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一種可電磁加熱容器及其制造方法與流程

文檔序號:11892499閱讀:1048來源:國知局

本發明涉及可加熱容器,具體地說是一種可電磁加熱容器及其制造方法。



背景技術:

陶瓷、玻璃等材料隨著耐高溫問題的解決,越來越多地被應用到加熱容器上,但由于陶瓷、玻璃等材料為非導磁材料,無法在電磁爐上使用。

中國專利200810143808.X公開了一種用于電磁爐本體導磁的導磁膜,它包括一置于電磁爐本體上的導磁介質膜,該導磁介質膜由導磁基膜、覆蓋于導磁基膜的導磁介質層、顏料層和封面油層組成。該導磁介質膜克服了現有電磁爐因無導磁介質膜或無導磁介質層而無法使用非導磁金屬器具的缺陷,此導磁基膜的厚度一般為0.3-0.5mm,應力大,使用時導磁基膜容易開裂、破碎,也有可能與電磁爐本體脫開,且此方法通常用于加工平面的非導磁體,難以在底面為曲面或底面有凹槽及凸筋的非導磁體上加工。另外,導磁膜的成本仍較高。



技術實現要素:

本發明所要解決的技術問題是克服上述現有技術存在的缺陷,提供一種可電磁加熱的容器,其利用非晶態合金層作為導電層,再在非導磁材料容器的外側電鑄一層導磁率高且應力小的純鐵層。

為此,本發明采用如下的技術方案:一種可電磁加熱容器,包括非導磁基體,所述非導磁基體的外表面上電鑄一層用于導磁的純鐵層,非導磁基體與純鐵層之間設有非晶態合金層,所述的非晶態合金層為金屬鎳、鈷、鎢、鉬元素和非金屬硼、磷、氮元素共同形成的二元以上合金層。

本發明利用非晶態合金層使非導磁材料的底部電鑄一層可以導磁的純鐵層,使純鐵層與非導磁基體的結合牢固且應力小。非晶態合金層作為導電層,從而可以采用電鑄的方法在非導磁基體的底部覆上一層純鐵層,純鐵的導磁率高、應力小。

作為對上述技術方案的進一步完善和補充,本發明采取以下技術措施:

所述純鐵層的厚度為0.1-1.0mm,優選0.2-0.5mm,其覆在非導磁基體的整個或局部外表面上,純鐵層外覆有一耐腐蝕、耐磨保護層,用于保護純鐵層。

所述的非晶態合金層優選為鈷硼合金層,其厚度為2-10um,優選4-6um。

所述的非導磁基體為陶瓷或玻璃。

上述可電磁加熱容器的制造方法,其步驟如下:

1)清理非導磁基體外表面,去除外表面的污漬;

2)對非導磁基體外表面進行前處理;

3)再利用化學沉積方法形成貴金屬電子層和非晶態合金層,使非導磁基體的外表面上形成具有導電性能的非晶態合金層;

4)將具有非晶態合金層的基體作為陰極模,電鑄一層純鐵層;

5)在純鐵層外覆一耐腐蝕、耐磨保護層。

進一步地,非導磁基體為陶瓷或玻璃時,表面處理的方法為:對非導磁基體外表面依次進行粗化、水洗、敏化、水洗、成核、水洗、還原;粗化用于提高非導磁基體外表面的結合力;敏化使非導磁基體外表面沉積一層催化劑膜,為后續成核處理提供基礎;成核使非導磁基體表面形成納米級貴金屬電子層;還原用于進一步提高成核的效果。

進一步地,粗化時,將非導磁基體浸入以下溶液中處理:在水中加入HF和NH4F攪拌形成溶液;HF的添加量為80-120ml/L,NH4F的添加量為30-50g/L,上述處理在室溫下進行2-5分鐘。

進一步地,敏化時,將經粗化處理后的非導磁基體浸入以下溶液中處理:在水中加入SnCl2·2H2O和質量濃度為30-40%的HCl攪拌形成溶液;SnCl2·2H2O的添加量為8-12g/L,HCl的添加量為30-50ml/L,上述處理在20-40℃下進行3-5分鐘。

進一步地,成核時,將經敏化處理后的非導磁基體浸入以下溶液中處理:在水中加入PdCl2和質量濃度為30-40%的HCl攪拌形成溶液;PdCl2的添加量為0.1-0.5g/L,HCl的添加量為2-5ml/L,上述處理在20-40℃下進行0.5-1分鐘;還原時,將經成核處理后的非導磁基體浸入以下溶液中處理:在水中加入NaH2PO4·H2O攪拌形成溶液;NaH2PO4·H2O的添加量為15-25g/L,上述處理在常溫下進行10-30秒。

進一步,將經還原處理后的非導磁基體浸入以下溶液中處理形成非晶態合金層:在水中加入CoSO4·6H2O、NaBH4、乙二胺和NaOH攪拌形成溶液;CoSO4·6H2O的添加量為15-25g/L,NaBH4的添加量為0.5-1g/L,乙二胺的添加量為20-40g/L,NaOH的添加量為15-25g/L,上述處理在90-100℃下進行10-60分鐘。

本發明具有以下的有益效果:采用非晶態合金層作為導電層,在非導磁基體的底部電鑄一層純鐵層,純鐵的導磁率高、應力小,電磁感應效果好,而且可以使純鐵層較厚,耐用;可以在底面為曲面或底面有凹槽及凸筋的非導磁體上加工純鐵層,加工成本低,適應范圍廣;非晶態合金層使純鐵層與非導磁基體的結合牢固,避免了純鐵層發生脫落、開裂等現象的發生。

具體實施方式

下面結合具體實施方式對本發明作進一步的說明。

一種可電磁加熱容器,其非導磁基體的外表面上電鑄一層用于導磁的純鐵層,非導磁基體與純鐵層之間設有非晶態合金層,所述的非晶態合金層為金屬鈷元素和非金屬硼元素共同形成的二元合金層,純鐵層外覆有一耐磨保護層。非晶態合金層的厚度為4-6um,純鐵層的厚度為0.05-0.5mm。非導磁基體為陶瓷或玻璃。

上述可電磁加熱容器的制造方法,其步驟如下:

1)清理非導磁基體外表面,去除外表面的污漬;

2)對非導磁基體外表面依次進行粗化、水洗、敏化、水洗、成核、水洗、還原;粗化用于提高非導磁基體外表面的結合力;敏化使非導磁基體外表面沉積一層催化劑膜,為后續成核處理提供基礎;成核使非導磁基體表面形成納米級貴金屬電子層;還原用于進一步提高成核的效果;

3)再進行非晶態處理,利用貴金屬電子層,在非導磁基體的外表面上形成非晶態合金層;

4)經非晶態處理后的基體作為陰極模,電鑄一層純鐵層;

5)在純鐵層外覆一耐磨保護層。

粗化時,將非導磁基體浸入以下溶液中處理:在水中加入HF和NH4F攪拌形成溶液;HF的添加量為80-120ml/L,NH4F的添加量為30-50g/L,上述處理在室溫下進行2-5分鐘。

敏化時,將經粗化處理后的非導磁基體浸入以下溶液中處理:在水中加入SnCl2·2H2O和質量濃度為30-40%的HCl攪拌形成溶液;SnCl2·2H2O的添加量為8-12g/L,HCl的添加量為30-50ml/L,上述處理在20-40℃下進行3-5分鐘。

成核時,將經敏化處理后的非導磁基體浸入以下溶液中處理:在水中加入PdCl2和質量濃度為30-40%的HCl攪拌形成溶液;PdCl2的添加量為0.1-0.5g/L,HCl的添加量為2-5ml/L,上述處理在20-40℃下進行0.5-1分鐘。

還原時,將經成核處理后的非導磁基體浸入以下溶液中處理:在水中加入NaH2PO4·H2O攪拌形成溶液;NaH2PO4·H2O的添加量為15-25g/L,上述處理在常溫下進行10-30秒。

非晶態處理時,將經還原處理后的非導磁基體浸入以下溶液中處理:在水中加入CoSO4·6H2O、NaBH4、乙二胺和NaOH攪拌形成溶液;CoSO4·6H2O的添加量為15-25g/L,NaBH4的添加量為0.5-1g/L,乙二胺的添加量為20-40g/L,NaOH的添加量為15-25g/L,上述處理在90-100℃下進行10-60分鐘。

電鑄時,陰極的電流密度為3-10A/dm2,溫度控制在95-102℃。

以上所述,僅是本發明的較佳實施例而已,并非對本發明的結構作任何形式上的限制。凡是依據本發明的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均落入本發明的保護范圍內。

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