專利名稱：電磁屏蔽方法及制品的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種電磁屏蔽方法及其制品。
背景技術：
現有技術，通常采用金屬外罩、沉積有金屬層的或結合有金屬薄片的塑料復合屏蔽罩或金屬纖維復合屏蔽罩來控制電磁干擾。然而，上述屏蔽罩均存在以下缺點:所占空間大、生產成本較高、安裝時難以實現屏蔽罩與印刷電路板(PCB)或柔性線路板(FPC)之間無縫安裝，如此導致屏蔽效率低下，PCB板或FPC板上的電子元件產生的熱量難以散發出去，以及使得電子元件工作性能不穩定，甚至損壞電子元件。于PCB板或FPC板上直接沉積樹脂絕緣層，再于該絕緣層上電鍍或化學鍍金屬層，可實現電磁屏蔽。但是，為了保證該樹脂絕緣層與PCB板或FPC板之間有良好的結合力，避免絕緣層發生剝落或龜裂等現象，對所使用的樹脂的粘度值有嚴格的限制。而能滿足上述粘度要求的樹脂只限于某些特殊的有機樹脂，這些特殊的有機樹脂成分多、結構復雜、難以制造。此外，該絕緣層的厚度較大，因而對電子元件的散熱存在不良影響。另外，電鍍或化學鍍金屬層對環境的污染較大。
發明內容
鑒于此，本發明提供一種電磁屏蔽方法。另外，本發明還提供一種經由上述電磁屏蔽方法制得的制品。一種制品，包括基體及依次形成于該基體上的絕緣層、導電層及防護層，該絕緣層的主要成分為丙烯酸酯、硅酮或聚氨酯中的任一種，該導電層包括依次形成于所述絕緣層上的鉻層及銅層，所述防護層為鉻層、不銹鋼層或鎳鉻合金層。一種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟:
提供基體；
采用點膠處理，于基體上形成一絕緣層，該絕緣層的主要成分為丙烯酸酯、硅酮或聚氨酯中的任一種；
采用真空鍍膜法，在室溫下，以鉻靶為靶材，于該絕緣層上形成一鉻層；
采用真空鍍膜法，在室溫下，以銅靶為靶材，于該鉻層上形成一銅層；
采用真空鍍膜法，在室溫下，以鉻靶、不銹鋼靶及鎳鉻合金靶中的任意一種為靶材，于該銅層上形成一防護層，所述防護層為鉻層、不銹鋼層或鎳鉻合金層。由于化學氣相沉積方法具有良好的繞鍍性能，使絕緣層平面處、凹處及折縫處沉積均勻，且可以做到與基體無縫結合，提高了基體的電磁屏蔽性能。所述防護層具有較高的硬度，使所述制品在組裝、使用等過程中不易被刮傷而影響其電磁屏蔽性能。另外，通過上述方法形成的所述絕緣層、導電層及防護層的膜厚較小，可使電子元件產生的熱量快速的散發出去，提高制品的散熱性，進而提高了電子元件性能的穩定性。另一方面，該絕緣層及導電層所占的空間小，質量輕。此外，以真空鍍膜方法形成的絕緣層、導電層及防護層與基體、電子元件之間具有良好的結合力，可避免在使用過程中該絕緣層和/或導電層發生剝落或龜裂而降低制品的電磁屏蔽性能。
圖1是本發明一較佳實施例制品的剖視圖。圖2為本發明一較佳實施例真空鍍膜機的示意圖。主要元件符號說明_
權利要求
1.一種制品，包括基體，其特征在于:該制品還包括依次形成于該基體上的絕緣層、導電層及防護層，該絕緣層的主要成分為丙烯酸酯、硅酮或聚氨酯中的任一種，該導電層包括依次形成于所述絕緣層上的鉻層及銅層，所述防護層為鉻層、不銹鋼層或鎳鉻合金層。
2.按權利要求1所述的制品，其特征在于:該絕緣層通過點膠的方式形成。
3.按權利要求1所述的制品，其特征在于:該絕緣層的厚度為6(T200Mffl。
4.按權利要求1所述的制品，其特征在于:所述鉻層的厚度為10(T200nm。
5.按權利要求1所述的制品，其特征在于:所述銅層的厚度為30(T500nm。
6.按權利要求1所述的制品，其特征在于:所述防護層的厚度為20(T300nm。
7.按權利要求1所述的制品，其特征在于:該基體為印刷電路板或柔性線路板。
8.按權利要求7所述的制品，其特征在于:該基體上形成有至少一電子元件，所述絕緣層及所述導電層沉積在所述電子元件的表面及基體的表面，以使電子元件被封閉于所述絕緣層內。
9.一種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟: 提供基體； 采用點膠處理，于基體上形成一絕緣層，該絕緣層的主要成分為丙烯酸酯、硅酮或聚氨酯中的任一種； 采用真空鍍膜法，在室溫 下，以鉻靶為靶材，于該絕緣層上形成一鉻層； 采用真空鍍膜法，在室溫下，以銅靶為靶材，于該鉻層上形成一銅層； 采用真空鍍膜法，在室溫下，以鉻靶、不銹鋼靶及鎳鉻合金靶中的任意一種為靶材，于該銅層上形成一防護層，所述防護層為鉻層、不銹鋼層或鎳鉻合金層。
10.按權利要求9所述的電磁屏蔽方法，其特征在于:形成所述絕緣層的方法為:用以進行點膠的膠體的主要成分為丙烯酸酯、硅酮或聚氨酯中的任一種，膠嘴直徑為0.3^0.6mm,止動高度為0.Γθ.3mm,點膠步距為0.8 2mm，膠點直徑為0.5^18mm,點膠壓力為2.7 X IO5 3 X IO5Pa,膠管溫度為23 25。。。
11.按權利要求9所述的電磁屏蔽方法，其特征在于:形成鉻層的方法為:采用磁控派射法，以IS氣為反應氣體，設置IS氣的流量為100sccnTl80sscm,施加于基體的偏壓為-2(T-50V，設置鉻靶材的功率為5 IOkW ;鍍膜時間為5 lOmin。
12.按權利要求9所述的電磁屏蔽方法，其特征在于:形成銅層的方法為:采用磁控派射法，以IS氣為反應氣體，設置IS氣的流量為100sccnTl80sscm,施加于基體的偏壓為-2(T-50V，設置銅靶材的功率為5 IOkW ;鍍膜時間為l(Tl5min。
13.按權利要求9所述的電磁屏蔽方法，其特征在于:形成防護層的方法為:采用磁控派射法，以IS氣為反應氣體，設置IS氣的流量為100sccnTl80sscm,施加于基體的偏壓為-2(T-50V，設置鉻靶、不銹鋼靶及鎳鉻合金靶材的功率為5 IOkW ;鍍膜時間為l(Tl5min。
全文摘要
本發明提供一種電磁屏蔽方法，其包括如下步驟提供基體；采用點膠處理，于基體上形成一絕緣層，該絕緣層的主要成分為丙烯酸酯、硅酮或聚氨酯中的任一種；采用真空鍍膜法，在室溫下，以鉻靶為靶材，于該絕緣層上形成一鉻層；采用真空鍍膜法，在室溫下，以銅靶為靶材，于該鉻層上形成一銅層；采用真空鍍膜法，在室溫下，以鉻靶、不銹鋼靶及鎳鉻合金靶中的任意一種為靶材，于該銅層上形成一防護層，所述防護層為鉻層、不銹鋼層或鎳鉻合金層。本發明還提供了經由上述電磁屏蔽方法制得的制品。
文檔編號B32B15/00GK103096698SQ20111033
公開日2013年5月8日 申請日期2011年10月31日 優先權日2011年10月31日
發明者張新倍, 蔣煥梧, 陳正士, 徐華陽 申請人:鴻富錦精密工業(深圳)有限公司, 鴻海精密工業股份有限公司