專利名稱：電光學裝置、電光學裝置的驅動方法以及電子設備的制作方法
技術領域：
本發明涉及例如像素電路微細化時有效的電光學裝置、電光學裝置的驅動方法以及電子設備。
背景技術：
近年來，人們提出了各種使用了有機發光二極管(Organic Light EmittingDiode,以下稱“OLED”)元件等發光元件的電光學裝置。在該電光學裝置中一般構成為，包括上述發光元件、晶體管等的像素電路對應于掃描線和數據線的交叉而與要顯示的圖像的像素對應設置。在這樣的構成中，若與像素的灰度等級對應的電位的數據信號被施加給該晶體管的柵極，則該晶體管向發光元件供給柵極與源極間的電壓所對應的電流。由此，該發光元件以與灰度等級對應的亮度發光。此時，若晶體管的閾值電壓等特性在每個像素電路中有偏差，則會產生損害顯示畫面的一致性這樣的顯示不均。因此，人們提出一種補償晶體管的特性的技術(例如參照專利文獻I)。另外，對電光學裝置強烈要求顯示尺寸的小型化、顯示的高精細化的情況較多。為了兼得顯示尺寸的小型化與顯示的高精細化，需要將像素電路微細化，故提出一種例如在硅集成電路設置電光學裝置的技術(例如參照專利文獻2)。專利文獻1:日本特開2007 - 316462號公報專利文獻2 日本特開2009 - 288435號公報然而，在將像素電路微細化時，需要以微小區域控制向發光元件的供給電流。供給發光元件的電流被晶體管的柵極與源極間的電壓控制，但在微小區域中，相對于柵極與源極間的電壓的微小變化，供給發光元件的電流較大地變化。另一方面，輸出數據信號的電路為了以短時間對數據線進行充電，而提高了其驅動能力。這樣，在具有較高的驅動能力的電路中，很難以非常高的精度輸出數據信號。

發明內容
本發明是鑒于上述的事情而完成的，其目的之一在于，提供一種不需要高精度的數據信號，但能夠補償晶體管的特性，并且能夠高精度地供給對發光元件供給的電流的電光學裝置、電光學裝置的驅動方法以及電子設備。為了實現上述目的，本發明所涉及的電光學裝置的特征在于，具有多條掃描線；多條數據線；第I保持電容，其一端與上述數據線連接；第2保持電容，其分別保持上述多條數據線的每一條的電位；像素電路，其與多條掃描線和多條數據線的交叉對應設置；驅動電路，其驅動上述像素電路；上述像素電路包括 第I晶體管，其供給柵極與源極間的電壓所對應的電流；發光元件，其以與由上述第I晶體管供給的電流對應的亮度發光 ’第2晶體管，其在上述數據線與上述第I晶體管的柵極之間進行導通或者截止；第3晶體管，其在上述第I晶體管的柵極與漏極之間進行導通或者截止；上述第I晶體管與上述發光元件串聯連接在高位側的電源與低位側的電源之間；上述驅動電路在第I期間內，使上述數據線與供給初始電位的第I供電線電連接，并使上述第I保持電容的另一端與供給規定電位的第2供電線電連接，上述驅動電路在繼上述第I期間后的第2期間內，使上述數據線與上述第I供電線非電連接，并在維持上述第I保持電容的另一端與第2供電線的連接的狀態下，使上述第2晶體管以及上述第3晶體管導通，上述驅動電路在繼上述第2期間后的第3期間內，使上述第I保持電容的另一端與第2供電線非電連接，將與上述亮度對應的電位的信號供給給上述第I保持電容的另一端，上述驅動電路在上述第3期間后，使上述第2晶體管截止。根據本發明，在第I期間內，數據線、第I保持電容以及第2保持電容被初始化。在第2期間內，第2晶體管以及第3晶體管分別導通時，數據線以及第I晶體管的柵極成為與該第I晶體管的閾值電壓對應的電位。在第3期間內，在使第2晶體管導通的狀態下，向第I保持電容的另一端供給與亮度對應的電位的信號時，數據線以及第I晶體管的柵極從與閾值電壓對應的電位移位以電容比對該第I保持電容的另一端的電位變動進行分壓而得的量。因此，第I晶體管的柵極中的電位范圍相對于第I保持電容的另一端的電位范圍縮小。因此，根據本發明，不需要高精度的數據信號，另一方面能夠補償晶體管的特性，并且高精確地供給向發光元件供給的電流。在本發明中，優選如下的構成與上述數據線對應而具有第3保持電容，上述驅動電路暫時保持上述第3期間之前供給的、與灰度等級對應的電位的數據信號，在上述第3期間內，將被第3保持電容保持的電位作為與上述亮度對應的電位的信號而供給給上述第I保持電容的另一端。作為該構成，優選如下的方式，S卩、與上述第3保持電容對應而具有第I開關以及第2開關，上述第I開關的輸出端與上述第I保持電容的另一端連接，上述第I開關的輸入端與上述第3保持電容的一端和上述第2開關的輸出端連接，在上述第3期間之前對上述第2開關的輸入端供給上述數據信號，上述驅動電路在上述第3期間之前，在使上述第I開關截止的狀態下，使上述第2開關導通，在上述第3期間內，在使上述第2開關截止的狀態下，使上述第I開關導通。

在該方式中，至少在上述第I期間或者上述第2期間內，若向上述第2開關的輸入端供給上述數據信號，則能夠時間上并行執行數據信號的供給、和對柵極設置與第I晶體管的閾值電壓對應的電位的動作。另外，在這樣的方式中，上述數據線按多條為單位被分組化，與屬于一組的多條數據線對應的上述第2開關的輸入端共同連接，上述驅動電路可以配合上述數據信號的供給按規定的順序使屬于上述一組的多個第2開關導通。在本發明中，上述像素電路可以構成為具有第4晶體管，該第4晶體管在上述發光元件的2個端子中的上述第I晶體管側的端子與供給規定的復位電位的第3供電線之間，進行導通或者截止。根據該構成，能夠抑制寄生于發光元件的電容的保持電壓的影響。在該構成中，可以是如下的方式設置有多條上述第3供電線，所述第3供電線按上述多條數據線的每一條，沿著上述一條數據線而設置。在該方式中，若構成為上述第2保持電容的一端與上述數據線連接，上述第2保持電容的另一端與上述第3供電線連接，例如利用數據線與第3供電線來夾持絕緣層而構成第2保持電容，則能夠以小空間形成比較大的電容作為該第2保持電容。
上述驅動電路可以構成為在上述第3期間內使上述第3晶體管截止。另外，上述像素電路具有第5晶體管，該第5晶體管在通過上述第I晶體管供給上述發光元件電流的電流路徑中，進行導通或者截止，上述驅動電路可以使上述第4晶體管截止，使上述第5晶體管導通。由此，能夠使在寄生于發光元件的電容復位的期間與對發光元件供給電流以使之發光的期間排他地形成。上述像素電路可以包括第4保持電容，該第4保持電容保持上述第I晶體管的柵極與源極間的電壓。該第4保持電容可以是該第I晶體管的寄生電容，也可以是另外設置的電容元件。此外，本發明除了電光學裝置外，還能夠涉及電光學裝置的驅動方法、具有該電光學裝置的電子設備。作為電子設備，典型而言，能夠列舉頭戴式顯示器(HMD)、電子取景器等顯示裝置。


圖1是表示本發明的第I實施方式所涉及的電光學裝置的構成的立體圖。圖2是表示該電光學裝置的構成的圖。圖3是表示該電光學裝置中的像素電路的圖。圖4是表示該電光學裝置的動作的時間圖。圖5是該電光學裝置的動作說明圖。圖6是該電光學裝置的動作說明圖。圖7是該電光學裝置的動作說明圖。圖8是該電光學裝置的動作說明圖。圖9是表示該電光學裝置中的數據信號的振幅壓縮的圖。圖10是表示該電光學裝置中的晶體管的特性的圖。圖11是表示第2實施方式所涉及的電光學裝置的構成的圖。圖12是表示該電光學裝置的動作的時間圖。圖13是該電光學裝置的動作說明圖。圖14是該電光學裝置的動作說明圖。圖15是該電光學裝置的動作說明圖。圖16是該電光學裝置的動作說明圖。圖17是表示使用了實施方式等所涉及的電光學裝置的HMD的立體圖。圖18是表示HMD的光學構成的圖。
具體實施例方式以下，參照附圖，對用于實施本發明的方式進行說明。第I實施方式圖1是表示本發明的實施方式所涉及的電光學裝置10的構成的立體圖。電光學裝置10是例如在頭戴式顯示器中顯示圖像的微型顯示器。關于電光學裝置10的詳細內容將后述，電光學裝置例如是在硅基板上形成有多個像素電路、驅動該像素電路的驅動電路等的有機EL裝置，在像素電路中使用了作為發光元件的一個例子的0LED。
電光學裝置10被收容于顯示部開口的框狀的殼體72，并且與FPC (FlexiblePrinted Circuits :撓性電路板)基板74的一端連接。在FPC基板74通過COF (Chip OnFilm :覆晶薄膜)技術安裝有半導體芯片的控制電路5，并且設置有多個端子76來與圖示省略的上級電路連接。從該上級電路經由多個端子76與同步信號同步地供給圖像數據。同步信號包括垂直同步信號、水平同步信號、點時鐘信號。另外，圖像數據例如以8位規定應顯示的圖像的像素的灰度等級。控制電路5兼具電光學裝置10的電源電路與數據信號輸出電路的功能。S卩、控制電路5除了向電光學裝置10供給按照同步信號生成的各種控制信號、各種電位之外，還將數字圖像數據變換為模擬數據信號向電光學裝置10供給。圖2是表示第I實施方式所涉及的電光學裝置10的構成的圖。如該圖所示，電光學裝置10大致分為掃描線驅動電路20、多路分配器30、電平移位電路40和顯示部100。其中，在顯示部100呈矩陣狀地排列有與應顯示的圖像的像素對應的像素電路110。詳細而言，在顯示部100中，m行掃描線12在圖中橫向延伸而設置，另外，按每3列分組的(3n)列的數據線14在圖中沿縱向延伸、并且與各掃描線12相互保持電絕緣而設置。而且，與m行掃描線12和(3n)列數據線14的交叉部對應地設置有像素電路110。因此，在本實施方式中，像素電路110以縱m行X橫(3n)列呈矩陣狀地排列。在此，m、n都是自然數。為了區別掃描線12以及像素電路110的矩陣中的行(row)，在圖中從上開始依次稱為1、2、3、…、(m—l)、m行。同樣為了區別數據線14以及像素電路110的矩陣的列(Column)，在圖中從左開始依次稱為1、2、3、…、(3n — l)、(3n)列。另外，為了對數據線14的組進行一般化說明，而使用I以上n以下的整數j，從左數第(3j - 2)列、第(3j -1)列以及第(3j)列的數據線14屬于第j個組。此外，與同一行的掃描線12和屬于同一組的3列數據線14的交叉對應的3個像素電路110分別對應于R (紅)、G (綠)、B (藍)的像素，這些3像素表現應顯示的彩色圖像的I點。即、在本實施 方式中，構成為通過與RGB對應的OLED的發光利用加法混色來表現I點的彩色。在本實施方式中，按每一列沿著數據線14分別設置有供電線16(第3供電線)。對各供電線16均供給作為復位電位的電位Vorst。另外，按每一列設置有保持電容50。詳細而言，保持電容的一端與數據線14連接，另一端與供電線16連接。因此，保持電容50作為保持數據線14的電位的第2保持電容發揮作用。此外，保持電容50優選如下的構成利用構成數據線14的布線和構成供電線16的布線夾持絕緣體(電介質)而形成的構成。此外，關于保持電容50，圖2中被設置在顯示部100的外側，但這只是等效電路，當然可以設置在顯示部100的內側，或者從內側遍及外側而設置。另外，圖2中雖然省略，但將保持電容50的電容設為Cdt。另外，通過控制電路5向電光學裝置10供給如下那樣的控制信號。詳細而言，向電光學裝置10供給如下的信號、即用于控制掃描線驅動電路20的控制信號Ctr ;用于控制多路分配器30中的選擇的控制信號Sel (I)、Sel (2)、Sel (3);與Sel (I)、Sel (2)、Sel (3)信號處于邏輯反轉的關系的控制信號/ Sel (I)、/ Sel (2)、/ Sel (3);用于控制電平移位電路40的負邏輯的控制信號/ Gini ;和正邏輯的控制信號G ref。其中，實際上在控制信號Ctr中包括脈沖信號、時鐘信號、使能信號等多個信號。另外，配合多路分配器30中的選擇時機，數據信號Vd (l)、Vd (2)、…、Vd (n)通過控制電路5被與第1、第2、…、第n組對應而供給到電光學裝置10。其中，將數據信號Vd (I) Vd (n)可取的電位的最高值設為Vmax,將最低值設為Vmin。掃描線驅動電路20是根據控制信號Ctr生成用于在整個幀的期間逐行按順序掃描掃描線12的掃描信號的電路。此處，將供給第1、第2、第3、…、第(m — I)、第m行的掃描線 12 的掃描信號分別表記為 Gwr (I)> Gwr (2)> Gwr (3)、…、Gwr (m_l)、Gwr (m)。此外，除了掃描信號Gwr (I) Gwr Cm)之外，掃描線驅動電路20還按行生成與該掃描信號同步的各 種控制信號，并供給給顯示部100，但在圖2中省略其圖示。另外，幀的期間是指，電光學裝置10顯示I鏡頭(片段)的圖像所需的期間，例如若同步信號所包括的垂直同步信號的頻率為120Hz，則幀的期間是該I周期的8. 3毫秒的期間。多路分配器30是按列設置的傳輸門34的集合體，按順序向構成各組的3列供給數據信號。此處，與屬于第j組的(3j - 2)、(3j -1)、(3j)列對應的傳輸門34的輸入端相
互共用連接，分別向該共用端子供給數據信號Vd (j)。在控制信號Sel (I)是H電平時(控制信號/ Sel (I)是L電平時)，第j組中設置于作為左端列的(3j — 2)列的傳輸門34導通(on)。同樣地，在控制信號Sel (2)是H電平時(控制信號/ Sel (2)是L電平時)，第j組中設置于作為中央列的(3j — I)列的傳輸門34導通，在控制信號Sel (3)是H電平時(控制信號/ Sel (3)是L電平時)，第j組中設置于作為右端列的(3j)列的傳輸門34導通。電平移位電路40按列具有包括保持電容44、P溝道MOS型的晶體管45和N溝道MOS型的晶體管46的組，該電平移位電路是對從各列的傳輸門34的輸出端輸出的數據信號的電位進行移位的電路。此處，保持電容44的一端與對應列的數據線14和晶體管45的漏極節點連接，另一方面，保持電容44的另一端與傳輸門34的輸出端和晶體管43的漏極節點連接。因此，保持電容44作為一端與數據線14連接的第I保持電容而發揮作用。另外，雖然圖2中省略，但將保持電容44的電容設為Crfl。各列的晶體管45的源極節點涉及各列與供給電位Vini作為初始電位的供電線61共同連接，并涉及各列向柵極節點共同供給控制信號/ Gini0因此，晶體管45構成為，在控制信號/ Gini是L電平時，使數據線14與供電線61電連接，在控制信號/ Gini是H電平時，使數據線14與供電線61非電連接。另外，各列的晶體管43的源極節點涉及各列與供給電位Vref作為規定電位的供電線62共同連接，并涉及各列向柵極節點共同供給控制信號Gref。因此，晶體管43構成為，在控制信號Gref是H電平時，使作為保持電容44的另一端的節點h與供電線62電連接，在控制信號Gref是L電平時，使作為保持電容44的另一端的節點h與供電線62非電連接。在本實施方式中，為了方便而分為掃描線驅動電路20、多路分配器30以及電平移位電路40，但是關于這些，還能夠集中概括為驅動像素電路110的驅動電路。參照圖3，對像素電路110進行說明。如果從電方面來看,各像素電路110是相互相同的構成，因此這里以位于第i行、第j組中的左端列的第(3j - 2)列的、i行(3j - 2)列的像素電路110為例進行說明。其中，i是一般表示像素電路110排列的行時的符號，i是I以上m以下的整數。如圖3所示，像素電路110包括P溝道MOS型的晶體管121 125、OLED130和保持電容132。對該像素電路110供給掃描信號Gwr (i)、和控制信號Gel (i)、Gcmp (i)、Gorst (i)。此處,掃描信號Gwr (i)、和控制信號Gel (i)、Gcmp (i)、Gorst (i)是分別與第i行對應而通過掃描線驅動電路20供給的信號。因此，只要是第i行即可，即也對關注的(3j - 2)列以外的其他列的像素電路共同供給掃描信號Gwr (i)、和控制信號Gel (i)、Gcmp (i)、Gorst (i)。在i行(3j - 2)列的像素電路110中的晶體管122中，柵極節點與第i行的掃描線12連接，漏極或者源極節點的一個與第(3j - 2)列的數據線14連接，另一個與晶體管121中的柵極節點g、保持電容132的一端和晶體管123的漏極節點分別連接。此處，關于晶體管121的柵極節點，為了與其他的節點區分而表記為g。在晶體管121中，源極節點與供電線116連接，漏極節點與晶體管123的源極節點、和晶體管124的源極節點分別連接。這里，對供電線116供給在像素電路110中電源為高位側的電位VeI。在晶體管123中，向柵極節點供給控制信號Gcmp (i)。在晶體管124中，向柵極節點供給控制信號Gel (i)，漏極節點分別與晶體管125的源極節點和0LED130的陽極連接。在晶體管125中，向柵極節點供給與第i行對應的控制信號Gorst (i)，漏極節點與第(3j — 2)列對應的供電線16連接而被保持為電位Vorst。此處，晶體管121相當于第I晶體管，晶體管122相當于第2晶體管，晶體管123相當于第3晶體管。另外，晶體管125相當于第4晶體管，晶體管124相當于第5晶體管。保持電容132的另一端與供電線116連接。因此，保持電容132對晶體管121的源極與漏極間的電壓進行保持。此處，在將保持電容132的電容表記為Cpix時，保持電容50的電容Cdt、保持電容44的電容Crfl和保持電容132的電容Cpix被設定為Cdt > Crfl > > Cpix。即、設定為Cdt比Crfl大,Cpix與Cdt以及Crfl相比十分小。其中，可以使用寄生于晶體管121的柵極節點g的電容作為保持電容132，還可以使用在硅基板中通過以相互不同的導電層夾持絕緣層而形成的電容。在本實施方式中，由于電光學裝置10形成于娃基板,所以晶體管121 125的基板電位為電位Vel。0LED130的陽極是按每個像素電路110獨立設置的像素電極。與此相對，0LED130的陰極是涉及全部像素電路110共用的共用電極118，在像素電路110中被保持為電源為低位側的電位Vet。0LED130是在上述硅基板中通過陽極與具有透光性的陰極來夾持白色有機EL層而形成的元件。而且，在0LED130的出射側(陰極側)重疊有與RGB的任一對應的彩色濾光片。在這樣的0LED130中，若電流從陽極流向陰極，則從陽極注入的空穴與從陰極注入的電子在有機EL層再結合而生成激子，并產生白色光。此時產生的白色光透過與硅基板(陽極)相反的一側的陰極，經彩色濾光片的著色而被觀察者側視看見。第I實施方式的動作參照圖4，對電光學裝置10的動作進行說明。圖4是用于說明電光學裝置10中的各部的動作的時間圖。如該圖所示，掃描信號Gwr (I) Gwr Cm)依次被切換為L電平，在I幀的期間中按每個I水平掃描期間(H)依次掃描第I 第m行的掃描線12。I水平掃描期間(H)中的動作涉及各行的像素電路110而相同。因此，以下，在水平掃描第i行的掃描期間中，特別關注i行(3j — 2)列的像素電路110來說明動作。在本實施方式中，若對第i行的掃描期間進行大致區分，則分為圖4中的以(b)所示的初始化期間、以(C)所示的補償期間和以(d)所示的寫入期間。而且，在(d)的寫入期間之后，隔開一段間隔而成為(a)所示的發光期間，在經過I幀的期間后，再次進入第i行的掃描期間。因此，如果按時間順序來說，成為(發光期間)一初始化期間一補償期間一寫入期間一(發光期間)這樣的周期的反復。此外，在圖4中，關于第i行的前I行的第(1-1)行所對應的掃描信號GwK1-1)、和控制信號Gel (1-l)> Gcmp (i_l)、Gorst (i_l)的每一個，與第i行所對應的掃描信號Gwr (i)、控制信號Gel (i)、Gcmp (i)、Gorst (i)相比，分別成為領先I水平掃描期間(H)的波形。發光期間為了便于說明，從作為初始化期間的前提的發光期間開始說明。如圖4所示，在第i行的發光期間中，掃描信號Gwr (i)是H電平，控制信號Gel (i)是L電平。另外，作為邏輯信號的控制信號Gel (i)、Gcmp (i)、Gorst (i)中的、控制信號Gel (i)是L電平，控制信號Gcmp (i)和Gorst (i)是H電平。因此，如圖5所示，在i行(3j - 2)列的像素電路110中，晶體管124導通，而晶體管122、123、125截止。因此，晶體管121向0LED130供給柵極與源極間的電壓Vgs所對應的電流Ids。如后述那樣，在本實施方式中，發光期間中的電壓Vgs是根據數據信號的電位從晶體管121的閾值電壓電平移位后的值。因此，在補償了晶體管121的閾值電壓的狀態下向0LED130供給與灰度等級對應的電流。此外，第i行的發光期間是水平掃描第i行以外的期間，所以適當地變動數據線14的電位。但是，在第i行的像素電路110中，由于晶體管122截止，所以此處不考慮數據線14的電位變動。另外，在圖5中，利用粗線表示動作說明中為重要的路徑(以下的圖6 圖8、圖13 圖16中也相同)初始化期間接下來當進入第i行的掃描期間時，首先，作為第I期間(b)的初始化期間開始。在初始化期間內，與發光期間相比較，控制信號Gel (i)變為H電平，控制信號Gorst (i)變為L電平。因此，如圖6所示那樣，在i行(3j - 2)列的像素電路110中，晶體管124截止，而晶體管125導通。由此，供給OLED130的電流的路徑被切斷，并且OLED130的陽極被復位成電位Vorst。
如上述那樣，0LED130是利用陽極與陰極來夾持有機EL層的構成，因此如圖中虛線所示，在陽極與陰極之間并聯寄生電容Coled。在發光期間內，電流流過0LED130時，該0LED130的陽極與陰極間的兩端電壓被該電容Coled保持，但該保持電壓因晶體管125的導通而被復位。因此，在本實施方式中，在之后的發光期間中電流再次流過0LED130時，難以受到由該電容Co I ed保持的電壓的影響。詳細而言，例如從高亮度的顯示狀態轉為低亮度的顯示狀態時，如果是未復位的構成，則亮度高(大電流流過)時的高電壓被保持，因此接下來即使想要使小電流流過，也會流過過度的電流，從而不能夠成為低亮度的顯示狀態。與此相對，在本實施方式中，因晶體管125的導通，0LED130的陽極的電位被復位，所以提高了低亮度側的再現性。此外，在本實施方式中，電位Vorst按照該電位Vorst與共用電極118的電位Vct之差低于0LED130的發光閾值電壓的方式而被設定。因此，在初始化期間(接下來說明的補償期間以及寫入期間)，0LED130為截止(非發光)狀態。另一方面，在初始化期間內，控制信號/ Gini變為L電平，控制信號Gref變為H電平，因此如圖6所示那樣，在電平移動電路40中，晶體管45、43分別導通。因此，保持電容44的一端、即數據線14被初始化為電位Vini，保持電容44的另一端、即節點h被初始化為電位Vref。在本實施方式中，電位Vini按照(Vel — Vini)比晶體管121的閾值電壓I Vth I大的方式被設定。此外，由于晶體管121是P溝道型，所以以源極節點的電位為基準的閾值電壓Vth為負。因此，為了防止因以高低關系說明而產生混亂，而以絕對值的I Vth I表示閾值電壓，從而以大小關系規定。另外，在本實施方式中，電位Vref被設定為下述那樣的值，即相對于數據信號Vd
(I) Vd (n)可取的電位，在之后的寫入期間中，節點h的電位為上升變化那樣的值，例如被設定為比最低值Vmin低。補償期間在第i行的掃描期間中，接下來成為作為第2期間(C)的補償期間。在補償期間中，與初始化期間相比較，掃描信號Gwr (i)以及控制信號Gcmp (i)成為L電平。另一方面，在補償期間中，在控制信號Gref被維持為H電平的狀態下，控制信號/ Gini變為H電平。因此，如圖7所示那樣，在電平移位電路40中，在晶體管43導通的狀態下晶體管45截止，從而節點h被固定為電位Vref。另一方面，在i行(3j — 2)列的像素電路110中晶體管122導通，從而柵極節點g與數據線14電連接，所以在補償期間的最開始，柵極節點g成為電位Vini。由于在補償期間中晶體管123導通，所以晶體管121成為二極管連接。因此，漏極電流在晶體管121中流動，對柵極節點g以及數據線14進行充電。詳細而言，電流以供電線116 —晶體管121 —晶體管123 —晶體管122 —第(3j — 2)列的數據線14這樣的路徑流動。因此，由于晶體管121的導通，處于相互連接狀態的數據線14以及柵極節點g從電位Vini開始上升。但是，由于在上述路徑流動的電流伴隨柵極節點g接近電位(Vel — I Vth I )而難以流動，所以在到補償期間的結束之前，數據線14以及柵極節點g在電位(Vel — I Vth I)飽和。因此，在到補償期間的結束之前，保持電容132保持晶體管121的閾值電壓I Vth I。寫入期間初始化期間后，進入作為第3期間(d)的寫入期間。在寫入期間中，控制信號Gcmp
(1)變為H電平，因此晶體管121的二極管連接被解除，另一方面，控制信號Gref變為L電平，所以晶體管43截止。因此，雖然從第(3j - 2)列的數據線14至i行(3j - 2)列的像素電路110中的柵極節點g為止的路徑成為浮置狀態，但該路徑中的電位被保持電容50、132 維持為(Vel -1 Vth I )。在第i行的寫入期間中，如果以第j組來說，控制電路5按順序將數據信號Vd( j)切換為與i行(3j - 2)列、i行(3j -1)列、i行(3j)列的像素的灰度等級對應的電位。另一方面，控制電路5配合數據信號的電位切換，依次使控制信號Sel (l)、Sel (2)、Sel (3)排他地成為H電平。此外，圖4中雖然省略但控制電路5還輸出與控制信號Sel (I)、Sel
(2)、Sel(3)成邏輯反轉的關系的控制信號/ Sel (I)、/ Sel (2)、/ Sel (3)。由此，在多路分配器30中，各組中的傳輸門34分別以左端列、中央列、右端列的順序導通。此處，在左端列的傳輸門34通過控制信號Sel (I)、/ Sel (I)導通時，如圖8所示，保持電容44的另一端、即節點h從在初始化期間以及補償期間被固定的電位Vref變化為數據信號Vd (j)的電位，即、與i行(3j — 2)列的像素的灰度等級對應的電位。將此時的節點h的電位變化量表示為A V，將變化后的電位表示為(Vref + AV)。另一方面，由于柵極節點g經由數據線14與保持電容44的一端連接，所以成為從補償期間的電位(Vel -1 V th I )向上升方向移位了節點h的電位變化量AV與電容比kl相乘而得到的值的值(Vel — I Vth I + kl AV)。此時，若晶體管121的電壓Vgs以絕對值表現，則成為從閾值電壓I Vth I減去柵極節點g的電位上升的移位量而得到的值(I Vth I — kl A V)。其中，電容比kl是Crfl/ (Cdt + CrfD0嚴格來說，也必須考慮保持電容132的電容Cpix，但由于將電容Cpix設定得與電容Crf l、Cdt相比較十分小，所以忽略電容Cpix。圖9是表示寫入期間的數據信號的電位與柵極節點g的電位的關系的圖。如上述那樣，從控制電路5供給的數據信號根據像素的灰度等級能夠取最小值Vmin至最大值Vmax的電位范圍。在本實施方式中，該數據信號并未直接寫入柵極節點g，而是如圖所示那樣被電平移位后再寫入柵極節點g。此時,柵極節點g的電位范圍A Vgate被壓縮到數據信號的電位范圍AVdata( =Vmax — Vmin)與電容比kl相乘而得到的值。例如，以Crfl Cdt = I 9的方式設定了保持電容44、50的電容時，能夠將柵極節點g的電位范圍AVgate壓縮到數據信號的電位范圍A Vdata 的 I / 10。另外,關于使柵極節點g的電位范圍A Vgate相對于數據信號的電位范圍AVdata向哪個方向移位多少，能夠以電位Vp (= Vel -1 Vth I )、Vref決定。其原因在于數據信號的電位范圍AVdata以電位Vref為基準按電容比kl被壓縮，并且該壓縮范圍以電位Vp為基準被移位后的值成為柵極節點g的電位范圍AVgate。這樣，在第i行的寫入期間中，向第i行的像素電路110的柵極節點g寫入從補償期間中的電位(Vel — I Vth I )移位了節點h的電位變化量AV與電容比kl相乘而得到的量的電位(Vel -1 Vth I + kl A V)。
不久，掃描信號Gwr (i)成為H電平，晶體管122截止。由此，寫入期間結束，柵極節點g的電位確定為移位后的值。發光期間第i行的寫入期間結束之后，隔了 I水平掃描期間間隔而進入發光期間。在該發光期間中，如上述那樣，由于控制信號Gel (i)變為L電平，所以在i行(3j - 2)列的像素電路110中，晶體管124導通。由于柵極與源極間的電壓Vgs為(I Vth I —kl*AV)，K以如前面的圖5所示，在補償了晶體管121的閾值電壓的狀態下向0LED130供給與灰度等級對應的電流。在第i行的掃描期間中，也在第(3j - 2)列的像素電路110以外的第i行的其他像素電路110中，時間上并行執行這樣的動作。另外，實際上，這樣的第i行的動作在I幀的期間中按第1、第2、第3、…、第(m — I)、第m行的順序被執行，并且以幀為單位反復進行。根據本實施方式，柵極節點g的電位范圍AVgate相對于數據信號的電位范圍AVdata縮小，所以即使不以高精度細化數據信號，也能夠向晶體管121的柵極與源極間施加反映灰度等級的電壓。因此，在微小的像素電路110中，即使在0LED130中流動的微小電流相對于晶體管121的柵極與源極間的電壓Vgs的變化相對變化較大的情況下，也能夠高精度地控制供給0LED130的電流。另外，如圖3中虛線所示，實際上在數據線14與像素電路110中的柵極節點g之間寄生有電容Cprs。因此，若數據線14的電位變化幅度較大，則經由該電容Cprs向柵極節點g傳播，產生所謂的串擾、不均等而使顯示品位降低。該電容Cprs的影響在像素電路110被微細化時顯著地出現。與此相對，在本實施方式中，由于數據線14的電位變化范圍相對于數據信號的電位范圍AVdata也縮小,所以能夠抑制電容Cprs帶來的影響。根據本實施方式，能夠確保比掃描期間長的期間，例如2水平掃描期間作為使晶體管125導通的期間，即、0LED130的復位期間。所以能夠在發光期間內使被保持在0LED130的寄生電容中的電壓被充分初始化。另外，根據本實施方式，通過晶體管121供給給0LED130的電流Ids抵消閾值電壓的影響。因此，根據本實施方式，即使晶體管121的閾值電壓在每個像素電路110中有偏差，也通過補償該偏差，再向0LED130供給與灰度等級對應的電流，由此抑制了損害顯示畫面的一致性那樣的顯示不均的產生，其結果能夠進行高品位的顯示。參照圖10，對該抵消進行說明。如該圖所示，晶體管121為了對供給0LED130的微小電流進行控制，而在弱反轉區域(亞閾值區域)進行動作。圖中，A表不閾值電壓I Vth I較大的晶體管，B表不閾值電壓I Vth I較小的晶體管。此外，圖10中，柵極與源極間的電壓Vgs是實線所表示的特性與電位Vel之差。另夕卜，在圖10中，以將從源極朝向漏極的方向為正(上)的對數表示縱刻度的電流。在補償期間中，柵極節點g從電位Vini變為電位(Vel — I Vth I)。因此，閾值電壓I Vth I大的晶體管A的動作點從S向Aa移動，而閾值電壓I Vth I小的晶體管B的動作點從S向Ba移動。接下來，在向2個晶體 管所屬的像素電路110輸入的數據信號的電位相同的情況下，換句話說在指定了相同灰度等級的情況下，在寫入期間，從動作點Aa、Ba起的電位移位量都是相同的kl △ V。因此，晶體管A的動作點從Aa向Ab移動，晶體管B的動作點從Ba向Bb移動，電位移位后的動作點的電流與晶體管A、B都幾乎在相同的Ids —致。第2實施方式在第I實施方式中，構成為通過多路分配器30直接向各列的保持電容44的另一端、即節點h供給數據信號。因此，在各行的掃描期間中，從控制電路5供給數據信號的期間等于寫入期間，因此時間上的限制較大。因此，接下來，對能夠緩和這樣的時間上的限制的第2實施方式進行說明。此外，以下為了避免重復說明，以與第I實施方式不同的部分為中心進行說明。圖11是表示第2實施方式所涉及的電光學裝置10的構成的圖。該圖所示的第2實施方式與圖2所示的第I實施方式不同的點主要為，在電平移位電路40的各列中設置有保持電容41以及傳輸門42這一點。詳細而言,在各列中,在傳輸門34的輸出端與保持電容44的另一端之間夾設傳輸門42。即、傳輸門42的輸入端與傳輸門34的輸出端連接,傳輸門42的輸出端與保持電容44的另一端連接。因此，傳輸門42作為第I開關發揮作用。此外，在從控制電路5供給的控制信號Gcpl為H電平時(控制信號/ Gcpl為L電平時)，各列的傳輸門42 —齊導通。另一方面，多 路分配器30中的傳輸門34作為第2開關發揮作用。另外，在各列中，保持電容41的一端與傳輸門34的輸出端(傳輸門42的輸入端)連接，保持電容41的另一端共同接地到固定電位，例如電位Vss。圖11中雖然省略，但將保持電容41的電容設為Crf2。此外，電位Vss相當于作為邏輯信號的掃描信號、控制信號的L電平。第2實施方式的動作參照圖12，對第2實施方式所涉及的電光學裝置10的動作進行說明。圖12是用于說明第2實施方式中的動作的時間圖。如該圖所示，掃描信號Gwr (I) Gwr Cm)被依次切換為L電平，在I幀的期間中，按每個I水平掃描期間(H)依次掃描第I 第m行的掃描線12這一點與第I實施方式相同。另外，在第2實施方式中，第i行的掃描期間為(b)所示的初始化期間、(c)所示的補償期間、和(d)所示的寫入期間的順序這一點也與第I實施方式相同。此外，在第2實施方式中，(d)的寫入期間是從控制信號Gcpl從L變為H電平時(控制信號/ Gcpl變成L電平時)至掃描信號從L變為H電平時為止的期間。在第2實施方式中，也與第I實施方式相同，如果以時間的順序來說，為(發光期間)一初始化期間一補償期間一寫入期間一(發光期間)這樣的周期的反復。但是，在第2實施方式中，與第I實施方式相比較，并不是數據信號的供給期間等于寫入期間，而是數據信號的供給比寫入期間領先，這一點有所不同。詳細而言，在第2實施方式中，能夠遍及(a)的初始化期間與(b)的補償期間來供給數據信號這一點與第I實施方式不同。發光期間在第2實施方式中，如圖12所示，在第i行的發光期間，掃描信號Gwr (i)為H電平，另外，控制信號Gel (i)為L電平，控制信號Gcmp (i)、Gorst (i)為H電平。
因此，如圖13所示，在i行(3j - 2)列的像素電路110中，晶體管124導通，而晶體管122、123、125截止，所以該像素電路110中的動作基本與第I實施方式相同。即、晶體管121向0LED130供給柵極與源極間的電壓Vgs所對應的電流Ids。初始化期間進入第i行的掃描期間，首先，(b)的初始化期間開始。在第2實施方式中，在初始化期間，與發光期間相比較，控制信號Gel (i)變化為H電平，控制信號Gorst (i)變化為L電平。因此，如圖14所示，在i行(3j - 2)列的像素電路110中，晶體管124截止，而晶體管125導通。由此，供給給0LED130的電流的路徑被切斷，并且因晶體管124的導通而使OLED130的陽極被復位為電位Vorst，所以該像素電路110中的動作基本與第I實施方式相同。另一方面，在第2實施方式中，在初始化期間中，控制信號/ Gini變為L電平，控制信號Gref變為H電平，并且控制信號Gcpl變為L電平。因此，如圖14所示，在電平移位電路40中，晶體管45、43分別導通，并且傳輸門42截止。因此，保持電容44的一端、即數據線14被初始化為電位Vini，作為保持電容44的另一端、即節點h初始化為電位Vref。在第2實施方式中，關于電位Vref,與第I實施方式相同，設定為相對于數據信號Vd (I) Vd (n)能夠取的電位，在之后的寫入期間，節點h的電位上升變化那樣的值。如上述那樣，在第2實施方式中，控制電路5遍及初始化期間以及補償期間來供給數據信號。即、如果以第j組來說，控制電路5按順序將數據信號Vd (j)切換為與i行(3j - 2)列、i行(3j -1)列、i行(3j)列的像素的灰度等級對應的電位，另一方面，配合數據信號的電位切換而使控制信號Sel (l)、Sel (2)、Sel (3)依次排他地成為H電平。由此，在多路分配器30中，各組的傳輸門34分別按左端列、中央列、右端列的順序導通。此處，在初始化期間，在屬于第j組的左端列的傳輸門34通過控制信號Sel (I)而導通的情況下，如圖14所示，數據信號Vd (j)被供給給保持電容41的一端，因此該數據信號被保持電容41保持。補償期間在第i行的掃描期間中，接下來成為(C)的補償期間。在第2實施方式中，在補償期間中，與初始化期間相比較，掃描信號Gwr (i)變化為L電平，控制信號Gcmp (i)變化為L電平。因此，如圖15所示，在i行(3j — 2)列的像素電路110中，晶體管122導通，柵極節點g與數據線14電連接，另一方面因晶體管123的導通，晶體管121成為二極管連接。因此，電流在供電線116 —晶體管121 —晶體管123 —晶體管122 —第(3 j — 2 )列的數據線14這樣的路徑中流動,柵極節點g從電位Vini開始上升,不久在(Vel — I Vth I )飽和。因此，在第2實施方式中，在補償期間的結束之前，保持電容132保持晶體管121的閾值電壓I Vth I。在第2實施方式中，在補償期間中，由于在控制信號Gref維持H電平的狀態下控制信號/ Gini變為H電平，所以在電平移位電路40中，節點h固定為電位Vref。另外，在補償期間中，在屬于第j組的左端列的傳輸門34通過控制信號Sel (I)而導通的情況下，如圖15所示，數據信號Vd (j)被保持電容41保持。
此外，屬于第j組的左端列的傳輸門34已經在初始化期間中通過控制信號Sel
(I)導通的情況下，在補償期間中，該傳輸門34不會導通，但在保持電容41保持數據信號Vd (j)這一點上沒有改變。另外，若補償期間結束，則控制信號Gcmp (i)成為H電平，由此解除晶體管121的
二極管連接。在第2實施方式中，由于在從補償期間結束到下一個寫入期間開始為止的期間中，控制信號Gref變為L電平，所以晶體管43截止。因此，雖然從第(3j — 2)列的數據線14至i行(3j - 2)列的像素電路110中的柵極節點g為止的路徑成為浮置狀態，但該路徑的電位被保持電容50、132維持為(Vel — I Vth I )。寫入期間在第2實施方式中，在寫入期間，控制信號Gcpl成為H電平(控制信號/ Gcpl成為L電平)。因此，如圖16所示，由于在電平移位電路40中，傳輸門42導通，所以被保持電容41保持的數據信號被供給給保持電容44的另一端、即節點h。因此，節點h從補償期間的電位Vref移位。即、節點h變化為電位(Vref + A V)。另一方面，柵極節點g由于經由數據線14與保持電容44的一端連接，所以成為從補償期間的電位(Vel — I Vth I )向上升的方向移位了節點h的電位變化量AV與電容比k2相乘而得到的值的值。即、柵極節點g的電位成為從補償期間的電位(Vel — I Vth I)向上升方向移位了節點h的電位變化量AV與電容比k2相乘而得到的值的值(Vel — IVth I + k2 A V)。此外，在第2實施方式中，電容比k2是Cdt、Crfl、Crf2的電容比。如上述那樣，忽略保持電容132的電容Cpix。另外，此時，若晶體管121的電壓Vgs以絕對值表現，則成為從閾值電壓I Vth I減去柵極節點g的電位上升的移位量而得到的值(I Vth1- k2 AV)。發光期間在第2實施方式中，在第i行的寫入期間結束之后，隔了 I水平掃描期間的間隔而進入發光期間。在該發光期間內，如上述那樣，由于控制信號Gel (i)變為L電平，所以在i行(3j - 2)列的像素電路110中，晶體管124導通。柵極與源極間的電壓Vgs為(I Vth I —k2* AV)，是通過數據信號的電位從晶體管121的閾值電壓電平移位后的值。因此，如前面的圖13所示，在補償了晶體管121的閾值電壓的狀態下，向0LED130供給與灰度等級對應的電流。在第i行的掃描期間中，也在第(3j - 2)列的像素電路110以外的第i行的其他像素電路110中時間上并行執行這樣的動作。并且，實際上，在I幀的期間中，按第1、第2、第3、…、第(m — I)、第m行的順序執行這樣的第i行的動作，并且以幀為單位反復進行。根據第2實施方式，與第I實施方式相同，即使在微小的像素電路110中，在OLED130中流動的微小電流相對于晶體管121的柵極與源極間的電壓Vgs相對變化較大的情況下，也能夠高精度地控制供給0LED130的電流。

根據第2實施方式，除了與第I實施方式相同，能夠在發光期間，對被0LED130的寄生電容保持的電壓充分地進行初始化之外，即使晶體管121的閾值電壓在每個像素電路110中有偏差，也會抑制損害顯示畫面的一致性那樣的顯示不均的產生，其結果為，能夠進打聞品位的顯不。根據第2實施方式，使保持電容41保持從控制電路5經由多路分配器30供給的數據信號的動作在從初始化期間到補償期間的整個期間執行。因此，能夠對在I水平掃描期間中應執行的動作，緩和時間上的限制。例如，在補償期間中，伴隨柵極與源極間電壓Vgs接近閾值電壓，在晶體管121中流動的電流降低，所以將柵極節點g縮小至電位(Vel — I Vth I )需要時間，但在第2實施方式中，與第I實施方式相比較，如圖12所示那樣，能夠確保補償期間較長。因此，根據第2實施方式，與第I實施方式相比較，能夠高精度地補償晶體管121的閾值電壓的偏差。另外，也能夠使數據信號的供給動作低速化。應用 變形例本發明并不局限于上述的實施方式、應用例等實施方式等，例如還能夠進行如下所述的各種變形。另外，如下所述的變形的方式也能夠適當地組合任意選擇的一個或者多個。控制電路在實施方式中，雖然供給數據信號的控制電路5與電光學裝置10分開，但控制電路5也可以與掃描線驅動電路20、多路分配器30、和電平移位電路40 —起集成化在硅基板上。 基板在實施方式中，為在硅基板上集成了電光學裝置10的構成，但也可以為在其他的半導體基板上集成的構成。另外，還可以應用多晶硅工藝在玻璃基板等上進行形成。無論選擇哪個，像素電路Iio微細化，在晶體管121中，漏極電流相對于柵極電壓Vgs的變化以指數函數的方式較大變化的構成均有效。控制信號Gcmp (i)在實施方式等中，如果以第i行來說，在寫入期間中，使控制信號Gcmp (i)成為H電平，但也可以成為L電平。即、可以構成為并行執行基于使晶體管123導通的閾值補償和向節點柵極g的寫入。多路分配器在實施方式等中，構成為使數據線14每3列為一組，并且在各組中依次選擇數據線14，來供給數據信號，但構成組的數據線數目可以是“2”，也可以是“4”以上。另外，也可以是不分組，即、不使用多路分配器30而按線順序一齊向各列的數據線14供給數據信號的構成。晶體管的溝道型在上述的實施方式等中，使像素電路110中的晶體管121 125統一為P溝道型，但也可以統一為N溝道型。另外，也可以適當地組合P溝道型以及N溝道型。其他在實施方式等中，作為電氣光學元件，例示了作為發光元件的0LED，但例如無機發光二極管LED (Light Emitting Diode :發光二極管)等、能夠以與電流對應的亮度發光的元件即可。電子設備
接下來，對應用了實施方式等、應用例所涉及的電光學裝置10的電子設備進行說明。電光學裝置10面向像素為小尺寸、高精細的顯示的用途。因此，作為電子設備，以頭戴式顯示器為例進行說明。圖17是表示頭戴式顯示器的外觀的圖，圖18是表示其光學構成的圖。首先，如圖17所示，頭戴式顯示器300在外觀上與一般眼鏡相同，具有眼鏡腿310、鼻架320、鏡片301L、301R。另外，如圖18所示，頭戴式顯示器300在鼻架320附近、即鏡片301L、301R的里側(圖中下側)設置有左眼用的電光學裝置IOL與右眼用的電光學裝置10R。電光學裝置IOL的圖像顯示面被配置在圖18中的左側。由此，電光學裝置IOL的顯示圖像經由光學透鏡302L從圖中向9點鐘方向射出。半透半反鏡303L使電光學裝置IOL的顯示圖像向6點鐘方向反射，并使從12點鐘方向入射的光透過。電光學裝置IOR的圖像顯示被面配置在與電光學裝置IOL相反的右側。由此，電光學裝置IOR的顯示圖像經由光學透鏡302R從圖中向3點鐘方向射出。半透半反鏡303R使電光學裝置IOR的顯示圖像向6點鐘方向反射，并使從12點鐘方向入射的光透過。在該構成中，頭戴式顯示器300的佩戴者能夠以與外面的樣子重疊的透過狀態觀察電光學裝置10LU0R的顯示圖像。另外，在該頭戴式顯示器300中，當使電光學裝置IOL顯示伴有視差的兩眼圖像中的、左眼用圖像，使電光學裝置IOR顯示右眼用圖像時，則能夠使佩戴者感覺顯示的圖像猶如具有縱深感和立體感(3D顯示)。此外，除了頭戴式顯示器300外，電光學裝置10還能夠適用于攝像機、透鏡交換式的數碼相機等中的電子式取景器。

符號說明10…電光學裝置，12…掃描線，14…數據線,20…掃描線驅動電路,30…多路分配器,40…電平移動電路，41、44、50…保持電容,100…顯不部,110…像素電路,116…供電線，118…共用電極，121 125…晶體管，130…0LED，132…保持電容，300…頭戴式顯示器。
權利要求
1.一種電光學裝置,其特征在于,包括 掃描線； 第I數據線； 電源； 第I像素電路，其與所述掃描線和所述第I數據線交叉點對應設置；以及 驅動電路，其驅動所述第I像素電路，其中， 所述第I像素電路包括 第I晶體管，其具有第I柵極、第I漏極和第I源極； 電光學兀件； 第2晶體管，在該第2晶體管處于導通狀態期間，通過該第2晶體管，所述第I數據線與所述第I柵極電連接，該第2晶體管具有第2柵極、第2漏極和第2源極；以及 第3晶體管，該第3晶體管具有第3柵極、第3漏極和第3源極，并且通過該第3晶體管，所述第I柵極與所述第I漏極或所述第I源極電連接， 所述第I晶體管控制在所述電源和所述電光學元件之間的通過該第I晶體管的電連接，所述驅動電路包括 第I保持電容，具有第I電極和第2電極；以及 第2保持電容，具有第3電極和第4電極， 所述第2保持電容保持所述第I數據線的電位， 所述第2電極和第3電極與所述第I數據線電連接。
2.根據權利要求1所述的電光學裝置，其特征在于， 所述第I電極按照下述方式而配置在所述第2晶體管和第3晶體管處于導通狀態的第I期間的至少一部分時間內，所述第I電極的電壓被設置為第I電壓。
3.根據權利要求2所述的電光學裝置，其特征在于， 所述第I電極按照下述方式而配置在所述第I期間之后的第2期間的至少一部分時間內，所述第I電極的電壓被設置為與灰度級對應的第2電壓。
4.根據權利要求3所述的電光學裝置，其特征在于， 所述驅動電路還包括第3保持電容和第I開關， 所述驅動電路按照下述方式而配置所述第3保持電容在所述第2期間前保持所述第2電壓，并且在所述第2期間的至少一部分時間內，所述第I電極通過所述第I開關與所述第3保持電容連接。
5.根據權利要求3所述的電光學裝置，其特征在于， 所述驅動電路還包括第3保持電容和第I開關， 所述驅動電路按照下述方式而配置在第3期間和所述第I期間的至少一部分時間內，所述第3保持電容保持所述第2電壓，并且在所述第2期間的至少一部分時間內，所述第I電極通過所述第I開關與所述第3保持電容電連接。
6.根據權利要求3所述的電光學裝置，其特征在于，還包括 第2數據線，以及 第2像素電路，其與所述掃描線和所述第2數據線的交叉點對應設置， 所述驅動電路還包括第3保持電容； 第I開關； 第4保持電容，其具有第5電極和第6電極； 第5保持電容，其具有第7電極和第8電極，該第5保持電容保持所述一個數據線的電位； 第6保持電容； 第2開關； 第3開關，其具有第I輸入端；以及 第4開關，其具第2輸入端，該第2輸入端與所述第I輸入端電連接， 所述第6電極和第7電極與所述第2數據線電連接， 所述驅動電路按照下述方式而配置在所述第2期間之前，所述第3保持電容保持通過所述第3開關供給的所述第2電壓；在所述第2期間之前，所述第6保持電容保持通過所述第4開關供給的第3電壓；在所述第2期間的至少一部分時間內，通過所述第I開關，所述第I電極與所述第3保持電容電連接；以及在所述第2期間的至少一部分時間內，通過所述第2開關，所述第5電極與所述第6保持電容電連接。
7.根據權利要求6所述的電光學裝置，其特征在于， 所述驅動電路被配置成在不同于所述第4開關被導通期間的期間內所述第3開關被導通，所述第I開關和所述第2開關同時被導通。
8.根據權利要求1所述的電光學裝置，其特征在于， 所述第I像素電路包括第4晶體管，通過該第4晶體管，供電線與發光元件的一個電極電連接，且該供電線供給規定的復位電位。
9.根據權利要求8所述的電光學裝置，其特征在于， 所述供電線沿著所述第I數據線而設置。
10.根據權利要求8所述的電光學裝置，其特征在于， 所述第2保持電容的第4電極端與所述供電線電連接。
11.根據權利要求3所述的電光學裝置，其特征在于， 所述驅動電路被配置成所述第2晶體管在所述第2期間內被導通，并且所述第3晶體管在所述第2期間內被截止。
12.根據權利要求3所述的電光學裝置，其特征在于， 所述第2電極被配置成在所述第I期間之前的第3期間的至少一部分時間內，所述第2電極的電壓被設置為第4電壓。
13.根據權利要求1所述的電光學裝置，其特征在于 所述電光學裝置按照下述方式配置在第I期間之前的第3期間和第I期間的至少一部分時間內，通過所述驅動電路內所包括的第I開關元件，第I電壓被供給到所述第I電極；在所述第3期間的至少一部分時間內，通過所述驅動電路所包括的第2開關，第4電壓被供給到所述第2電極；以及在第2期間的至少一部分時間內，所述第I電極的電壓被設置為與灰度級對應的第2電壓，在該第2期間內所述第I開關元件和所述第2開關元件處于截止狀態。
14.根據權利要求13所述的電光學裝置，其特征在于，所述電光學裝置按照下述方式配置在所述第I期間內，所述第I晶體管的閾值電壓被補償，在該第1期間內，所述第2電極的電壓從所述第4電壓轉變為第5電壓。
15.根據權利要求1所述的電光學裝置，其特征在于， 所述第I像素電路包括第5晶體管，該第5晶體管的一端與所述第I漏極和所述第I源極連接，另一端與所述發光元件的一個電極連接。
16.一種驅動電光學裝置的方法，其特征在于， 該電光學裝置包括 掃描線； 第I數據線； 電源； 第I像素電路，其與所述掃描線和所述第I數據線交叉點對應設置；以及 驅動電路，其驅動所述第I像素電路，其中， 所述第I像素電路包括 第1晶體管，其具有第I柵極、第I漏極和第I源極； 電光學兀件； 第2晶體管，在該第2晶體管處于導通狀態期間，所述第I數據線通過該第2晶體管與所述第I柵極電連接，該第2晶體管具有第2柵極、第2漏極和第2源極；以及 第3晶體管，該第3晶體管具有第3柵極、第3漏極和第3源極，并且通過該第3晶體管，所述第I柵極與所述第I漏極或所述第I源極電連接， 所述驅動電路包括 第I保持電容，其具有第I電極和與所述第I數據線電連接的第2電極；以及 第2保持電容，其具有與所述第I數據線電連接的第3電極和第4電極， 所述驅動方法包括 在第I期間的至少一部分時間內，將所述第I電極的電壓設置為第I電壓，在該第I期間內，所述第2晶體管和第3晶體管處于導通狀態； 在所述第I期間之后的第2期間的至少一部分時間內，將所述第I電極的電壓設置為與灰度級對應的第2電壓；以及 控制在所述電源和所述電光學元件之間的通過所述第I晶體管的電連接。
17.—種電子設備,其特征在于， 具備權利要求1中所述的電光學裝置。
18.—種電子設備,其特征在于， 具備權利要求2中所述的電光學裝置。
19.一種電子設備,其特征在于， 具備權利要求3中所述的電光學裝置。
20.—種電子設備,其特征在于， 具備權利要求4中所述的電光學裝置。
全文摘要
一種電光學裝置，包括具有第1電極和第2電極的第1保持電容、具有第3電極和第4電極的第2保持電容以及第1像素電路。所述第1像素電路包括具有第1柵極、第1漏極和第1源極的第1晶體管；電光學元件；第2晶體管，當該第2晶體管處于導通狀態期間，通過該第2晶體管，第1數據線被電連接到所述第1柵極；以及第3晶體管，通過該第3晶體管，所述第1柵極與所述第1漏極或所述第1源極電連接。所述第2電極和第3電極與所述第1數據線電連接。
文檔編號G09G3/32GK103065582SQ201210383548
公開日2013年4月24日 申請日期2012年10月11日 優先權日2011年10月18日
發明者太田人嗣, 石黑英人 申請人:精工愛普生株式會社