菊花扦插的快速生根方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種菊花扦插的快速生根方法，具體包括如下步驟：步驟一、扦插床準備：在若干育苗穴盤放入噴有殺菌劑的基質(zhì)；步驟二、插穗準備：整理插穗，將插穗下部切口依次放入殺菌劑和生根劑溶液中，生根劑溶液為吲哚丁酸、多壁碳納米管和水三者組成的混合溶液；步驟三、扦插：用竹簽在育苗穴盤的每個孔穴中央垂直插一個洞，然后將處理好的插穗垂直扦插到各個洞內(nèi)并澆水；步驟四、育苗管理：在苗期的愈傷組織形成期對菊花苗進行全天遮陽處理；在苗期的愈傷愈傷組織完全形成期只需在陽光強烈時進行遮陽處理；在苗期的根系形成期需要對菊花苗噴灑殺菌劑。本發(fā)明的優(yōu)點是：能促進插穗快速生根，生根周期短、生根整齊、生根質(zhì)量好。
【專利說明】菊花扦插的快速生根方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種菊花栽培方法，尤其涉及一種菊花扦插的快速生根方法。
【背景技術】
[0002]菊花的栽培歷史悠久，菊花一直因其花色豐富、花形多變、觀賞價值高而備受人們的喜愛。菊花栽培可以采用多種方式進行，扦插栽培是使用范圍最廣且效果最佳的栽培方式之一。目前，我國菊花的生產(chǎn)和供應比較落后，其中一個重要原因是栽培方面存在較多的問題，如采用常規(guī)扦插方法，雖能保持菊花母株的優(yōu)良性狀，又簡單易行，但生根時間較長，且生根率不是很理想。菊花插穗生根是菊花生長過程中的一個重要環(huán)節(jié)，采用常規(guī)扦插方法，存在著在生根過程中插穗下部切口處易發(fā)霉腐爛、插穗的生根過程所需的時間長、生根不整齊等一系列問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所需解決的技術問題是:提供一種能促進插穗快速生根、生根整齊的菊花扦插的快速生根方法。
[0004]為解決上述問題，本發(fā)明采用的技術方案是:所述的菊花扦插的快速生根方法，包括扦插床準備、插穗準備、扦插及育苗管理四個階段，具體包括如下步驟:
步驟一、扦插床準備:扦 插床由若干育苗穴盤組成，將基質(zhì)均勻放入各育苗穴盤中，并在基質(zhì)中施入第一殺菌劑；
步驟二、插穗準備:選取菊花母株的新稍為插穗，插穗長度控制在6~7cm范圍內(nèi)，保留插穗頂部的3葉I心；然后將插穗下部切口放入第二殺菌劑中浸泡IOmin后取出；將取出后的插穗放置60~SOmin后再將插穗下部切口放入生根劑溶液中，待插穗下部切口部位濕潤即取出；生根劑溶液為吲哚丁酸、多壁碳納米管和水三者組成的混合溶液，混合溶液中吲哚丁酸的含量為10~100mg/L，混合溶液中多壁碳納米管的含量為I~10mg/L ；
步驟三、扦插:用竹簽在育苗穴盤的每個孔穴中央垂直插一個洞，然后再將處理好的插穗垂直扦插到各個洞內(nèi)，保證插穗插入深度為1.5~2cm，扦插好插穗后立即澆水以促進基質(zhì)與插穗緊密結(jié)合利于生根；
步驟四、育苗管理:在苗期的I~4天為愈傷組織形成期，此時需要對菊花苗進行全天遮陽處理；在苗期的5~6天為愈傷組織完全形成期，此時只需在中午陽光強烈時進行遮陽處理，并保證菊花苗生長溫度不超過28°C ;在苗期的7~14天為根系形成期，此時需要對菊花苗噴灑第三殺菌劑。
[0005]進一步地，前述的菊花扦插的快速生根方法，其中，步驟一中的基質(zhì)為珍珠巖與草炭土相混合的混合基質(zhì)；珍珠巖與草炭土的體積比例為1:4~1:4.2。
[0006]進一步地，前述的菊花扦插的快速生根方法，其中，步驟一中的第一殺菌劑為稀釋200倍的敵克松溶液、稀釋250倍的多菌靈溶液或6g/m3的五氯硝基苯中的一種。
[0007]進一步地，前述的菊花扦插的快速生根方法，其中，步驟二中的第二殺菌劑為稀釋800倍的阿米西達溶液、稀釋800倍的苯醚甲環(huán)唑溶液或稀釋1000倍的百菌清溶液中的一種。
[0008]進一步地，前述的菊花扦插的快速生根方法，其中，步驟四中的第三殺菌劑為稀釋800倍的敵克松溶液、稀釋800倍的多菌靈溶液或稀釋1000倍的百菌清溶液中的一種。
[0009]本發(fā)明的有益效果是:通過采用上述的菊花扦插的快速生根方法以及使用以吲哚丁酸、多壁碳納米管和水三者組成的混合溶液作為生根劑溶液，同比只使用以吲哚丁酸水溶液為生根劑溶液的常規(guī)扦插法，生根期同比縮短了 2~3天，長出不定根的數(shù)量同比增加了 50%，且生根質(zhì)量好，這大大縮短了菊花扦插的周期，提高了土地的利用率，節(jié)省了生產(chǎn)成本。
【具體實施方式】
[0010]下面結(jié)合實施例對本發(fā)明所述的技術方案作進一步詳細的說明。
[0011]本實施例以品種為“優(yōu)香”的菊花為例，菊花在一年的任何時間均可進行扦插栽培，但在實際操作中應避開高溫時間段，一般選取溫度范圍在18°c~25°C的時間段對菊花進行扦插栽培，具體步驟如下:
步驟一、扦插床準備:扦插床由若干育苗穴盤組成，將基質(zhì)均勻放入各育苗穴盤中，并在基質(zhì)中施入第一殺菌劑，將基質(zhì)中攜帶的病菌去除，以防止扦插到基質(zhì)中的插穗的下部切口腐爛；本實施例中扦插床由105孔穴的育苗穴盤組成，基質(zhì)為珍珠巖與草炭土相混合的混合基質(zhì)，珍珠巖與草炭土的體積比例為1:4~1:4.2。在實際操作中，第一殺菌劑可選用稀釋200倍的敵克松溶液、稀釋250倍的多菌靈溶液或6g/m3的五氯硝基苯中的一種。
[0012]步驟二、插穗準備:選取菊花母株的新稍為插穗，插穗長度控制在6~7cm范圍內(nèi)，并保留插穗頂部的3葉I心,插穗中存在大葉片的,需將每片大葉片剪去一半；本實施例中，先去除殘苗、黃化苗、空心苗、紅心苗、老化苗等不良插穗，然后將剩余的插穗進行分類，插穗直徑為3.5~4mm的插穗分為一類，插穗直徑為3.0~3.5的插穗分為一類，插穗直徑為2.5~3.0mm的插穗分為一類，在扦插時，相同類的插穗扦插到同一育苗穴盤中，以使同一育苗穴盤中的菊花苗生長高度整齊且同一育苗穴盤中的菊花苗生根整齊，為菊花苗移栽定植作準備。將插穗下部切口放入第二殺菌劑中浸泡IOmin后取出；將取出后的插穗放置60~SOmin后再將插穗下部切口放入生根劑溶液中，待插穗下部切口部位濕潤即取出后放置在塑料盆等容器中，生根劑溶液為吲哚丁酸、多壁碳納米管和水三者混合相溶的混合溶液，混合溶液中吲哚丁酸的含量為10~100mg/L，混合溶液中多壁碳納米管的含量為I~10mg/L。在實際操作中，第二殺菌劑為稀釋800倍的阿米西達溶液、稀釋800倍的苯醚甲環(huán)唑溶液或稀釋1000倍的百菌清溶液中的一種。
[0013]步驟三、扦插:用竹簽在育苗穴盤的每個孔穴中央垂直插一個洞，然后再將處理好的插穗垂直扦插到各個洞內(nèi)，保證插穗插入深度為1.5~2cm，本實施例中，扦插時，操作者右手拇指與食指捏住離下部切口距離為2.4~2.6cm的插穗莖部垂直放入洞中并順勢向下一摁，使基質(zhì)與插穗結(jié)合緊密。扦插好插穗后立即澆水以促進基質(zhì)與插穗緊密結(jié)合利于生根；
步驟四、育苗管理:在苗期的I~4天為愈傷組織形成期，此時需要對菊花苗進行全天遮陽處理，一般在扦插床上方設置遮陽網(wǎng)；在苗期的5~6天為愈傷組織完全形成期，此時撤去遮陽網(wǎng)，僅在陽光強烈時進行遮陽處理，并保證菊花苗生長溫度不超過28°C ;在苗期的7~14天為根系形成期，此時需要對菊花苗噴灑第三殺菌劑。在苗期的15~16天對菊花苗進行2~3天的煉苗處理，煉苗處理后即可將菊花苗移栽定植。在實際操作中，第三殺菌劑可選用稀釋800倍的敵克松溶液、稀釋800倍的多菌靈溶液或稀釋1000倍的百菌清溶液中的一種。[0014]采用上述菊花扦插的快速生根方法對品種為“優(yōu)香”的菊花進行扦插，菊花苗下部切口在扦插后第5天即可完全形成愈傷組織，扦插后第7天就能生長出不定根，扦插后第10天就能陸續(xù)生長出更多的不定根，一般扦插后第14天菊花苗的根系發(fā)育完全。同比只使用以吲哚丁酸溶液作為生根劑溶液的常規(guī)扦插法，生根期同比縮短了 2~3天，長出不定根的數(shù)量同比增加了 50%且根系長度較長、毛細根生長較發(fā)達，生根質(zhì)量好，這大大縮短了 “優(yōu)香”扦插栽培的周期，提高了土地的利用率，節(jié)省了生產(chǎn)成本。
【權利要求】
1.菊花扦插的快速生根方法，其特征在于:包括扦插床準備、插穗準備、扦插及育苗管理四個階段，具體包括如下步驟: 步驟一、扦插床準備:扦插床由若干育苗穴盤組成，將基質(zhì)均勻放入各育苗穴盤中，并在基質(zhì)中施入第一殺菌劑； 步驟二、插穗準備:選取菊花母株的新稍為插穗，插穗長度控制在6~7cm范圍內(nèi)，保留插穗頂部的3葉I心；然后將插穗下部切口放入第二殺菌劑中浸泡IOmin后取出；將取出后的插穗放置60~SOmin后再將插穗下部切口放入生根劑溶液中，待插穗下部切口部位濕潤即取出；生根劑溶液為吲哚丁酸、多壁碳納米管和水三者組成的混合溶液，混合溶液中吲哚丁酸的含量為10~100mg/L，混合溶液中多壁碳納米管的含量為I~10mg/L ； 步驟三、扦插:用竹簽在育苗穴盤的每個孔穴中央垂直插一個洞，然后再將處理好的插穗垂直扦插到各個洞內(nèi)，保證插穗插入深度為1.5~2cm，扦插好插穗后立即澆水以促進基質(zhì)與插穗緊密結(jié)合利于生根； 步驟四、育苗管理:在苗期的I~4天為愈傷組織形成期，此時需要對菊花苗進行全天遮陽處理；在苗期的5~6天為愈傷組織完全形成期，此時只需在中午陽光強烈時進行遮陽處理，并保證菊花苗生長溫度不超過28°C ;在苗期的7~14天為根系形成期，此時需要對菊花苗噴灑第三殺菌劑。
2.按照權利要求1所述的菊花扦插的快速生根方法，其特征在于:步驟一中的基質(zhì)為珍珠巖與草炭土相混合的混合基質(zhì)；珍珠巖與草炭土的體積比例為1:4~1:4.2。
3.按照權利要求1所述的菊花扦插的快速生根方法，其特征在于:步驟一中的第一殺菌劑為稀釋200倍的敵克松溶液、稀釋250倍的多菌靈溶液或6g/m3的五氯硝基苯中的一種。
4.按照權利要求1所述的菊花扦插的快速生根方法，其特征在于:步驟二中的第二殺菌劑為稀釋800倍的阿米西達溶液、稀釋800倍的苯醚甲環(huán)唑溶液或稀釋1000倍的百菌清溶液中的一種。
5.按照權利要求1所述的菊花扦插的快速生根方法，其特征在于:步驟四中的第三殺菌劑為稀釋800倍的敵克松溶液、稀釋800倍的多菌靈溶液或稀釋1000倍的百菌清溶液中的一種。
【文檔編號】A01P21/00GK103798114SQ201410054497
【公開日】2014年5月21日 申請日期:2014年2月18日 優(yōu)先權日:2014年2月18日
【發(fā)明者】鄭玉紅, 鄧波, 張智, 周堅, 劉曉靜, 彭峰, 余玲玲, 劉方 申請人:江蘇駿馬農(nóng)林科技股份有限公司, 南京林業(yè)大學, 江蘇省中國科學院植物研究所, 張家港市東航農(nóng)林農(nóng)民專業(yè)合作社