專利名稱：晶片切割方法
技術領域：
本發明與一種晶片切割方法有關。更特定言之，其涉及一種可避免切割所產生的臟污沾染到晶片內部結構的晶片切割方法。
背景技術：
在一般的晶片制作工藝完成后，晶片會需要進行一晶片切割(wafer dicing)步驟來將制作于其上的各種電路或結構切割成一個個各別獨立的單元，如管芯(die)或結構模塊，之后才進行封裝或組裝動作。就晶片的切割而言，其通常會通過切割機具沿著所定義的各單元之間的切割道切斷整個晶片以將各單元分離。在切割的過程中，無可避免地，一定會有碎屑、臟污等雜質粒子飛濺到晶片表面上。要清洗或擦拭該些落在晶片表面的雜質粒子十分不易，特別是對于那些表面未覆蓋有保護層或是裸露有特殊結構的晶片而言(如一布滿鏡頭單元的鏡頭晶片wafer lens)，表面雜質粒子的存在會影響到外觀或是元件的功能性運作，必須進行一清洗制作工藝來加以清除，其無疑增加了制作成本，且有傷害或劣化晶片上制作完成的元件之虞。現在請參照圖1與圖2所示，其以具體的截面圖來表示出一般現有技術中的鏡頭晶片切割方法。如圖1所示，鏡頭晶片100在進行切割前會先粘附在一切割膠膜(dicingtape) 101上，以提供切割后的各鏡頭模塊單元結構性支撐。接著，如圖2所示，一切割步驟會從鏡頭晶片100未粘有膠膜101的另一面來施行，該切割動作會將鏡頭晶片100切割成個別的鏡頭模塊單元103，該每一鏡頭模塊單元103皆具有裸露出的透鏡結構105。在切割過程中，碎屑、臟污、或雜質粒子107等會沾污到鏡頭模塊單元103中的透鏡結構105，要將其從容置透鏡結構105的凹槽中移除十分不易。故此，現今業界仍需對現有現有的晶片切割技術加以改良，以期能夠以最簡單、有效的方式來避免切割后的殘屑或臟污`沾染到制作完成的元件，解決先前技術中存在已久的問題。

發明內容
本發明的目的在于提出了一種晶片切割方法，其作法有別于一般現有作法，特點整個步驟流程中特別采用三個性質不同的切割膠膜，并以此達到隔絕切割殘屑與晶片本體結構的功效，由此解決上述現有技術中晶片切割后切割殘屑或臟污易污染晶片表面結構的問題。為了達上述目的，本發明提供一種晶片切割方法，其步驟包含提供一晶片、在該晶片的第一表面粘上一第一膠膜、在該晶片的第二表面粘上一第二膠膜、從該第一表面對該第一膠膜與該晶片進行切割但不切斷該第二膠膜、在切割后的該第一膠膜上粘上一層第三膠膜、以及將該第三膠膜連同粘附的切割后第一膠膜自該晶片上移除。無疑地，本發明的這類目的與其他目的在閱者讀過下文以多種圖示與繪圖來描述的較佳實施例細節說明后將變得更為顯見。


本說明書含有附圖并于文中構成了本說明書的一部分，以使閱者對本發明實施例有進一步的了解。該些圖示描繪了本發明一些實施例并連同本文描述一起說明了其原理。在該些圖示中:圖1 圖2為現有技術中的鏡頭晶片切割方法的截面示意圖；圖3 圖8為根據本發明實施例一晶片切割方法一系列的截面不意圖；圖9為根據本發明實施例一晶片切割方法的步驟流程。需注意本說明書中的所有圖示皆為圖例性質。為了清楚與方便圖示說明之故，圖示中的各部件在尺寸與比例上可能會被夸大或縮小地呈現。圖中相同的參考符號一般而言會用來標示修改后或不同實施例中對應或類似的特征。主要元件符號說明100透鏡晶片101膠膜103透鏡模塊單元105透鏡結構107雜質粒子300 晶片301基底303第一表面305第二表面307結構單元309a第一間隔體309b第二間隔體311槽313透鏡結構315第一膠膜317第二膠膜321雜質粒子323第三膠膜900步驟流程901 906步驟Cl第一去粘性制作工藝C2第二去粘性制作工藝
具體實施例方式在下文的細節描述中，元件符號會標示在隨附的圖示中成為其中的一部分，并且以可實行該實施例的特例描述方式來表示。這類實施例會說明足夠的細節以使該領域的一般技術人士得以具以實施。閱者需了解到本發明中也可利用其他的實施例或是在不悖離所述實施例的前提下作出結構性、邏輯性、及電性上的改變。因此，下文的細節描述將不欲被視為是一種限定，反之，其中所包含的實施例將由隨附的權利要求來加以界定。本發明通篇說明書與隨附權利要求中會使用某些詞匯來指稱特定的組成元件。該領域的技術人士將理解到，電子設備制造商可能會以不同的名稱來指稱一相同的元件。再者，在下文說明與權利要求中，「第一」、「第二」...「第N」等先行詞匯用來賦予相同或類似的元件一可彼此區別的代表指稱，其非意欲限定該些所指稱的元件或是具備任何特殊專利特征上的意義。現在請依序參照圖3 圖8，其以一系列的截面圖來表示本發明晶片切割方法的步驟流程。本發明切割方法的對象物主要為晶片，特別針對正反兩面都設置有結構單元的晶片種類，如一鏡頭晶片(wafer lens)。在下述實施例中將以正反兩面都具有透鏡結構的晶片級(wafer level)切割方法流程，然而需注意本發明方法并不以此為限，其也可應用在其他種類的晶片切割上，如各種采用晶片級制作工藝的晶片。首先，如圖3所示，本發明方法中會先提供一晶片300。該晶片300以一基底301作為結構基材。晶片300具有一第一表面303與一與第一表面303相對的第二表面305。在本實施例中，晶片3 00包括多個第一間隔體309a、多個第二間隔體309b以及多個透鏡結構313。各第一間隔體309a設于基底301面對第一表面的一側上，且各第二間隔體309b設于基底301面對第二表面的一側上，并對應各第一間隔體309a設置，使任兩相鄰的第一間隔體309a與任兩相鄰的第二間隔體309b定義出一結構單元307。任兩相鄰的第一間隔體309a之間具有一凹槽311，且任兩相鄰的第二間隔體309a之間具有另一凹槽311。各透鏡結構313分別設于各凹槽311底部的基底301上。并且，本實施例的各透鏡結構313可為一半圓透鏡，且半圓透鏡的球面朝基底301的外側設置，使位于基底301上下兩側的透鏡結構313彼此對應，并構成一晶片級鏡頭模塊。或者，其可與其他組件構成一完整的晶片級鏡頭模塊。需注意在其他實施例中，晶片300也可能僅有單面設有間隔體與透鏡結構，另一面僅為一平面。晶片300上的結構單元307可能未以間隔體309來彼此區隔，僅為突出于基底301外的透鏡結構。或者，晶片300的各結構單元307上可能已覆蓋有一層保護玻璃(cover glass)。接著請參照圖4，在進行晶片切割之前，晶片300的第一表面303與第二表面305會先分別粘上一層膠膜，該些膠膜在后續步驟中會發揮其功效，詳見后述說明。如圖所示，晶片300的第一表面303上會黏附一層第一膠膜315,而晶片300的第二表面305上則會粘附一第二膠膜317。第一膠膜315粘附在第一間隔體309a上，第二膠膜317粘附在第二間隔體309b上，使得各凹槽311中的透鏡結構313與外界隔絕。在本發明中，第一膠膜315可為UV膠片或熱解膠片，其可貼附整個晶片面以提供結構支撐，且可在經過特殊的去粘性處理(如照射UV光或加熱)后消除其粘性，使其易于從晶片300上移除。并且，第二膠膜317可為UV膠片或熱解膠片，但值得注意的是，第一膠膜315與第二膠膜317以不同材質構成或是具有不同的去黏性特性，例如其一者為UV膠片而另一者為熱解膠片，使得兩者必須通過不同的去黏性方式來去除其粘性。在本發明其他的實施例中，例如各結構單元307僅為透鏡結構313而未具有分隔的間隔體309的例子中，第一膠膜315或第二膠膜317也可采膠狀物型態直接涂布在突出的透鏡結構313上而凝固形成，而非通過膠片方式貼覆在晶片面上。
請參照圖5，在晶片300的兩面貼上膠膜后，接著即可對晶片進行切割步驟。如圖所示，其表示出晶片300被切割成一塊塊具有第一膠膜315的個別的結構單元307態樣。該切割步驟可通過一刀具(如一輪鋸，未圖示)沿著設在第一間隔體309上的切割道來切割而達成。更具體言之，在本發明一具體實施例中，切割動作會從晶片300的第一表面303進行，該切割動作會依序切過第一表面303上的第一膠膜315、基底301上側的第一間隔體309a、基底301下側的第二間隔體309b，而停在基底下側的第二膠膜317上。需注意該切割動作并不會切穿第二膠膜317，使得第二膠膜317可維持支撐切割后各結構單元307的功倉泛。在上述切割過程中，不可避免地，一定會有部分切削下來的碎屑、臟污、或雜質粒子321等飛濺在晶片面上，或是晶片在進行切割時會同時沖水來降低切割所產生的高熱，該沖水動作也可能將雜質粒子321帶到晶片面上。對此現象而言，前述密封住各凹槽311的第一膠膜315則可起到屏蔽效果，如圖5所示，使得雜質粒子321會落在第一膠膜315的膜面上，而不會污染到凹槽311內部的透鏡結構313。在完成上述切割動作后，如圖6所示，接下來切割后的第一膠膜315上會貼覆一層第三膠膜323。該第三膠膜323的貼覆將使位在第一膠膜315表面、因切割產生的臟污或雜質粒子321黏固在第一膠膜315與第三膠膜323之間。在本發明一較佳實施例中，第三膠膜323為不具有任何去黏性特性的膠片(如具有粘性的普通膠片)。如此，該第三膠膜323不會因為后續任何的處理而失去黏性，進而無法粘附切割后的第一膠膜315。或者，該第三膠膜323的去黏性特性可不同于第一膠膜315及第二膠膜317兩者，使其不會受到后續針對該第一膠膜315及第二膠膜317的去黏性處理影響。在貼上第三膠膜323后,在晶片300的第一表面303上進行一第一去黏性制作工藝Cl (如照射UV光或是加熱)，使得第一膠膜315失去黏性。需注意第一去黏性制作工藝Cl針對第一膠膜315所施行者，其不會對不同去黏性性質的第二膠膜317或第三膠膜323產生效果。如此，在經過第一去黏性制作工藝Cl后，第一膠膜315會失去其固有的粘性而不再粘固在晶片300的第一表面303 (或第一間隔體309a)上，但未去黏性的第三膠膜323仍可黏附著切割后的第一膠膜315，而未去黏性的第二膠膜317仍可黏附著切割后個別的結構單元307。在第一去黏性制作工藝Cl完成后,如圖7所不，由于第一膠膜315已失去其粘性，使用者可以直接將第三膠膜323連同其上所粘附切割后的第一膠膜315自晶片300的第一表面上303剝離，露出各凹槽311中未受到雜質粒子或臟污污染的透鏡結構313。于此階段中，各切割后的結構單元307粘附在未受到切割且未失去粘性的第二膠膜317上。在此階段，晶片300的第二表面305上會進行一不同于前述第一去黏性制作工藝Cl的第二去黏性制作工藝C2 (如照射UV光或是加熱)來使第二膠膜317失去黏性。在最后的步驟中，如圖8所示，由于第二膠膜317經過第二去黏性制作工藝C2而失去粘性，第二膠膜317實質上僅能支承住其上個別的結構單元307或是提供微弱的粘附力，此時使用者可利用一撿放機具(Pick and place tool，如夾取裝置者)來個別撿取第二膠膜317上的結構單元307，如此，即可獲得表面干凈的各結構單元307。在本發明其他實施例中，第二膠膜317也可能不會經過任何的去粘性制作工藝。在此類實施例中，已移除第一膠膜 315與第三膠膜323的晶片300會直接進行一擴晶步驟，該擴晶步驟可為直接對仍粘附著晶片300的第二膠膜317作與晶片300平面平行徑向向外拉伸動作來達成。對第二膠膜317的拉伸動作將會使其粘性降低，并且使已切割成的結構單元307分隔，之后粘附在第二膠膜317上的各結構單元307可通過一吸頭裝置來加以吸取。如此，即可獲得表面干凈的各結構單元307。綜合上述圖3 圖8的截面圖示說明，圖9總結出本發明晶片切割方法的步驟流程900概要。首先，在步驟901，提供一待切割晶片；在步驟902，在待切割晶片的第一表面與第二表面上分別粘上一第一膠膜與一第二膠膜；在步驟903，從第一表面對晶片進行切割以將該晶片切割成多個單元，但不切斷第二膠膜；在步驟904，在受切割后的第一膠膜上粘上一第三膠膜；在步驟905，將第三膠膜連同所粘附的第一膠膜自該些單元上移除；以及，在步驟906，將切割出的該些單元自第二膠膜上取下。需注意，本領域的技術人士將可輕易了解到，在維持本發明教示的前提下，本發明的元件與方法可加以修改或變形成多種態樣。以上所述僅為本發明的較佳實施 例，凡依本發明權利要求所做的均等變化與修飾，皆應屬本發明的涵蓋范圍。
權利要求
1.一種晶片切割方法，其包含下列步驟: 提供一晶片，該晶片具有第一表面及與該第一表面相對的第二表面； 在該晶片的該第一表面粘上一第一膠膜； 在該晶片的該第二表面粘上一第二膠膜； 從該第一表面對該晶片進行一切割步驟，該切割步驟會切斷該第一膠膜并將該晶片切割成多個單元，但未切斷該第二膠膜； 在該切割步驟后的該第一膠膜上粘上一第三膠膜；以及 將該第三膠膜連同所附的該第一膠膜自該多個單元上移除。
2.如權利要求1所述的晶片切割方法，其中在粘上該第三膠膜的步驟與移除該第一膠膜與該第三膠膜的步驟之間，該晶片切割方法另包含進行一第一去粘性制作工藝，以去除該第一膠膜的粘性，且該去粘性制作工藝未去除該第二膠膜與該第三膠膜的粘性。
3.如權利要求2所述的晶片切割方法，其中該第一去粘性制作工藝包含加熱或照紫外光。
4.如權利要求1所述的晶片切割方法，還包含在移除該第一膠膜與該第三膠膜之后從該第二膠膜上撿取該多個單元的至少一者。
5.如權利要求4所述的晶片切割方法，還包含在撿取該單元之前對該第二膠膜進行一第二去粘性制作工藝以去除該第二膠膜的粘性。
6.如權利要求1所述的晶片切 割方法，其中該晶片包含鏡頭晶片或感測器晶片。
全文摘要
本發明公開了一種晶片切割方法，其步驟包含提供一晶片、在晶片的第一表面粘上一第一膠膜、在晶片的第二表面粘上一第二膠膜、從第一表面對第一膠膜與晶片進行切割但不切斷第二膠膜、在切割后的第一膠膜上粘上一層第三膠膜、以及將第三膠膜連同粘附的第一膠膜自晶片上移除。
文檔編號B28D5/00GK103240806SQ201210024740
公開日2013年8月14日 申請日期2012年2月6日 優先權日2012年2月6日
發明者佐偉宗, 黃騰德 申請人:奇景光電股份有限公司