖=6:3:1混合配比。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于:所述步驟5)中溫度煉苗溫度在15°C~25°C之間。
7.如權利要求1所述的方法，其特征在于:所述步驟5)中濕度控制方法為:試管苗移栽后的前三天濕度控制在90%以上，每天白天用噴霧噴頭隔I小時噴一次水,噴灑過程中只噴葉面，不噴根部和營養土，連續三天，幼苗健康，葉子變綠，此后每天噴水兩次，如此連續一周，一周后每隔兩天噴灑一次稀薄營養液，隔五天噴灑一次1000倍的多菌靈液，經過一個多月的精心管理后幼苗便可健康生長。
【文檔編號】A01H4/00GK103688852SQ201310478199
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年10月15日 優先權日:2013年10月15日
【發明者】白文釗, 代貴華 申請人:陜西理工學院