一種可異地彎鋼雙銀low-e玻璃及制備方法
【專利摘要】本發明公開了一種可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片，其特征在于：在玻璃基片的復合面上由內到外依次相鄰地復合有九個膜層，其中第一膜層即最內層為Si3N4層，第二層為AZO層，第三層為Ag層，第四層為NiCrNy層，第五層為ZnSn層，第六層為AZO層，第七層為Ag層，第八層為NiCrOy層，最外層為Si3N4層。本發明目的是克服了現有技術的不足，提供一種膜層的高溫抗氧化能力強，在彎曲鋼化時膜層不易燒損的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃。本發明還提供一種制備可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃的方法。
【專利說明】—種可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃及制備方法
【【技術領域】】
[0001]本發明涉及一種新型LOW-E玻璃，本發明還涉及一種LOW-E玻璃的制備方法。【【背景技術】】
[0002]隨著節能要求越來越高，單銀LOW-E玻璃將被雙銀LOW-E玻璃所替代，為了有效的提高鍍膜玻璃生產的效率和節約能源，可鋼化鍍膜玻璃將是未來鍍膜玻璃市場的主要發展趨勢，然而隨著建筑外形的多樣化發展要求，曲面玻璃在建筑幕墻上應用將越來越多，對可彎鋼雙銀LOW-E的需求日益增大，現有的雙銀LOW-E玻璃在進行彎鋼時，由于加熱時間幾乎是平鋼的2倍，導致膜層大量被燒損壞。
【
【發明內容】
】
[0003]本發明目的是克服了現有技術的不足，提供一種膜層的高溫抗氧化能力強，在彎曲鋼化時膜層不易燒損的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃。本發明還提供一種制備可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃的方法。
[0004]本發明是通過以下技術方案實現的:
[0005]一種可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片I，其特征在于:在玻璃基片的復合面上由內到外依次相鄰地復合有九個膜層，其中第一膜層即最內層為Si3N4層21，第二層為AZO層22，弟二層為A g層23，弟四層為NiCrNy層24，弟五層為ZnSn層25，兎/、層為AZO層26，第七層為Ag層27，第八層為NiCrOy層28，最外層為Si3N4層29。
[0006]如上所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層的Si3N4層21的厚度為25~45nm，所述第二層AZO層22的厚度為5~15nm，所述第六層AZO層26的厚度為5~15nm。
[0007]如上所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第三層Ag層23的厚度為5~15nm,所述第七層Ag層27的厚度為5~15nm。
[0008]如上所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第四層NiCrNy層24的厚度為1.5~3nm,所述第八層NiCrOy層28的厚度為1.5~3nm。
[0009]如上所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第五層ZnSn層25的厚度為70~lOOnm，所述最外層Si3N4層29的厚度為30~55nm。
[0010]一種制備可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟:
[0011](I)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料SiAl重量比 S1:Al = 90:10，密度 96% ；
[0012](2)磁控濺射AZO層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
[0013](3)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；
[0014](4)磁控濺射NiCrNy層，用直流電源濺射，用氮氣做反應氣體；
[0015](5)磁控濺射ZnSn層，用交流電源濺射，用氧氣做反應氣體；
[0016](6)磁控濺射AZO層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶，為Ag層作鋪墊；[0017](7)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射；
[0018](8)磁控濺射NiCrOy層，用直流電源濺射，用氧氣做反應氣體，滲少量氧氣；
[0019](9)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料SiAl重量比 S1:Al = 90:10，密度 96%。
[0020] 如上所述的制備可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于所述第一膜層的Si3N4層21的厚度為25~45nm，所述第二層AZO層22的厚度為5~15nm，所述第六層AZO層26的厚度為5~15nm。
[0021]如上所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第三層Ag層23的厚度為5~15nm,所述第七層Ag層27的厚度為5~15nm。
[0022]如上所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第四層NiCrNy層24的厚度為1.5~3nm,所述第八層NiCrOy層28的厚度為1.5~3nm,所述第五層ZnSn層25的厚度為70~lOOnm，所述最外層Si3N4層29的厚度為30~55nm。
[0023]與現有技術相比，本發明有如下優點:
[0024]1、本發明采用直流電源濺射，用氧氣做反應氣體，滲少量氧氣，使得NiCr與NiCrOy共存的狀態，對氧原子有較好的吸收率。能提高膜層鋼化時抗高溫氧化性、耐磨性、透光率。保護雙銀LOW-E玻璃在進行彎曲鋼化后膜層外觀幾乎無變化。
[0025]2、本發明采用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料Si和Al，提高膜層的物理性能和抗氧化性能。
[0026]3、本發明用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶。阻擋玻璃表面的Na+對功能層的破壞。平復銀層，鋼化過程中防止銀層塌方，提高玻璃的折射率。
【【專利附圖】
【附圖說明】】
[0027]圖1是本發明結構示意圖。
【【具體實施方式】】
[0028]下面結合附圖對本發明進行詳細闡述。
[0029]一種可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，在玻璃基片的復合面上由內到外依次相鄰地復合有九個膜層，其中第一膜層即最內層為Si3N4層21，第二層為AZO層22，第三層為Ag層23，第四層為NiCrNy層24，第五層為ZnSn層25，第六層為AZO層26，第七層為Ag層27，第八層為NiCrOy層28，最外層為Si3N4層29。
[0030]所述第一膜層的Si3N4層21，即氮化硅層；Si3N4是一種非常堅硬的材料，提高膜層的物理性能和抗氧化性能，它確保了整個鍍層具有良好的機械耐久性，設置在最內層作為保護玻璃的最后一道屏障。Si3N4層的厚度為25~45nm, nm是納米，Im = 109nm。
[0031]所述第二層AZO層22，即鋁摻雜的氧化鋅層，AZO為介質層，阻擋玻璃表面的Na+對功能層的破壞。平復銀層，鋼化過程中防止銀層塌方，提高玻璃的折射率。AZO層的厚度為5 ~15nm。
[0032]所述第三層Ag層23，即金屬銀層，金屬銀層提供了較低的輻射率，起環保節能的作用。Ag層的厚度為5~15nm。
[0033]所述第四層NiCrNy層24，即氮化鎳鉻層，NiCrNy為阻擋層，提高膜層的耐磨性。NiCrNy層的厚度為1.5?3nm。
[0034]所述第五層ZnSn層25，即鋅錫層，ZnSn為中間干涉層，提高玻璃的折射率。ZnSn層的厚度為70?lOOnm。
[0035]所述第六層AZO層26，即鋁摻雜的氧化鋅層，AZO為介質層，阻擋玻璃表面的Na+對功能層的破壞。平復銀層，鋼化過程中防止銀層塌方，提高玻璃的折射率。AZO層的厚度為5 ?15nm。
[0036]所述第七層Ag層27，即金屬銀層，金屬銀層提供了較低的輻射率，起環保節能的作用。Ag層的厚度為5?15nm。
[0037]所述第八層NiCrOy層28，即氧化鎳鉻層，NiCrOy為阻擋層，還能提高膜層耐磨性、透光率、以及鋼化時抗高溫氧化性。NiCrOy層的厚度為1.5?3nm。
[0038]所述最外層Si3N4層29，即氮化硅層；Si3N4是一種非常堅硬的材料，提高膜層的物理性能和抗氧化性能，它確保了整個鍍層具有良好的機械耐久性，設置在最外層作為保護整個膜層的第一道壁壘。Si3N4層的厚度為30?55nm。
[0039]一種制備可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟:
[0040](10)磁控派射Si3N4層,用交流中頻電源、氮氣作反應氣體
[0041](11)磁控濺射AZO層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶，阻擋玻璃表面的Na+對功能層的破壞。平復銀層，鋼化過程中防止銀層塌方，提高玻璃的折射率；
[0042](12)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射，降低輻射率；
[0043](13)磁控濺射NiCrNy層，用直流電源濺射，用氮氣做反應氣體，提高耐磨性；
[0044](14)磁控濺射ZnSn層，用交流電源濺射，用氧氣做反應氣體，提高玻璃的折射率；
[0045](15)磁控濺射AZO層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶，為Ag層作鋪墊，降低輻射率；
[0046](16)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射，降低輻射率；
[0047](17)磁控濺射NiCrOy層，用直流電源濺射，用氧氣做反應氣體，滲少量氧氣，使得NiCr與NiCrOy共存的狀態，對氧原子有較好的吸收率。能提高膜層鋼化時抗高溫氧化性、耐磨性、透光率；
[0048](18)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料SiAl重量比S1:Al = 90:10，密度96% ;提高膜層的物理性能和抗氧化性能。
[0049]磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料重量比S1:Al = 85?98:2?15” ；此處得到的是Si3N4，而金屬Al是用于增加原材料在磁控濺射過程中的導電性能，金屬Al并不參與反應，由于非金屬半導體Si的導電性能極差，如不采用金屬Al混合增加導電性能將無法順利進行磁控濺射Si3N4層。
[0050]本發明的優選方案:
[0051]所述第一膜層的Si3N4層21的厚度為35nm，所述第二層AZO層22的厚度為10nm，所述第三層Ag層23的厚度為IOnm,所述第四層NiCrNy層24的厚度為2nm,所述第五層ZnSn層25的厚度為80nm，所述第六層AZO層26的厚度為10nm，所述第七層Ag層27的厚度為10nm，所述第八層NiCrOy層28的厚度為2nm，所述最外層Si3N4層29的厚度為45nm。
[0052]Low-E玻璃也稱為低輻射鍍膜玻璃。
[0053]本發明采用磁控濺射法將鍍膜層濺射在玻璃基材上，滲入少量氣體，提高膜層的高溫抗氧化性能。前后保護層較厚，大大提高了膜層的機械性能，方便玻璃的運輸。鍍膜層與玻璃基材的結合力強、鍍膜層致密、均勻。本玻璃鋼化前后透過率偏差小于1.5%，漂移小，ΔΕ〈1.0,顏色偏差小,按國標法測耐磨ΔΕ〈2.0。
[0054]本玻璃透光率T(透過透明或半透明體的光通量與其入射光通量的百分率)達84% ;本玻璃輻射率< 0.08，輻射率是某物體的單位面積輻射的熱量同單位面積黑體在相同溫度、相同條件下輻射熱量之比。輻射率定義是某物體吸收或反射熱量的能力。玻璃的輻射率越接近于零，其絕熱性能就越好。
【權利要求】
1.一種可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(I)，其特征在于:在玻璃基片的復合面上由內到外依次相鄰地復合有九個膜層，其中第一膜層即最內層為Si3N4層(21)，第二層為AZO層(22)，兎二層為Ag層(23)，弟四層為NiCrNy層(24)，弟五層為ZnSn層(25)，第六層為AZO層(26)，第七層為Ag層(27)，第八層為NiCrOy層(28)，最外層為Si3N4層(29)。
2.根據權利要求1所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層的Si3N4層(21)的厚度為25~45nm，所述第二層AZO層(22)的厚度為5~15nm，所述第六層AZO層(26)的厚度為5~15nm。
3.根據權利要求1所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第三層Ag層(23)的厚度為5~15nm,所述第七層Ag層(27)的厚度為5~15nm。
4.根據權利要求1所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第四層NiCrNy層(24)的厚度為1.5~3nm,所述第八層NiCrOy層(28)的厚度為1.5~3nm。
5.根據權利要求1所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第五層ZnSn層(25)的厚度為70~lOOnm，所述最外層Si3N4層(29)的厚度為30~55nm。
6.一種制備可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟: (1)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料SiAl重量比S1:Al = 90:10，密度 96% ； (2)磁控濺射AZO層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶； (3)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射； (4)磁控濺射NiCrNy層，用直流電源濺射，用氮氣做反應氣體； (5)磁控濺射ZnSn層，用交流電源濺射，用氧氣做反應氣體； (6)磁控濺射AZO層，用中頻交流電源濺射陶瓷Zn靶，為Ag層作鋪墊； (7)磁控濺射Ag層，用交流電源濺射； (8)磁控濺射NiCrOy層，用直流電源濺射，用氧氣做反應氣體，滲少量氧氣； (9)磁控濺射Si3N4層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料SiAl重量比S1:Al = 90:10，密度 96%。
7.根據權利要求1所述的制備可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于所述第一膜層的Si3N4層(21)的厚度為25~45nm，所述第二層AZO層(22)的厚度為5~15nm，所述第六層AZO層(26)的厚度為5~15nm。
8.根據權利要求1所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第三層Ag層(23)的厚度為5~15nm,所述第七層Ag層(27)的厚度為5~15nm。
9.根據權利要求1所述的可異地彎鋼雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第四層NiCrNy層(24)的厚度為1.5~3nm,所述第八層NiCrOy層(28)的厚度為1.5~3nm,所述第五層ZnSn層(25)的厚度為70~lOOnm，所述最外層Si3N4層(29)的厚度為30~55nm。
【文檔編號】B32B9/04GK103963371SQ201410182461
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2014年4月30日 優先權日:2014年4月30日
【發明者】范亞軍, 楊永華, 孫疊文, 潘韜, 魏邦爭 申請人:中山市格蘭特實業有限公司