專利名稱：一種采用厚膜加熱的食品加工機的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及食品加工技術領域，具體地說，涉及一種采用厚膜加熱的食品加工機。
背景技術：
目前市場上的食品加工機，例如豆漿機、食品料理機等的加熱方式主要有在機頭(豆漿機)安裝管狀發熱體、在杯底安裝盤狀包括電熱管或者陶瓷加熱器等發熱體、在加熱容器下部外圍焊接發熱管或者設置電磁感應線圈等等。這些加熱技術的加熱接觸面小、力口熱速度慢、熱效率低、熱慣性大的缺陷很明顯。上述加熱方式在的加熱過程中普遍存在糊管、糊底等問題。糊管后容易燒焦，清洗困難。為了解決上述問題，出現了采用厚膜進行加熱的食品加工機。厚膜俗稱電熱膜、發熱膜、加熱膜，其特點是熱效率高、加熱速度快、熱慣性小。由于熱慣性小，不存在剛開始加熱時的預熱階段和斷電后繼續煮水的階段，可以對食品加工工藝的溫度控制進行精確控溫。但是現有米用厚I吳加熱的食品加工機，都是在食品加工機加熱容器底部設置厚膜，盡管厚膜的熱慣性小，但同樣存在容易糊底的問題。

實用新型內容本實用新型針對現有食品加工機的加熱方式存在加熱接觸面小、加熱速度慢、熱效率低、熱慣性大、容易糊底的問題，提供一種采用厚膜加熱的食品加工機。本實用新型所需要 解決的技術問題，可以通過以下技術方案來實現:—種采用厚膜加熱的食品加工機，包括加熱容器，其特征在于:加熱容器下部側壁表面設有厚膜介電層，厚膜介電層上設有厚膜電阻層，厚膜電阻層具有至少一對連接電源的接入端，所述厚膜電阻層上設有絕緣層，所述加熱容器的熱膨脹系數不大于厚膜介電層、厚膜電阻層和絕緣層的熱膨脹系數。本實用新型中，所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，電阻軌跡上串聯有突跳式溫控器。本實用新型中，所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，所述電阻軌跡包括正常工作區和干燒敏感區，干燒敏感區內厚膜電阻軌跡寬度小于正常工作區內厚膜電阻軌跡寬度，突跳式溫控器串聯在干燒敏感區內。本實用新型中，所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，所述接入端中至少其中一端與電源之間串接有突跳式溫控器或者熔斷體。一種采用厚膜加熱的食品加工機，包括加熱容器，其特征在于:所述加熱容器下部側壁套設有導熱基體，所述基體表面設有厚膜介電層，厚膜介電層上設有厚膜電阻層，厚膜電阻層具有至少一對連接電源的接入端，所述厚膜電阻層上設有絕緣層，所述導熱基體的熱膨脹系數不大于厚膜介電層、厚膜電阻層和絕緣層的熱膨脹系數。本實用新型中，所述導熱基體設有沿其整個長度方向縱向槽，以便于將導熱基體套設在加熱容器下部側壁；所述套熱基體的內徑小于加熱容器的外徑，以使得導熱基體緊密的套設在加熱容器下部側壁。本實用新型中，所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，電阻軌跡上串聯有突跳式溫控器。本實用新型中，所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，所述電阻軌跡包括正常工作區和干燒敏感區，干燒敏感區內厚膜電阻軌跡寬度小于正常工作區內厚膜電阻軌跡寬度，突跳式溫控器串聯在干燒敏感區內。本實用新型中，所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，所述接入端中至少其中一端與電源之間串接有突跳式溫控器或者熔斷體。本實用新型通過在食品加工機加熱容器下部側壁直接或者間接設置厚膜，使得加熱容器的加熱接觸面更大，加熱更均勻，加熱速度和熱效率都有顯著提高，避免了糊底等問題的出現，同時，加熱容器外壁更加美觀，占用空間更小，對食品加工機整體結構有顯著的優化。
以下結合附圖和具體實施方式
來進一步說明本實用新型。


圖1為本實用新型食品加工機加熱容器第一種實施方式的結構示意圖。圖2為本實用新型厚膜介電層、厚膜電阻層、絕緣層以及加熱容器的徑向剖視圖。圖3為本實用新型食品加工機加熱容器第二種實施方式的結構示意圖。圖4為本實用新型食品加工機加熱容器第三種實施方式的結構示意圖。圖5為本實用新型第三種實施方式導熱基體和加熱容器的徑向剖視圖。圖6為本實用新型第三種實施方式導熱基體、厚膜介電層、厚膜電阻層、絕緣層以及加熱容器的徑向剖視圖。圖7為本實用新型食品加工機加熱容器第四種實施方式的結構示意圖。
具體實施方式
為了使本實用新型的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體圖示，進一步闡述本實用新型。本實用新型的主旨在于，通過對現有食品加工機加熱方式的分析，發現現有食品加工機存在加熱接觸面小、加熱速度慢、熱效率低、熱慣性大、容易糊底的缺陷，通過本實用新型提供一種采用厚膜加熱的食品加工機。參見
圖1和圖2，本實用新型的食品加工機為了解決現有食品加工機加熱方式存在的缺陷，首先，在食品加工機的加熱容器I下部側壁表面通過絲網印刷的方式設置厚膜介電層2，絲網印刷的好處在于可以快速地將厚膜介電層2設置在加熱容器下部側壁表面，適合大規模的工業化生產。厚膜介電層2起到電絕緣的作用，在需要較高絕緣保護需求的場合，可以通過設置多層厚膜介電層2的方式來實現。厚膜介電層2上設有厚膜電阻層3，厚膜電阻層3同樣可以通過絲網印刷的方式設置在厚膜介電層2上，也可以通過直接寫入的方式設置在厚膜介電層2上。前者同樣是主要適用于大規模的工業化生產，后者在小規模生產時是較優的選擇。厚膜電阻層3接入電源后即可產生熱量，進而實現對加熱容器I內物料進行加工，厚膜電阻層3在厚膜介電層2如何排布可以是任意的，但無論采用什么樣的排布方式，厚膜電阻層3應該具有至少一對接入電源的接入端，這樣厚膜電阻層3通過在兩接入端之間的形成電流回路，通過自身發熱實現對加熱容器I內物料的加熱。當然，較好的方式是，厚膜電阻層3在厚膜介電層2上形成電阻軌跡，
圖1示意了沿著加熱容器I周向環形設置層一條電阻軌跡的方式，電阻軌跡具有一對接入端31，在本實施方式中，在接入端31處設置了電極32，通過電極32與電源(未示意)實現連接，當然可以在電源一端的連線上設置電極或者其他方式實現與接入端31的連接。形成電阻軌跡可以使得電流沿著電阻軌跡流動，電阻軌跡等寬且均勻設置可以使得厚膜電阻層3的發熱更均勻，對加熱容器I內物料加熱更均勻。這里，電源可以是市電接入食品加工機后進行轉換后直接接入的電源，也可以是市電接入食品加工機后通過其他電路或者期間間接進行供電的電源，無論采用什么樣的方式，只要能實現對厚膜電阻層3的供電需求即可。除了
圖1所示實施方式外，本實用新型也可以采用圖3所示的實施方式對厚膜電阻層3進行設置，厚膜電阻層3沿著加熱容器I長度方向往復進行設置。可以理解的是，電阻軌跡同樣可以是多條的，多條電阻軌跡可以串聯、并聯或者其他任何方式形成回路(如果交叉可以進行絕緣處理)，根據回路的數量和設置方式，在每一條電阻軌跡上設置相應成對的接入端，實現與電源連接。由于電阻軌跡的設置方式很多，此處不可能一一進行描述，但是任意形式的電阻軌跡都應在本實用新型請求保護的范圍內。
再參見
圖1，為了避免加熱容器I水位過低時而造成干燒，本實施方式在加熱容器I側壁表面頂部的電阻軌跡處串聯有突跳式溫控器61，這樣設置的目的在于，當加熱容器I內的水位低于突跳式溫控器61時，突跳式溫控器61處厚膜電阻軌跡溫度迅速升高，突跳式溫控器61突跳可以起到避免干燒的作用，當然，突跳式溫控器61也可以串聯在其他位置。在安裝突跳式溫控器61時，較好的是在加熱容器I側壁設置一安裝面62，安裝面62上設置相應的安裝結構，以便于將突跳式溫控器61安裝在安裝面62上。除此之外，還可以將厚膜電阻軌跡分為正常工作區和干燒敏感區，干燒敏感區內厚膜電阻軌跡寬度小于正常工作區內厚膜電阻軌跡寬度，突跳式溫控器安裝在干燒敏感區內。本實施方式中，干燒敏感區可以設置在電阻軌跡的任何位置，較好的是干燒敏感區位于在加熱容器I下部側壁的下端，本實施方式在此處設置了一突跳式溫控器63，其安裝方式與突跳式溫控器61是相同的。可以理解的是，根據實際的需要，突跳式溫控器61和63可以同時設置，也可以分別單獨設置。為了對厚膜電阻層3過熱進行保護或者實現溫度控制，也可以在一對接入端中，至少其中一端與電源之間串接有熔斷體或者突跳式溫控器。例如，只在一對接入端中的其中一端與電源之間串接一個熔斷體或者突跳式溫控器；在一對接入端中的兩端與電源之間均串接一個熔斷體或者突跳式溫控器；在一對接入端中的其中一端與電源之間串接熔斷體，在另一端與電源之間串接突跳式溫控器；當然，還可以是在一對接入端中的其中一端與電源之間串接熔斷體，通過表貼在其他溫控器實現對溫度的控制。對于上述的熔斷體和溫控器，可以采用表貼或者設置輔助固定部件的方式設置在加熱容器上。在完成厚膜電阻層3的設置后，需要對厚膜電阻層3進行絕緣處理，因此厚膜電阻層3上還設有絕緣層4，絕緣層至少應當完全覆蓋厚膜電阻層3，絕緣層4同樣可以采用絲網印刷或者其他方式設置在厚膜電阻層3上，絕緣層4 一方面起到絕緣防止厚膜電阻層3短路的作用，另一方面對厚膜電阻層3起到保護作用，避免磨損的出現。在加熱過程中，加熱容器I受熱后會產生膨脹，為了避免加熱容器I的膨脹使得厚膜介電層2、厚膜電阻層3以及絕緣層4過度拉伸而可能產生損壞，加熱容器I的熱膨脹系數最好不大于厚膜介電層2、厚膜電阻層3和絕緣層4的熱膨脹系數，更優選的是加熱容器I的熱膨脹系數基本等于或者略小于厚膜介電層2、厚膜電阻層3和絕緣層4的熱膨脹系數。上述目的可以通過對加熱容器1、厚膜介電層2、厚膜電阻層3和絕緣層4適當的選材來實現，此處不再累述。參見圖4至圖6，在本實施方式中，在加熱容器I下部側壁套設有導熱基體5，厚膜介電層2通過絲網印刷的方式設置在導熱基體5表面，然后在按照前述實施方式相同的方式在厚膜介電層2上設置厚膜電阻層3，以及進一步設置絕緣層4。這樣通過對導熱基體5進行加熱后，對加熱容器I進行間接加熱，一方面可以促進加熱的均勻性，另一方面相關的加熱部件和導熱基體5成為一個整體部件，無需與加熱容器I制造為一體，從制造到安裝到拆卸都比較便利，有利于提高生產效率。對于導熱基體5則可以采用金屬、合金以及各種導熱性能好的復合材料，例如不銹鋼、鋁等，此處也不再進行累述。為了便于導熱基體5在加熱容器I上進行安裝和拆卸，本實施方式中示意了一種較優的實施方式，在導熱基體5上設置了沿其整個長度方向的縱向槽51，從徑向截面來看，整體上呈C形，加之導熱基體5通常具有一定的彈性，導熱基體5進行微小的形變后，將更加容易地套設在加熱容器I下部側壁；套熱基體5的內徑可以小于加熱容器I的外徑，這樣使得導熱基體5與加熱容器I下部側壁`的接觸更加緊密，有利于提高導熱基體5和加熱容器I之間的熱傳導。在加熱過程中，導熱基體5受熱后會產生膨脹，為了避免導熱基體5的膨脹使得厚膜介電層2、厚膜電阻層3以及絕緣層4過度拉伸而可能產生損壞，本實施方式中導熱基體5的熱膨脹系數最好不大于厚膜介電層2、厚膜電阻層3和絕緣層4的熱膨脹系數，更優選的是導熱基體5的熱膨脹系數基本等于或者略小于厚膜介電層2、厚膜電阻層3和絕緣層4的熱膨脹系數。上述目的可以通過對導熱基體5、厚膜介電層2、厚膜電阻層3和絕緣層4適當的選材來實現。由于本實施方式與前所實施方式的區別主要在于，厚膜介電層2通過絲網印刷的方式設置在導熱基體5表面，厚膜電阻層3如何設置在厚膜介電層2上，厚膜電阻層3形成電阻軌跡的方式，厚膜電阻層3設置接入端31的方式，絕緣層4的設置在厚膜電阻層3上的方式等等與前述的實施方式是相同的，此處也不再累述。當需要設置突跳式溫控器時(本實施方式未示意)，本實施方式則是在導熱基體5表面的電阻軌跡上串聯突跳式溫控器；將厚膜電阻軌跡分為正常工作區和干燒敏感區后，本實施方式中，干燒敏感區則較好的是位于在導熱基體5的下端，并相應地設置突跳式溫控器。參見圖7，本實施方式中，加熱容器I與前述實施方式不同之處在于，加熱容器I并非由完全豎直的側壁和底壁構成，加熱容器I的底壁與豎直側壁之間采用錐形(也可以是弧形)的側壁進行過渡。當不設置導熱基體時，厚膜介電層、厚膜電阻層、絕緣層同樣可以設置在錐形(弧形)的側壁上，設置方式同前所的實施方式。本實施方式中，在加熱容器I豎直側壁和和錐形側壁外套設了導熱基體5，導熱基體5被分為了導熱基體上部51和導熱基體下部52，除了在導熱基體上部51上設置厚膜介電層、厚膜電阻層、絕緣層(未示意)外 ，同樣可以在導熱基體下部52上進行設置。當然也可以只在導熱基體上部51設置厚膜介電層、厚膜電阻層、絕緣層，其他部分只采用導熱基體進行包裹，導熱基體下部52只起到促進加熱均勻的目的，可以理解的是，導熱基體的下部52可以直接連同導熱容器I底壁一起進行包裹。對于本實施方式的導熱基體5同樣可以設置了沿其整個長度方向的縱向槽，以便于導熱基體5的安裝和拆卸，前所實施方式中對其基本原理已經進行了詳細的描述，此處不再累述。由于本實用新型主要涉及的是食品加工機的加熱部分，因此對食品加工機其他部件并未進行過多的描述，本領域技術人員對其他部件的結構是熟知的，再結合本實用新型加熱部分的描述，本實用新型已經對請求保護的食品加工機進行了充分公開。另外，本實用新型的食品加工機可以是任何設有加熱容器結構且需要對加熱容器內物料進行加熱的食品加工機，例如豆漿機、料理機、咖啡機、飯煲等，對于豆漿機可以是電機上置的豆漿機，也可以電機下置的豆漿機，或者其他任意形式的豆漿機。對于加熱容器，針對不同的食品加工機可以呈杯體狀、桶體狀或者其他其他形狀，加熱容器本身為單層結構時，加熱組件是直接設置在加熱容器下部的側壁上的；加熱容器為雙層或者多層結構時，加熱組件則是設置在加熱容器最內層的下部側壁上的。以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特征和本實用新型的優點。本行業的技術人員應該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內。本實用新型要求保護范圍由所附的權利要求書及其等同物界定。
權利要求1.一種采用厚膜加熱的食品加工機，包括加熱容器，其特征在于:加熱容器下部側壁表面設有厚膜介電層，厚膜介電層上設有厚膜電阻層，厚膜電阻層具有至少一對連接電源的接入端，所述厚膜電阻層上設有絕緣層，所述加熱容器的熱膨脹系數不大于厚膜介電層、厚膜電阻層和絕緣層的熱膨脹系數。
2.根據權利要求1所述的一種采用厚膜加熱的食品加工機，其特征在于:所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，電阻軌跡上串聯有突跳式溫控器。
3.根據權利要求1所述的一種采用厚膜加熱的食品加工機，其特征在于:所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，所述電阻軌跡包括正常工作區和干燒敏感區，干燒敏感區內厚膜電阻軌跡寬度小于正常工作區內厚膜電阻軌跡寬度，突跳式溫控器串聯在干燒敏感區內。
4.根據權利要求1所述的一種采用厚膜加熱的食品加工機，其特征在于:所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，所述接入端中至少其中一端與電源之間串接有突跳式溫控器或者熔斷體。
5.一種采用厚膜加熱的食品加工機，包括加熱容器，其特征在于:所述加熱容器下部側壁套設有導熱基體，所述基體表面設有厚膜介電層，厚膜介電層上設有厚膜電阻層，厚膜電阻層具有至少一對連接電源的接入端，所述厚膜電阻層上設有絕緣層，所述導熱基體的熱膨脹系數不大于厚膜介電層、厚膜電阻層和絕緣層的熱膨脹系數。
6.根據權利要求5所述的一種采用厚膜加熱的食品加工機，其特征在于:所述導熱基體設有沿其整個長度方向縱向槽。
7.根據權利要求6所述的一種采用厚膜加熱的食品加工機，其特征在于:所述套熱基體的內徑小于加熱容器的外徑。
8.根據權利要求5所述 的一種采用厚膜加熱的食品加工機，其特征在于:所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，電阻軌跡上串聯有突跳式溫控器。
9.根據權利要求5所述的一種采用厚膜加熱的食品加工機，其特征在于:所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，所述電阻軌跡包括正常工作區和干燒敏感區，干燒敏感區內厚膜電阻軌跡寬度小于正常工作區內厚膜電阻軌跡寬度，突跳式溫控器串聯在干燒敏感區內。
10.根據權利要求5所述的一種采用厚膜加熱的食品加工機，其特征在于:所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，所述接入端中至少其中一端與電源之間串接有突跳式溫控器或者熔斷體。
專利摘要本實用新型針對現有食品加工機的加熱方式存在加熱接觸面小、加熱速度慢、熱效率低、熱慣性大、容易糊底的問題，提供一種采用厚膜加熱的食品加工機。該食品加工機，在加熱容器或者套設在加熱容器下部側壁表面設有通過絲網印刷的厚膜介電層，厚膜介電層上設有厚膜電阻層，厚膜電阻層具有至少一對連接電源的接入端，所述厚膜電阻層上設有絕緣層。本實用新型使得加熱容器的加熱接觸面更大，加熱更均勻，加熱速度和熱效率都有顯著提高，避免了糊底等問題的出現，同時，加熱容器外壁更加美觀，占用空間更小，對食品加工機整體結構有顯著的優化。
文檔編號A47J43/07GK203088774SQ201320028718
公開日2013年7月31日 申請日期2013年1月21日 優先權日2013年1月21日
發明者王旭寧, 薛領瓏, 王麗軍 申請人:九陽股份有限公司