專利名稱：一種主動(dòng)式oled的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種主動(dòng)式0LED。
背景技術(shù)：
0LED,即有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode),又稱為有機(jī)電激光顯示(Organic Electroluminesence Display, 0ELD)。因?yàn)榫邆漭p薄、省電等特性，因此從2003年開始，這種顯示設(shè)備在MP3播放器上得到了廣泛應(yīng)用，而對(duì)于同屬數(shù)碼類產(chǎn)品的DC與手機(jī)，此前只是在一些展會(huì)上展示過采用OLED屏幕的工程樣品，還并未走入實(shí)際應(yīng)用的階段。但OLED屏幕卻具備了許多LCD不可比擬的優(yōu)勢(shì)。有機(jī)電激發(fā)光二極管(OrganicLight-Emitting Diode, 0LED)由于同時(shí)具備自發(fā)光，不需背光源、對(duì)比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡(jiǎn)單等優(yōu)異之特性，被認(rèn)為是下一代的平面顯示器新興應(yīng)用技術(shù)。 OLED的基本驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)如圖1，掃描線3’ (Scanning Line)為第一 TFT(Thin FilmTransistor,薄膜晶體管)控制數(shù)據(jù)線I’(Data Line)，再以數(shù)據(jù)線I’輸入像素的信號(hào)為第二 TFT控制電源供應(yīng)線2’ (Source Line)電流的輸入。現(xiàn)有OLED結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)線I’ (DataLine)與電流供應(yīng)線2’(Source Line)多為同一層金屬，在同一平面配置不透光的金屬。數(shù)據(jù)線I’與電流供應(yīng)線2’分別配置在有機(jī)發(fā)光層7’兩側(cè)使得第一 TFT與第二 TFT也分布于像素兩側(cè)會(huì)占用較多面積，影響到OLED亮度。因此，需要一種新的OLED結(jié)構(gòu)以解決上述問題。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中現(xiàn)有OLED結(jié)構(gòu)不透光之?dāng)?shù)據(jù)線與電流供應(yīng)線，以及第一第二 TFT配置在像素兩側(cè)影響發(fā)光區(qū)域的缺陷，提供一個(gè)數(shù)據(jù)線與電源供應(yīng)線利用不同層金屬制作并重疊的主動(dòng)式OLED結(jié)構(gòu)。技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的主動(dòng)式OLED結(jié)構(gòu)采用如下技術(shù)方案—種主動(dòng)式0LED，包括數(shù)據(jù)線、電源供應(yīng)線、掃描線、共通電極、數(shù)據(jù)TFT、電流TFT、有機(jī)發(fā)光層和透明電極層，所述數(shù)據(jù)TFT和電流TFT與所述數(shù)據(jù)線同層形成，所述共通電極的上方形成所述有機(jī)發(fā)光層，所述透明電極層覆蓋所述有機(jī)發(fā)光層(7)，所述數(shù)據(jù)線與所述電源供應(yīng)線利用不同層金屬制作并重疊，所述共通電極與所述數(shù)據(jù)線或所述掃描線同層形成。。進(jìn)一步的，所述掃描線與所述數(shù)據(jù)線利用同一金屬層形成。進(jìn)一步的，所述OLED為底發(fā)光OLED或頂發(fā)光OLED。進(jìn)一步的，所述數(shù)據(jù)TFT和所述電流TFT均由IGZO構(gòu)成。進(jìn)一步的，所述數(shù)據(jù)TFT和電流TFT為頂柵結(jié)構(gòu)或底柵結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步的，還包括數(shù)據(jù)TFT柵極和電流TFT柵極，所述數(shù)據(jù)TFT柵極和電流TFT柵極與所述掃描線同層形成。
有益效果本發(fā)明的主動(dòng)式OLED結(jié)構(gòu)將數(shù)據(jù)線與電源供應(yīng)線以不同層金屬在同樣位置進(jìn)行配置，利用此架構(gòu)可以減少金屬線所占用的不透光區(qū)域，不論在頂發(fā)光OLED架構(gòu)或底發(fā)光OLED架構(gòu)中，都可以有效提升發(fā)光層的區(qū)域以提升OLED亮度。本發(fā)明還提供了上述主動(dòng)式OLED的制備方法。本發(fā)明的主動(dòng)式OLED的制備方法采用如下的技術(shù)方案一種主動(dòng)式OLED的制備方法，包括以下步驟 a、首先依序形成數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)TFT以及電流TFT，然后形成第一絕緣層，并在第一絕緣層上開設(shè)與數(shù)據(jù)TFT接觸的第一接觸孔；b、在步驟a形成的第一絕緣層上利用掃描線金屬形成掃描線、數(shù)據(jù)TFT柵極、電流TFT柵極、以及共通電極，其中，電流TFT柵極一端通過第一接觸孔與數(shù)據(jù)TFT電性連接，電流TFT柵極的另一端位于電流TFT的上方，掃描線連接數(shù)據(jù)TFT柵極，電流TFT柵極與掃描線相互分離；；C、在掃描線金屬上覆蓋保護(hù)層，并在數(shù)據(jù)TFT處形成第二接觸孔，在電流TFT的兩端分別形成第三接觸孔和第四接觸孔，共通電極與掃描線同層形成；d、在步驟c形成的圖案上形成電流供應(yīng)線和有機(jī)發(fā)光層，并在有機(jī)發(fā)光層上形成透明電極層，其中，有機(jī)發(fā)光層形成在共通電極上，電流供應(yīng)線通過第二接觸孔和第三接觸孔分別與數(shù)據(jù)TFT和電流TFT電性連接，透明電極層通過第四接觸孔電性連接電流TFT，電流供應(yīng)線與數(shù)據(jù)線利用不同層金屬制作形成并重疊。本發(fā)明的主動(dòng)式OLED的制備方法還有另外一種實(shí)施方式。一種主動(dòng)式OLED的制備方法，包括以下步驟a、首先依序形成數(shù)據(jù)線、共通電極、數(shù)據(jù)TFT和電流TFT，然后形成第一絕緣層，并在第一絕緣層上開設(shè)與數(shù)據(jù)線、電流TFT的兩端和數(shù)據(jù)TFT的兩端接觸的接觸孔，共通電極與數(shù)據(jù)線同層形成；b、在第一絕緣層上利用掃描線金屬形成掃描線、數(shù)據(jù)線柵極、數(shù)據(jù)TFT柵極和電流TFT柵極，數(shù)據(jù)線柵極的一端通過接觸孔電性連接數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線柵極的另一端通過接觸孔電性連接數(shù)據(jù)TFT，數(shù)據(jù)TFT柵極的一端位于數(shù)據(jù)TFT的上方，數(shù)據(jù)TFT柵極的另一端連接掃描線，電流TFT柵極的一端通過接觸孔電性連接數(shù)據(jù)TFT，電流TFT柵極的另一端位于電流TFT的上方，電流TFT柵極與掃描線相互分離；C、在掃描線金屬上覆蓋保護(hù)層，并在電流TFT處形成接觸孔，在共通電極上形成有機(jī)發(fā)光層；d、在步驟c形成的圖案上形成電流供應(yīng)線和透明電極層，電流供應(yīng)線通過接觸孔電流TFT電性連接，透明電極層連接電流TFT并覆蓋有機(jī)發(fā)光層，透明電極層通過接觸孔與電流TFT電性連接，電流供應(yīng)線與數(shù)據(jù)線利用不同層金屬制作形成并重疊。本發(fā)明主動(dòng)式OLED的制備方法簡(jiǎn)單，通過將電流供應(yīng)線與數(shù)據(jù)線利用不同層金屬制作形成并重疊，將共通電極與掃描線或數(shù)據(jù)線同層形成，利用此架構(gòu)可以減少金屬線所占用的不透光區(qū)域，不論在頂發(fā)光OLED架構(gòu)或底發(fā)光OLED架構(gòu)中，都可以有效提升發(fā)光層的區(qū)域以提升OLED亮度。


圖I是現(xiàn)有技術(shù)的OLED的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是實(shí)施例I的主動(dòng)式OLED結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是實(shí)施例I的主動(dòng)式OLED結(jié)構(gòu)的A_A’剖面圖；圖4是實(shí)施例2的主動(dòng)式OLED結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是實(shí)施例2的主動(dòng)式OLED結(jié)構(gòu)的B_B’剖面圖；圖6是實(shí)施例I的步驟a的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是實(shí)施例I的步驟a的A_A’剖面圖；圖8是實(shí)施例I的步驟b的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖9是實(shí)施例I的步驟b的A-A’剖面圖；圖10是實(shí)施例I的步驟c的結(jié)構(gòu)示意圖；圖11是實(shí)施例I的步驟c的A-A’剖面圖；圖12是實(shí)施例I的步驟d的結(jié)構(gòu)示意圖；圖13是實(shí)施例I的步驟d的A-A’剖面圖；圖14是實(shí)施例2的步驟a的結(jié)構(gòu)示意圖；圖15是實(shí)施例2的步驟a的B-B’剖面圖；圖16是實(shí)施例2的步驟b的結(jié)構(gòu)示意圖；圖17是實(shí)施例2的步驟b的B-B’剖面圖；圖18是實(shí)施例2的步驟c的結(jié)構(gòu)示意圖；圖19是實(shí)施例2的步驟c的B-B’剖面圖；圖20是實(shí)施例2的步驟d的結(jié)構(gòu)示意圖；圖21是實(shí)施例2的步驟d的B-B’剖面具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。一種主動(dòng)式0LED，包括數(shù)據(jù)線I、電源供應(yīng)線2、掃描線3、共通電極4、數(shù)據(jù)TFT5、電流TFT6、有機(jī)發(fā)光層7和透明電極層8，數(shù)據(jù)TFT5和電流TFT6與數(shù)據(jù)線I同層形成，共通電極4的上方形成有機(jī)發(fā)光層7，透明電極層8覆蓋有機(jī)發(fā)光層7，數(shù)據(jù)線I與電源供應(yīng)線2利用不同層金屬制作并重疊，共通電極4與數(shù)據(jù)線I或掃描線3同層形成。其中，掃描線3與數(shù)據(jù)線I也可利用同一金屬層形成。OLED為底發(fā)光OLED或頂發(fā)光0LED。數(shù)據(jù)TFT5和電流TFT6均由IGZO構(gòu)成。數(shù)據(jù)TFT5和電流TFT6為頂柵結(jié)構(gòu)或底柵結(jié)構(gòu)。其中，數(shù)據(jù)線I、電源供應(yīng)線2、掃描線3和共通電極4構(gòu)成金屬層.數(shù)據(jù)TFT5和電流TFT6構(gòu)成TFT半導(dǎo)體層，其中，數(shù)據(jù)TFT5和電流TFT6上覆蓋有保護(hù)層9。共同電極4的上方設(shè)置有有機(jī)發(fā)光層7，有機(jī)發(fā)光層7的上方覆蓋透明電極8。還包括數(shù)據(jù)TFT柵極31和電流TFT柵極32，數(shù)據(jù)TFT柵極31和電流TFT柵極32與掃描線3同層形成。實(shí)施例I請(qǐng)參閱圖2和圖3所示，為共通電極4與掃描線3同層架構(gòu)。具體制造步驟為
a、請(qǐng)參閱圖6和圖7所示，首先依序形成數(shù)據(jù)線I、數(shù)據(jù)TFT5以及電流TFT6，然后形成第一絕緣層，并在第一絕緣層上開設(shè)與數(shù)據(jù)TFT5接觸的第一接觸孔51 ;其中，電流TFT5和數(shù)據(jù)TFT6的材料為IGZO。IGZ0(indium gallium zincoxide)為銦鎵鋅氧化物的縮寫，非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶體管技術(shù)中的溝道層材料。其中，數(shù)據(jù)TFT5和電流TFT6均位于數(shù)據(jù)線I的同側(cè)，數(shù)據(jù)TFT5與數(shù)據(jù)線I相連接，電流TFT6與數(shù)據(jù)線I相互分離；電流TFT6位于數(shù)據(jù)TFT5的一側(cè)，且與數(shù)據(jù)TFT5相互分離，其中，數(shù)據(jù)TFT5和電流TFT6均垂直于數(shù)據(jù)線I。b、請(qǐng)參閱圖8和圖9所示，在第一絕緣層上利用掃描線金屬形成掃描線3、數(shù)據(jù)TFT柵極31、電流TFT柵極32、以及共通電極4 ;其中，電流TFT柵極32 —端通過第一接觸孔51與數(shù)據(jù)TFT5電性連接，電流TFT柵極32的另一端位于電流TFT6的上方。其中，掃描線3連接數(shù)據(jù)TFT柵極31，電流TFT柵極32與掃描線3相互分離；掃描線3和共通電極4均連接數(shù)據(jù)線1，共通電極4位于電流TFT6的一側(cè)，共通電極4的兩側(cè)均設(shè)置有掃描線3，且共通電極4兩側(cè)的掃描線3均連接數(shù)據(jù)線I。此時(shí)，共通電極4與掃描線3同層形成。
C、請(qǐng)參閱圖10和圖11所示，在掃描線金屬上覆蓋保護(hù)層9，并在數(shù)據(jù)TFT5處形成第二接觸孔91，在電流TFT6的兩端分別形成第三接觸孔92和第四接觸孔93，其中，第三接觸孔92靠近數(shù)據(jù)線1，第四接觸孔93遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)線I。d、請(qǐng)參閱圖12和圖13所示，在步驟c形成的圖案的基礎(chǔ)上形成電流供應(yīng)線2和有機(jī)發(fā)光層7，并在有機(jī)發(fā)光層7上形成與電流TFT6電性連接的透明電極層8，其中，電流供應(yīng)線2通過第二接觸孔91和第三接觸孔92分別與數(shù)據(jù)TFT5和電流TFT6電性連接，透明電極層8通過第四接觸孔93電性連接電流TFT6 ;其中，電流供應(yīng)線2的位置與數(shù)據(jù)線I的位置重疊，電流供應(yīng)線2與數(shù)據(jù)線I利用不同層金屬制作并重疊。有機(jī)發(fā)光層7在共通電極4上形成，透明電極層8電性連接電流TFT6并覆蓋有機(jī)發(fā)光層7。實(shí)施例2請(qǐng)參閱圖4和圖5所示，為共通電極4與數(shù)據(jù)線I同層架構(gòu)。具體制造步驟為a、請(qǐng)參閱圖14和圖15所示，首先依序形成數(shù)據(jù)線I、共通電極4、電流TFT6和數(shù)據(jù)TFT5，然后形成第一絕緣層，并在第一絕緣層上開設(shè)與數(shù)據(jù)線I、電流TFT6的兩端和數(shù)據(jù)TFT5的兩端接觸的接觸孔；其中，電流TFT6和數(shù)據(jù)TFT5的材料為IGZO。IGZO(indiumgallium zinc oxide)為銦鎵鋅氧化物的縮寫,非晶IGZO材料是用于新一代薄膜晶體管技術(shù)中的溝道層材料。其中，電流TFT6、數(shù)據(jù)TFT5和共通電極4均位于數(shù)據(jù)線I的同側(cè)且均與數(shù)據(jù)線I相互分離，其中，數(shù)據(jù)TFT5垂直于數(shù)據(jù)線1，電流TFT6平行于數(shù)據(jù)線I。此時(shí)，共通電極4與數(shù)據(jù)線I同層形成。b、請(qǐng)參閱圖16和圖17所示，在第一絕緣層上利用掃描線金屬形成掃描線3、數(shù)據(jù)線柵極30、數(shù)據(jù)TFT柵極31和電流TFT柵極32 ;其中，數(shù)據(jù)線柵極30的一端通過接觸孔電性連接數(shù)據(jù)線1，數(shù)據(jù)線柵極30的另一端通過接觸孔電性連接數(shù)據(jù)TFT5 ;數(shù)據(jù)TFT柵極31的一端位于數(shù)據(jù)TFT5的上方，數(shù)據(jù)TFT柵極31的另一端連接掃描線3 ；電流TFT柵極32的一端通過接觸孔電性連接數(shù)據(jù)TFT5，電流TFT柵極32的另一端位于電流TFT6的上方，其中，電流TFT柵極32與掃描線3相互分離；C、請(qǐng)參閱圖18和圖19所示，在掃描線金屬上覆蓋保護(hù)層9，并在電流TFT6處形成接觸孔，在共通電極4上形成有機(jī)發(fā)光層7 ;d、請(qǐng)參閱圖20和圖21所示，在步驟c形成的圖案的基礎(chǔ)上形成電流供應(yīng)線2和透明電極層8，電流供應(yīng)線2通過接觸孔電流TFT6電性連接，透明電極層8連接電流TFT6并覆蓋有機(jī)發(fā)光層7，其中，透明電極層8通過接觸孔與電流TFT6電性連接，其中電流供應(yīng)線2的位置與數(shù)據(jù)線I的位置重疊，即電流供應(yīng)線2與數(shù)據(jù)線I利用不同層金屬制作并重疊。本發(fā)明的主動(dòng)式OLED結(jié)構(gòu)將數(shù)據(jù)線I與電源供應(yīng)線2以不同層金屬在同樣位置 進(jìn)行配置，利用此架構(gòu)可以讓OLED驅(qū)動(dòng)架構(gòu)中之?dāng)?shù)據(jù)TFT5與電流TFT6往數(shù)據(jù)線I與電源供應(yīng)線2靠近，可以減少不透光之區(qū)域，不論在頂發(fā)光或底發(fā)光之架構(gòu)中，都可以有效提升發(fā)光層區(qū)域以提升OLED亮度。
權(quán)利要求
1.一種主動(dòng)式OLED，包括數(shù)據(jù)線(I)、電源供應(yīng)線(2)、掃描線(3)、共通電極(4)、數(shù)據(jù)TFT (5)、電流TFT (6)、有機(jī)發(fā)光層(7)和透明電極層(8)，所述數(shù)據(jù)TFT (5)和電流TFT (6)與所述數(shù)據(jù)線(I)同層形成，所述共通電極(4)的上方形成所述有機(jī)發(fā)光層(7)，所述透明電極層(8)覆蓋所述有機(jī)發(fā)光層(7)，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線(I)與所述電源供應(yīng)線(2)利用不同層金屬制作并重疊，所述共通電極(4)與所述數(shù)據(jù)線(I)或所述掃描線(3)同層形成。
2.如權(quán)利要求I所述的主動(dòng)式0LED，其特征在于，所述掃描線(3)與所述數(shù)據(jù)線(I)利用同一金屬層形成。
3.如權(quán)利要求I所述的主動(dòng)式0LED，其特征在于，所述OLED為底發(fā)光OLED或頂發(fā)光OLED。
4.如權(quán)利要求4所述的主動(dòng)式0LED，其特征在于，所述數(shù)據(jù)TFT(5)和電流TFT (6)為頂柵結(jié)構(gòu)或底柵結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求4所述的主動(dòng)式0LED，其特征在于，所述數(shù)據(jù)TFT(5)和所述電流TFT (6)均由IGZO構(gòu)成。
6.如權(quán)利要求I所述的主動(dòng)式0LED，其特征在于，還包括數(shù)據(jù)TFT柵極(31)和電流TFT柵極(32)，所述數(shù)據(jù)TFT柵極(31)和電流TFT柵極(32)與所述掃描線(3)同層形成。
7.—種主動(dòng)式OLED的制備方法，其特征在于，包括以下步驟 a、首先依序形成數(shù)據(jù)線(I)、數(shù)據(jù)TFT(5)以及電流TFT(6)，然后形成第一絕緣層，并在第一絕緣層上開設(shè)與數(shù)據(jù)TFT (5)接觸的第一接觸孔(51)； b、在步驟a形成的第一絕緣層上利用掃描線金屬形成掃描線(3)、數(shù)據(jù)TFT柵極(31)、電流TFT柵極(32)、以及共通電極(4)，其中，電流TFT柵極(32) —端通過第一接觸孔(51)與數(shù)據(jù)TFT (5)電性連接，電流TFT柵極(32)的另一端位于電流TFT (6)的上方，掃描線(3)連接數(shù)據(jù)TFT柵極(31)，電流TFT柵極(32)與掃描線(3)相互分離；； C、在掃描線金屬上覆蓋保護(hù)層(9)，并在數(shù)據(jù)TFT(5)處形成第二接觸孔(91)，在電流TFT(6)的兩端分別形成第三接觸孔(92)和第四接觸孔(93)，共通電極(4)與掃描線(3)同層形成； d、在步驟c形成的圖案上形成電流供應(yīng)線(2)和有機(jī)發(fā)光層(7)，并在有機(jī)發(fā)光層(7)上形成透明電極層(8)，其中，有機(jī)發(fā)光層(7)形成在共通電極⑷上，電流供應(yīng)線(2)通過第二接觸孔(91)和第三接觸孔(92)分別與數(shù)據(jù)TFT(5)和電流TFT(6)電性連接，透明電極層⑶通過第四接觸孔(93)電性連接電流TFT(6)，電流供應(yīng)線(2)與數(shù)據(jù)線⑴利用不同層金屬制作形成并重疊。
8.—種主動(dòng)式OLED的制備方法，其特征在于，包括以下步驟 a、首先依序形成數(shù)據(jù)線(I)、共通電極(4)、數(shù)據(jù)TFT(5)和電流TFT(6)，然后形成第一絕緣層，并在第一絕緣層上開設(shè)與數(shù)據(jù)線(I)、電流TFT (6)的兩端和數(shù)據(jù)TFT (5)的兩端接觸的接觸孔，共通電極(4)與數(shù)據(jù)線(I)同層形成； b、在第一絕緣層上利用掃描線金屬形成掃描線(3)、數(shù)據(jù)線柵極(30)、數(shù)據(jù)TFT柵極(31)和電流TFT柵極(32)，數(shù)據(jù)線柵極(30)的一端通過接觸孔電性連接數(shù)據(jù)線(1)，數(shù)據(jù)線柵極(30)的另一端通過接觸孔電性連接數(shù)據(jù)TFT (5)，數(shù)據(jù)TFT柵極(31)的一端位于數(shù)據(jù)TFT (5)的上方，數(shù)據(jù)TFT柵極(31)的另一端連接掃描線(3)，電流TFT柵極(32)的一端通過接觸孔電性連接數(shù)據(jù)TFT (5)，電流TFT柵極(32)的另一端位于電流TFT (6)的上方，電流TFT柵極(32)與掃描線(3)相互分離； C、在掃描線金屬上覆蓋保護(hù)層(9)，并在電流TFT(6)處形成接觸孔，在共通電極(4)上形成有機(jī)發(fā)光層(X)； d、在步驟C形成的圖案上形成電流供應(yīng)線(2)和透明電極層(8)，電流供應(yīng)線(2)通過接觸孔電流TFT (6)電性連接，透明電極層(8)連接電流TFT (6)并覆蓋有機(jī)發(fā)光層(7)，透明電極層⑶通過接觸孔與電流TFT (6)電性連接，電流供應(yīng)線(2)與數(shù)據(jù)線⑴利用不同層金屬制作形成并重疊。
全文摘要
本發(fā)明公開一種主動(dòng)式OLED，包括數(shù)據(jù)線、電源供應(yīng)線、掃描線、共通電極、數(shù)據(jù)TFT、電流TFT、有機(jī)發(fā)光層和透明電極層，數(shù)據(jù)TFT和電流TFT與數(shù)據(jù)線同層形成，共通電極的上方形成有機(jī)發(fā)光層，透明電極層覆蓋有機(jī)發(fā)光層，數(shù)據(jù)線與電源供應(yīng)線利用不同層金屬制作并重疊，共通電極與數(shù)據(jù)線或掃描線同層形成。本發(fā)明的主動(dòng)式OLED結(jié)構(gòu)將數(shù)據(jù)線與電源供應(yīng)線以不同層金屬在同樣位置進(jìn)行配置，利用此架構(gòu)可以減少金屬線所占用的不透光區(qū)域，不論在頂發(fā)光OLED架構(gòu)或底發(fā)光OLED架構(gòu)中，都可以有效提升發(fā)光層的區(qū)域以提升OLED亮度。
文檔編號(hào)G09G3/32GK102881711SQ20121036271
公開日2013年1月16日 申請(qǐng)日期2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月25日
發(fā)明者洪孟逸 申請(qǐng)人:南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司