技術領域

一個或更多個示例性實施例涉及一種制造包括發光二極管(“LED”)的顯示裝置的方法和一種通過使用該制造方法制造的顯示裝置。

背景技術：

發光二極管(“LED”)是這樣的半導體裝置：當對PN結二極管施加正向電壓時，空穴和電子注入其中，并且將由空穴和電子的復合產生的能量轉化為光能。

通過使用無機化合物來發射光的無機LED廣泛地用于液晶顯示電視(“LCD TV”)的背光、電燈、電子顯示板等，通過使用有機化合物來發射光的有機LED用于諸如移動電話的微型電子設備和大型TV等。

技術實現要素：

與有機LED相比，無機發光二極管(“LED”)是相對廉價的、較明亮的并且具有相對長的壽命，但與有機LED不同，無機發光二極管不能通過使用薄膜工藝直接形成在柔性基底上。

一個或更多個示例性實施例包括一種通過將無機LED轉移到柔性基底來制造柔性和/或可拉伸顯示裝置的方法。

根據一個或更多個示例性實施例，一種制造顯示裝置的方法包括：將包括多個地限定在其中的開口的掩模浸入在溶液中；在溶液中的掩模的開口中分別安置多個地設置的發光二極管芯片；在溶液中，在掩模下方布置其上包括多條地位于其上的第一布線的第一柔性基底，并且使位于第一柔性基底上的第一布線對準以分別與掩模的開口對應；將具有與掩模的開口對應的第一布線的第一柔性基底與具有在掩模的開口中安置的發光二極管芯片的掩模一起從溶液中移開；使發光二極管芯片與第一布線彼此結合；提供包括多條地位于其上的第二布線的第二柔性基底，并且使位于第二柔性基底上的第二布線對準以分別與發光二極管芯片對應；以及使發光二極管芯片與第二布線彼此結合以形成顯示裝置。

安置發光二極管芯片的步驟還可以包括：將單個一個發光二極管芯片安置在掩模的每個開口中。

第二布線可以在與第一布線縱向延伸的方向交叉的方向上縱向延伸。

開口可以分別與第一布線與第二布線交叉的位置對應。

所述方法還可以包括：在使發光二極管芯片與第一布線彼此結合之前，將掩模從在其開口中安置的發光二極管芯片移開。

對于安置在掩模中的每個發光二極管芯片，所述方法還可以包括：在安置發光二極管芯片之前，在發光二極管芯片的第一端上設置第一電極焊盤。

第一電極焊盤可以包括具有比發光二極管芯片的密度大的密度的材料。

使發光二極管芯片與第一布線彼此結合的步驟可以包括通過使用加壓和/或焦耳熱來使第一電極焊盤結合到第一布線。

溶液可以包括氟。

掩模可以包括磁性材料，發光二極管芯片可以涂覆有磁性材料。

發光二極管芯片均可以包括半導體化合物。所述方法還可以包括：在基礎基底上設置包括半導體化合物的發光二極管芯片；處理在基礎基底上設置的發光二極管芯片以使發光二極管芯片與基礎基底可分離；將可分離的發光二極管芯片轉移到載體基底；以及使基礎基底從可分離的發光二極管芯片移開以在載體基底上設置發光二極管芯片。

掩模的開口的最小尺寸可以比發光二極管芯片的最大尺寸大。

將發光二極管芯片安置在溶液中的掩模的開口中的步驟可以包括通過使用激光在溶液中上下移動發光二極管芯片。

將發光二極管芯片安置在溶液中的掩模的開口中的步驟可以包括通過使用超聲波在溶液中上下移動發光二極管芯片。

垂直于第一布線的長度截取的第一布線的寬度和垂直于第二布線的長度截取的第二布線的寬度兩者可以比垂直于發光二極管芯片截取的發光二極管芯片的寬度小。

根據一個或更多個示例性實施例，提供了一種通過使用上述制造方法制造的顯示裝置。

根據示例性實施例，因為使用了包括與具有無源矩陣(“PM”)結構的布線對應的開口的掩模，所以可以相對簡單地執行轉移發光二極管并且使發光二極管與布線對準。

另外，因為制造具有PM結構的顯示裝置，所以可以降低顯示裝置的功耗。

另外，可以使用相對簡單的工藝來制造在上/下方向上和左/右方向上可變形的柔性顯示裝置。

附圖說明

通過下面結合附圖對示例性實施例的描述，這些和/或其它特征將變得明顯且更加容易領會，附圖中：

圖1是示出根據本發明的顯示裝置的制造方法的示例性實施例的流程圖；

圖2A和圖2B是示出了根據本發明的在基礎基底上的多個發光二極管(“LED”)的示例性實施例的俯視平面圖和剖視圖；

圖3是示出了載體基底以及圖2A和圖2B的多個LED的附著狀態的示例性實施例的剖視圖；

圖4是示出了其上設置有圖3的多個LED的載體基底的未附著狀態的示例性實施例的剖視圖；

圖5是示出了將掩模浸入在溶液中并且多個LED芯片落在掩模上方的工藝的示例性實施例的剖視圖；

圖6是示出了圖5中的掩模的示例性實施例的俯視平面圖；

圖7是示出了將LED芯片設置在掩模的每個開口中的工藝的示例性實施例的剖視圖；

圖8是示出了設置在掩模的每個開口中的LED芯片的狀態的示例性實施例的剖視圖；

圖9是示出了將包括第一布線的第一柔性基底設置在其中設置有LED芯片的掩模下方的工藝的示例性實施例的剖視圖；

圖10是示出了將LED芯片設置在第一柔性基底上的狀態的示例性實施例的剖視圖；

圖11是示出了將LED芯片與第一布線連接的工藝的示例性實施例的剖視圖；

圖12是示出了對于將多個LED芯片設置在第一柔性基底上并且將第二柔性基底與多個LED芯片對準的顯示裝置的組裝狀態的示例性實施例的剖視圖；

圖13A和圖13B是圖12中的顯示裝置的俯視平面圖；以及

圖14是圖12中的顯示裝置的透視圖。

具體實施方式

現在將詳細地參照在附圖中示出其示例的示例性實施例，其中，同樣的附圖標記始終表示同樣的元件。就這一點而言，示例性實施例可以具有不同的形式并且不應被解釋為受限于在此所闡述的描述。因此，以下僅通過參照附圖對示例性實施例進行描述，以解釋本發明的特征。

將理解的是，當元件被稱作“在”另一元件“上”時，該元件可以直接在另一元件上，或者在它們之間可以存在中間元件。相反，當元件被稱作“直接在”另一元件“上”時，不存在中間元件。

將理解的是，盡管可以在這里使用術語“第一”、“第二”、“第三”等來描述各種元件、組件、區域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區域、層和/或部分不應該受這些術語限制。這些術語僅用來將一個元件、組件、區域、層或部分與另一元件、組件、區域、層或部分區分開。因此，在不脫離這里的教導的情況下，可以將以下討論的“第一元件”、“組件”、“區域”、“層”或“部分”命名為第二元件、組件、區域、層或部分。

在這里使用的術語僅用于描述具體的實施例的目的而非意圖進行限制。如在這里使用的，單數形式“一個”、“一種”和“該/所述”意圖包括復數形式。當諸如“……中的至少一個(種)”的表述位于一列元件之后時，修飾整列的元件，而不是修飾該列的個別元件。如這里使用的，術語“和/或”包括一個或更多個相關所列項目的任意組合和所有組合。將進一步理解的是，術語“包括”和/或“包含”及其變型用在該說明書中時，說明存在陳述的特征、區域、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是不排除存在或附加一個或更多個其它特征、區域、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。

此外，這里可以使用諸如“下”或“底部”與“上”或“頂部”等相對術語來描述如圖中所示的一個元件與另一元件的關系。將理解的是，相對術語意圖包含裝置的除了圖中描繪的方位之外的不同方位。例如，如果附圖之一中的裝置被翻轉，則描述為在其它元件的“下”側上的元件隨后將被定位在其它元件的“上”側上。因此，根據圖中的具體方位，示例性術語“下”可以包含“下”和“上”兩種方位。類似地，如果附圖之一中的裝置被翻轉，則描述為“在”其它元件“下方”或“之下”的元件隨后將被定位“在”其它元件“上方”。因此，示例性術語“在……下方”或“在……之下”可以包含在……上方和在……下方兩種方位。

如這里使用的“大約”或“近似”包括陳述的值，并意味著：考慮到正在被談及的測量以及與具體量的測量有關的誤差(即，測量系統的局限性)，在由本領域的普通技術人員確定的具體值的可接受偏差范圍之內。例如，“大約”可以表示在一個或更多個標準偏差內，或者在所陳述的值的±30％、±20％、±10％或±5％之內。

除非另有限定，否則在這里使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有與本公開所屬領域的普通技術人員通常理解的含義相同的含義。將進一步理解的是，除非在這里明確如此定義，否則諸如在通用字典中定義的術語應該解釋為具有與在相關領域的背景下和在本公開中的含義一致的含義，并將不會以理想的或過于形式化的含義來進行解釋。

在此參照作為理想實施例的示意圖的剖視圖來描述示例性實施例。如此，預計將會出現例如由制造技術和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，這里描述的實施例不應該被解釋為局限于在這里示出的區域的具體形狀，而是將包括由例如制造導致的形狀上的偏差。例如，示出或描述為平坦的區域可以典型地具有粗糙的和/或非線性的特征。而且，示出的銳角可以被倒圓。因此，圖中示出的區域實際上是示意性的，并且它們的形狀并不意圖示出區域的精確形狀，也不意圖限制本權利要求的范圍。

圖1是示出了根據本發明的用于顯示裝置的制造方法的示例性實施例的流程圖。

參照圖1，根據本發明的制造顯示裝置的方法的示例性實施例包括：操作10，將包括多個開口的掩模浸入在溶液中，并且在掩模的每個開口中安置發光二極管(“LED”)芯片；操作20，在掩模下方設置包括多條第一布線的第一柔性基底，并且使多條第一布線對準以分別與開口的位置對應；操作30，將第一柔性基底與掩模一起從溶液中取出，并且將多個LED芯片和多條第一布線彼此結合；以及操作40，在多個LED芯片上使包括多條第二布線的第二柔性基底對準，并且使多個LED芯片與多條第二布線結合。

下面參照圖2至圖14來描述圖1的制造方法。

圖2A和圖2B分別是示出了發光二極管(“LED”)105以多個設置在基礎基底101上的俯視圖和剖視平面圖。

基礎基底101可以包括導電基底或絕緣基底。在示例性實施例中，例如，基礎基底101可以包括Al₂O₃、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge和Ga₂O₃中的至少一種。

LED 105可以包括第一半導體層102、第二半導體層104和設置在第一半導體層102與第二半導體層104之間的有源層103。第一半導體層102、有源層103和第二半導體層104可以通過使用諸如金屬有機化學氣相沉積(“MOCVD”)、化學氣相沉積(“CVD”)、等離子體增強化學氣相沉積(“PECVD”)、分子束外延(“MBE”)和氫化物氣相外延(“HVPE”)的方法來形成。

第一半導體層102可以實施為例如p型半導體層。P型半導體層可以包括具有組成式In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半導體材料，并且可以包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等。第一半導體層102可以摻雜有諸如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba的p型摻雜劑。

第二半導體層104可以包括例如n型半導體層。n型半導體層可以包括具有組成式In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半導體材料，并且可以包括例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等。第二半導體層104可以摻雜有諸如Si、Ge和Sn的n型摻雜劑。

然而，本發明不限于此。在可選的示例性實施例中，第一半導體層102可以包括n型半導體層，第二半導體層104可以包括p型半導體層。

有源層103是電子和空穴復合的區域。當電子和空穴復合時，它們可以進行到低能級的躍遷并且發射具有對應波長的光。有源層103可以包括具有組成式In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半導體材料，并且可以包括單量子阱結構或多量子阱(“MQW”)結構。另外，有源層103可以包括量子線結構或量子點結構。

處理設置在基礎基底101上的多個LED 105，使得多個LED 105與基礎基底101可分離。在示例性實施例中，通過使用激光等沿切割線CL1和CL2來設置切口或刻痕，從而允許多個LED 105與基礎基底101處于可分離狀態。

圖3是示出了載體基底和設置在基礎基底101上的多個LED 105的附著狀態的示例性實施例的剖視圖。

在多個LED 105與基礎基底101處于可分離狀態但同時仍設置在基礎基底101上的情況下，將載體基底201附著在LED 105的第二半導體層104上。諸如通過使用粘附層(未示出)等將LED 105的位置臨時固定在載體基底201上。

圖4是示出了其上設置有圖3的LED 105的載體基底的未附著狀態的示例性實施例的剖視圖。在圖4中，圖3的基礎基底101與LED 105分離，第一電極焊盤106以多個分別設置在LED 105上。

諸如通過使用激光剝離工藝來將基礎基底101與LED 105分離，并且將分離的LED 105附著到載體基底201。對于附著到載體基底201的LED 105，第一電極焊盤106設置在LED 105的位于已經從其去除了基礎基底101的第一半導體層102處的末端上。LED 105與其上的第一電極焊盤106形成LED芯片100。諸如由于形成第一電極焊盤106的材料，LED芯片100的第一電極焊盤106可以限定LED芯片100的相對高密度部分。

第一電極焊盤106可以包括一層或更多層，并且可以包括諸如金屬、導電氧化物和導電聚合物的各種導電材料。第一電極焊盤106將電連接到位于第一柔性基底502(見圖9)上的第一布線501(見圖9)，隨后將對其進行描述。

圖2A、圖2B、圖3和圖4示出了多個LED 105在剖面中具有直線型側壁并且在俯視平面圖中具有圓形形狀。即，LED 105可以具有圓柱形形狀以限定LED芯片100的圓柱形形狀，但本發明不限于此。

雖然圖2A、圖2B、圖3和圖4示出了多個LED 105在剖面中具有直線型側壁，但LED 105在剖面中可以具有錐形的側壁。例如參照圖2B，LED 105的壁可以在從上到下或從下到上的方向上錐形化(taper)。

圖5是示出了將包括多個開口401的掩模浸入在溶液中并且使多個LED芯片100落在掩模400上方的工藝的示例性實施例的剖視圖。圖6是示出了圖5中的掩模400的示例性實施例的俯視平面圖。

參照圖5和圖6，可以在掩模400中在位于與掩模400的第一側邊緣411平行的第一方向X和與掩模400的與其第一側邊緣411垂直的第二側邊緣412平行的第二方向Y交叉的位置處形成多個開口401。

因為掩模400包括并且限定其中的多個開口401，所以即使當將掩模400浸入在包含溶液301的容器300中時，掩模400也不會沉到容器300的底部而是浮在溶液301的最上表面的附近。為了維持浮在溶液301的最上表面處的掩模400，還可以將諸如減小表面張力的氟的材料添加到溶液301。

使載體基底201與LED 105的第二半導體層104分離以將多個LED芯片100與載體基底201分離。使包括其上分別具有第一電極焊盤106的LED105的已分離的多個LED芯片100從在容器300中的掩模400上方的位置向著容器300落下。

圖7是示出了將分離的LED芯片100設置在掩模400的每個開口401中的工藝的示例性實施例的剖視圖。

使從掩模400上方的位置落下的已分離的LED芯片100安置在限定在掩模400中的開口401中。為了使落下的LED芯片100安置到掩模400的開口401中，可以諸如通過使用刷子(未示出)等將LED芯片100均勻地設置或鋪展在整個掩模400上。

LED芯片100位于溶液301的上表面處，從而LED芯片100的具有相對高的密度的第一電極焊盤106處的部分可以面朝下。在示例性實施例中，例如，因為形成半導體LED的硅的密度為大約2.33克每立方厘米(g/cm³)，其中，第一電極焊盤106包括具有大約2.70g/cm³的密度的鋁或具有大約10.49g/cm³的密度的銀，所以在具有包括在向下方向上設置的位置反轉的第一電極焊盤106的部分的情況下，LED芯片100可以設置在每個開口401中。如果未反轉的LED芯片100仍設置在掩模400上，則諸如通過使用超聲波或激光可以使其位置反轉。可以諸如通過測量反射率來確定使未反轉的LED芯片100的位置反轉的程度。

開口401的尺寸比LED芯片100的尺寸大，使得LED芯片100在設置在溶液301中的掩模400的開口401內的同時可以上下轉動。在示例性實施例中，例如，俯視平面圖中的開口401的最小尺寸可以比LED芯片100的每個尺寸的最大值大，以允許LED芯片100在設置在開口401內的同時轉動。僅一個LED芯片100可以設置在掩模401的單個開口中。

圖8是示出了設置在掩模400的每個開口401中的LED芯片100的狀態的示例性實施例的剖視圖。

圖8示出了掩模400包括磁性材料(由“S”和“N”指示)并且LED芯片100涂覆有磁性材料(由“N”和“S”指示)以具有磁性的示例性實施例。由于在流體形式的溶液內的磁場，所以LED芯片100在開口401內轉動，并且由于設置了磁場，所以LED芯片100的包括第一電極焊盤106的部分可以面朝下。

圖9是示出了將其上包括第一布線501的第一柔性基底502設置在用于將LED芯片100設置在其每個開口401中的掩模400下方的工藝的示例性實施例的剖視圖。第一布線501可以以多條設置以形成總的第一布線構件。

設置多條第一布線501以分別與限定在掩模400中的多個開口401的位置對應。因為LED芯片100位于掩模的每個開口401中，所以使第一布線501對準以在LED芯片100的下部下方穿過。單條第一布線501可以在多于一個的LED芯片100的下部下方和安置有LED芯片100的開口401的下方穿過。

第一柔性基底502可以包括塑料材料。在示例性實施例中，例如，第一柔性基底502可以包括聚醚砜(“PES”)、聚丙烯酸酯(“PAR”)、聚醚酰亞胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二酯(“PEN”)、聚對苯二甲酸乙二酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚烯丙基化物(polyallylate,)、聚酰亞胺、聚碳酸酯(“PC”)、三醋酸纖維素(“TAC”)和醋酸丙酸纖維素(“CAP”)。

第一布線501可以包括相對低電阻的金屬材料。在示例性實施例中，例如，第一布線501可以包括單層結構或多層結構，單層結構或多層結構包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一種。

第一布線501縱向延伸以限定其延伸方向，第一布線501的寬度垂直于其延伸方向來限定。類似地，LED芯片100縱向延伸以限定其延伸方向，LED芯片100的寬度垂直于其延伸方向來限定。當LED芯片100具有圓柱形形狀時，LED芯片100的寬度可以是LED芯片100的直徑。第一布線501的寬度比LED芯片100的寬度小。

圖10是示出了LED芯片100設置在第一柔性基底502上的狀態的示例性實施例的剖視圖。

參照圖10，將柔性基底502與具有設置在其中的LED芯片100的掩模400一起從溶液301中移開。在示例性實施例中，當離開溶液301時，被移開的掩模400與設置在其中的LED芯片100分離，使得LED芯片100保留在具有第一布線501的第一柔性基底502上。在LED芯片100保留在具有第一布線501的第一柔性基底502上的情況下，將保留在柔性基底502上的剩余溶液301進行干燥(由“干燥”指示)。保留在具有第一布線501的第一柔性基底502上的LED芯片100相對于第一布線501可以處于未連接狀態。

圖11是示出了將LED芯片100與第一布線501連接的工藝的示例性實施例的剖視圖。

參照圖11，在第一布線501位于第一柔性基底502上并且第一布線501與LED芯片100的第一電極焊盤106對準的情況下，加壓構件600設置在LED芯片100上并且對第一電極焊盤106加壓(由向下箭頭指示)以將第一電極焊盤106結合并且連接到第一布線501。可選擇地，第一電極焊盤106可以通過使用焦耳熱來結合到第一布線501。單個加壓構件600可以基本上同時使多個LED芯片100結合到第一布線501，但本發明不限于此。

圖12是示出了多個LED芯片設置在第一柔性基底上并且在第一柔性基底上的多個LED芯片上使第二柔性基底對準的顯示裝置的組裝狀態的示例性實施例的剖視圖，圖13A和圖13B是圖12的顯示裝置的俯視平面圖，圖14是圖12中的顯示裝置的透視圖。

參照圖12至圖14，將平行于第一方向X而縱向延伸的多條第一布線501設置在第一柔性基底502上，將平行于與第一方向X交叉的第二方向Y而縱向延伸的以多條設置的第二布線701設置在第二柔性基底702上。第一柔性基底502和第二柔性基底702的各自的平面以第一方向X和第二方向Y限定。其上包括第一布線501的第一柔性基底502和其上包括第二布線701的第二柔性基底702設置為彼此面對且多個LED芯片100設置在它們之間。圖12是第一方向X的視圖，其中，單條第一布線501在第一方向X上延伸，同時多條第二布線701沿第一方向X設置。

與第一柔性基底502一樣，第二柔性基底702可以包括塑料材料。在示例性實施例中，例如，第二柔性基底702可以包括聚醚砜(“PES”)、聚丙烯酸酯(“PAR”)、聚醚酰亞胺(“PEI”)、聚萘二甲酸乙二酯(“PEN”)、聚對苯二甲酸乙二酯(“PET”)、聚苯硫醚(“PPS”)、聚烯丙基化物、聚酰亞胺、聚碳酸酯(“PC”)、三醋酸纖維素(“TAC”)和醋酸丙酸纖維素(“CAP”)。

第二布線701可以包括相對低電阻的金屬材料。在示例性實施例中，例如，第二布線701可以包括單層結構或多層結構，單層結構或多層結構包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一種。

類似于第一布線501，第二布線701縱向延伸以限定其延伸方向，第二布線701的寬度垂直于其延伸方向來限定。第二布線701的寬度比LED芯片100的寬度小。

第二布線701可以與LED芯片100的上表面(即，在第二半導體層104處(見圖2B))電連接。雖然未在圖中示出，但LED芯片100可以通過使用焦耳熱或激光來與第二布線701電連接。在將第二布線701與LED芯片100的上表面電連接的示例性實施例中，雖然未在圖中示出，但具有高電導率的導電球可以進一步設置在LED芯片100與第二布線701之間。

參照圖13A和13B，連接到LED芯片100的第一布線501和第二布線701與LED芯片100疊置。

根據上述制造方法的一個或更多個示例性實施例，與將至少一個薄膜晶體管連接到每個LED芯片100的有源矩陣(“AM”)方法相比，可以以多個LED芯片100共享掃描線和數據線的無源矩陣(“PM”)方法來驅動包括LED芯片100的顯示裝置。因此，可以減小顯示裝置的功耗。

參照圖14，因為第一布線501在平行于第一方向X的方向上縱向延伸，所以第一柔性基底502在沿第一方向X截取的第一彎曲方向A上具有柔性。另外，因為第二布線701在平行于第二方向Y的方向上縱向延伸，所以第二柔性基底702在沿第二方向Y截取的第二彎曲方向B上具有柔性。第一彎曲方向A和第二彎曲方向B兩者還以第三方向來限定，第三方向與諸如來自第一柔性基底502和第二柔性基底702的平面的第一方向X和第二方向Y垂直。雖然第一彎曲方向A和第二彎曲方向B在圖14中被示出為相對于第一柔性基底502和第二柔性基底702的平面沿向下的方向變形，但本發明不限于此。在示例性實施例中，第一彎曲方向A和/或第二彎曲方向B可以相對于第一柔性基底502和第二柔性基底702的平面沿向上的方向變形。即，即使顯示裝置在PM結構中包括LED芯片100，顯示裝置在向上/向下的方向上和第一方向X/第二方向Y上也是可變形的。

另外，因為單個LED芯片100連接到在第一方向X上延伸的第一布線501和在第二方向Y上延伸的第二布線701，第一布線501和第二布線701在向上和向下方向上以及在對角線方向上(例如，在X方向和Y方向以及在它們之間傾斜的方向上)保持雙重連接到LED芯片100，所以可以減少布線與芯片之間的接觸故障，因此可以改善顯示裝置的可靠性。

另外，因為使用包括與具有PM結構的布線對應的開口的掩模，所以可以相對簡單地執行LED與布線的轉移和對準。

雖然已經參照在附圖中示出的示例性實施例描述了本發明，但提供這些僅用于示例性目的，本領域普通技術人員將理解的是，可以在此做出各種修改和其它等同實施例。因此，本發明的精神和范圍應由權利要求來限定。