一種用于磁共振成像系統的磁設備的制作方法
【專利摘要】本發明公開一種用于磁共振成像系統的磁設備，所述磁設備包括：圓筒形真空容器；設置在真空容器內的閉環冷卻系統；設置在真空容器和閉環冷卻系統之間的圓筒形隔熱罩。設置在真空容器內的一組無源補償線圈用于補償磁設備內的、由機械振動引起的磁場畸變。
【專利說明】一種用于磁共振成像系統的磁設備
【技術領域】
[0001]本發明總體上涉及磁共振成像(MRI)系統，特別涉及用于補償MRI系統中由機械振動引起的磁場畸變的系統和設備。
【背景技術】
[0002]磁共振成像(MRI)是一種醫學成像方式，其不使用X射線或其他電離輻射而生成人體內部的圖片。MRI使用強大的磁體生成強大的均勻靜磁場(即主磁場)。當人體或者人體的一部分置入主磁場中時，與組織水中的氫核關聯的原子核自旋被極化。這意味著與這些自旋關聯的磁矩變為優先沿著主磁場的方向對齊，引起沿該軸(按照慣例稱為z軸)的小的凈組織磁化。MRI系統還包括被稱為梯度線圈的部件，當向梯度線圈施加電流時，其產生幅度較小、在空間上變化的磁場。通常，梯度線圈設計為產生沿z軸對齊并且幅度隨著沿x、y或z軸中的一個軸的位置線性變化的磁場分量。梯度線圈的效果是沿單軸在磁場強度上生成小斜坡(ramp)，同時在原子核自旋的共振頻率上生成小斜坡。使用具有正交軸的三個梯度線圈，在體內的每個位置處生成標識共振頻率(signature resonance frequency),從而對MR信號進行“空間編碼”。使用射頻(RF)線圈在氫核的共振頻率處或其附近生成RF能量脈沖。使用RF線圈以受控方式向原子核自旋系統增加能量。當原子核自旋后續弛豫回到其靜止能量狀態時，它們放出RF信號形式的能量。該信號被MRI系統檢測，并使用計算機和已知的重建算法轉換為圖像。 [0003]在MRI掃描過程中，MRI系統的各個元件承受機械振動，例如冷頭電機(coldheadmotor)或梯度線圈(例如由梯度線圈的脈沖引起)。MRI系統的機械振動還可能由外部源引起，例如附近的電梯或地鐵引起的地板振動。這些源的機械振動可能導致MRI系統內的其他元件(例如低溫恒溫器的隔熱罩)的機械振動，并感應低溫恒溫器中的導電材料(例如真空容器、隔熱罩、氦容器)中的渦流。所感應的例如隔熱罩中的渦流會導致磁場畸變、均勻性降低并降低圖像質量。主磁場越高，所感應的渦流將越高，從而磁場畸變越高。
[0004]希望提供一種被動(例如自動)消除或減小機械振動感應的渦流所引起的磁場畸變的系統和設備。

【發明內容】

[0005]根據本發明的一個方面，提供一種用于磁共振成像系統的磁設備，所述磁設備包括:圓筒形真空容器；設置在所述真空容器內的閉環冷卻系統；設置在所述真空容器和閉環冷卻系統之間的圓筒形隔熱罩；以及設置在所述真空容器內的一組無源補償線圈。
[0006]進一步的，所述一組無源補償線圈包括:用于z軸方向的第一組無源補償線圈；用于I軸方向的第二組無源補償線圈；以及用于X軸方向的第三組無源補償線圈。
[0007]進一步的，所述無源補償線圈是超導線圈。
[0008]進一步的，所述無源補償線圈由低溫超導材料制成。
[0009]進一步的，所述無源補償線圈由高溫超導材料制成。[0010]進一步的，所述隔熱罩包括外圓筒和內圓筒，所述外圓筒具有外表面，所述一組無源補償線圈設置在所述隔熱罩的外圓筒的外表面上。
[0011]進一步的，所述隔熱罩包括外圓筒和內圓筒，所述內圓筒具有外表面，所述一組無源補償線圈設置在所述隔熱罩的所述內圓筒的所述外表面上。
[0012]進一步的，所述隔熱罩包括外圓筒和內圓筒，所述內圓筒具有內表面，所述一組無源補償線圈設置在所述隔熱罩的所述內圓筒的所述內表面上。
[0013]進一步的，所述隔熱罩包括外圓筒和內圓筒，所述外圓筒具有內表面，所述一組無源補償線圈設置在所述隔熱罩的所述外圓筒的所述內表面上。
[0014]進一步的，所述的磁設備還包括:設置在所述真空容器內并具有外徑的主線圈架；以及其中，所述一組無源補償線圈定位在所述主線圈架的所述外徑上。
[0015]進一步的，所述的磁設備還包括:設置在所述真空容器內并具有外徑的補償線圈架；以及其中，所述一組無源補償線圈定位在所述補償線圈架的所述外徑上。
[0016]根據本發明的另一個方面，提供一種用于磁共振成像系統的磁設備，所述磁設備包括:圓筒形真空容器；設置在所述真空容器內的至少一個圓筒形線圈架，所述至少一個線圈架具有安裝于其上的至少一個超導線圈；設置在所述真空容器和至少一個線圈架之間的圓筒形隔熱罩；以及設置在所述真空容器內的一組無源補償線圈。
[0017]進一步的，所述一組無源補償線圈包括:用于z軸方向的第一組無源補償線圈；用于I軸方向的第二組 無源補償線圈；以及用于X軸方向的第三組無源補償線圈。
[0018]進一步的，所述無源補償線圈是超導線圈。
[0019]進一步的，所述無源補償線圈由低溫超導材料制成。
[0020]進一步的，所述無源補償線圈由高溫超導材料制成。
[0021 ] 進一步的，所述至少一個線圈架包括設置在所述真空容器內并具有外徑的主線圈架，所述一組無源補償線圈定位在所述主線圈架的所述外徑上。
[0022]進一步的，所述至少一個線圈架包括設置在所述真空容器內并具有外徑的補償線圈架，所述一組無源補償線圈定位在所述補償線圈架的所述外徑上。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]通過以下與附圖結合的詳細描述，將更全面地理解本發明，其中相同的附圖標記指代相同的部件，其中:
[0024]圖1是根據實施例的示例性磁共振成像(MRI)系統的示意性框圖；
[0025]圖2是根據實施例的包括示例性閉環冷卻系統的磁組件的示意性側視圖；
[0026]圖3是顯示根據實施例的多組示例性無源補償線圈的示意圖；以及
[0027]圖4是磁組件低溫恒溫器的示意性剖視框圖，其顯示根據實施例的無源補償線圈的示例性徑向位置。
【具體實施方式】
[0028]圖1是根據實施例的示例性磁共振成像(MRI)系統的示意性框圖。通過操作控制臺12控制MRI系統10的操作，其中操作控制臺12包括鍵盤或其他輸入裝置13、控制面板14和顯示器16。操作控制臺12通過鏈路18與計算機系統20通信，并為操作者提供指定MRI掃描、顯示結果圖像、在圖像上執行圖像處理、以及獲得數據和圖像的界面。計算機系統20包括通過電和/或數據連接(例如使用底板20a所提供的)彼此進行通信的多個模塊。數據連接可以是直接的有線鏈路，或者可以是光纖連接，或者是無線通信鏈路等。計算機系統20的模塊包括圖像處理器模塊22、CPU模塊24和包括用于存儲圖像數據陣列的幀緩存器的存儲器模塊26。在替換實施例中，圖像處理器模塊22可以被CPU模塊24上的圖像處理功能代替。計算機系統20連接至歸檔媒體裝置、永久或備用存儲裝置或網絡。計算機系統20還可以通過鏈路34與分離的系統控制計算機32通信。輸入裝置13可以包括鼠標、操縱桿、鍵盤、跟蹤球、觸摸屏、光棒、語音控制器或者任何類似或等效的輸入裝置，并可用于交互式幾何指示。
[0029]系統控制計算機32包括通過電和/或數據連接32a彼此進行通信的一系列模塊。數據連接32a可以是直接的有線鏈路，或者可以是光纖連接，或者是無線通信鏈路等。在替換實施例中，計算機系統20和系統控制計算機32的模塊可以在同一計算機系統或多個計算機系統上實施。系統控制計算機32的模塊包括CPU模塊36和脈沖發生器模塊38，脈沖發生器模塊38通過通信鏈路40連接至操作控制臺12。或者脈沖發生器模塊38可以集成在掃描器設備(例如共振組件52)中。通過鏈路40，系統控制計算機32從操作者接收用于指示待執行的掃描序列的命令。脈沖發生器模塊38發出描述RF脈沖的定時、強度和形狀的待生成的脈沖序列的、以及描述數據采集窗口的定時和長度的指令、命令和/或請求，從而操作發出(即執行)請求的脈沖序列的系統部件。脈沖發生器模塊38連接至梯度放大器系統42，并產生被稱為梯度波形的數據，梯度波形控制掃描過程中使用的梯度脈沖的定時和形狀。脈沖發生器模塊38還可以從生理采集控制器44接收病人數據，其中生理采集控制器44從連接至病人的多個不同傳感器接收信號，例如來自于附于病人的電極的ECG信號。脈沖發生器模塊38連接至掃描室接口電路46，掃描室接口電路46從與病人狀況和磁系統關聯的不同傳感器接收信號。同樣通過掃描室接口電路46，病人定位系統48接收用于將病人檢查臺移動至掃描所需位置的命令。
[0030]脈沖發生器模塊38產生的梯度波形應用于由Gx，Gy和Gz放大器構成的梯度放大器系統42。每個梯度放大器激·發梯度線圈組件中相應的物理梯度線圈，總體由50表示的梯度線圈組件產生用于對采集的信號進行空間編碼的磁場梯度脈沖。梯度線圈組件50形成共振組件52的一部分，共振組件52包括具有超導主線圈54的極化超導磁體。共振組件52可包括整體RF線圈56、表面或/和平行成像線圈76。RF線圈組件的線圈56和76可配置為用于發送和接收，或者僅用于發送，或者僅用于接收。病人或成像對象70可布置在共振組件52的圓筒形病人成像體72內。系統控制計算機32中的收發器模塊58產生脈沖，該脈沖被RF放大器60放大，并通過發送/接收開關62耦合至RF線圈56和76。病人體內被激發的原子核所發出的結果信號可被相同的RF線圈56感測，并通過發送/接收開關62耦合至前置放大器64。或者，被激發的原子核所發出的信號被分離的接收線圈(例如平行線圈或表面線圈76)感測。放大的MR信號在收發器58的接收器部分被解調、濾波和數字化。發送/接收開關62由來自于脈沖發生器模塊38的信號控制，以便在發送模式中將RF放大器60電連接至RF線圈56，在接收模式中將前置放大器64電連接至RF線圈56。發送/接收開關62還可以驅動用于發送或接收模式中的分離RF線圈(例如平行或表面線圈76)。
[0031]被RF線圈56或者平行或表面線圈76感測的MR信號被收發器模塊58數字化，并被轉移至系統控制計算機32中的存儲器模塊66。通常，對應于MR信號的數據幀臨時存儲在存儲器模塊66中，直到其后續被轉換以產生圖像。陣列處理器68使用已知的轉換方法從MR信號產生圖像，最常用的是傅里葉變換。這些圖像通過鏈路34傳輸至計算機系統20，并存儲在計算機系統20的存儲器中。響應從操作控制臺12接收的命令，該圖像數據被歸檔為長期存儲，或者其可以被圖像處理器22進一步處理并傳輸至操作控制臺12以及呈現在顯示器16上。
[0032]圖2是根據實施例的包括示例性閉環冷卻系統的磁組件的示意性側視圖。磁組件200可用于共振組件中，例如圖1所示的MRI系統10的共振組件52中。磁組件200為圓筒形，并圍繞用于對目標(例如病人)進行成像的圓筒形病人室220。例如，可以限定視野(FOV) 224，以便對目標的特定部分進行成像。中心軸222平行于主磁場的方向BO對齊，主磁場由磁組件200的主超導線圈202產生。主線圈202包括多個徑向對齊并且縱向間隔的超導線圈，每個線圈能夠承載大電流。如上所述，主線圈202設計為在病人室220內產生主磁場B0。主線圈202布置在主線圈架203上，主線圈架203為圓筒形，為主線圈202及線圈的電磁力提供支撐。使用外部的一組超導補償(bucking)或屏蔽線圈204來提供例如雜散磁場控制。補償線圈204布置在補償線圈架205上，補償線圈架205為圓筒形，為補償線圈204和內部線圈力提供支撐。
[0033]主線圈202和補償線圈204被包圍在低溫恒溫器中，低溫恒溫器用于提供低溫環境，從而將超導線圈的溫度保持在適當的臨界溫度以下以便超導線圈處于具有零電阻的超導狀態中。低溫恒溫器包括真空容器216，真空容器配置為保持真空環境并用于控制熱載荷。隔熱罩214布置在真空容器216內、主線圈202和補償線圈204外部。隔熱罩214用于攔截來自于室溫的輻射熱載荷，以將其冷卻。還可以在磁組件200內設置一組超導有源勻場線圈和/或移動金屬屏蔽線圈242，用于提供制造公差補償和外部移動金屬干擾補償。磁組件200還包括接收電源線240的供電線路箱238，電源線240用于對線圈202、204以及本說明書描述的磁組件200的·其他部件進行供電。為清楚起見，圖2中省略了各種其他元件，例如蓋板、端蓋、支撐件、支架等。
[0034]在操作過程中，使用液氦(He)通過經由冷卻回路的傳導冷卻來冷卻超導磁線圈202、204。例如超導磁線圈202、204可以被冷卻至超導溫度，例如4.2開氏度(K)。圖2顯示了示例性的閉環冷卻系統。雖然顯示了示例性的閉環冷卻系統，但是結合任何類型的閉環冷卻系統可以實施不同的實施例。在圖2中，不同實施例中的冷卻系統配置為氦溫差環流系統(helium thermosiphon system),其包括冷卻管206或者其他適當的冷卻路徑,通過使用制冷機218氦在冷卻管206內循環。冷卻管206可以熱耦合至支撐或保持主磁線圈202的位置的主線圈架203和支撐或保持補償線圈204的位置的補償線圈架205。可以通過如下所述的兩級設置提供冷卻。
[0035]可以由任何適當的金屬(例如銅、不銹鋼、鋁等)形成冷卻管206，該冷卻管與可由多個液氦存儲罐形成的液氦存儲系統210流體連通。液氦存儲系統210包含在閉環冷卻系統中用于冷卻磁組件200的磁線圈202、204的液氦。可通過一個或多個流體通道232 (例如流體管、管道等)提供冷卻管206和液氦存儲系統210之間的流體連通。這樣，液氦存儲系統210提供流過冷卻管206從而冷卻磁線圈202、204的液氦。
[0036]冷卻管206還與回汽歧管234流體連通，回汽歧管234通過再冷凝器226與氦氣存儲系統212流體連通。可由一個或多個氦氣存儲罐(例如兩個環形罐)形成的氦氣存儲系統212包含從冷卻管206以氦蒸汽形式接收的氦氣，氦氣帶走來自于磁線圈202、204的熱，并構成閉環冷卻系統的一部分。可通過一個或多個通道230提供再冷凝器226和氦氣存儲系統212之間的流體連通。
[0037]氦氣存儲系統212與包括再冷凝器226的制冷機218流體連通，可通過一個或多個流體通道230提供該流體連通。在不同實施例中，再冷凝器226從氦氣存儲系統212吸取氦氣，氦氣存儲系統212操作以形成自由對流循環回路，從而將磁線圈202、204和架203、205冷卻至低溫溫度，以及通過一個或多個通道236向液氦存儲系統210填充液氦。在制冷機218供電中斷或關閉過程中，例如在維修過程中(例如10-12小時)，液氦存儲系統210中的液氦可用于提供磁線圈202、204的冷卻。
[0038]可以是冷頭(coldhead)或其他適當制冷機的制冷機218延伸通過真空容器216，真空容器216中包含各個實施例的磁組件200和冷卻部件。制冷機218可以在套筒或外殼(未顯示)中延伸。這樣，制冷機218的冷端可以布置在套筒內，而不影響真空容器216中的真空。制冷機218使用任意適當的方式(例如一個或多個凸緣或螺栓)插入(或容納在)并固定在套筒中。此外，制冷機218的電機228設置在真空容器216外部。如圖2所示，各個實施例中的制冷機218包括位于制冷機218的下端的再冷凝器226，再冷凝器226將從與氦氣存儲系統212平行的回汽歧管234接收的蒸發掉的氦氣再冷凝。再冷凝器226允許蒸發掉的氦氣從氦氣存儲系統212轉移至液氦存儲系統210。
[0039]隔熱罩214可以與氦氣存儲系統212熱接觸。在各個實施例中，隔熱罩與多個冷卻管208(例如預冷管)熱耦合，在各個實施例中，冷卻管208不同于冷卻管206，并且不與冷卻管206流體連通。例如，冷卻管206使用氦提供冷卻，冷卻管208使用液氮(LN2)提供冷卻或預冷卻。因此，具有 冷卻管208的隔熱罩214可以作為具有對流冷卻的熱隔離輻射屏蔽罩而操作。
[0040]如上所述，在各個實施例中，圖2所示的多級冷卻設置提供為兩級冷卻設置。特別地，通過隔熱罩214的冷卻可提供例如使用液氮的第一級冷卻，其可提供預冷卻，例如當MRI系統安裝或第一次打開時。第二級冷卻使用氦冷卻提供，其可以提供穩態操作過程中和/或功率輸出條件下的冷卻，允許“穿越(ride-through) ”模式以提供大約4.2K的操作溫度。這樣，在各個實施例中，用于冷卻磁線圈202、204的冷卻系統在冰箱類型的方式下操作，并允許斷電條件下(例如5-10小時的斷電)的氦蒸發,還允許MRI系統在失磁(magnetquench)之前關閉。
[0041]歧管234從冷卻管206接收蒸汽氦(氦氣)，并將氦氣返回再冷凝器226。在各個實施例中，氦氣存儲罐212最初在環境溫度下填充預定量的氦氣。在操作中，當制冷機打開時，再冷凝器226從氦氣存儲罐212吸取氦，建立將線圈202和204以及支撐體(架203和205)冷卻至低溫溫度的自由對流循環回路，以及向液氦存儲罐210填充液氦。在操作中，液氦存儲罐210中的液氦用于提供例如供電中斷或制冷機218關閉過程中(例如達到10-12小時的維修)的磁體的冷卻。在各個實施例中，一旦溫差環流系統打開，系統自身冷卻，從而形成自由對流循環系統。
[0042]在磁組件200的操作過程中，制冷機或冷頭218產生機械振動(例如來自于電機)，振動引起隔熱罩214以及低溫恒溫器中具有導電材料的其他元件中的感應渦流。此外，冷頭218的機械振動可導致隔熱罩214的機械振動。例如當隔熱罩沿z軸方向、X軸方向或y軸方向交替(或振動)時，可感應渦流。機械振動感應的渦流可引起主磁場BO的磁場畸變和均勻性降低。磁場畸變可導致圖像畸變，影響圖像質量。為了減小、消除或補償磁場畸變，在磁組件200中包含無源補償線圈。在優選實施例中，為每個正交方向(X，Y，Z)提供一組無源補償線圈。在其他實施例中，可以為每個正交方向使用多組線圈。如下文進一步討論的，無源補償線圈可布置在真空容器216內的不同徑向圓筒位置處以及真空容器216內沿著元件的圓筒長度的不同位置處。
[0043]圖3是顯示根據實施例的多組示例性無源補償線圈的示意圖。在圖3中顯示了三組無源補償線圈300，具體而言，每個正交方向(Χ，Υ，Ζ) —組。用于ζ軸方向的第一組無源補償線圈302包括配置為在例如圖2所示的真空容器216中圍繞圓筒形元件布置的兩個線圈。用于y軸方向的第二組無源補償線圈304包括配置為在例如圖2所示的真空容器216中圍繞圓筒形元件布置的兩個線圈。用于X軸方向的第三組無源補償線圈306包括配置為在例如圖2所示的真空容器216中圍繞圓筒形元件布置的兩個線圈。雖然圖3中的每組線圈302、304和306都顯示具有兩個無源補償線圈，但是每組中的線圈數可大于2。此外，在其他實施例中，可以使用不同的線圈形狀。例如無源補償線圈的形狀、位置和數量可以取決于成像體中需要的消除或補償量、距離隔熱罩的距離、與隔熱罩磁耦合所需的設計等。
[0044]可以使用已知的超導材料制成無源補償線圈，例如MbB2線，MgB2帶，低溫或中溫超導體，例如NbT1-Cu線，Nb3Sn-Cu線，Nb3Sn_Cu帶，或者高溫超導體，例如BSCC0-2212、BSCC0-2223和YBC0。在優選實施例中，無源補償線圈設計為與隔熱罩214或真空容器216磁耦合(如圖2所示)。機械振動(例如來自于冷頭或隔熱罩)感應無源補償線圈中的電流。無源補償線圈中的感應電流產生的磁場貢獻與機械振動在例如隔熱罩中感應的渦流產生的磁場相反。優選地，補償線圈中的感應電流引起的磁場畸變與例如隔熱罩中的感應渦流引起的磁場畸變之和被最小化。
[0045]如上所述， 無源補償線圈可布置在圓筒形真空容器216內的不同徑向位置處(圖2所示)。圖4是磁組件低溫恒溫器的示意性剖視框圖，顯示根據實施例的無源補償線圈的示例性徑向位置。低溫恒溫器400包括真空容器416，真空容器416具有通過端部凸緣421耦合在一起的外圓筒417和內圓筒419。隔熱罩設置在真空容器416內，并布置在真空容器和閉環冷卻系統(總體由406表示)之間。隔熱罩414包括通過端部凸緣427耦合在一起的外圓筒425和內圓筒423。各種超導線圈容納在氦容器內，例如包括主線圈402、補償線圈404和有源勻場線圈442。主線圈402布置在主線圈架403上。補償線圈404布置在補償線圈架405上。為清楚起見，圖4中省略了各種其他元件，例如蓋板、支撐件、懸浮構件、支架、冷頭、電流導線等。
[0046]在一個實施例中，使用低溫或中溫超導材料來制造無源補償線圈。由低溫超導材料制成的無源補償線圈的示例性徑向位置是主線圈架403的外徑(即外直徑)表面450或者補償線圈架405的外徑表面452。
[0047]在另一個實施例中,用于制造無源補償線圈的超導材料是MgB2。由MgB2制成的無源補償線圈的示例性徑向位置是主線圈架403的外徑表面450或者補償線圈架405的外徑表面452，隔熱罩內圓筒423的內表面454，隔熱罩外圓筒425的內表面456，隔熱罩內圓筒423的外表面458，以及隔熱罩外圓筒425的外表面460。[0048]在另一個實施例中，使用高溫超導材料來制造無源補償線圈。由高溫超導材料制成的無源補償線圈的示例性徑向位置是主線圈架403的外徑表面450或者補償線圈架405的外徑表面452,隔熱罩內圓筒423的內表面454,隔熱罩外圓筒425的內表面456,隔熱罩內圓筒423的外表面458，以及隔熱罩外圓筒425的外表面460。
[0049]本書面描述使用示例來公開本發明，包括最佳實施方式，并使任何本領域技術人員能實施和使用本發明。本發明的可專利范圍由權利要求書限定，并且可以包括本領域的技術人員想到的其它示例。這樣的其它示例旨在屬于權利要求書的范圍內，只要它們具有與該權利要求書的文字語言沒有區別的結構元件，或者只要它們包括與該權利要求的文字語言無實質區別的等效結構元件。根據替換實施例，可以改變或重新安排任何過程或方法步驟的順序和序列。
[0050]不背離本 發明的精神，可以對本發明進行多種其他改變和修改。通過所附權利要求書，這些以及其他改變的范圍將清晰呈現。
【權利要求】
1.一種用于磁共振成像系統的磁設備，所述磁設備包括: 圓筒形真空容器； 設置在所述真空容器內的閉環冷卻系統； 設置在所述真空容器和閉環冷卻系統之間的圓筒形隔熱罩；以及 設置在所述真空容器內的一組無源補償線圈。
2.根據權利要求1所述的磁設備，其特征在于，所述一組無源補償線圈包括: 用于z軸方向的第一組無源補償線圈； 用于y軸方向的第二組無源補償線圈；以及 用于X軸方向的第三組無源補償線圈。
3.根據權利要求1所述的磁設備，其特征在于，所述無源補償線圈是超導線圈。
4.根據權利要求3所述的磁設備，其特征在于，所述無源補償線圈由低溫超導材料制成。
5.根據權利要求3所述的磁設備，其特征在于，所述無源補償線圈由高溫超導材料制成。
6.根據權利要求1所述的磁設備，其特征在于，所述隔熱罩包括外圓筒和內圓筒，所述外圓筒具有外表面，所述一組 無源補償線圈設置在所述隔熱罩的外圓筒的外表面上。
7.根據權利要求1所述的磁設備，其特征在于，所述隔熱罩包括外圓筒和內圓筒，所述內圓筒具有外表面，所述一組無源補償線圈設置在所述隔熱罩的所述內圓筒的所述外表面上。
8.根據權利要求1所述的磁設備，其特征在于，所述隔熱罩包括外圓筒和內圓筒，所述內圓筒具有內表面，所述一組無源補償線圈設置在所述隔熱罩的所述內圓筒的所述內表面上。
9.根據權利要求1所述的磁設備，其特征在于，所述隔熱罩包括外圓筒和內圓筒，所述外圓筒具有內表面，所述一組無源補償線圈設置在所述隔熱罩的所述外圓筒的所述內表面上。
10.根據權利要求1所述的磁設備，還包括: 設置在所述真空容器內并具有外徑的主線圈架；以及 其中，所述一組無源補償線圈定位在所述主線圈架的所述外徑上。
11.根據權利要求1所述的磁設備，還包括: 設置在所述真空容器內并具有外徑的補償線圈架；以及 其中，所述一組無源補償線圈定位在所述補償線圈架的所述外徑上。
12.一種用于磁共振成像系統的磁設備，所述磁設備包括: 圓筒形真空容器； 設置在所述真空容器內的至少一個圓筒形線圈架，所述至少一個線圈架具有安裝于其上的至少一個超導線圈； 設置在所述真空容器和所述至少一個線圈架之間的圓筒形隔熱罩；以及 設置在所述真空容器內的一組無源補償線圈。
13.根據權利要求12所述的磁設備，其特征在于，所述一組無源補償線圈包括: 用于z軸方向的第一組無源補償線圈；用于y軸方向的第二組無源補償線圈；以及 用于X軸方向的第三組無源補償線圈。
14.根據權利要求12所述的磁設備，其特征在于，所述無源補償線圈是超導線圈。
15.根據權利要求14所述的磁設備，其特征在于，所述無源補償線圈由低溫超導材料制成。
16.根據權利要求14所述的磁設備，其特征在于，所述無源補償線圈由高溫超導材料制成。
17.根據權利要求12所述的磁設備，其特征在于，所述至少一個線圈架包括設置在所述真空容器內并具有外徑的主線圈架，所述一組無源補償線圈定位在所述主線圈架的所述外徑上。
18.根據權利要求12所述的磁設備，其特征在于，所述至少一個線圈架包括設置在所述真空容器內并具有外徑的補償線圈架，所述一組無源補償線圈定位在所述補償線圈架的所述外徑上。·
【文檔編號】A61B5/055GK103845057SQ201310631623
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年11月29日 優先權日:2012年11月30日
【發明者】W.沈, T.J.黑文斯, 江隆植, T.K.基丹 申請人:通用電氣公司