專利名稱：一種烤瓷牙的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種牙科假體及其制造方法，尤其是一種特別適用于牙齒全瓷牙冠、全瓷柱釘、全瓷嵌體的修復(fù)。
背景技術(shù)：
烤瓷是一種牙科技術(shù)，一般稱之為烤瓷牙。這種修復(fù)體具有金屬的高強度、瓷的美觀性和牙齒的逼真性，以及耐磨等優(yōu)點，對缺失的前牙和后牙的修復(fù)，都能達(dá)到修復(fù)缺牙的理想的功能、形態(tài)。口腔修復(fù)有金屬烤瓷和全瓷，由于金屬內(nèi)冠不透明，光學(xué)特性無法滿足患者和牙醫(yī)追求自然牙齒的美觀效果，金屬烤瓷在世界各國都出現(xiàn)了金屬過敏，牙齦紅腫，牙齦發(fā)青現(xiàn)象，口腔內(nèi)過多的金屬還可產(chǎn)生電磁效應(yīng)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種抗折強度高，燒結(jié)收縮小，修復(fù)體密合性好，生物相容性好，操作簡便，價格低廉的一種烤瓷牙。本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是
一種烤瓷牙，是把氧化鋯原料粉在1500— 190(TC高溫預(yù)燒結(jié)得到氧化鋯瓷粉，研磨成粉或漿，再加入適量的助結(jié)劑、增韌劑，第二次帶模燒結(jié)即得全瓷牙。所述的燒結(jié)氧化鋯瓷粉，把氧化鋯原料粉培燒至1900°C熔融狀態(tài)時，用壓縮空氣不堅固的小塊狀物，用氧化鋯研碎磨成粉末或漿。所述的增韌劑為氧化鋅，加入量為氧化鋯原料的3%助結(jié)劑為氧化鎂，加入量為氧化鋯原料的3%。本發(fā)明氧化鋯燒結(jié)全瓷牙方法簡便，燒結(jié)收縮小，抗折強度高，修復(fù)體密合性好，生物相容性好，造價便宜，僅是外國的2 %，適合我國國情，容易普及。
具體實施例方式一種烤瓷牙，將氧化鋯原料燒到1900°C的熔融狀態(tài)，用壓縮空氣吹散造粒，經(jīng)過篩分級即可得瓷粉使用。燒結(jié)到1900°C的收縮性最少。氧化鋯原料的收縮率最大是培燒到1350°C，因此必須把原料氧化鋯培燒到1500°C時，這時的燒結(jié)還是不夠結(jié)實，特別是乘熱投入冷水中得到的燒結(jié)體是不堅固的，用工業(yè)氧化鋯做成的研碎可以研磨成漿，適應(yīng)牙科用量少的生產(chǎn)方法，這種方法可能有3%的收縮，可以通過石膏模的膨脹3%來對抗它的收縮。如果培燒到1400°C時，可以免研磨，但收縮性稍大些，達(dá)5%。鈷絡(luò)合金包理料，牙科市場有賣，由石英粉和硅溶膠組成，可耐1720°C高溫，用來翻制牙代模。用代模燒結(jié)耐高溫，又可調(diào)節(jié)膨脹系數(shù)。在牙模上先用臘做成底冠模，再把臘模翻成石膏模。用硅溶膠調(diào)氧化鋯燒結(jié)粉成漿糊狀，加入氧化鋯量3%的氧化鋅增韌劑，3 %的氧化鎂為助結(jié)劑，灌注底冠模，經(jīng)沉淀后用紅外線燈烤干。把烤干的底冠模連同牙代模一同送烤爐經(jīng)過1550°C — 1600°C燒結(jié)30分鐘即成全瓷底冠。在燒結(jié)好的底冠上，涂上面飾瓷和釉，再燒900°C即可成全瓷牙的制作。
權(quán)利要求
1.一種烤瓷牙，其特征是把氧化鋯原料粉在1500 190(TC高溫預(yù)燒結(jié)得到氧化鋯瓷粉，研磨成粉或漿，再加入適量的助結(jié)劑、增韌劑，第二次帶模燒結(jié)即得全瓷牙。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種烤瓷牙，其特征是燒結(jié)氧化鋯瓷粉，把氧化鋯原料粉培燒至1900°C熔融狀態(tài)時，用壓縮空氣吹散造粉。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種烤瓷牙，其特征是燒結(jié)氧化鋯瓷粉，把氧化鋯原料粉培燒至1500°C趁熱投入到冷水中，得到不堅固的小塊狀物，用氧化鋯研磨成粉末或漿。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種烤瓷牙，其特征是所述的增韌劑為氧化鋅，加入量為氧化鋯原料的3%。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種烤瓷牙，其特征是助結(jié)劑為氧化鎂，加入量為氧化鋯原料的3%。
全文摘要
一種烤瓷牙，是把氧化鋯原料粉在1500—1900℃高溫預(yù)燒結(jié)得到氧化鋯瓷粉，研磨成粉或漿，再加入適量的助結(jié)劑、增韌劑，第二次帶模燒結(jié)即得全瓷牙。本發(fā)明氧化鋯燒結(jié)全瓷牙方法簡便，燒結(jié)收縮小，抗折強度高，修復(fù)體密合性好，生物相容性好，造價便宜，僅是外國的2％，適合我國國情，容易普及。
文檔編號A61C13/083GK102935015SQ201210479339
公開日2013年2月20日 申請日期2012年11月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月23日
發(fā)明者李曉宇 申請人:李曉宇