一種金色low-e玻璃的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種金色LOW-E玻璃，包括有玻璃基片，其特征在于：在玻璃基片的復合面上由內到外依次相鄰地復合有六個膜層，其中第一膜層即最內層為SiO2層，第二層為氧化不銹鋼層，第三層為NiCr層，第四層為Ag層，第五層為NiCr層，最外層為SiO2層。本實用新型目的是克服了現有技術的不足，提供一種透過率高，鍍膜層與玻璃基材的結合力強、鍍膜層致密、均勻的金色LOW-E玻璃。
【專利說明】-種金色LOW-E玻璃 【【技術領域】】
[0001] 本實用新型涉及一種金色L0W-E玻璃。 【【背景技術】】
[0002] 現有的金色L0W-E玻璃的鍍膜層與玻璃基材的結合力弱、鍍膜層疏松、不均勻。膜 層之間的粘結力差，膜層容易脫落。 【實用新型內容】
[0003] 本實用新型目的是克服了現有技術的不足，提供一種透過率高，鍍膜層與玻璃基 材的結合力強、鍍膜層致密、均勻的金色L0W-E玻璃。
[0004] 本實用新型是通過以下技術方案實現的：
[0005] -種金色L0W-E玻璃，包括有玻璃基片1，其特征在于：在玻璃基片的復合面上由 內到外依次相鄰地復合有六個膜層，其中第一膜層即最內層為310 2層21，第二層為氧化不 銹鋼層22,第三層為NiCr層23,第四層為Ag層24,第五層為NiCr層25,最外層為Si02層 26。
[0006] 所述的金色L0W-E玻璃，其特征在于所述第一膜層5102層21的厚度為10?40nm。 所述第二層氧化不銹鋼層層22的厚度為20?50nm。所述第三層NiCr層23的厚度為5? 15nm。所述第四層Ag層24的厚度為15?30nm。其特征在于所述第五層NiCr層25的厚 度為5?15nm。所述最外層Si02層26的厚度為25?50nm。
[0007] 與現有技術相比，本實用新型有如下優點：
[0008] 1、本實用新型膜層最內層和最外層采用5102層，增強膜層與玻璃的粘結，改善膜 層性能及玻璃面的反射效果，膜層與玻璃基材的結合力強、鍍膜層致密、均勻。
[0009] 2、本實用新型色澤均勻，更顯明呈現金黃色，具有較高的可見光透過率。 【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0010] 圖1是本實用新型結構示意圖。 【【具體實施方式】】
[0011] 一種金色L0W-E玻璃，包括有玻璃基片1，在玻璃基片的復合面上由內到外依次相 鄰地復合有六個膜層，其中第一膜層即最內層為Si02層21，第二層為氧化不銹鋼層22,第 三層為NiCr層23,第四層為Ag層24,第五層為NiCr層25,最外層為Si02層26。
[0012] 所述第一膜層3102層21，即二氧化硅層，通過與氧氣反應結合提高玻璃的折射率， Si02層的厚度為10?40nm，nm是納米，lm= 109nm。增強膜層與玻璃的粘結，改善膜層性 能及玻璃面的反射效果。
[0013] 第二層氧化不銹鋼層層22,作調節金色顏色層，可得到較黃的金色效果。氧化不銹 鋼層層22的厚度為20?50nm。
[0014] 第三層NiCr層23,即鎳鉻金屬層，作為Ag層的保護層及平整層，提高耐氧化性能 防止Ag層的氧化。NiCr層23的厚度為5?15nm。
[0015] 第四層Ag層24,即金屬銀層，金屬銀層提供了較低的輻射率，起環保節能的作用； Ag層厚度為的15?30nm，
[0016] 第五層NiCr層25,即鎳鉻金屬層，作為Ag層的保護層及平整層，提高耐氧化性能 防止Ag層的氧化。NiCr層23的厚度為5?15nm。
[0017] 最外層Si02層26,即二氧化硅層，有較好機械性能，使膜層有較好的耐劃傷、耐磨 性，起較好的保護性，Si02層26的厚度為25?50nm。
[0018] 本實用新型金色L0W-E玻璃的制備方法，包括如下步驟：
[0019] (1)磁控濺射Si02層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料重量比 Si:Al= 90 ?98:2 ?10 ;
[0020] (2)磁控濺射氧化不銹鋼層，用直流電源、氧氣作主反應氣體的反應濺射；
[0021] (3)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應氣體的金屬濺射；
[0022] (4)磁控濺射Ag層，用直流電源、氬氣作主反應氣體的金屬濺射；
[0023] (5)磁控濺射NiCr層，用直流電源、氬氣作主反應氣體的金屬濺射；
[0024] (6)磁控濺射Si02層，用交流中頻電源、氧氣作反應氣體濺射半導體材料重量比 Si:Al= 90 ?98:2 ?10。
[0025] 磁控濺射5102層，用交流中頻電源、氮氣作反應氣體濺射半導體材料重量比Si:Al =90?98:2?10" ；此處得到的是Si02，而金屬A1是用于增加原材料在磁控濺射過程中 的導電性能，金屬A1并不參與反應，由于非金屬半導體Si的導電性能極差，如不采用金屬 A1混合增加導電性能將無法順利進行磁控濺射Si02層。
[0026] 本實用新型的優選方案：
[0027] 所述第一膜層Si02層21的厚度為25nm，第二層氧化不銹鋼層層22的厚度為 35nm，第三層NiCr層23的厚度為10nm，第四層Ag層24的厚度為20nm，第五層NiCr層25 的厚度為l〇nm，最外層Si02層26的厚度為40nm。
[0028] 步驟⑴和步驟（6)中半導體材料的配比均為Si:A1 = 90:10。
[0029]Low-E玻璃也叫做低輻射鍍膜玻璃。
[〇〇3〇] 本實用新型采用磁控濺射法將鍍膜層濺射在玻璃基材上，鍍膜層與玻璃基材的結 合力強、鍍膜層致密、均勻。
【權利要求】
1. 一種金色LOW-E玻璃，包括有玻璃基片（1)，其特征在于：在玻璃基片的復合面上由 內到外依次相鄰地復合有六個膜層，其中第一膜層即最內層為310 2層（21)，第二層為氧化 不銹鋼層（22)，第三層為NiCr層（23)，第四層為Ag層（24)，第五層為NiCr層（25)，最外 層為Si02層（26)。
2. 根據權利要求1所述的金色L0W-E玻璃，其特征在于所述第一膜層5102層（21)的 厚度為10?40nm。
3. 根據權利要求1所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述第二層氧化不銹鋼層層 (22)的厚度為20?50nm。
4. 根據權利要求1所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述第三層NiCr層（23)的厚 度為5?15nm。
5. 根據權利要求1所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述第四層Ag層（24)的厚度 為 15 ?30nm。
6. 根據權利要求1所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述第五層NiCr層（25)的厚 度為5?15nm。
7. 根據權利要求1所述的金色LOW-E玻璃，其特征在于所述最外層Si02層（26)的厚 度為25?50nm。
【文檔編號】B32B17/00GK203864104SQ201420221507
【公開日】2014年10月8日 申請日期:2014年4月30日 優先權日:2014年4月30日
【發明者】孫疊文, 楊永華, 潘韜, 魏邦爭 申請人:中山市格蘭特實業有限公司