本發(fā)明涉及具有晶體管的半導體器件及其驅動方法。進一步，本發(fā)明涉及具有半導體器件的有源矩陣發(fā)光器件及其驅動方法，該半導體器件具有在絕緣體例如玻璃或塑料上形成的薄膜晶體管(以下簡稱TFT)。本發(fā)明還涉及使用這類發(fā)光器件的電子設備。

背景技術：
近年來使用發(fā)光元件例如電致發(fā)光(EL)元件的顯示器件的研制很活躍。由于是自發(fā)光，因此發(fā)光元件可見度高且不需要背景光，背景光在液晶顯示器(LCD)等中是必要的，由此能夠減小這類器件的厚度。并且，該發(fā)光器件幾乎沒有視角度限制。術語EL元件指具有發(fā)光層的元件，在發(fā)光層中可以獲得通過施加電場產生的發(fā)光。當從單重激發(fā)態(tài)(熒光)返回基態(tài)以及從三重激發(fā)態(tài)(磷光)返回基態(tài)時發(fā)光層發(fā)出光。本發(fā)明的發(fā)光器件可以使用上述任何一種發(fā)光類型。EL元件一般具有層疊結構，其中發(fā)光層夾在一對電極(陽極和陰極)之間。給出由陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及陰極構成的層疊結構作為典型結構。此外，還存在具有在陽極和陰極之間按順序依次層疊的如下層的結構：空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層以及電子傳輸層；空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層。上述任一種結構都可以用作本發(fā)明的發(fā)光器件使用的EL元件結構。而且，發(fā)光層內還可以摻入熒光顏料等。這里，在EL元件的陽極和陰極之間形成的所有層通常都稱為“EL層”。前面提到的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、以及電子注入層全都包括在EL層的范疇內，由陽極、EL層以及陰極構成的發(fā)光元件稱為EL元件。一般發(fā)光器件中的像素結構展示圖8中。注意使用EL顯示器件用作為典型的發(fā)光器件的例子。圖8中所示的像素具有源極信號線801、柵極信號線802、開關TFT803、驅動器TFT804、電容器裝置805、EL元件806、電流源線807以及電源線808。下面解釋各個部分之間的連接關系。這里使用的術語TFT指具有柵極、源極以及漏極的三端元件，但是由于TFT的結構難以清楚區(qū)分源極和漏極。因此當解釋元件之間的連接時，一端，即源極或漏極指第一電極，另一端指第二電極。在需要定義各個元件關于TFT的開關狀態(tài)(例如，當解釋TFT的柵極和源極之間的電壓時)的電位的情況下使用術語源極和漏極。而且，TFT導通態(tài)是指這樣一種狀態(tài)，其中TFT的柵極和源極之間的電壓超過TFT的閾值，電流在源極和漏極之間流動。TFT截止是指這樣一種狀態(tài)，其中TFT的柵極和源極之間的電壓小于TFT的閾值，沒有電流在源極和漏極之間流動。注意有這樣一種情況，其中即使TFT的柵極和源極之間的電壓小于閾值，仍有微量電流，稱為漏電流在源極和漏極之間流動。但是，該狀態(tài)同樣以截止態(tài)對待。開關TFT803的柵電極連接到柵極信號線802，開關TFT803的第一電極連接到源極信號線801，以及開關TFT803的第二電極連接到驅動器TFT804的柵電極。驅動器TFT804的第一電極連接到電流源線807，以及驅動器TFT804的第二電極連接到EL元件806的第一電極。EL元件806的第二電極連接到電源線808。在電流源線807和電源線808之間存在相互電位差。而且，為了在發(fā)光期間保持驅動器TFT804的柵極和源極之間的電壓，可以在驅動器TFT804的柵電極和具有固定電位的線之間形成電容器裝置805，具有固定電位的線如電流源線807。如果脈沖輸入到柵極信號線802且開關TFT803導通，那么輸入到源極信號線801的圖像信號輸入到驅動器TFT804的柵電極。驅動器TFT804的柵極和源極之間的電壓和驅動器TFT804的源極和漏極之間流動的電流量(以下稱為漏電流)由輸入圖像信號的電位決定。該電流提供給EL元件806，EL元件806發(fā)光。由多晶硅(以下稱為P-Si)形成的TFT比由非晶硅(以下稱為A-Si)形成的TFT具有更高的場效應遷移率，且導通電流大，因此很適合用作發(fā)光器件中使用的晶體管。相反，由P-Si形成的TFT由于晶粒邊界的缺陷具有電特性易于離散(dispersion)的問題。如果TFT閾值有離散，例如圖8中的驅動器TFT804的閾值每一像素有離散，由于對應于TFT閾值離散，TFT的漏電流值離散，那么即使相同的圖像信號輸入到不同的像素，EL元件806的亮度也將有差異。這對于使用模擬灰度方法的顯示器件尤其成為一個問題。最近已經提出可以糾正這類TFT的閾值離散。圖10所示結構可以作為這種提議的一個例子(參考專利文獻1)。[專利文獻1]國際公開號99-48403小冊子(p.25，圖3，圖4)。圖10A所示的像素具有源信號線1001、第一到第三柵極信號線1002到1004、TFT1005至1008、電容器裝置1009(C2)和1010(C1)、EL元件1011、電流源線1012，以及電源線1013。TFT1005的柵電極連接到第一柵極信號線1002，TFT1005的第一電極連接到源信號線1001以及TFT1005的第二電極連接到電容器裝置1009的第一電極。電容器裝置1009的第二電極連接到電容器裝置1010的第一電極，電容器裝置1010的第二電極連接到電流源線1012。TFT1006的柵電極連接到電容器裝置1009的第二電極和電容器裝置1010的第一電極，TFT1006的第一電極連接到電流源線1012，TFT1006的第二電極連接到TFT1007的第一電極和TFT1008的第一電極。TFT1007的柵電極連接到第二柵極信號線1003，TFT1007的第二電極連接到電容器裝置1009的第二電極。TFT1008的柵電極連接到第三柵極信號線1004，TFT1008的第二電極連接到EL元件1011的第一電極。EL元件1011的第二電極連接到電源線1013，且與電流源線1012具有相互電位差。使用圖10A和10B以及圖11A至11F說明了動作。圖10B展示了輸入到源信號線1001和第一至第三柵極信號線1002至1004的圖像信號，并展示了脈沖時序。圖10B被分成部分I至VIII，對應于圖11A至11F所示的每個動作。而且，使用四個TFT的結構作為圖10A和10B所示像素的例子，四個TFT都是p型TFT。因此當低電平信號輸入至TFT的柵電極時TFT導通，當高電平信號輸入時截止。而且，盡管這里展示的輸入到源極信號線1001的圖像信號具有脈沖波形，以便僅為了表明輸入周期，但預定的模擬電位也可以用于模擬灰度方法。首先，低電平輸入到第一和第三柵極信號線1002和1004，并且TFT1005和1008導通(部分I)。然后第二柵極信號線1003變成低電平，TFT1007導通。如圖11A所示，電荷堆積在電容器裝置1009和1010中。當電容器裝置1010的兩個電極之間的電位差，換言之當電容器裝置1010維持的電壓超過TFT1006的閾值|Vth|時，TFT1006導通(第II部分)。之后第三柵極信號線1004變?yōu)楦唠娖?，TFT1008截止。因此積累在電容器裝置1009和11010中的電荷再一次移動，電容器裝置1010中存儲的電壓立刻變成等于|Vth|。如11B所示，此時電流源線1012的電位和源極信號線1001的電位都是電位VDD，因此電容器裝置1009中保持的電壓也變?yōu)榈扔趞Vth|。因此TFT1006很快截止。如上所述，電容器裝置1009和1010中保持的電壓變?yōu)榈扔趞Vth|之后，第二柵極信號線1003變?yōu)楦唠娖?，TFT1007截止(第IV部分)。因此通過該動作|Vth|存儲在電容器裝置1009中，如圖11C所示。等式(1)為此時存儲在電容器裝置1010(C1)中的電荷Q1。同樣地，等式(2)為此時存儲在電容器裝置1009(C2)中的電荷Q2。[等式(1)].........................(1)Q1＝C1×|Vth|[等式(2)].Q2＝C2×|Vth|........................(2)然后，如圖11D所示，進行圖像信號的輸入(第V部分)。圖像信號輸出到源極信號線1001，源極信號線1001的電位從電位VDD變?yōu)閳D像信號的電位VData(這里TFT1006是p溝道TFT，因此VDD＞VData)。如果TFT1006的柵電極電位取為電位Vp，在結點的電荷取為Q，那么由于守恒定律電容器裝置1009和1010中包括的電荷為等式(3)和等式(4)。[等式(3)]Q+Q1＝C1×(VDD-Vp)....................(3)[等式(4)]Q-Q2＝C2×(Vp-VData)..........................(4)由等式(1)到(4)，TFT1006的柵電極的電位Vp可以由等式(5)表示。[等式(5)]因此TFT1006的柵極和源極之間的電壓VGS由等式(6)表示。[等式(6)]術語Vth包含于等式(6)的右邊。也就是說，每個像素的TFT1006的閾值電壓從源極信號線1001加入圖像信號輸入，且由電容器裝置1009和1010存儲這些電壓。當圖像信號的輸入完成時第一柵極信號線1002變成高電平，TFT1005截止(第VI部分)。然后源極信號線1001返回預定電位(第VII部分)。因此完成寫入圖像信號到像素的工作(圖11E)。然后第三柵極信號線1004變成低電平，TFT1008導通，由于電流流入EL元件1011，因此EL元件1011發(fā)光，如圖11F所示。此時流入EL元件1011的電流量取決于TFT1006的柵極和源極之間的電壓，TFT1006中流動的漏極電流IDS用等式(7)表示。[等式(7)]從等式(7)可以看出TFT1006的漏極電流IDS不依賴閾值Vth。因此即使每一像素的TFT1006的閾值離散，流入每一像素的EL元件1011的電流值也不改變。因此電流根據圖像信號VData正確地流入EL元件1011。但是，等式(7)中的漏極電流IDS取決于上述結構的電容C1和C2。也就是說，如果電容器裝置1009和1010的電容值離散，那么漏極電流IDS離散。

技術實現要素：
因此本發(fā)明的一個目的是提供一種能夠改正由于上述問題的TFT閾值離散的半導體器件，特別，提供一種具有不受電容值離散影響結構的半導體器件。此外，本發(fā)明的目的是提供驅動該半導體器件的方法。使用圖14A至14E說明本發(fā)明的工作原理。分析圖14A或14B的電路。開關元件1403和1413是由輸入信號控制的元件，且可以是能夠處于導電態(tài)或非導電態(tài)的元件。例如，可以采用如TFT元件，通過輸入信號可以選擇導通或截止。而且，將當電位差施加到該元件的兩個電極時僅在一個方向形成電流的該元件定義為整流元件。二極管和在其柵極和漏極之間短路的TFT(該狀態(tài)指二極管連接)可以作為整流元件的例子。分析，其中開關元件1403和1413、電容器裝置1402和1412以及整流元件1401和1411按如圖14A和14B所示連接的電路。整流元件1401使用p溝道TFT，整流元件1411使用n溝道TFT。每個電路中的端子用α、β、γ以及δ表示。固定電位施加至每個端子α至γ。在圖14A中施加到端子α和β的電位取為Vss，施加到端子γ的電位取為VReset(VReset≥Vss+|VthP|，VthP是整流元件1401的閾值)。在圖14B中施加到端子α和β的電位取為Vx，施加到端子γ的電位取為VReset(VReset≤Vx-|VthN|，VthN是整流元件1411的閾值)。在圖14C中由符號i表示的期間中開關元件1403和1413導通。在圖14A中，整流元件TFT1401的柵電極和漏電極的電位降為Vss。另一方面，在圖14B中，整流元件TFT1411的柵電極和漏電極的電位上升為Vx。兩個TFT1401和TFT1411的源極和漏極之間的電壓高于閾值電壓的絕對值，因此兩個TFT導通。在圖14C中由符號ii表示的期間中開關元件1403和1413變?yōu)榉菍щ?。此時TFT1401和1411都導通，在每個TFT的源極和漏極之間形成電流。在圖14A中TFT1401的柵電極和漏電極的電位增加，在圖14B中TFT1411的柵電極和漏電極的電位下降。因此TFT1401的源極和漏極之間的電壓和TFT1411的源極和漏極之間的電壓，換言之TFT1401和1411的柵極和源極之間的電壓變得更小。因此TFT1401和1411每個的柵極和源極之間的電壓等于它們各自的TFT的閾值。因此TFT1401和1411截止。此時通過電容器裝置1402和1412存儲TFT1401和1411的漏電極和端子電位之間的電勢差。因此在圖14C中由符號iii表示的期間從圖14A中的端子δ輸出VReset-|VthP|，從圖14B中的端子δ輸出VReset+|VthN|。從圖14A和14B都能夠看出TFT1401和1411的閾值電壓可以輸出。例如，如果該狀態(tài)下信號輸入到端子α，通過電容器裝置1402和1412發(fā)生電容耦合，端子δ的電位改變輸入信號的電壓量。TFT閾值電壓已經出現在端子δ，因此根據輸入的信號施加了TFT閾值電壓量校正。也可以使用具有同樣工作原理的不同結構，如圖14D和14E所示，其中形成二極管1410或電容器裝置1420替換開關元件1403，通過減小端子β的電位(這里Vss)，TFT1401的柵電極和漏電極電位降低。此時端子δ的電位降到Vss+|VthD|，(VthD是二極管1410的閾值)。假如在TFT1401的柵電極和漏電極的電位開始減少之后端子β的電位增加(這里是VDD)，那么圖14D中電流在相反方向不流動，因此這類似于開關元件不導通。注意，盡管這里TFT1401使用p溝道TFT，但是也可以使用n溝道TFT。在此情況下，TFT1401的漏電極和柵電極連接到端子γ側。類似地，盡管TFT1411使用n溝道TFT，但是也可以使用p溝道TFT。對于這種情況，TFT1411的漏電極和柵電極連接到端子γ側。此外，TFT1401和1411也可以使用二極管。這里使用的二極管，除具有標準p-n結的二極管外，也可以使用具有上述二極管連接的TFT。校正發(fā)光器件中的TFT閾值離散和減小EL元件的亮度離散作為這里的目的，下面說明該目的以及完成該目的的方法。但是，本發(fā)明的工作原理不局限于TFT閾值離散的校正，當然也可以將本發(fā)明應用于其他電子電路。下面論述本發(fā)明的結構。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，該器件包括：整流元件；電容器裝置；以及開關元件，其特征在于：整流元件的第一電極電連接到電容器裝置的第一電極和開關元件的第一電極。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，該器件包括：具有第一電極的第一整流元件；具有第一電極的第二整流元件；以及電容器裝置，其特征在于：第一整流元件的第一電極電連接到電容器裝置的第一電極和第二整流元件的第一電極。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，該器件包括：整流元件；電容器裝置；以及開關元件，其特征在于：第一電源的電位V1施加到整流元件的第一電極；整流元件的第二電極電連接到電容器裝置的第一電極和開關元件的第一電極；第二電源的電位V2施加到開關元件的第二電極；具有大于或等于電位V3和小于或等于(V3+電位VData)，或大于或等于(V3-VData)以及小于或等于V3的電位的信號輸入到電容器裝置的第二電極；以及當整流元件的閾值電壓取為Vth時從整流元件的第二電極獲得具有等于(V1+|Vth|)、V2以及(V1+|Vth|±VData)的任一電位的信號。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，該器件包括：整流元件；電容器裝置；以及開關元件，其特征在于：第一電源的電位V1施加到整流元件的第一電極；整流元件的第二電極電連接到電容器裝置的第一電極和開關元件的第一電極；第二電源的電位V2施加到開關元件的第二電極；具有大于或等于電位V3和小于或等于(V3+電位VData)，或大于或等于(V3-VData)以及小于或等于V3的電位的信號輸入到電容器裝置的第二電極；以及當整流元件的閾值電壓取為Vth時從整流元件的第二電極獲得具有等于(V1-|Vth|)、V2以及(V1-|Vth|±VData)的任一電位的信號。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，該器件包括：第一整流元件；第二整流元件；以及電容器裝置，其特征在于：第一電源的電位V1施加到第一整流元件的第一電極；第一整流元件的第二電極電連接到電容器裝置的第一電極和第二整流元件的第一電極；具有大于或等于電位V2以及小于或等于電位V2’的電位的第一信號輸入到第二整流元件的第二電極；具有大于或等于電位V3和小于或等于(V3+電位VData)，或大于或等于(V3-VData)以及小于或等于V3的電位的第二信號輸入到電容器裝置的第二電極；以及當第一整流元件的閾值電壓取為Vth1和第二整流元件的閾值電壓取為Vth2時，從第一整流元件的第二電極獲得具有等于(V1-|Vth1|)、(V2+Vth2)以及(V1-|Vth1|±VData)的任何一電位的信號。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，該器件包括：第一整流元件；第二整流元件；以及電容器裝置，其特征在于：第一電源的電位V1施加到第一整流元件的第一電極；第一整流元件的第二電極電連接到電容器裝置的第一電極和第二整流元件的第一電極。具有大于或等于電位V2以及小于或等于電位V2’的電壓幅度的第一信號輸入到第二整流元件的第二電極；具有大于或等于電位V3以及小于或等于(V3+電位VData)，或大于或等于(V3-VData)以及小于或等于V3的電位的第二信號輸入到電容器裝置的第二電極；以及當第一整流元件的閾值電壓取為Vth1和第二整流元件的閾值電壓取為Vth2時從第一整流元件的第二電極獲得具有等于(V1+Vth1)、(V2’-Vth2)以及(V1+Vth1±VData)的任一電位的信號。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，其特征在于：使用其柵極和其漏極之間有連接的晶體管形成整流元件；如果在其柵極和其漏極之間具有連接的晶體管是n溝道晶體管，那么V1＜V2；以及如果在其柵極和其漏極之間具有連接的晶體管是p溝道晶體管，那么V1＞V2。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，其特征在于：使用其柵極和其漏極之間有連接的晶體管形成第一整流元件；如果在其柵極和其漏極之間具有連接的晶體管是n溝道晶體管那么V1＜V2；以及如果在其柵極和其漏極之間具有連接的晶體管是p溝道晶體管那么V1＞V2。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，還包括一個晶體管，其特征在于晶體管的柵電極電連接到電容器裝置的第一電極。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，該半導體器件包括多個像素，每個像素包括：源極信號線；第一柵極信號線；第二柵極信號線；復位電源線；電流源線；第一晶體管；第二晶體管；第三晶體管；第四晶體管；電容器裝置；以及發(fā)光元件，其特征在于：第一晶體管的柵電極電連接到第一柵極信號線；第一晶體管的第一電極電連接到源極信號線；第一晶體管的第二電極電連接到電容器裝置的第一電極；電容器裝置的第二電極電連接到第二晶體管的柵電極、第二晶體管的第一電極以及第三晶體管的柵電極；第二晶體管的第二電極電連接到復位電源線；第三晶體管的第一電極電連接到電流源線；第三晶體管的第二電極電連接到發(fā)光元件的第一電極；第四晶體管的柵電極電連接到第二柵極信號線；第四晶體管的第一電極電連接到源極信號線或第一晶體管的第二電極；以及第四晶體管的第二電極電連接到第二晶體管的柵電極、第二晶體管的第一電極以及第三晶體管的柵電極。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，該半導體器件包括多個像素，每個像素包括：源極信號線；第一柵極信號線；第二柵極信號線；復位電源線；電流源線；第一晶體管；第二晶體管；第三晶體管；電容器裝置；二極管；以及發(fā)光元件，其特征在于：第一晶體管柵電極電連接到第一柵極信號線；第一晶體管的第一電極電連接到源極信號線；第一晶體管的第二電極電連接到電容器裝置的第一電極；電容器裝置的第二電極電連接到第二晶體管的柵電極、第二晶體管的第一電極以及第三晶體管的柵電極；第二晶體管的第二電極電連接到復位電源線；第三晶體管的第一電極電連接到電流源線；第三晶體管的第二電極電連接到發(fā)光元件的第一電極；二極管的第一電極電連接到第二晶體管的柵電極、第二晶體管的第一電極以及第三晶體管的柵電極；以及二極管的第二電極電連接到第二柵極信號線。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，該半導體器件包括多個像素，每個像素包括：源極信號線；第一柵極信號線；第二柵極信號線；復位電源線；電流源線；第一晶體管；第二晶體管；第三晶體管；第一電容器裝置；第二電容器裝置；以及發(fā)光元件，其特征在于：第一晶體管柵電極電連接到第一柵極信號線；第一晶體管的第一電極電連接到源極信號線；第一晶體管的第二電極電連接到第一電容器裝置的第一電極；第一電容器裝置的第二電極電連接到第二晶體管的柵電極、第二晶體管的第一電極以及第三晶體管的柵電極；第二晶體管的第二電極電連接到復位電源線；第三晶體管的第一電極電連接到電流源線；第三晶體管的第二電極電連接到發(fā)光元件；第二電容器裝置的第一電極電連接到第二晶體管的柵電極、第二晶體管的第一電極以及第三晶體管的柵電極；以及第二電容器裝置的第二電極電連接到第二柵極信號線。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，該半導體器件包括多個像素，每個像素包括：源極信號線；第一柵極信號線；第二柵極信號線；第三柵極信號線；復位電源線；電流源線；第一晶體管；第二晶體管；第三晶體管；第四晶體管；第五晶體管；第一電容器裝置；第二電容器裝置；以及發(fā)光元件，其特征在于：第一晶體管的柵電極電連接到第一柵極信號線；第一晶體管的第一電極電連接到源極信號線；第一晶體管的第二電極電連接到第一電容器裝置的第一電極；第一電容器裝置的第二電極電連接到第二晶體管的柵電極、第二晶體管的第一電極以及第三晶體管的柵電極；第二晶體管的第二電極電連接到復位電源線；第三晶體管的第一電極電連接到電流源線；第三晶體管的第二電極電連接到發(fā)光元件；第四晶體管的柵電極電連接到第二柵極信號線；第四晶體管的第一電極電連接到源極信號線或第一晶體管的第二電極；第四晶體管的第二電極電連接到第二晶體管的柵電極、第二晶體管的第一電極以及第三晶體管的柵電極；第二電容器裝置的第一電極電連接到第一晶體管的第二電極；第二電容器裝置的第二電極電連接到第三晶體管的第二電極；第五晶體管的柵電極電連接到第三柵極信號線；第五晶體管的第一電極電連接到第三晶體管的第二電極；以及第五晶體管的第二電極連接等于或小于發(fā)光元件的第二電極電位的電源電位。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，該器件還包括：擦除柵極信號線；以及擦除晶體管，其特征在于：擦除晶體管的柵電極電連接到擦除柵極信號線；擦除晶體管的第一電極電連接到電流源線；以及擦除晶體管的第二電極電連接到第三晶體管的柵電極。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，該器件還包括：擦除柵極信號線；以及擦除晶體管，其特征在于：擦除晶體管的柵電極電連接到擦除柵極信號線；擦除晶體管的第一電極電連接到電流源線；以及擦除晶體管的第二電極電連接到第一晶體管的第二電極。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，該器件還包括：擦除柵極信號線；以及擦除晶體管，其特征在于：在電流源線和第三晶體管的第一電極之間，或在第三晶體管的第二電極和發(fā)光元件的第一電極之間形成擦除晶體管；以及擦除晶體管的柵電極電連接到擦除柵極信號線。根據本發(fā)明，提供一種半導體器件，其特征在于第二晶體管和第三晶體管具有相同的極性。根據本發(fā)明，提供一種驅動半導體器件的方法，該半導體器件包括：整流元件；電容器裝置；以及開關元件，其特征在于：第一電源的電位V1施加到整流元件的第一電極；整流元件的第二電極電連接到電容器裝置的第一電極和開關元件的第一電極；以及第二電源的電位V2施加到開關元件的第二電極；驅動該半導體器件的方法包括：當整流元件的閾值電壓取為Vth時，使開關元件導通以及將整流元件的第二電極的電位設為V2的第一步驟；以及使開關元件非導通，使整流元件的兩個電極之間的電壓收斂于閾值電壓Vth以及將整流元件的第二電極的電位設為(V1+Vth)的第二步驟。根據本發(fā)明，提供一種驅動半導體器件的方法，該半導體器件包括：整流元件；電容器裝置；以及開關元件，其特征在于：第一電源的電位V1施加到整流元件的第一電極；整流元件的第二電極電連接到電容器裝置的第一電極和開關元件的第一電極。第二電源的電位V2施加到開關元件的第二電極；以及具有大于或等于電位V3以及小于或等于(V3+電位VData)，或大于或等于(V3-VData)以及小于或等于V3的電位的信號輸入到電容器裝置的第二電極；驅動該半導體器件的方法包括：當整流元件的閾值電壓取為Vth時，使開關元件導通以及將整流元件的第二電極的電位設為V2的第一步驟；使開關元件非導通，使整流元件的兩個電極之間的電壓收斂于閾值電壓Vth以及將整流元件的第二電極的電位設為(V1+Vth)的第二步驟；以及將電容器裝置的第二電極的電位改變VData以及將整流元件的第二電極的電位設為(V1+Vth±VData)的第三步驟。根據本發(fā)明，提供一種驅動半導體器件的方法，該半導體器件包括：整流元件；電容器裝置；以及開關元件，其特征在于：第一電源的電位V1施加到整流元件的第一電極；整流元件的第二電極電連接到電容器裝置的第一電極和開關元件的第一電極；以及第二電源的電位V2施加到開關元件的第二電極；驅動該半導體器件的方法包括：當整流元件的閾值電壓取為Vth時，使開關元件導通以及將整流元件的第二電極的電位設為V2的第一步驟；以及使開關元件非導通，使整流元件的兩個電極之間的電壓收斂于閾值電壓Vth。以及將整流元件的第二電極的電位設為(V1-|Vth|)的第二步驟。根據本發(fā)明，提供一種驅動半導體器件的方法，該半導體器件包括：整流元件；電容器裝置；以及開關元件，其特征在于：第一電源的電位V1施加到整流元件的第一電極；整流元件的第二電極電連接到電容器裝置的第一電極和開關元件的第一電極；第二電源的電位V2施加到開關元件的第二電極；以及將具有大于或等于電位V3和小于或等于(V3+電位VData)，或大于或等于(V3-VData)以及小于或等于V3的電位的信號輸入到電容器裝置的第二電極；驅動該半導體器件的方法包括：當整流元件的閾值電壓取為Vth時，使開關元件導通以及將整流元件的第二電極的電位設為V2的第一步驟；使開關元件非導通，使整流元件的電極之間的電壓收斂于閾值電壓Vth以及將整流元件的第二電極的電位設為(V1-|Vth|)的第二步驟；以及將電容器裝置的第二電極的電位改變VData以及將整流元件的第二電極的電位設為(V1-|Vth|±VData)的第三步驟。根據本發(fā)明，提供一種驅動半導體器件的方法，其特征在于：該半導體器件還包括晶體管；以及晶體管的柵電極電連接到整流元件的第二電極。根據本發(fā)明，提供一種驅動半導體器件的方法，該半導體器件包括：具有第一電極和第二電極的第一整流元件；具有第一電極和第二電極的第二整流元件；以及電容器裝置，其特征在于：第一電源的電位V1施加到第一整流元件的第一電極；第一整流元件的第二電極電連接到電容器裝置的第一電極和第二整流元件的第一電極；以及具有大于或等于電位V2以及小于或等于電位V2’的電位的第一信號輸入到第二整流元件的第二電極；驅動該半導體器件的方法包括：當第一整流元件的閾值電壓取為Vth1以及第二整流元件的閾值電壓取為Vth2時，將第二電容器裝置的第二電極電位設為V2以及將第一整流元件的第二電極的電位設為(V2+Vth2)的第一步驟；以及將第二電容器裝置的第二電極電位設為V2’，使第一整流元件的兩個電極之間的電壓收斂于閾值電壓Vth1，以及將第一整流元件的第二電極電位設為(V1-|Vth1|)的第二步驟。根據本發(fā)明，提供一種驅動半導體器件的方法，該半導體器件包括：第一整流元件；第二整流元件；以及電容器裝置，其特征在于：第一電源的電位V1施加到第一整流元件的第一電極；第一整流元件的第二電極電連接到電容器裝置的第一電極和第二整流元件的第一電極；將具有大于或等于電位V2以及小于或等于電位V2’的電位的第一信號輸入到第二整流元件的第二電極；以及具有大于或等于電位V3以及小于或等于(V3+電位VData)，或大于或等于(V3-VData)以及小于或等于V3的電位的第二信號輸入到電容器裝置的第二電極；驅動該半導體器件的方法包括：當第一整流元件的閾值電壓取為Vth1以及第二整流元件的閾值電壓取為Vth2時，將第二電容器裝置的第二電極電位設為V2以及將第一整流元件的第二電極電位設為(V2+Vth2)的第一步驟；以及將第二電容器裝置的第二電極電位設為V’2，使第一整流元件的兩個電極之間的電壓收斂于閾值電壓Vth1，以及將第一整流元件的第二電極電位設為(V1-｜Vth1|)的第二步驟；以及將電容器裝置的第二電極電位改變VData以及將第一整流元件的第二電極的電位設為(V1-|Vth1|±VData)的第三步驟。根據本發(fā)明，提供一種驅動半導體器件的方法，該半導體器件包括：第一整流元件；第二整流元件；以及電容器裝置；其特征在于：第一電源的電位V1施加到第一整流元件的第一電極；第一整流元件的第二電極電連接到電容器裝置的第一電極和第二整流元件的第一電極；以及具有大于或等于電位V2以及小于或等于電位V2’的電位的第一信號輸入到第二整流元件的第二電極；驅動該半導體器件的方法包括：當第一整流元件的閾值電壓取為Vth1以及第二整流元件的閾值電壓取為Vth2時，將第二電容器裝置的第二電極電位設為V2’以及將第一整流元件的第二電極電位設為(V2’-|Vth2|)的第一步驟；以及將第二電容器裝置的第二電極電位設為V2，使第一整流元件的兩個電極之間的電壓收斂于閾值電壓Vth1，以及將第一整流元件的第二電極電位設為(V1+Vth1)的第二步驟。根據本發(fā)明，提供一種驅動半導體器件的方法，該半導體器件包括：第一整流元件；第二整流元件；以及電容器裝置，其特征在于：第一電源的電位V1施加到第一整流元件的第一電極；第一整流元件的第二電極電連接到電容器裝置的第一電極和第二整流元件的第一電極。具有大于或等于電位V2以及小于或等于電位V2’的電位的第一信號輸入到第二整流元件的第二電極；以及具有大于或等于電位V3和小于或等于(V3+電位VData)，或大于或等于(V3-VData)以及小于或等于V3的電位的第二信號輸入到電容器裝置的第二電極；驅動該半導體器件的方法包括：當第一整流元件的閾值電壓取為Vth1以及第二整流元件的閾值電壓取為Vth2時，將第二電容器裝置的第二電極電位設為V2’以及將第一整流元件的第二電極的電位設為(V2’-|Vth2|)的第一步驟；將第二電容器裝置的第二電極電位設為V2，使第一整流元件的兩個電極之間的電壓收斂于閾值電壓Vth1，以及將第一整流元件的第二電極電位設為(V1+Vth1)的第二步驟；以及將電容器裝置的第二電極電位改變VData以及將第一整流元件的第二電極電位設為(V1+Vth1±VData)的第三步驟。根據本發(fā)明，提供一種驅動半導體器件的方法，其特征在于：該半導體器件還包括晶體管；以及晶體管的柵電極電連接到第一整流元件的第二電極。根據本發(fā)明，提供一種驅動半導體器件的方法，其特征在于：整流元件由其柵極和其漏極之間具有連接的晶體管形成；如果在其柵極和其漏極之間具有連接的晶體管是n溝道晶體管那么V1＜V2；以及如果在其柵極和其漏極之間具有連接的晶體管是p溝道晶體管那么V1＞V2。根據本發(fā)明，提供一種驅動半導體器件的方法，其特征在于：第一整流元件由其柵極和其漏極之間具有連接的晶體管形成；如果在其柵極和其漏極之間具有連接的晶體管是n溝道晶體管那么V1＜V2；以及如果在其柵極和其漏極之間具有連接的晶體管是p溝道晶體管那么V1＞V2。附圖說明在附圖中：圖1A和1B是用于說明本發(fā)明的實施方式以及實施方式的工作的示圖；圖2A至2E是用于說明本發(fā)明的實施方式以及實施方式的工作的示圖；圖3A至3E是用于說明本發(fā)明的實施方式以及實施方式的工作的示圖；圖4A至4C是用于說明本發(fā)明的實施方式以及實施方式的工作的示圖；圖5A至5C是用于說明本發(fā)明的實施方式以及實施方式的工作的示圖；圖6A至6C是用于說明本發(fā)明的實施方式以及實施方式的工作的示圖；圖7A至7D是用于說明本發(fā)明的實施方式以及實施方式的工作的示圖；圖8是展示一般發(fā)光器件中的像素結構的示圖；圖9A至9C是用于說明結合數字灰度方法和時間灰度方法的方法圖；圖10A和10B是用于說明能夠校正TFT閾值離散的發(fā)光器件的像素例子以及該發(fā)光器件像素的工作的示圖；圖11A至11F是用于說明能夠校正TFT閾值離散的發(fā)光器件的像素例子以及該發(fā)光器件像素的工作的示圖；圖12A至12C是用于說明本發(fā)明中使用的結合數字灰度方法和時間灰度方法的方法的工作圖；圖13A至13H是展示能夠應用本發(fā)明的電子設備例子的示圖；圖14A至14E是用于說明本發(fā)明的工作原理的示圖；圖15A至15C是發(fā)光器件的上表面圖和剖面圖；圖16A和16B是用于說明本發(fā)明的實施方式以及實施方式的工作的示圖；圖17A至17E是用于說明本發(fā)明的實施方式以及實施方式的工作的示圖；圖18A至18C是用于說明使用模擬信號方法的發(fā)光器件的輪廓圖；圖19A和19B分別展示用于圖18A至18C中的源極信號線驅動器電路和柵極信號線驅動器電路結構的例示圖；圖20A和20B是用于說明使用數字信號方法的發(fā)光器件的輪廓圖；圖21A和21B分別展示用于圖20A至20B中的源極信號線驅動器電路和柵極信號線驅動器電路結構的例示圖；圖22是具有圖1A和1B所示結構的像素布局的例示圖；圖23A和23B是展示使用本發(fā)明的閾值校正原理的電流源電路結構的例示圖；圖24A和24B是展示使用本發(fā)明的閾值校正原理的電流源電路結構的例示圖；圖25A和25B是表示使用本發(fā)明的閾值校正原理的電流源電路結構的例子的示圖；以及圖26A和26B是展示使用本發(fā)明的閾值校正原理的電流源電路結構的例示圖。具體實施方式實施方式1本發(fā)明的實施方式1展示在圖1A中。實施方式1具有源極信號線101、第一柵極信號線102、第二柵極信號線103、TFT104至107、電容器裝置108、EL元件109、復位電源線110、電流源線111以及電源線112。此外，還可以形成用于存儲圖像信號的存儲電容器裝置113。TFT104的柵電極連接到第一柵極信號線102，TFT104的第一電極連接到源極信號線101，TFT104的第二電極連接到電容器裝置108的第一電極。TFT105的柵電極和第一電極彼此連接，且還連接到電容器裝置108的第二電極。TFT105的第二電極連接到復位電源線110。TFT106的柵電極連接到電容器裝置108的第二電極和TFT105的第一電極和柵電極。TFT106的第一電極連接到電流源線111，TFT106的第二電極連接到EL元件109的第一電極。EL元件109的第二電極連接到電源線112，且與電流源線111具有相互電勢差。TFT107的柵電極連接到第二柵極信號線103，TFT107的第一電極連接到源極信號線101，TFT107的第二電極連接到TFT106的柵電極。當形成存儲電容器裝置113時，可以在TFT106的柵電極和可以獲得固定電位的位置之間形成，可以獲得固定電位的位置如電流源線111。圖1B展示了輸入到第一和第二柵極信號線的脈沖時序。使用圖1A和1B以及圖2A至2D說明動作。注意盡管這里使用的結構中TFT104和107是n溝道TFT，TFT105和106是p溝道TFT，但是假若它們起簡單的開關元件作用，TFT104和107可以具有任一極性。復位電源線110的電位是VReset，電流源線111的電位是VDD，VReset＜VDD。源極信號線101的電位最初變?yōu)閂ss(Vss＜VReset)，此外，第二柵極信號線103的電位變?yōu)楦唠娖揭约癟FT107導通。因此TFT105和106的柵電極電位下降。TFT106的柵極和源極之間的電壓很快變得小于閾值，TFT106導通。TFT105的柵極和源極之間的電壓也變得小于閾值，且TFT105也導通(見圖2A)。盡管在圖2A中此時TFT104截止，但是在此期間它也可以導通。當TFT105導通時從復位電源線110到TFT105到TFT107以及到源極信號線101形成電流路徑。因此在TFT105導通之后，第二柵極信號線103變?yōu)榈碗娖角襎FT107截止。同時第一柵極信號線102變?yōu)楦唠娖?，TFT104導通。因此電荷如2B所示移動。TFT105導通，因此TFT105和106的柵電極電位增加。當TFT105的柵極和源極之間的電壓，也就是說，TFT105的源極和漏極之間的電壓變得等于閾值時，由于TFT105的柵極和漏極連接，因此此時TFT105截止。此時TFT105和106的柵電極的電位是(VReset-|Vth|)。但是，關注電容器裝置108，電荷堆積以致電容器裝置108的兩個電極之間的電壓變?yōu)?VReset-|Vth|-Vss)。然后從源極信號線101輸入圖像信號(見圖2C)。源極信號線的電位從Vss改變VData。由于與電容器裝置108電容耦合，TFT105和106的柵電極的電位也改變VData。此時TFT105不導通。下面論述此時VData值的條件。另一方面，TFT106的源極電位是VDD(VDD＞VReset)，TFT106的柵極和源極之間的電壓變?yōu)?VReset-|Vth|+VData-VDD)。對應于TFT106的柵極和源極之間電壓的漏極電流提供給EL元件109，EL元件109發(fā)光(見圖2D)。這里使用圖2E說明復位電源線110的電位VReset、電流源線111的電位VDD、源極信號線101的電位以及圖像信號VData大小之間的關系。首先，固定的電位大小關系遵循Vss＜VReset＜VDD。接下來，考慮TFT105和106的柵電極電位。由于圖2A的初始化，TFT105和106的柵電極電位變?yōu)橛蓤D2E中的符號[1]所示的電位，亦即Vss。在進行閾值存儲期間，TFT105和106的柵電極電位上升，最終達到圖2E中由符號[2]所示的電位，亦即，(VReset-|Vth|)。然后當圖像信號輸入時電位又從符號[2]所示的電位改變VData。在VData是負值的情況下TFT105和106的柵電極電位變得比符號[2]的電位低。也就是說，TFT105的柵極和源極之間的電壓變得低于閾值，TFT105導通，這與先前的條件相反。因此VData必須是正值。由于輸入圖像信號，TFT105和106的電位變?yōu)橛蓤D2E中的符號[3]所示的電位，亦即，(VReset-|Vth|+VData)。而且，如果TFT106的柵電極電位高于VDD-|Vth|，那么TFT106截止，因此圖像信號VData能夠采取的電位值的范圍是由圖2E中的參考標記200表示的范圍。換言之，必需遵循以下關系：0≤VData≤VDD-VReset(優(yōu)選0＜VData≤VDD-VReset以保證TFT105截止)。但是，在灰度0處，亦即，當EL元件109處于完全不發(fā)光狀態(tài)，那么可以應用稍微高于TFT106截止電位的電位，換言之，稍微高于(VDD-VReset)。此時VData越靠近零，TFT106的柵極和源極之間的電壓絕對值越大，因此EL元件109的亮度變得越高。VData變得越大，TFT106的柵極和源極之間的電壓絕對值越小，因此EL元件109的亮度越低。通過在一個屏幕上執(zhí)行上述工作進行圖像顯示。如上所述，本發(fā)明僅通過使用電容器裝置108完成閾值存儲，因此可以精確的進行閾值校正，而沒有電容值離散影響EL元件109中流動的電流值。實施方式2提出一種不同于上述模擬灰度方法的數字灰度方法，僅以兩種狀態(tài)控制EL元件109，一種狀態(tài)具有100％的亮度和另一種狀態(tài)具有0％的亮度，通過使用一個區(qū)，其中TFT閾值等難以影響導通電流。通過該方法僅可以獲得兩種灰度，白色和黑色，因此通過將該方法與時間灰度方法、表面積灰度方法等結合實現多種灰度。術語時間灰度方法指其中通過利用EL元件109發(fā)光的時間差可以實現可見亮度差的方法。該方法的工作將在本說明書的其他部分詳細描述，僅有兩種狀態(tài)的EL元件109，亦即發(fā)光和不發(fā)光，需要與這類驅動方法一起使用。因此圖像信號VData僅需要施加兩種電位，即，高電平和低電平。這里TFT106是p溝道TFT，因此當VData是低電平時EL元件109發(fā)光，當VData是高電平時EL元件109不發(fā)光。根據實施方式1所示的VData的條件，VData電位是在由圖2E中的參考標記200所示的范圍內，且當VData是低電平時能提供盡可能多的電流給EL元件109。此外，還可以使用TFT105沒有導通時的電位。換言之，可以使用等于或稍微大于(VReset-|Vth|)的電位。另一方面，當VData是高電平時可以使用能保證TFT106截止的電位。該情況并不特別需要電位在由參考標記200表示的范圍內。相反，最好輸入由高于參考標記200表示的范圍的電位(例如，VDD等等)。實施方式3其中一些TFT連接不同的例子展示在圖3A中作為第三實施方式。盡管總的來說類似于圖1A所示的結構，但是有一點不同，即TFT307的第一電極連接到TFT304的第二電極，而不是連接到源極信號線。下面圖3B至3E說明工作過程。復位電源線310的電位是VReset，電流源線311的電位是VDD，VReset＜VDD。首先，源極信號線301的電位變?yōu)閂ss(Vss＜VReset)，此外，第一和第二柵極信號線302和303的電位變?yōu)楦唠娖?，同時TFT304和307導通。因此TFT305和306的柵電極電位下降。TFT305的柵極和源極之間的電壓很快變得低于TFT305的閾值，TFT305導通，TFT306的柵極和源極之間的電壓變得低于TFT306的閾值，TFT306也導通(見圖3B)。由于TFT305導通，從復位電源線310到TFT305到TFT307到TFT304以及到源極信號線301形成電流路徑。因此在TFT305和306導通和TFT307截止之后第二柵極信號線303立即變?yōu)榈碗娖?。因此形成如圖3C所示的電荷運動。TFT305導通，因此TFT305和306的柵電極電位上升。這里，TFT305的柵極和漏極連接，因此，當TFT305的柵極和源極之間的電壓，亦即，TFT305的源極和漏極之間的電壓變得等于閾值Vth時，TFT305截止。此時TFT305和306的柵電極電位是(VReset-|Vth|)。但是，關注電容器裝置308，電荷積聚了第二電極的電位改變量。然后從源極信號線301輸入圖像信號(見圖3D)。源極信號線301的電位從Vss改變VData。由于與電容器裝置308電容耦合，TFT305和306的柵電極電位也改變VData。此時TFT305沒有導通。另一方面，TFT306的源極電位是VDD(VDD＞VReset)，TFT306的柵極和源極之間的電壓變?yōu)?VReset-|Vth|+VData-VDD)。對應于TFT306的柵極和源極之間電壓的漏極電流提供給EL元件309，EL元件309發(fā)光(見圖3E)。實施方式4這里說明數字灰度方法和時間灰度方法結合的方法。圖9A所示像素結構是可以用這類方法驅動的一個例子。除開關TFT904、驅動器TFT905之外通過使用擦除TFT906可以精密地控制發(fā)光時間的長度。如圖9B所示，當數字灰度方法和時間灰度方法結合時，一個幀周期被分成多個子幀周期。如圖9C所示，每一子幀周期具有訪問(寫入)期和持續(xù)(發(fā)光)期，此外，如果必要的話還有擦除期。可以使用灰度表示的方法，例如，對應于顯示位數目形成子幀周期數目，每一子幀周期中持續(xù)(發(fā)光)期的長度取為2(n-1)：2(n-2)：…：2∶1。每個持續(xù)(發(fā)光)期選擇EL元件發(fā)光或不發(fā)光，通過利用一個幀周期中EL元件發(fā)光的全部時間長度差值進行灰度表示。公認亮度隨著較長的總發(fā)光期增加，隨著較短的總發(fā)光期減小。圖9B展示4-位灰度例子，且一個幀周期被分成四個子幀周期。通過子幀周期與持續(xù)(發(fā)光)期結合，可以表示24＝16灰度。注意幀周期的劃分數不局限于四個，且還可以進一步將幀周期分為更多子幀周期。而且，并不總要求在灰度期間的持續(xù)(發(fā)光)期的相對長度表示為2(n-1)；2(n-2)：…：2∶1。當通過該方法形成多個灰度時，更少位的持續(xù)(發(fā)光)期長度變得很短，因此持續(xù)(發(fā)光)期完成和下一個訪問期立即開始之后形成一個周期，在該周期中不同的子幀周期的訪問(寫入)期重疊。在此情況下，輸入至某一像素的圖像信號同時還輸入到不同的像素，因此不能執(zhí)行校正顯示。為了解決該問題，形成擦除期，且在圖9B中的Ts3和Ts4之后形成，以便訪問(寫入)期屬于鄰近的子幀周期而不重疊。擦除期不形成在SF1和SF2中，SF1和SF2具有長的持續(xù)(發(fā)光)期且其中不關心屬于相鄰子幀周期的訪問(寫入)期重疊。圖4A展示數字灰度方法和時間灰度方法結合的方法，其中第三柵極信號線414和擦除TFT415加入到實施方式1中所示的像素結構中。擦除TFT415的柵電極連接到第三柵極信號線414，擦除TFT415的第一電極連接到TFT406的柵極信號線，擦除TFT415的第二電極連接到電流源線411。而且，在形成用于存儲圖像信號的存儲電容器裝置413的情況下，存儲電容器裝置可以在TFT406的柵電極和可以獲得固定電位的位置之間形成。在圖4A至4C中，存儲電容器裝置413形成在TFT406的柵電極和電流源線411之間，但是，它也可以在例如TFT406的柵電極和上一級柵極信號線之間形成。而且，它也可以在TFT404的第二電極和固定電位例如電流源線411之間形成，且如果希望存儲電容更大也可以都形成。從初始化到圖像信號的輸入以及到發(fā)光的工作類似于實施方式1中提供的說明。注意在初始化、圖像信號輸入以及持續(xù)(發(fā)光)期過程中擦除TFT415截止。這里使用圖4A至4C、圖12A到12C說明從持續(xù)(發(fā)光)期到擦除期的工作。圖12A類似于圖9B所示的示圖，一個幀周期具有四個子幀周期。如圖12B所示，具有短的持續(xù)(發(fā)光)期的子幀周期SF3和SF4每個都具有擦除期Te3和Te4。這里取持續(xù)期SF3的過程中的工作作為說明的例子。在圖像信號的輸入完成之后，對應于TFT406的柵極和源極之間電壓的電流流入EL元件409，如圖4B所示。然后當相應的持續(xù)(發(fā)光)期時間完成時脈沖輸入到第三柵極信號線414，第三柵極信號線416變?yōu)楦唠娖剑琓FT415導通。TFT406的柵極和源極之間的電壓為零，如圖4C所示。因此通過該工作TFT406截止，流入EL元件409的電流被切斷。因此EL元件409被迫變?yōu)椴话l(fā)光狀態(tài)。用于這些工作的時序展示在圖12C中。進行初始化、存儲閾值以及寫入圖像信號的時間均包含在訪問(寫入)期中。持續(xù)(發(fā)光)期之后脈沖輸入至第三柵極信號線414，EL元件409變?yōu)椴话l(fā)光，直到當下一個脈沖輸入到第二柵極信號線403以及初始化開始之后擦除期開始。實施方式5在實施方式5中使用圖5A到5C說明使用不同于實施方式4的結構執(zhí)行擦除工作的例子。圖5A展示了類似實施方式4的具有擦除TFT415的結構。但是，盡管在實施方式4中TFT415的第一電極連接到TFT406的柵電極，也就是連接到的電容器裝置408的第二電極，但是在圖5中TFT415的第一電極連接到電容器408的第一電極。如圖5B所示在完成圖像信號的輸入之后，對應于TFT406的柵極和源極之間電壓的電流流入EL元件409。然后當相應的持續(xù)(發(fā)光)期完成的時間到達時，一個脈沖輸入到第三柵極信號線414，變?yōu)楦唠娖剑琓FT415導通。如圖5C所示，電容器裝置408的第一電極的電位變?yōu)閂DD。因此TFT406的柵電極電位變得高于VDD，因此柵極和源極之間的電壓為正值。因此通過該工作TFT406截止，流到EL元件409的電流被切斷，EL元件409被迫變?yōu)椴话l(fā)光狀態(tài)。擦除期的過程中工作是這樣：通過使TFT406的柵極和源極之間的電壓為TFT406截止的電壓，切斷流到EL元件409的電流，TFT406起驅動器TFT的作用以便提供電流到EL元件409。只要工作基于該原理，并不限于擦除TFT415的放置。實施方式6在實施方式4和5的擦除期過程中的工作是這樣：通過使TFT406的柵極和源極之間的電壓為TFT406截止的電壓，切斷流到EL元件409的電流，TFT406起驅動器TFT的作用以便提供電流到EL元件409。圖6A展示了使用另一方法的例子。在實施方式4和5中擦除TFT415形成在電流源線411和TFT406的柵電極之間，或形成在電流源線411和電容器裝置408的第一電極之間。但是，在實施方式6中擦除TFT415形成在TFT406和EL元件409之間。亦即，用實施方式6的方法TFT增加到從電流源線到TFT406和到EL元件409的路徑的任一位置處，且通過將該TFT截止切斷到EL元件409的電流供應。初始化、圖像信號的輸入以及發(fā)光類似于實施方式4和5。但是，擦除TFT415僅在持續(xù)(發(fā)光)期導通，且電流如圖6B所示流動。在初始化、圖像信號的輸入以及擦除期過程中TFT415截止，流到EL元件409的電流被切斷。下面說明實施方式6與實施方式4和5之間工作的不同之處。在實施方式4和5中通過將擦除TFT415導通一次，控制TFT406的柵極和源極之間的電壓，因此該工作執(zhí)行之后EL元件409不發(fā)光，直到下一個圖像信號寫入。因此，在擦除期開始時輸入到第三柵極信號線414的脈沖可以是短脈沖輸入，如圖12C所示。但是，在實施方式6中，在整個持續(xù)(發(fā)光)期擦除TFT415必需導通，且因此每一子幀周期必需輸入脈沖到第三柵極信號線415，脈沖長度等于持續(xù)(發(fā)光)期。而且，在實施方式4、5以及6中盡管擦除TFT415使用n溝道TFT，但是在實施方式6中對極性沒有特別的限制因為擦除TFT415僅起開關元件的作用。實施方式7在實施方式1至6中在圖像信號輸入之前通過使用某一TFT進行初始化工作。具體地，獲得在柵電極和漏電極之間具有連接的TFT的源極和漏極之間出現的閾值。相反，在圖7A中用二極管713替代TFT。二極管713的第一電極連接到TFT706的柵電極，二極管713的第二電極連接到第二柵極信號線703。而且，如果為了存儲圖像信號形成電容器裝置712，那么電容器裝置可以在TFT706的柵電極和可以獲得固定電位的位置之間形成，可以獲得固定電位的位置如電流源線710。而且，電容器裝置712也可以在TFT704的第二電極和可以獲得固定電位的位置之間形成，可以獲得固定電位的位置如電流源線710。如果想要大的存儲電容值也可以在兩個位置都形成。只有初始化過程中的工作不同于實施方式1。這里省略有關圖像信號的輸入、發(fā)光工作的說明。用圖7B說明初始化工作。首先，第二柵極信號線703的電位設為高電平(例如，VDD)。在初始化時如果第二柵極信號線702的電位設為低電平(例如，Vss)那么施加正向偏壓到二極管713。如圖7B所示從具有高電位的結點到具有低電位的結點形成電流，TFT705的柵電極電位和TFT706的柵電極電位下降。TFT705的柵極和源極之間的電壓很快變得小于閾值電壓，TFT705導通。此后，TFT706的柵極和源極之間的電壓也變得小于閾值電壓，TFT706也導通。此時完成初始化，第二柵極信號線703的電位再一次變?yōu)楦唠娖?。此時反向偏壓施加到二極管713，在進行圖像信號輸入和發(fā)光工作期間電流不流動。然后類似實施方式1，對應于輸入圖像信號的電流流入EL元件708，EL元件708發(fā)光。圖7C展示了形成電容器裝置714替代二極管713的例子。電容器裝置714的第一電極連接到TFT706的柵電極，電容器裝置714的第二電極連接到第二柵極信號線703。在此情況下，工作類似于圖7B所示。首先，第二柵極信號線703的電位設為高電平，在初始化時第二柵極信號線703的電位設為低電平。此時TFT705截止，因此由于與電容器裝置714電容耦合TFT705和706的柵電極電位下降。TFT705的柵極和源極之間的電壓很快變得小于閾值電壓，TFT705導通。然后，TFT706的柵極和源極之間的電壓變得小于閾值電壓，TFT706也導通。然后TFT704導通，執(zhí)行圖像信號的輸入。此時，第二柵極信號線703是低電平，但是，在圖像信號輸入期間也可以設為高電平。然后，類似實施方式1，對應于輸入圖像信號的電流流入EL元件708，EL元件708發(fā)光。實施方式8通過構造在襯底中的TFT等形成的具有集成地形成的像素部分和周邊電路的顯示器件具有小尺寸和輕重量的優(yōu)點。但是，它們的制造工藝復雜，例如通過重復地進行成膜和腐蝕以及添加用于給予半導體層導電性的雜質元素形成元件。特別，在p溝道TFT和n溝道TFT之間添加雜質元素的工序不同，造成工序的進一步增加。通過使用具有單一極性的TFT構成像素部分和周邊電路可以部分省略添加雜質元素的工藝。不僅因此可以減少工藝，而且還可以減少光掩模數目。使用具有單一極性類型的TFT結構的例子是由本發(fā)明的申請人申請的日本專利申請?zhí)?001-348032中公開的結構。在該結構中僅使用具有高場效應遷移率的n溝道TFT，此外，在該結構中即使EL元件退化，也不易發(fā)生亮度下降。在實施方式8中通過將上述工藝與本發(fā)明結合說明具有兩個優(yōu)點的結構，在該結構中亮度跟隨EL元件退化而下降受到控制，以及在該結構中可以校正TFT閾值離散。圖16A展示了示例結構。該結構具有源極信號線1601、第一柵極信號線1602、第二柵極信號線1603、第三柵極信號線1604、TFT1605至1609、電容器裝置1610和1611、EL元件1612、復位電源線1613、電流源線1614以及電源線1615和1616。如果形成存儲電容器裝置1617，存儲電容器裝置可以在TFT1607的柵電極和可以獲得固定電位的位置之間形成，該位置如電流源線1614。TFT1605的柵電極連接到第一柵極信號線1602，TFT1605的第一電極連接到源極信號線1601以及TFT1605的第二電極連接到電容器裝置1610的第一電極。TFT1606的柵電極和第一電極彼此連接，然后連接到電容器裝置1610的第二電極。TFT1606的第二電極連接到復位電源線1613。TFT1607的柵電極連接到TFT1606的柵電極和第一電極。TFT1607的第一電極連接到電流源線1614，TFT1607的第二電極連接到EL元件1612的第一電極(陽極)。TFT1608的柵電極連接到第二柵極信號線1603，TFT1608的第一電極連接到源極信號線1601以及TFT1608的第二電極連接到TFT1606和1607的柵電極。TFT1609的柵電極連接到第三柵極信號線1604，TFT1609的第一電極連接到電源線1616以及TFT1609的第二電極連接到EL元件1612的第一電極(陽極)。EL元件1612的第二電極(陰極)連接到電源線1615。電容器裝置1611的第一電極連接到TFT1605的第二電極，電容器裝置1611的第二電極連接到EL元件1612的第一電極(陽極)。接下來圖16B和圖17A至17E說明工作。圖16B中展示了將脈沖輸入到第一至第三柵極信號線1602至1604和將圖像信號輸入到源極信號線1601的時序圖。在由符號“V”表示的時刻和預定電位輸入圖像信號。復位電源線1613的電位是VReset，電流源線1614的電位是VDD，電源線1615的電位是VC以及電源線1616的電位是VSS，VSS＜VC＜VDD＜VReset。首先，將源極信號線1601的電位設為VX(VX＞VReset)。然后第二柵極信號線1603和第三柵極信號線1604變?yōu)楦唠娖剑琓FT1608和1609都導通，如圖17A所示，形成電流，TFT1606和1607的柵電極電位上升。TFT1606的柵極和源極之間的電壓很快變得超過閾值，TFT1606導通。此外，TFT1607的柵極和源極之間的電壓變得超過閾值電壓，TFT1607導通。因此通過上述工作完成初始化。初始化完成之后第二柵極信號線立即變?yōu)榈碗娖剑琓FT1608截止。因此TFT1606和1607的柵電極電位開始下降。當電位變?yōu)?VResct+Vth)時，也就是說當TFT1606的柵極和源極之間的電壓變?yōu)榈扔陂撝禃r，TFT1606截止。因此在電容器裝置1610的兩個電極之間形成電勢差，且該電勢差被存儲。另一方面，此時TFT1607的柵極和源極之間的電壓變得超過閾值，因此TFT1607導通。TFT1609也導通，因此如圖17B所示，電流在從電流源線1614到TFT1607到TFT1609和到電源線1616的路徑內流動。此時電流不流入EL元件1612，因為VSS＜VC。因此，EL元件1612不發(fā)光。接著開始圖像信號的輸入。具有預定電位的圖像信號輸入到源極信號線1601，該電位固定為電位VX，且源極信號線1601的電位變?yōu)?VX-VData)。TFT1606的柵極和源極之間的電壓變得小于閾值，TFT保持截止。另一方面，TFT1607的柵極和源極之間的電壓變?yōu)?VReset+Vth-VData-VDD)，以及對應于該電壓的漏極電流流動(見圖17C)。當圖像信號的輸入完成時第一柵極信號線1602變?yōu)榈碗娖?，TFT1605截止。然后第三柵極信號線1604變?yōu)楦唠娖?，TFT1609截止。因此在TFT1607中流動的電流流入EL元件1612，EL元件發(fā)光(見圖17D)。這里使用圖17E說明復位電源線1613的電位VReset、電流源線1614的電位VDD、源極信號線1601的電位以及圖像信號VData的大小之間的關系。考慮TFT1606和1607的柵電極電位。由于圖17A的初始化，TFT1606和1607的柵電極的電位變?yōu)橛蓤D17E中的符號[1]表示的電位。亦即，電位變?yōu)閂X。在執(zhí)行閾值的存儲期間TFT1606和1607的柵電極電位下降，最終變?yōu)橛蓤D17E中的符號[2]表示的電位。亦即，電位變?yōu)?VReset+|Vth|)。隨后，當圖像信號輸入時，TFT1606和1607的柵電極電位從符號[2]的電位進一步改變VData。在該變化是正的情況下TFT1606和1607的柵電極電位變得高于符號[2]的電位。也就是說，TFT1606的柵極和源極之間的電壓變得高于閾值電壓，TFT1606導通，這與先前的條件相反。因此需要將圖像信號變?yōu)樨撝怠Ｓ捎趫D像信號的輸入，TFT1606和1607的電位變?yōu)橛蓤D17E中的符號[3]表示的電位。亦即，電位變?yōu)?VReset+|Vth|-VData)。而且，TFT1607的柵電極電位變得低于VDD+|Vth|，TFT1607截止，因此可以獲得的圖像信號VData的電位范圍由圖17E中的參考標記1700表示。亦即，要求0≤VData≤VReset-VDD(為了保證TFT1606截止，優(yōu)選0＜VData≤VReset-VDD)。但是，零灰度時，也就是當EL元件1612處于不發(fā)光狀態(tài)時，也可以施加稍微大于(VReset-VDD)的電位作為VData以保證TFT1607截止。此時VData越靠近零，TFT1607的柵極和源極之間的電壓絕對值變得越高，因此EL元件1612的亮度變得越高。VData變得越大，TFT1607的柵極和源極之間的電壓絕對值越小，因此EL元件1612的亮度變得越低。上述說明給出了由模擬灰度方法執(zhí)行顯示的例子，但是類似于實施方式2公開的通過數字灰度顯示的方法也類似。而且，當使用時間灰度方法時實施方式8容易與其中形成擦除TFT的結構結合。實施例此后，將描述本發(fā)明的實施例。實施例1在該實施例中，將描述發(fā)光器件結構，其中模擬視頻信號用作用于顯示的視頻信號。圖18A中展示了發(fā)光器件的結構實例。該器件具有像素部分1802，其中多個像素以矩陣形式排列在襯底1801上，以及具有環(huán)繞像素部分的源極信號線驅動器電路1803和第一和第二柵極信號線驅動器電路1804和1805。在圖18A中，使用兩對柵極信號線驅動器電路，控制第一和第二柵極信號線。通過柔哇印刷電路(FPC)1806從外部提供輸入到源極信號線驅動器電路1803、第一和第二柵極信號線驅動器電路1804和1805的信號。圖18B展示了源極信號線驅動器電路的結構實例。也就是用于顯示的視頻信號用的模擬視頻信號的源極信號線驅動器電路，該電路具有移位寄存器1811、緩沖器1812以及采樣電路1813。沒有特別展示，但是如果需要可以增加電平移位器。下面描述源極信號線驅動器電路的工作。圖19A展示了更詳細的結構，因此參考該圖。移位寄存器1901由多個觸發(fā)電路(FF)1902形成，時鐘信號(S-CLK)、時鐘反轉信號(S-CLKb)以及啟動脈沖(S-SP)輸入移位寄存器1901。響應這些信號的期間，連續(xù)地輸出采樣脈沖。從移位寄存器1901輸出的采樣脈沖通過緩存器1903等并放大，然后輸入到采樣電路。采樣電路1904由多個采樣開關(SW)1905形成，該采樣電路根據輸入的采樣脈沖的時間采樣某一列中的視頻信號。更具體地說，當采樣脈沖輸入到采樣開關時，采樣開關1905導通。此時由視頻信號保持的電位通過采樣開關輸出到各自的源極信號線。接著，描述柵極信號線驅動器電路的工作。圖19B展示了圖18C所示的第一和第二柵極信號線驅動器電路1804和1805的更詳細結構。第一柵極信號線驅動器電路具有移位寄存器電路1911和緩沖器1912，緩沖器被驅動，響應時鐘信號(G-CLK1)、時鐘反轉信號(G-CLKb1)以及啟動脈沖(G-SP1)。第二柵極信號線驅動器電路2405可以具有相同的結構。從移位寄存器到緩沖器的工作與源極信號線驅動器電路中一樣。被緩沖器放大的選擇脈沖選擇各自的柵極信號線。第一柵極信號線驅動器電路連續(xù)地選擇第一柵極信號線G11、G21、...以及Gm1，第二柵極信號線驅動器電路連續(xù)地選擇第二柵極信號線G12、G22、...Gm2。第三柵極信號線驅動器電路(沒有示出)與第一和第二柵極信號線驅動器電路一樣連續(xù)地選擇第三柵極信號線G13、G23、...Gm3。在選定的行中，根據在實施方式所描述的過程視頻信號寫入像素以發(fā)光。注意，這里展示了由多個D-型觸發(fā)器形成的移位寄存器作為一個例子。但是，通過解碼器等選擇信號線的結構也可以。實施例2在該實施例中，將描述發(fā)光器件的結構，其中數字視頻信號用作用于顯示的視頻信號。圖20A展示了發(fā)光器件的結構實例。該器件具有像素部分2002，其中多個像素以矩陣形式排列在襯底2001上，以及具有環(huán)繞像素部分的源極信號線驅動器電路2003和第一和第二柵極信號線驅動器電路2004和2005。在圖20A中，使用兩對柵極信號線驅動器電路控制第一和第二柵極信號線。通過柔性印刷電路(FPC)2006從外部提供輸入到源極信號線驅動器電路2003、第一和第二柵極信號線驅動器電路2004和2005的信號。圖20B展示了源極信號線驅動器電路的結構實例。也就是用于顯示的視頻信號用的數字視頻信號的源極信號線驅動器電路，該電路具有移位寄存器2011、第一鎖存電路2012、第二鎖存電路2013和D/A轉換器電路2014。圖中沒有特別展示，但是如果需要可以增加電平移位器。第一和第二柵極信號線驅動器電路2004和2005可以與實施例1中所示的一樣，因此這里省略圖示和描述。下面描述源極信號線驅動器電路的工作。圖21A展示了更詳細的結構，因此參考該圖。移位寄存器2101由多個觸發(fā)電路(FF)2110等形成時鐘信號(S-CLK)、時鐘反轉信號(S-CLKb)以及啟動脈沖(S-SP)輸入到移位寄存器2101。在響應這些信號的時間連續(xù)地輸出采樣脈沖。從移位寄存器2101輸出的采樣脈沖輸入到第一鎖存電路2102。數字視頻信號輸入第一鎖存電路2102。響應于采樣脈沖輸入時間，在每一階段保持數字視頻信號。這里，數字視頻信號通過三個位輸入。每一位的視頻信號保持在各自的第一鎖存電路中。這里，三個第一鎖存電路通過一個采樣脈沖并行工作。在水平回掃期，當第一鎖存電路2102完成保持數字視頻信號直到最后階段時，鎖存脈沖輸入到第二鎖存電路2103，保持在第一鎖存電路2102中的數字視頻信號立刻全部傳送到第二鎖存電路2103。之后，保持在第二鎖存電路2103中的一行數字視頻信號同時輸入到D/A轉換器電路2104。保持在第二鎖存電路2103中的數字視頻信號輸入到D/A轉換器電路2104的同時，移位寄存器2101再次輸出采樣脈沖。此后，重復該工作以處理一幀視頻信號。D/A轉換器電路2104將輸入的數字視頻信號從數字轉變?yōu)槟M并輸出它們到源極信號線作為具有模擬電壓的視頻信號。在一個水平周期的整個階段進行如上所述的工作。因此，視頻信號輸出到整個源極信號線。注意，如實施例1所述，使用解碼器等代替移位寄存器，以便選擇信號線的結構也是可接受的。實施例3在實施例2中，數字視頻信號通過D/A轉換電路進行數字-模擬轉換并寫入像素。本發(fā)明的發(fā)光器件還可以通過時間灰度法進行灰度顯示。在此情況下，如圖21B所示，不需要D/A轉換電路且根據EL元件的發(fā)光時間長度控制灰度顯示。因此，不需要并行處理各個位的視頻信號以致第一和第二鎖存電路每一個可以具有一個位。此時，就數字視頻信號而言，每個位被串行輸入，連續(xù)地保持在鎖存電路中，并寫入像素。當然，可以并行提供所需位的數目的鎖存電路。實施例4在該實施例中，使用圖15A至15C描述制造根據本發(fā)明制造的發(fā)光器件的例子。圖15A是通過將元件襯底密封制造的發(fā)光器件的俯視圖，其中TFT形成有密封件。圖15B是沿圖15A的A-A’線的剖視圖。圖15C是沿圖15A的B-B’線的剖視圖。提供密封部件4009以包圍像素部分4002、在襯底4001上提供的源極信號線驅動器電路4003、第一和第二柵極信號線驅動器電路4004a和4004b。此外，在像素部分4002、源極信號線驅動器電路4003以及第一和第二柵極信號線驅動器電路4004a和4004b上提供密封件4008。因此，像素部分4002、源極信號線驅動器電路4003、第一和第二柵極信號線驅動器電路4004a和4004b用襯底4001、密封件4009和密封件4008密封并用填充劑4210填充。同樣，在襯底4001上提供像素部分4002、源極信號線驅動器電路4003、第一和第二柵極信號線驅動器電路4004a和4004b，每個都具有多個TFT。在圖15B中，典型地展示了形成在基膜4010上的TFT4201和TFT4202，TFT4201(注意這里展示了n溝道TFT和p溝道TFT)包括在源極信號線驅動器電路4003中，TFT4202包括在像素部分4002中。中間絕緣膜(平整膜)4301形成在TFT4201和4202上，像素電極(陽極)4203電連接到形成其上的TFT4202的漏極。具有大的功函數的透明導電膜用作像素電極4203。氧化銦和氧化錫的化合物、氧化銦和氧化鋅、氧化鋅、氧化錫、或氧化銦的化合物可以用于透明導電膜。此外，可以使用添加鎵的透明導電膜。絕緣膜4302形成在像素電極4203上。在像素電極4203上的絕緣膜4302中形成開口部分。在開口部分，有機發(fā)光層4204形成在像素電極4203上。已知的有機發(fā)光材料或無機發(fā)光材料可以用作有機發(fā)光層4204。此外，有機發(fā)光材料包括低分子量基(單體系)材料和高分子量基(聚合體系)材料，任一材料都可以使用。優(yōu)選使用已知的蒸發(fā)技術或涂覆方法技術作為形成有機發(fā)光層4204的方法。此外，優(yōu)選使用通過自由地結合空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及電子注入層獲得的層疊結構或單層結構作為有機發(fā)光層的結構。由具有光屏蔽性能的導電薄膜(典型地，主要包含鋁、銅或銀的導電薄膜或該導電薄膜與另一導電薄膜的層疊薄膜)制造的陰極4205形成在有機發(fā)光層4204上。此外，希望存在于陰極4205和有機發(fā)光層4204之間界面的濕氣和氧氣最小。因此，設計要求在氮氣氣氛或惰性氣氛中形成有機發(fā)光層4204且陰極4205在不暴露于氧氣和濕氣的條件下形成。在該實施例中，可以使用多室型(簇工具型)成膜裝置形成上述薄膜。預定的電壓提供給陰極4205。通過上述步驟，形成由像素電極(陽極)4203、有機發(fā)光層4204以及陰極4205組成的發(fā)光元件4303。保護膜4209形成在絕緣膜4302上以便覆蓋發(fā)光元件4303。保護膜4209有效的防止氧氣、濕氣等滲透發(fā)光元件4303。參考標記4005a指連接電源的引線，該引線連接TFT4202的第一電極。引線4005a通過密封部件4009和襯底4001之間，并通過各向異性導電薄膜4300與FPC4306的FPC布線4301電連接。玻璃材料、金屬部件(典型地，不銹部件)、陶瓷部件、塑料部件(包括塑料膜)可以用作密封件4008。FRP(玻璃纖維增強塑料)板、PVF(聚氟乙烯)薄膜、Mylar薄膜、聚酯薄膜或丙烯酸樹脂薄膜可以用作塑料部件。此外，可以使用具有這樣一種結構的薄片，其中PVF薄膜和Mylar薄膜之間夾入鋁箔。注意，要求覆蓋部件是透明的，以便發(fā)光元件產生的光通過覆蓋部件側發(fā)射出。在此情況下，使用透明材料例如玻璃片、塑料片、聚酯薄膜或丙烯酸薄膜。同樣，除惰性氣體例如氮氣或氬氣之外，紫外線固化樹脂或熱固性樹脂可以用作填充劑4103?？梢允褂肞VC(聚氯乙烯)、丙烯酸、聚酰亞胺、環(huán)氧樹脂、硅樹酯、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)或EVA(乙烯-乙酸乙烯共聚物)。在該實施例中，氮氣用作填充劑。同樣，為了使填充劑4103暴露于吸濕性材料(優(yōu)選氧化鋇)或能夠吸收氧氣的材料，在襯底4001側的密封件4008的表面提供凹部4007，放置由4207表示的吸濕性材料或能夠吸收氧氣的材料。為了防止具有吸濕性或能夠吸收氧氣的材料4207揮發(fā)，通過凹的覆蓋件4208將具有吸濕性或能夠吸收氧氣的材料4207容納在凹部4007中。注意以細篩形式形成凹的覆蓋件4208，這樣構造凹的覆蓋件，以致它透過空氣和濕氣但是不透過具有吸濕性或能夠吸收氧氣的材料4207。當提供具有吸濕性或能夠吸收氧氣的材料4207時，可以抑制發(fā)光元件4303的退化。如圖15C所示，導電薄膜4203a形成在引線4005a上以致與像素電極4203接觸形成的同時與引線4005a接觸。同樣，各向異性導電薄膜4300具有導電填料4300a。當通過熱壓使襯底4001和FPC4006彼此鍵合時，位于襯底4001上的導電薄膜4203a和位于FPC4006上的FPC線4301通過導電填料4300a互相電連接。實施例5參考圖22說明通過使用圖1A所示結構實際制造像素的例子。由虛線框2200圍繞的部分表示一個像素。其他的圖號與圖1A所指的相同。通過使用與形成柵電極同樣的層材料形成源極信號線101、復位電源線110以及電流源線111。通過使用布線材料形成第一和第二柵極信號線102和103。這里，像素電極120用作透明電極，并連接TFT106的漏電極。像素電極120和TFT106的漏電極借助于直接重疊形成像素電極120的透明導電薄膜和布線材料彼此接觸而不通過接觸孔。當然，別的方法也可以用來使TFT106的漏電極和像素電極120接觸。盡管電容器件108和保持電容器件113在柵極材料和布線材料之間形成，但是不特別限于該類型。為了便于圖示，沒有圖示TFT104至107的溝道長度L和溝道寬度W對應的實際尺寸。L和W的希望尺寸可以由設計階段和各個TFT的不同尺寸決定。實施例6發(fā)光器件使用自發(fā)光型發(fā)光元件。因此，這種發(fā)光器件與液晶顯示器相比較在光位置和寬視角方面具有高的能見度。因此，它可以用作各種電子設備的顯示部分。至于使用本發(fā)明的發(fā)光器件的電子設備，可以是攝像機、數碼相機、護目鏡型顯示器(頭戴式顯示器)、導航系統、還音器件(汽車音頻系統、音頻構件系統等)、膝上型計算機、游戲機、便攜式信息終端(便攜式電腦、移動電話、便攜式游戲機、電子圖書等)、包括記錄介質的圖像再現裝置(具體地，用于從記錄介質例如數字通用磁盤(DVD)再現圖像的裝置)它包含能夠顯示圖像的顯示器)等。特別，在便攜式信息終端情況下，在很多場合從傾斜的方向觀看屏幕，重要的是視角大。因此，希望使用發(fā)光器件。那些電子設備的具體例子展示在圖13A至13H中。圖13A展示了包括機箱3001、支撐基座3002、顯示部分3003、揚聲器部分3004以及視頻輸入端子3005的發(fā)光元件顯示器件。本發(fā)明的發(fā)光器件可用于顯示部分3003。發(fā)光器件是自發(fā)光型，因此不需要背景光。由此，可以獲得比液晶顯示器更薄的顯示部分。注意發(fā)光元件顯示器件包括用于信息顯示的所有顯示器件，例如個人電腦、TV廣播接收、以及廣告顯示。圖13B是數字靜止照相機，由主體3101、顯示部分3102、圖像接收部分3103、工作鍵3104、外接端口3105、快門3106等組成。本發(fā)明的發(fā)光器件可用于顯示部分3102。圖13C是膝上型計算機，由主體3201、框架3202、顯示部分3203、鍵盤3204、外接端口3205、指針式鼠標3206等組成。本發(fā)明的發(fā)光器件可用于顯示部分3203。圖13D是便攜式電腦，由主體3301、顯示部分3302、開關3303、工作鍵3304、紅外線端口3305等組成。本發(fā)明的發(fā)光器件可用于顯示部分3302。圖13E是配備有記錄介質(具體地，DVD播放器)的便攜式圖像再現器件，由主體3401、、框架3402、顯示部分A3403、顯示部分B3404、記錄介質(例如DVD)讀入部分3405、工作鍵3406、揚聲器部分3407等組成。顯示部分A3403主要顯示圖像信息，顯示部分B3404主要顯示字符信息，本發(fā)明的發(fā)光裝置可用于顯示部分A3403和顯示部分B3404。注意家庭游戲機等被歸入這類提供有記錄介質的圖像再現器件。圖13F是護目鏡型顯示器件(頭戴式顯示器)，由主體3501、顯示部分3502以及支架部分3503組成。本發(fā)明的發(fā)光器件可用于顯示部分3502。圖13G是攝像機，由主體3601、顯示部分3602、框架3603、外接端口3604、遙控接收部分3605、圖像接收部分3606、電池3607、音頻輸入部分3608、工作鍵3609等組成。本發(fā)明的發(fā)光器件可用于顯示部分3602。圖13H是移動電話，由主體3701、框架3702、顯示部分3703、音頻輸入部分3704、音頻輸出部分3705、工作鍵3706、外接端口3707、天線3708等組成。本發(fā)明的發(fā)光器件可用于顯示部分3703。注意在顯示部分3703中白色字符顯示在黑色背景上，因此可以抑制移動電話的能量消耗。注意，在將來當有機發(fā)光材料的發(fā)光強度增加時，它可用于放大和投影由透鏡等輸出的包括圖像信息的光的正面型或背面型的投影儀。同樣，在上述電子設備中，顯示通過電子通信線路例如因特網或CATV(有線電視)分布信息的數目增加。特別，顯示運動圖像信息的機會增加。有機發(fā)光材料的響應速度非?？臁Ｒ虼税l(fā)光器件優(yōu)選用于運動圖像顯示。同樣，就發(fā)光裝置而言，電源消耗在發(fā)光部分。因此，希望顯示信息使得發(fā)光部分的面積最小化。由此，當發(fā)光器件用作便攜式信息終端的顯示部分時，特別是移動電話或主要顯示字符信息的音頻再現裝置時，希望驅動發(fā)光器件以便用不發(fā)光部分作為背景并在發(fā)光部分產生字符信息。如上所述，本發(fā)明的應用領域是極其寬且該發(fā)光器件可用于所有領域的電子設備。此外，具有實施例1至7所述任一結構的發(fā)光器件可用于本實施例的電子設備。實施例7一種現象用于本發(fā)明中作為校正晶體管閾值的方法，通過使晶體管的柵極和漏極短路，以及讓電流在該二極管狀態(tài)的源極和漏極之間流動，因此使源極和漏極之間的電壓等于閾值。如本發(fā)明介紹也可以應用該現象到驅動電路以及像素部分。驅動電路中用于輸出電流到像素等的電流源電路可以給作一個例子。電流源電路是根據輸入電壓信號輸出預定電流量的電路。電壓信號輸入到電流源電路中的電流源晶體管的柵電極，通過電流源晶體管輸出對應于柵極和源極之間電壓的電流。亦即，使用本發(fā)明的校正閾值的方法校正電流源晶體管的閾值。利用電流源電路的例子展示在圖23A中。采樣脈沖順序從移位寄存器輸出，且每一采樣脈沖輸入電流源電路9001。在對應于采樣脈沖輸入電流源電路9001的時間執(zhí)行圖像信號的采樣。在此情況下以點順序方式完成采樣工作。圖23B展示了簡單的工作時間。用于選擇第i柵極信號線的周期分為執(zhí)行圖像信號的采樣期和回掃期，在采樣期中采樣脈沖從移位寄存器輸出。在回掃期進行本發(fā)明的閾值校正工作。亦即，順序地執(zhí)行初始化每一部分電位的工作和獲得晶體管閾值電壓的工作。換言之，每一單個的水平周期可以執(zhí)行獲得閾值的工作。圖24A中展示了用于輸出電流到像素的驅動電路結構，但是不同于圖23A和23B的結構。與圖23A和23B中由單階段采樣脈沖控制的電流源電路9001不同，在圖24中變成兩個電流源電路9001A和9001B，且通過電流源控制信號選擇兩者工作。如圖24B所示，例如，每個水平周期電流源控制信號可以變化。因此執(zhí)行電流源電路9001A和9001B的工作，以便兩個電路之一將電流輸出到像素等，同時另一個電路執(zhí)行圖像信號的輸入。這些工作在每一行被切換。因此，在此情況下，采樣工作以線性連續(xù)的方式進行。具有另一不同結構的驅動電路展示在圖25A中。在圖23A和23B、圖24A和24B中圖像信號類型可以是數字或模擬，但是在圖25A的結構中輸入數字圖像信號。由第一鎖存電路根據采樣脈沖的輸出接收輸入數字圖像信號，且一行圖像信號的輸入完成之后傳送到第二鎖存電路。之后，輸入到電流源電路9001A和9001B以及電流源電路9001C。由電流源電路9001A至9001C輸出的電流值量不同。例如：電流值的比變?yōu)?∶2∶4。也就是說，可以并行處理n個電流源電路，電路的電流值的比可以設為1∶2∶4∶…∶2(n-1)，通過結合從每一電流源電路輸出的電流，電流值輸出量可以線性地變化。工作時間幾乎與圖23A和23B所示的相同。在不執(zhí)行采樣工作的回掃期在電流源電路9001中執(zhí)行閾值校正，傳送存儲在鎖存電路中的數據，在電流源電路9001中執(zhí)行V-I轉換以及將電流輸出到像素。類似于圖24A和24B所示的結構，以線性連續(xù)的方式執(zhí)行采樣工作。用于輸出電流到像素等的另一驅動電路結構展示在圖26A中。由鎖存電路接收的數字圖像信號用該結構通過鎖存信號的輸入傳送到D/A轉換器電路，數字圖像信號變?yōu)槟M圖像信號。模擬圖像信號輸入到每個電流源電路9001，電流源電路9001輸出電流。而且，其他功能也可能給予這類D/A轉換器電路，例如圖像灰度校正。如圖26B所示，在回掃期內執(zhí)行閾值校正和鎖存數據傳送。在執(zhí)行下一行的采樣工作期執(zhí)行某一行的V-I轉換和電流輸出到像素等。類似于圖24A和24B所示的結構，以線性連續(xù)的方式執(zhí)行采樣工作。本發(fā)明不局限于上述結構，可以將本發(fā)明的閾值校正方法應用到通過使用電流源電路執(zhí)行V-I校正的情況。而且，與圖24A和24B所示結構一樣，其中多個電流源電路并行處理和通過電路之間切換使用的結構也可以與其他結構結合，例如圖25A和25B的結構、圖26A和26b的結構。通過本發(fā)明可以正常地校正TFT的閾值離散。不受電容器裝置的電容值離散等的影響。此外，盡管在根據圖10A和10B、圖11A至11F所示結構執(zhí)行閾值校正情況下，工作經常在一個水平周期內執(zhí)行，但本發(fā)明是基于簡單的工作原理。工作定時也簡單，因此可以高速電路工作。特別，當通過結合數字灰度方法和時間灰度方法執(zhí)行顯示時使用具有很多位的圖像信號可以顯示高質量的圖像。