專利名稱：離線可鋼低輻射鍍膜玻璃及其制造方法
技術領域：
本發明涉及一種玻璃及其制造方法，特別是一種離線可鋼低輻射鍍膜玻璃及其制造方法。
背景技術：
現有普通離線低輻射鍍膜玻璃由于膜系配置采用其他的材料，膜層耐侯性、耐酸堿性都較差，膜層質軟，容易氧化，且很難實現異地加工。離線可鋼低輻射鍍膜玻璃，采用氮化硅Si3N4膜層作為保護層，其對氧氣具有很低的擴散系數，有較好的穩定性，針孔密度非常低。磁控濺射沉積的氮化硅膜層致密、平整且硬度很高，對可動離子有非常強的阻擋能力，在1200°C時不發生氧化，有較好的抗蝕性，所以，使用Si3N4膜層作為離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的頂層保護膜，實現離線可鋼低輻射鍍膜玻璃耐高溫的性能，從而實現遠程異地化的切割、磨邊、鋼化、中空等后續加工。

發明內容
本發明的目的是為了克服普通離線低輻射鍍膜玻璃不能進行熱處理的不足，提供一種夠很強的阻隔紅外線，具有很好的隔熱功效，同時也能實現異地化后續深加工的離線可鋼低輻射鍍膜玻璃及其制造方法。本發明的目的通過以下技術方案來實現一種離線可鋼低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片上設有依次設有氮化硅Si3N4、金屬鎳鉻NiCr、金屬銀Ag、金屬鎳鉻NiCr、氮化娃Si3N4。玻璃基片的厚度為3mm 15mm,氮化娃Si3N4的厚度為35nm 45nm,金屬鎳鉻NiCr的厚度為I. 5 2. 5nm,金屬銀Ag的厚度為6 10nm，金屬鎳鉻NiCr的厚度為2 2. 5nm,氮化娃Si3N4的厚度為55 65nm。本發明的進一步改進在于玻璃基片的厚度為3mm 15mm,氮化娃Si3N4的厚度為37nm，金屬鎳鉻NiCr的厚度為I. 9nm,金屬銀Ag的厚度為8nm，金屬鎳鉻NiCr的厚度為
2.Inm,氮化娃Si3N4的厚度為57nm。一種離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的制備方法，包括以下步驟
A :選擇3 15mm玻璃基片，按預定尺寸切割，用清洗機對玻璃片進行清洗；
B :將高真空磁控濺射鍍膜設備的基礎真空設置為IO3 Pa，線速度設置為3. 5米/分鐘；C :將玻璃基片送入鍍膜室，依次設置第一高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為49KW 60KW，在玻璃基片上濺射第一層35nm 45nm的氮化硅Si3N4 ；
D :設置第二高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為0. 5KW 0. 75KW，在玻璃基片上濺射第二層I. 5nm 2. 5nm的金屬鎳鉻NiCr ；
E :設置第三高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為2. IKff 3. 2KW，在玻璃基片上濺射第三層6nm IOnm的金屬銀Ag ；
F :設置第四高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為0. 6KW 0. 80KW，在玻璃基片上濺射第四層2nm 2. 5nm的金屬鎳鉻NiCr ；G :設置第五高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為77KW 85KW，在玻璃基片上濺射第五層55nm 65nm的氮化娃Si3N4。本發明的進一步改進在于
所述步驟A中，玻璃基片的厚度為6mm ；
所述步驟C中，設置第一高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為52KW，在玻璃基片上濺射第一層37nm的氮化娃Si3N4 ；
所述步驟D中，設置第二高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為0. 63KW，在玻璃基片上濺射第二層I. 9nm的金屬鎳鉻NiCr ；
所述步驟E中，設置第三高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為2. 8KW，在玻璃基片上濺射第三層8nm的金屬銀Ag ；
所述步驟F中，設置第四高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為0. 69KW，在玻璃基片上濺射第四層2. Inm的金屬鎳鉻NiCr ；
所述步驟G中，設置第五高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為80KW，在玻璃基片上濺射第五層57nm的氮化娃Si3N4。本發明與現有技術相比具有以下優點離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的頂層采用擴散系數很低的氮化硅Si3N4作為保護層，能夠使膜層在鋼化爐中進行熱處理而不使膜層破壞，且保持了原有熱工性能，同時將原片也進行了鋼化處理，而且生產出來的離線可鋼低輻射鍍膜玻璃能夠很強的阻隔紅外線、具有很好的隔熱功效，同時也能實現異地化后續深加工。
具體實施例方式
為了加深對發明的理解，下面將結合實施例對本發明作進一步詳述，該實施例僅用于解釋本發明，并不構成對本發明保護范圍的限定。本發明離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的一種實施方式為離線可鋼低輻射鍍膜玻璃是在3mm 15mm的玻璃基片上依次設有35nm 45nm的氮化娃Si3N4,1. 5 2. 5nm的金屬鎳鉻NiCr，6 IOnm的金屬銀Ag，2 2. 5nm的金屬鎳鉻NiCr，55 65nm的氮化硅Si3N4,其中所述氮化娃Si3N4的最佳厚度為37nm,所述金屬鎳鉻NiCr的最佳厚度為I. 9nm,所述金屬銀Ag的最佳厚度為8nm,所述金屬鎳鉻NiCr的最佳厚度為2. Inm,所述氮化娃Si3N4的最佳厚度為57nm。離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的制備方法，包括以下步驟
A :選擇3 15mm玻璃基片，按預定尺寸切割，用清洗機對玻璃片進行清洗；
B :將高真空磁控濺射鍍膜設備的基礎真空設置為IO3 Pa，線速度設置為3. 5米/分鐘；C :將玻璃基片送入鍍膜室，依次設置第一高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為49KW 60KW，在玻璃基片上濺射第一層35nm 45nm的氮化硅Si3N4 ；
D :設置第二高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為0. 5KW 0. 75KW，在玻璃基片上濺射第二層I. 5nm 2. 5nm的金屬鎳鉻NiCr ；
E :設置第三高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為2. IKW 3. 2KW，在玻璃基片上濺射第三層6nm IOnm的金屬銀Ag ；
F :設置第四高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為0. 6KW 0. 80KW，在玻璃基片上濺射第四層2nm 2. 5nm的金屬鎳鉻NiCr ；
G :設置第五高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為77KW 85KW，在玻璃基片上濺射第五層55nm 65nm的氮化娃Si3N4 ；
本發明具有在實現膜層的低輻射率和低傳熱性能的基礎上，能夠同時實現可進行異地熱處理等深加工的優點。實施例I :
在雙端離線高真空磁控濺射鍍膜設備中，使其基礎真空達到IO3Pa，線速度為3. 5米/ 分鐘時，在6mm玻璃基片上依次濺射37nm的氮化硅Si3N4,1. 9nm的金屬鎳鉻NiCr，8nm的金屬銀Ag, 2. Inm的金屬鎳鉻NiCr, 57nm的氮化娃Si3N4。離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的頂層采用擴散系數很低的氮化硅Si3N4作為保護層，能夠使膜層在鋼化爐中進行熱處理而不使膜層破壞，且保持了原有熱工性能，同時將原片也進行了鋼化處理，而且生產出來的離線可鋼低輻射鍍膜玻璃能夠很強的阻隔紅外線、具有很好的隔熱功效，同時也能實現異地化后續深加工。
權利要求
1.一種離線可鋼低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片，其特征在于所述玻璃基片上依次設有氮化硅Si3N4、金屬鎳鉻NiCr、金屬銀Ag、金屬鎳鉻NiCr、氮化硅Si3N4。
2.根據權利要求I所述離線可鋼低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述玻璃基片的厚度為3mm 15mm,所述氮化娃Si3N4的厚度為35nm 45nm,所述金屬鎳鉻NiCr的厚度為I. 5 2. 5nm,所述金屬銀Ag的厚度為6 IOnm,所述金屬鎳鉻NiCr的厚度為2 2. 5nm,所述氮化娃Si3N4的厚度為55 65nm。
3.根據權利要求I或2所述離線可鋼低輻射鍍膜玻璃，其特征在于所述玻璃基片的厚度為3mm 15mm,所述氮化娃Si3N4的厚度為37nm,所述金屬鎳鉻NiCr的厚度為I. 9nm,所述金屬銀Ag的厚度為8nm，所述金屬鎳鉻NiCr的厚度為2. lnm，所述氮化硅Si3N4的厚度為 57nm。
4.一種離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于包括以下步驟 A :選擇3 15mm玻璃基片，按預定尺寸切割，用清洗機對玻璃片進行清洗； B :將高真空磁控濺射鍍膜設備的基礎真空設置為IO3 Pa，線速度設置為3. 5米/分鐘；C :將玻璃基片送入鍍膜室，依次設置第一高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為49KW 60KW，在玻璃基片上濺射第一層35nm 45nm的氮化硅Si3N4 ； D :設置第二高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為0. 5KW 0. 75KW，在玻璃基片上濺射第二層I. 5nm 2. 5nm的金屬鎳鉻NiCr ； E :設置第三高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為2. IKW 3. 2KW，在玻璃基片上濺射第三層6nm IOnm的金屬銀Ag ； F :設置第四高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為0. 6KW 0. 80KW，在玻璃基片上濺射第四層2nm 2. 5nm的金屬鎳鉻NiCr ； G :設置第五高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為77KW 85KW，在玻璃基片上濺射第五層55nm 65nm的氮化娃Si3N4。
5.根據權利要求4所述離線可鋼低輻射鍍膜玻璃ALT160的制備方法，其特征在于 所述步驟A中，玻璃基片的厚度為6mm ； 所述步驟C中，設置第一高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為52KW，在玻璃基片上濺射第一層37nm的氮化娃Si3N4 ； 所述步驟D中，設置第二高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為0. 63KW，在玻璃基片上濺射第二層I. 9nm的金屬鎳鉻NiCr ； 所述步驟E中，設置第三高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為2. 8KW，在玻璃基片上濺射第三層8nm的金屬銀Ag ； 所述步驟F中，設置第四高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為0. 69KW，在玻璃基片上濺射第四層2. Inm的金屬鎳鉻NiCr ； 所述步驟G中，設置第五高真空磁控濺射鍍膜設備的功率為80KW，在玻璃基片上濺射第五層57nm的氮化娃Si3N4。
全文摘要
本發明公開了一種離線可鋼低輻射鍍膜玻璃，包括玻璃基片，玻璃基片上設有依次設有氮化硅Si3N4、金屬鎳鉻NiCr、金屬銀Ag、金屬鎳鉻NiCr、氮化硅Si3N4；離線可鋼低輻射鍍膜玻璃的制備方法為在雙端離線高真空磁控濺射鍍膜設備中，使其基礎真空達到10 3Pa，線速度為3.5米/分鐘時，在玻璃上依次濺射氮化硅Si3N4、金屬鎳鉻NiCr、金屬銀Ag、金屬鎳鉻NiCr、氮化硅Si3N4。本發明具有在實現膜層的低輻射率和低傳熱性能的基礎上，能夠同時實現可進行異地熱處理等深加工的優點。
文檔編號B32B9/04GK102615877SQ2012100871
公開日2012年8月1日 申請日期2012年3月29日 優先權日2012年3月29日
發明者陳穎璽, 顧海波 申請人:江蘇奧藍工程玻璃有限公司