磷化銦生長坩堝清洗方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種磷化銦生長坩堝清洗方法，包括：1、先將磷化銦生長坩堝放入超聲波清水洗5-10分鐘；2、晾干后放到明火中燃燒5-10分鐘，火焰溫度在1200℃以上；3、冷卻后取出置入真空烘烤爐中，然后，用抽真空設備將烘烤爐的本底真空度抽至10-5Pa數(shù)量級及以上，溫度100-150℃，持續(xù)10-40分鐘；4、冷卻后取出放置于真空干燥器中待用。該方法簡單易行，清潔效果顯著，保證了生產(chǎn)產(chǎn)品的質(zhì)量。
【專利說明】磷化銦生長坩堝清洗方法

【技術領域】
:
[0001]本發(fā)明屬于半導體材料制備領域，具體涉及一種磷化銦生長坩堝的清洗方法。

【背景技術】
[0002]InP晶體生長技術在世界范圍內(nèi)分為三種:垂直溫度梯度結(jié)晶生長法(VGF)、水平生長法、液封提拉晶體生長法。相比較于其它二項技術，垂直溫度梯度結(jié)晶生長法技術特點是:1、晶體缺陷密度低；2、生長方向是〈1000〉，這樣有利大尺寸生長。
[0003]垂直溫度梯度結(jié)晶生長法是將盛有多晶材料的PBN(熱壓氮化硼)坩堝封裝在一個石英器皿之中，然后垂直放入多溫區(qū)VGF爐中生長。因此，PBN坩堝是制備磷化銦單晶體的重要器件，其表面的潔凈程度的高低，雜質(zhì)含量的多少，對磷化銦單晶體純度及性能有著重大的影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]根據(jù)以上情況，本發(fā)明的目的在于提供一種磷化銦生長坩堝清洗方法，可去除PBN坩堝表面的雜質(zhì)，保證InP單晶的生成質(zhì)量。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本方法包括:
[0006]I)先將磷化銦生長坩堝放入超聲波清水洗5-10分鐘；
[0007]2)晾干后放到明火中燃燒5-10分鐘，火焰溫度在1200°C以上；
[0008]3)冷卻后取出置入真空烘烤爐中，然后，用抽真空設備將烘烤爐的本底真空度抽至KT5Pa數(shù)量級及以上，溫度100-150°C，持續(xù)10-40分鐘；
[0009]4)冷卻后取出放置于真空干燥器中待用。
[0010]本發(fā)明的優(yōu)點在于:該方法簡單易行，步驟簡便，清潔效果顯著，保證了生產(chǎn)產(chǎn)品的質(zhì)量。

【具體實施方式】
[0011]下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明做進一步的說明。
[0012]將PBN坩堝放入超聲波清水洗10分鐘，去處表面的灰塵；晾干后放到明火中燃燒10分鐘，火焰溫度在1200°C以上；取出冷卻后置入真空烘烤爐中，依次用機械泵、分子渦輪泵將烘烤爐真空度抽至10_5Pa，溫度150°C，持續(xù)30分鐘。冷卻后取出放置于真空干燥器中待用。
[0013]本方法操作步驟簡便，可達到較好的磷化銦生長坩堝表面清潔的目的。
【權(quán)利要求】
1.一種磷化銦生長坩堝清洗方法，其特征在于: 1)先將磷化銦生長坩堝放入超聲波清水洗5-10分鐘； 2)晾干后放到明火中燃燒5-10分鐘，火焰溫度在1200°C以上； 3)冷卻后取出置入真空烘烤爐中，然后，用抽真空設備將烘烤爐的本底真空度抽至10_5Pa數(shù)量級及以上，溫度100-150°C，持續(xù)10-40分鐘； 4)冷卻后取出放置于真空干燥器中待用。
【文檔編號】B08B7/04GK104368566SQ201310355906
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2013年8月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月14日
【發(fā)明者】關活明 申請人:臺山市華興光電科技有限公司