專利名稱：清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及清洗方法，更具體地涉及利用被超聲波輻射的清洗液清洗物體的清洗方法。
背景技術(shù)：
常規(guī)地，為了從基底除去可在半導(dǎo)體器件中造成缺陷的有機(jī)物質(zhì)、金屬雜質(zhì)、顆粒(微細(xì)顆粒)、天然氧化物膜等，在制造諸如硅晶片的基底的方法中，進(jìn)行清洗基底的步驟。在清洗基底的步驟中，使用適合于其目的任意種清洗方法。特別是在通過浸入型清洗方法清除雜質(zhì)如顆粒的情況中，采用的方法中將基底浸入清洗槽中所含的清洗液中，并用頻率約IMHz的超聲波，稱為“兆頻超聲波”，輻射基底所浸入的清洗液。通常認(rèn)為使用頻率約IMHz的超聲波可增大對(duì)基底表面上的亞微米微粒的清洗效果，同時(shí)減小對(duì)基底的損傷。在此，已知清洗液中的溶解氣體濃度影響去除雜質(zhì)如顆粒的效率。例如，已知在通過使用超純水作為清洗液并用兆頻超聲波輻射超純水來從基底去除顆粒的情況中，從基底清除顆粒的效率受到清洗液中的溶解氮濃度的影響。例如，日本專利公布2007-250726公開了當(dāng)溶解氣體的濃度為14ppm或更高時(shí)可以最大去除效率去除顆粒。日本專利公布10-109072公開了當(dāng)清洗液中的溶解氮濃度超出IOppm時(shí)，在沒有造成返污染的情況下實(shí)現(xiàn)了精確地清洗基底。日本專利公布10-242107公開了利用用惰性氣體如氮?dú)獠糠诛柡偷那逑匆呵逑椿住Ｈ毡緦＠?009-214219公開了清洗所用的清洗水中溶解的氣體的適合的飽和度為60%-100%。

發(fā)明內(nèi)容
在制造基底的步驟中，原則上從基底表面除去各種尺寸的顆粒。但是，取決于步驟，有時(shí)需要著重于去除特定尺寸的顆粒。例如，在制造基底的步驟的最后階段中，在已一次性清除所有尺寸的顆粒之后，進(jìn)行檢查，在這樣的檢查步驟中，顆?？赡芨街诨咨?。為了從基底除去這些顆粒，再次清洗基底。因?yàn)樵谌缟纤龅臋z查步驟中附著于基底上的顆粒的直徑通常相對(duì)大，因此，對(duì)于檢查步驟后的清洗，特別需要對(duì)大直徑顆粒具有高顆粒去除效率的清洗方法。但是，上述專利文獻(xiàn)都沒有公開或教導(dǎo)改進(jìn)特定尺寸的顆粒的去除效率的清洗方法，其中著重于要去除的顆粒的尺寸。本發(fā)明的完成是為了解決上述問題。本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種清洗方法，其中可改進(jìn)對(duì)特定尺寸的顆粒的雜質(zhì)去除效率。本發(fā)明人就超聲波清洗中清洗液中的溶解氮濃度與要去除的雜質(zhì)的尺寸的關(guān)系進(jìn)行廣泛研究。因此，本發(fā)明人新發(fā)現(xiàn)，表現(xiàn)出最大顆粒去除效率的溶解氮濃度的差異取決于要去除的雜質(zhì)的尺寸。依據(jù)此發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明的清洗方法包括以下步驟:準(zhǔn)備清洗液，和通過在用超聲波輻射所述清洗液的情況下將要清洗的物體浸入該清洗液中來清洗所述物體。在所述清洗步驟中，已根據(jù)要以最大顆粒去除效率從要清洗的物體中去除的雜質(zhì)的尺寸調(diào)整了所述清洗液中的溶解氮濃度。如此可通過依據(jù)要去除的雜質(zhì)的尺寸改變清洗液中的溶解氮濃度有效地去除特定尺寸的雜質(zhì)。在上述清洗方法中，在清洗步驟中，要以最大去除效率從要清洗的物體中除去的雜質(zhì)的粒徑可以是0.12 μ m或更大，并且清洗液中的溶解氮濃度可以是不小于3ppm但不大于5ppm,或者不小于6ppm但不大于I lppm。在此，在利用基底制造半導(dǎo)體器件的過程中，粒徑為0.12 μ m或更大的大雜質(zhì)的存在可變成該過程的關(guān)鍵阻礙。為此，可如上所述調(diào)整清洗液中的溶解氮濃度以有效地從基底除去此類大粒徑的雜質(zhì)，從而特別有效地降低在所述過程中不合格產(chǎn)品的比率。在上述清洗方法中，在清洗步驟中，在開始用超聲波輻射清洗液后，在清洗液中的溶解氮濃度的變化已變?yōu)椤?0%或更小后，可將要清洗的物體浸入清洗液中。在此情況中，在清洗液中的溶解氮濃度值已變得穩(wěn)定之后，進(jìn)行清洗，由此可靠地去除雜質(zhì)。在上述清洗方法中，在清洗步驟中，在從開始用超聲波輻射清洗液起3分鐘或更久后，可將要清洗的物體浸入清洗液中。在此情況中，在從開始超聲波輻射起3分鐘或更久后，清洗液中的溶解氮濃度值將變得基本上穩(wěn)定。因此，通過在溶解氮濃度如上所述已變得穩(wěn)定后進(jìn)行清洗，可從基底可靠地去除雜質(zhì)。根據(jù)本發(fā)明，實(shí)現(xiàn)了可改進(jìn)特定尺寸的雜質(zhì)的去除效率的清洗方法。


圖1是實(shí)施本發(fā)明的清洗方法的清洗裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明的清洗方法的流程圖。
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圖3是圖2中所示的清洗步驟的流程圖。圖4是試驗(yàn)數(shù)據(jù)的圖表。圖5是試驗(yàn)數(shù)據(jù)的圖表。圖6是試驗(yàn)數(shù)據(jù)的圖表。圖7是試驗(yàn)數(shù)據(jù)的圖表。圖8是試驗(yàn)數(shù)據(jù)的圖表。圖標(biāo)說明:1:超聲波清洗裝置10:供給裝置11:第一供給閥12:第二供給閥20:清洗槽21:連接槽(coupling tank)22:支撐部分23:供液管30:輻射裝置40:監(jiān)測(cè)裝置41:抽取管
42:泵43:溶解氮濃度計(jì)44:測(cè)定控制器70:控制裝置71，72，73:線路W:晶片
具體實(shí)施例方式以下參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施方案。在下面提供的附圖中，相同或相當(dāng)?shù)牟考韵嗤臉?biāo)號(hào)表示，不再重復(fù)其描述。參照?qǐng)D1 - 3，描述本發(fā)明的清洗方法及實(shí)施清洗方法的清洗裝置。在此，實(shí)施本發(fā)明的清洗方法的超聲波清洗裝置1，如圖1所示，包括，其中容納清洗液如超純水的清洗槽20、用于將清洗液供至清洗槽20的供給裝置10、用于容納清洗槽20的連接槽21、安置在連接槽21的下部用于發(fā)射超聲波的輻射裝置30、用于監(jiān)測(cè)已供入清洗槽20中的清洗液中的溶解氮濃度的監(jiān)測(cè)裝置40、以及控制裝置70。供給裝置10具有用于將其中含有溶解氮的超純水供至清洗槽20的第一供給閥11，和用于將脫氣的超純水供至清洗槽20的第二供給閥12。第一供給閥11與第一槽(未示出)連接。將其中含有溶解氮的超純水儲(chǔ)存在第一槽中。第二供給閥12與用于產(chǎn)生脫氣的水的裝置(未示出)連接。超純水被供至用于產(chǎn)生脫氣水的裝置，可通過脫氣膜除去超純水中溶解的氣體。當(dāng)與第一供給閥11相連的管和與第二供給閥12相連的管在第一供給閥11和第二供給閥12下游側(cè)被合并成單管時(shí)，其中含有溶解氮的超純水與脫氣的超純水混合。注意，混合器槽(未示出)可安裝在第一供給閥11和第二供給閥12的下游。在此情況中，其中含有溶解氮的超純水和脫氣的超純水可在混合器槽中充分混合。然后將經(jīng)混合的超純水通過上述與第一供給閥11和第二供給閥12的下游側(cè)相連并位于清洗槽20內(nèi)的管供至供液管23。供液管23位于清洗槽20底面的外圍端附近。通過調(diào)整第一供給閥11和第二供給閥12各自的位置，可控制要供入清洗槽20中的超純水中的溶解氮濃度及其供給量。構(gòu)成超聲波清洗裝置I的供給裝置10的第一供給閥11和第二供給閥12各自分別通過線路71、72與控制裝置70相連。第一供給閥11和第二供給閥12的位置可通過控制裝置70在信號(hào)控制下進(jìn)行調(diào)整。在供液管23上安置有多個(gè)噴嘴(未示出)。用作清洗液的超純水通過噴嘴從供液管23供入清洗槽20中。沿著供液管23延伸的方向彼此間隔地安置噴嘴。而且安置噴嘴以基本上向清洗槽20的中心(放置要清洗的晶片W的區(qū)域)噴灑清洗液。在清洗槽20中，安置用于在內(nèi)部支撐晶片W的支撐部分。例如，半導(dǎo)體晶片可用作晶片W。通過支撐部分22將晶片W固定在清洗槽20內(nèi)部，由上述混合的超純水組成的清洗液從供液管23被供入清洗槽20中。如上所述，供 液管23位于清洗槽20的下部(位于接近底壁的區(qū)域，或者位于底壁的外圍部分，即底壁與側(cè)壁相連的部分)。規(guī)定量的清洗液(混合的超純水)從供液管23供入清洗槽20中。清洗槽20中充滿清洗液，調(diào)整清洗液的供給量以使規(guī)定量的清洗液從清洗槽20的頂部溢出。以此方式，如圖1中所示,將晶片W浸入清洗槽20內(nèi)部的清洗液中。連接槽21與介質(zhì)不同于上述供給裝置10的介質(zhì)供給線(未示出)相連。用作介質(zhì)的水從該供給線供入連接槽21。至少上述清洗槽20的底壁與連接槽21中儲(chǔ)存的水接觸。還將規(guī)定量的水從供給線連續(xù)地供至連接槽21，從而使一定量的水從連接槽21溢出。安裝輻射裝置30，與連接槽21的底壁連接。輻射裝置30向連接槽21內(nèi)部的水發(fā)射超聲波。通過連接槽21內(nèi)的水和與水接觸的清洗槽20的部分(例如，底部)用定向的超聲波輻射清洗槽20內(nèi)的清洗液和晶片W。輻射裝置30可產(chǎn)生例如頻率不小于20kHz且不大于2MHz并且功率密度不小于0.05ff/cm2且不大于7.0ff/cm2的超聲波。通過用超聲波如此輻射清洗液和晶片W，可有效地清洗浸在清洗液中的晶片W。優(yōu)選地，頻率不小于400kHz且不大于IMHz的超聲波用作從輻射裝置30發(fā)射的超聲波。監(jiān)測(cè)裝置40包括，用于從清洗槽20內(nèi)部抽取規(guī)定量的清洗液的抽取管41、與抽取管41相連的用于將清洗液供入溶解氮濃度計(jì)43中的泵42、以及與泵42的下游側(cè)連接的溶解氮濃度計(jì)43。清洗液中的溶解氮濃度的測(cè)定數(shù)據(jù)通過測(cè)定控制器44從溶解氮濃度計(jì)43輸出至超聲波清洗裝置I的控制裝置70。測(cè)定控制器44通過線路73與控制裝置70相連?？刂蒲b置70能夠根據(jù)測(cè)定數(shù)據(jù)調(diào)整第一供給閥11和第二供給閥12各自的位置。具有任何結(jié)構(gòu)的裝置可用作溶解氮濃度計(jì)43 ο例如，可使用測(cè)定裝置,其將清洗液中所含的溶解氣體組分通過聚合物膜送入接受器，根據(jù)在此接受器內(nèi)導(dǎo)熱率的變化計(jì)算氣體組分的濃度。清洗槽20由例如厚度為3.0mm的石英玻璃制成。清洗槽20可具有任何形狀，例如，內(nèi)部尺寸為寬280mm、長(zhǎng)350mm、高300mm的立方形槽用作清洗槽20。清洗槽20的體積為約30升。

優(yōu)選根據(jù)從輻射裝置30發(fā)射的超聲波的頻率適當(dāng)?shù)卣{(diào)整構(gòu)成清洗槽20的底壁的石英玻璃板材的厚度。例如，當(dāng)從輻射裝置30發(fā)射的超聲波的頻率為950kHz時(shí)，構(gòu)成底壁的板材的厚度優(yōu)選為3.0mm0當(dāng)從輻射裝置30發(fā)射的超聲波的頻率為750kHz時(shí)，構(gòu)成底壁的板材的厚度優(yōu)選為例如4.0mm。從供給裝置10供至清洗槽20的清洗液(混合的超純水)的量可以是15升/分鐘。如上所述，從輻射裝置30發(fā)射的超聲波的頻率為950kHz或750kHz，其輸出功率為2400W(功率密度:5W/cm2)。輻射裝置30的振動(dòng)板的輻射表面的尺寸為210mmX 230mm。使從輻射裝置30發(fā)射的超聲波對(duì)準(zhǔn)清洗槽20的整個(gè)底面。利用如此的超聲波清洗裝置I實(shí)施本發(fā)明的清洗方法。參照?qǐng)D2，在本發(fā)明的清洗方法中，首先進(jìn)行準(zhǔn)備步驟(S10)。在此步驟(SlO)中，準(zhǔn)備圖1中所示的超聲波清洗裝置I和向超聲波清洗裝置I供給的清洗液(超純水)。接著，實(shí)施圖2中所示的清洗步驟(S20)。具體地，首先實(shí)施圖3中所示的調(diào)整溶解氮濃度的步驟(S21)。在此步驟(S21)中，通過調(diào)整構(gòu)成供給裝置10的第一供給閥11和第二供給閥12的位置，將被調(diào)至預(yù)定的溶解氮濃度的清洗液(超純水)供入清洗槽20中。在此，在清洗步驟(S20)中，已根據(jù)要以最大去除效率從要清洗的物體即晶片W去除的雜質(zhì)的尺寸調(diào)整了清洗液中的溶解氮濃度。例如，當(dāng)要以最大去除效率從晶片W去除的雜質(zhì)(例如，顆粒)的粒徑為0.12m或更大時(shí)，調(diào)整清洗液以使清洗液中的溶解氮濃度不小于3ppm且不大于5ppm,或者不小于6ppm且不大于llppm。如此可通過根據(jù)要去除的雜質(zhì)的尺寸改變清洗液中的溶解氮濃度有效地去除特定尺寸的雜質(zhì)。接著，實(shí)施圖3中所示的開始超聲波輻射的步驟(S22)。具體地，由輻射裝置30產(chǎn)生滿足預(yù)定條件的超聲波。使超聲波通過連接槽21內(nèi)容納的介質(zhì)(水)和清洗槽20的底壁照向清洗槽20內(nèi)部的清洗液。隨后，實(shí)施圖3中所示的將要清洗的物體浸入清洗液中的步驟(S23)。具體地，將晶片W浸入清洗槽20內(nèi)的清洗液中。晶片W通過支撐部分22被固定在清洗槽20內(nèi)部。在此，在開始用超聲波輻射清洗液后，在清洗液中的溶解氮濃度的變化已變?yōu)橥?10%或更小之后，優(yōu)選實(shí)施上述步驟(S23 )。此外，從另一個(gè)角度而言，在從開始用超聲波輻射清洗液起3分鐘或更久之后，可將要清洗的物體即晶片W浸入清洗液中。這是因?yàn)椋趶拈_始超聲波輻射起3分鐘或更久后，用超聲波輻射的清洗液中的溶解氮濃度值變得穩(wěn)定。在此情況中，在清洗液中的溶解氮濃度值已變得穩(wěn)定后，進(jìn)行清洗，從而可以可靠地從晶片W去除雜質(zhì)。第一試驗(yàn)實(shí)施以下試驗(yàn)以檢測(cè)清洗液中的溶解氮濃度與要去除的雜質(zhì)的尺寸之間的關(guān)系。樣品:準(zhǔn)備由硅制成的直徑為200mm的鏡面晶片作為要清洗的物體。二氧化硅顆粒附著在晶片表面上。試驗(yàn)方法

利用圖1中所示的清洗裝置，用溶解氮濃度不同的多種清洗液清洗表面附著有二氧化硅顆粒的晶片，測(cè)定在清洗之前和清洗之后晶片表面上的二氧化硅顆粒的數(shù)量和尺寸。具體地，在清洗之前，測(cè)定晶片表面上的二氧化硅顆粒的尺寸和數(shù)量，清洗晶片，在清洗后，測(cè)定晶片表面上的二氧化硅顆粒的尺寸和數(shù)量。利用Hitachi High-Technologies Corporation 制造的表面檢查系統(tǒng) LS6500 或者KLA-Tencor Corporation制造的表面檢查系統(tǒng)SP1TBI，測(cè)定晶片表面上的二氧化硅顆粒的數(shù)量和尺寸，在如此條件下最小檢測(cè)粒徑為0.1Oym0在清洗步驟中，通過將其中溶有氮?dú)獾某兯c脫氣的超純水(脫氣的水)以各種比例混合獲得具有預(yù)定的溶解氮濃度的超純水，所得的水用作清洗液。在清洗步驟中，將各清洗液以15升/分鐘的流速供至清洗槽。因?yàn)榍逑床鄣捏w積為30升，清洗槽內(nèi)液體的替換速度為約I次/2分鐘。超聲波的頻率為750kHz，功率密度為5W/cm2。清洗時(shí)間設(shè)定為每次清洗10分鐘。在如此條件下，用溶解氮濃度為2.5ppm-16ppm的各清洗液進(jìn)行清洗。此時(shí)溶解氧濃度小于lppm。結(jié)果從在清洗前后測(cè)得的晶片表面上的二氧化硅顆粒的尺寸和計(jì)數(shù)結(jié)果，對(duì)各尺寸的二氧化硅顆粒計(jì)算顆粒去除效率。對(duì)于預(yù)定尺寸的二氧化硅顆粒的顆粒去除效率由下式定義:(清洗前二氧化硅顆粒的數(shù)量-清洗后二氧化硅顆粒的數(shù)量)/(清洗前二氧化硅顆粒的數(shù)量)X 100 (%)。二氧化硅顆粒的粒徑被歸類成以下4種粒徑:直徑為0.10 μ m或更大、直徑為0.11 μ m或更大、直徑為0.12 μ m或更大、以及直徑為0.13 μ m或更大。結(jié)果示于圖4-7中。圖4-7說明，分別對(duì)于直徑為0.10 μ m或更大、直徑為0.1lym或更大、直徑為0.12 μ m或更大、以及直徑為0.13 μ m或更大的二氧化硅顆粒，顆粒去除效率與清洗液中的溶解氮濃度之間的關(guān)系。在圖4-7的各圖中，橫軸表示清洗液中的溶解氮濃度(單位:ppm)，縱軸表示二氧化硅顆粒去除效率(單位:％)。在圖4-7各圖中所示的圖表中，白圓圈表示試驗(yàn)數(shù)據(jù)，實(shí)線表示基于各組試驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示趨勢(shì)的近似曲線。如圖4 - 7各圖中所示，顯示顆粒去除效率對(duì)溶解氮濃度依賴性的曲線的形狀差異取決于要去除的二氧化硅顆粒的直徑(粒徑)。例如，當(dāng)二氧化硅顆粒具有被歸類為直徑0.10 μ m或更大的粒徑時(shí),如圖4中所示，當(dāng)溶解氮濃度已達(dá)到約IOppm時(shí),顆粒去除效率表現(xiàn)出局部最大值。另一方面，隨著要考慮的二氧化硅顆粒的直徑增大，當(dāng)溶解氮濃度為約5ppm和約IOppm時(shí),顆粒去除效率表現(xiàn)出局部最大值。在此情況中，在其中溶解氮濃度為5-6ppm的區(qū)域中，顆粒去除效率表現(xiàn)出局部最小值。從這些結(jié)果可看出，當(dāng)意圖有效地去除例如具有0.12 μ m或更大的相對(duì)大粒徑的顆粒(雜質(zhì))時(shí)，清洗液中的溶解氮濃度可設(shè)定為不小于3ppm但不大于5ppm,或者不小于6ppm但不大于llppm,由此改進(jìn)上述相對(duì)大粒徑的顆粒去除效率。第二試驗(yàn)實(shí)施以下試驗(yàn)以檢測(cè)在清洗步驟中超聲波輻射時(shí)間與清洗液中的溶解氮濃度之間的關(guān)系。 樣品準(zhǔn)備溶解氮濃度為7ppm的超純水作為要供入清洗槽中的清洗液。試驗(yàn)方法使用圖1中所示的清洗裝置，將上述清洗液供入清洗裝置的清洗槽中，然后用超聲波輻射清洗液。然后，測(cè)定在開始超聲波輻射后清洗液中的溶解氮濃度的轉(zhuǎn)變及聲壓的轉(zhuǎn)變。輻射的超聲波的頻率為950kHz，輸出功率為2400W。利用清洗裝置的溶解氮濃度計(jì)測(cè)定溶解氮濃度。利用Alex Corporation, Japan制造的聲壓計(jì)ppb-502和聲壓探針pb-308測(cè)定聲壓。將探針垂直放在自清洗槽的液面起深度50mm之處，以制造商建議的標(biāo)準(zhǔn)模式進(jìn)行測(cè)定。結(jié)果測(cè)得結(jié)果示于圖8中。圖8中的上圖顯示溶解氮濃度與開始超聲波輻射后的時(shí)間之間的關(guān)系。圖8中的下圖顯示清洗液中的聲壓與開始超聲波輻射后的時(shí)間之間的關(guān)系。圖8中的上圖的縱軸表示清洗液中的溶解氮濃度(單位:ppm)，橫軸表示開始超聲波輻射后的時(shí)間(單位:分鐘)。橫軸的原點(diǎn)(O)表示開始超聲波輻射的時(shí)間點(diǎn)。圖8中的下圖的縱軸表示聲壓(單位:瓦/平方英寸；W/in2 ;1 in2=6.4516cm2),橫軸表示開始超聲波輻射后的時(shí)間(單位:分鐘)，同圖8中的上圖。從圖8可見，在自開始超聲波輻射起3分鐘或更久后，清洗液中的溶解氮濃度的變化量和聲壓的變化量變小(具體地，變化在±10%或更小內(nèi))，顯示出穩(wěn)定的值。也就是說，如果在自開始超聲波輻射起等待預(yù)定的時(shí)間(例如3分鐘)后，在清洗液中的溶解氮濃度的變化量已變得足夠小之后實(shí)施清洗步驟，則可避免如由溶解氮濃度變化造成清洗條件偏離設(shè)定條件之類的問題的發(fā)生。因此，可以可靠地從晶片去除雜質(zhì)(顆粒)。應(yīng)理解，本文公開的實(shí)施方案就每方面而言是示例性而非限制性。本發(fā)明的范圍由權(quán)利要求書的權(quán)項(xiàng)限定而不是由以上描述限定，并且旨在涵蓋該范圍內(nèi)的任何修改和與權(quán)利要求書的術(shù)語(yǔ)等同的含義。本發(fā)明特別有利地應(yīng)用于`基底的超聲波清洗步驟。
權(quán)利要求
1.一種清洗方法，其包括以下步驟: 準(zhǔn)備清洗液；和 通過在用超聲波輻射所述清洗液的情況下將要清洗的物體浸入所述清洗液中來清洗所述要清洗的物體， 所述清洗步驟的特征在于，已根據(jù)要以最大去除效率從所述要清洗的物體中去除的雜質(zhì)的尺寸調(diào)整了所述清洗液中的溶解氮濃度。
2.權(quán)利要求1的清洗方法，其中，在所述清洗步驟中，要以最大去除效率從所述要清洗的物體中去除的所述雜質(zhì)的粒徑為0.12 μ m或更大，并且所述清洗液中的溶解氮濃度不小于3ppm且不大于5ppm,或者不小于6ppm且不大于I lppm。
3.權(quán)利要求1或2的清洗方法，其中，在所述清洗步驟中，在開始用超聲波輻射所述清洗液后該清洗液中的溶解氮濃度的變化已變?yōu)橥?10%或更小之后，將所述要清洗的物體浸入該清洗液中。
4.權(quán)利要求3的清洗方法，其中，在所述清洗步驟中，在自開始用超聲波輻射所述清洗液起3分鐘或更久之后，將所述 要清洗的物體浸入該清洗液中。
全文摘要
本發(fā)明的目的是提供一種清洗方法，其中可改進(jìn)去除特定尺寸的雜質(zhì)的效率。因此本發(fā)明提供一種清洗方法，其包括以下步驟準(zhǔn)備清洗液(S10)，和通過在用超聲波輻射清洗液的情況下將要清洗的物體浸入清洗液中來清洗要清洗的物體(S20)。在清洗步驟(S20)中，已根據(jù)要以最大去除效率從要清洗的物體中去除的雜質(zhì)的尺寸調(diào)整了所述清洗液中的溶解氮濃度。如此可通過根據(jù)要去除的雜質(zhì)的尺寸改變清洗液中的溶解氮濃度有效地去除特定尺寸的雜質(zhì)。
文檔編號(hào)B08B3/08GK103223405SQ20131002056
公開日2013年7月31日 申請(qǐng)日期2013年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月30日
發(fā)明者久保悅子, 榛原照男, 森良弘, 內(nèi)部真佐志 申請(qǐng)人:硅電子股份公司