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一種珍貴樹種任豆的栽培方法與流程

文檔序號:11390993閱讀:1404來源:國知局

本發明屬于任豆種植技術領域,具體是一種珍貴樹種任豆的栽培方法。



背景技術:

珍貴樹種任豆材質優良,是建筑、家居裝飾等多種行業的優良材種,具有較高經濟價值和觀賞、收藏價值,從價位上,珍貴樹種的木材價格也是普通樹種的4—6倍。開發珍貴樹種具有較高的科研價值和經濟價值,境內珍貴樹種繁多,有許多培育綠化苗木的種質資源,隨著社會經濟的發展,為種植鄉土珍貴綠化樹種提供了廣闊的市場前景和歷史的機遇。進入21世紀以來,隨著人們對任豆認識的提高,任豆科研工作的深入和新成果的全面推廣,我國任豆產業發展較快,基地建設逐步擴大,任豆產品深加工方法不斷改進。中央和地方政府對珍貴樹種任豆產業發展予以充分重視,出臺多項優惠、扶持政策,極大地調動了各方發展任豆產業的積極性。

成年任豆樹耐旱性、耐寒性較強,但任豆幼林生長緩慢,根系吸水能力相對較差,長時間的高溫干旱天氣對任豆造林成活率和生長影響較大。近兩年來,在南方地區一些地方任豆新造林的成活率、保存率以及生長情況不夠理想,導致產果量低。



技術實現要素:

本發明的目的在于解決現有技術的不足,而提供一種任豆的栽培方法,該方法栽培的任豆樹成活率、保存率高,木材材質好,產果量高。

實現本發明目的的技術方案是:

一種任豆的栽培方法,包括如下步驟:

1)選地:應選擇土壤肥沃、土層深厚、通透性好、小氣候適宜等立地條件優良的無立木林地、宜林地或邊際土地。

2)整地:對步驟1)選好的種植地進行煉山和林地清理,坡度小于15°的種植地,實行全墾整地,深挖20cm~30cm;坡度為15°~25°的種植地,沿等高線形成水平梯帶;

3)挖穴施肥:將整地后的種植地按2.5m-3m×2.5m-3m間距上挖開長×寬×深等于50cm×50cm×40cm的種植穴,在每個種植穴底部施加1-2kg充分腐熟的農家肥或專用肥0.5kg,回土覆蓋農家肥或專用肥至種植穴深為20cm;

4)定植:覆土完畢后,在陰天下,將選好的任豆樹苗豎直置于步驟3)中施肥覆土后的種植穴內繼續覆土,覆土高度低于嫁接任豆樹苗的嫁接口或扦插苗的抽生新梢處,覆土后將種植穴以樹苗為中心圍成直徑為50-60cm的樹盤,中心點低于地面,外圈高于地面;

5)撫育管理:定期對定植后的任豆樹苗進行除草和施肥,培育任豆樹苗成長、結果。

步驟1)中,所述的種植區,海拔低于800米,相對高度低于400米,坡度低于35°、土壤ph值為5.0~5.6。

步驟2)中,所述的水平梯帶,帶與帶之間間隔0.5m~1m。

步驟4)中,任豆樹苗須達到以下規格:一年生或多年生苗,所用苗木必須無機械損傷,根系發達,生長旺盛,樹冠完整。

步驟5)中,定植當年只對樹盤內的雜草以及樹盤外攀緣到任豆苗上的雜草進行清除,不進行全林墾復和施肥;

定植第2~4年,每年帶狀、塊狀松土除草2次,第一次在4月~5月間,第二次在7月~8月間,松土深度5cm~10cm;

定植后,每年進行除草撫育,在夏雨過后和秋旱到來之前進行淺鋤鏟草一次,深度10cm~15cm;每隔2~3年于秋冬季墾復一次,深度20cm~25cm,坡度15o以下可采用全墾,15o~25o采用帶狀輪墾。

定植第2年于2~3月追施復合肥,每株50g,距植株蔸部20cm~30cm范圍內開穴施下;

定植第3、4年,每年的2月~4月和7月~8月各施肥一次,以復合肥為主,氮、磷、鉀配合施用,在樹冠上方沿樹冠投影線開1條寬、深各10cm~15cm,長60cm~80cm的弧形溝,將肥料均勻施入,蓋土踏實,每次每株施復合肥50g、磷肥50g或復混肥100g。

有益效果:

本發明提供一種任豆的栽培方法,該方法對任豆樹苗定植前,對種植區進行合理選擇,并在種植前施加基肥,對種植樹苗嚴格挑選,定植完成后,對樹苗進行專業的撫育,使任豆樹成活率、保存率高,生產情況良好,材質優良,產果量高。

具體實施方式

下面結合實施例對本發明做進一步闡述,但不是對本發明的限定。

實施例:

一種任豆的栽培方法,包括如下步驟:

1)選地:選擇土壤肥沃、土層深厚、通透性好、小氣候適宜等立地條件優良的無立木林地、宜林地或邊際土地作為種植區,種植區的海拔低于800米,相對高度低于400米,坡度低于35°、土壤ph值為5.0~5.6;

2)整地:對步驟1)選好的種植區進行煉山和林地清理,坡度小于15°的種植地,實行全墾整地,深挖20cm~30cm;坡度為15°~25°的種植地,沿等高線形成水平梯帶,帶與帶之間間隔0.5m~1m;

3)挖穴施肥:將整地后的種植區按2.5m~3m×2.5m~3m間距上挖開長×寬×深等于50cm×50cm×40cm的種植穴,在每個種植穴底部施加1-2kg充分腐熟的農家肥或專用肥0.5kg,回土覆蓋農家肥或專用肥至種植穴深為20cm;

4)定植:覆土完畢后,在陰天下,將選好的任豆樹苗豎直置于步驟3)中施肥覆土后的種植穴內繼續覆土,覆土后將種植穴以樹苗為中心圍成直徑為50-60cm的樹盤,中心點低于地面,外圈高于地面;

5)撫育管理:定期對定植后的任豆樹苗進行除草和施肥,培育任豆樹苗成長、成材。

步驟4)中,任豆樹苗須達到以下規格:一年生或多年生苗,所用苗木必須無機械損傷,根系發達,生長旺盛,樹冠完整。

步驟5)中,定植當年只對樹盤內的雜草以及樹盤外攀緣到任豆苗上的雜草進行清除,不進行全林墾復和施肥;

定植第2~4年,每年帶狀、塊狀松土除草2次,第一次在4月~5月間,第二次在7月~8月間,松土深度5cm~10cm;

定植初期,每年進行除草撫育,在夏雨過后和秋旱到來之前進行淺鋤鏟草一次,深度10cm~15cm;每隔2~3年于秋冬季墾復一次,深度20cm~25cm,坡度15o以下可采用全墾,15o~25o采用帶狀輪墾。

定植第2年于2~3月追施復合肥,每株50g,距植株蔸部20cm~30cm范圍內開穴施下;

定植第3、4年,每年的2月~4月和7月~8月各施肥一次,以復合肥為主,氮、磷、鉀配合施用,在樹冠上方沿樹冠投影線開1條寬、深各10cm~15cm,長60cm~80cm的弧形溝,將肥料均勻施入,蓋土踏實,每次每株施復合肥50g、磷肥50g或復混肥100g;

定植起至成材時期,每年3~4月和7~8月各施肥一次,每次每株施專用復合肥0.25-0.5kg。



技術特征:

技術總結
本發明公開了一種任豆的栽培方法,該栽培方法對任豆樹苗定植前,對種植區進行合理選擇,并在種植前施加基肥,對種植樹苗嚴格挑選,定植完成后,對樹苗進行專業的撫育,使任豆樹成活率、保存率高,生產情況良好,材質優良,產果量高。

技術研發人員:陶愛群;吳翠紅
受保護的技術使用者:陶愛群
技術研發日:2017.05.22
技術公布日:2017.09.01
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