本實(shí)用新型屬于液晶屏測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種用于液晶屏正負(fù)電源下電過(guò)程中快速放電的電路。

背景技術(shù)：

液晶屏測(cè)試過(guò)程中，需要嚴(yán)格按照液晶屏規(guī)格書(shū)給出的上下電時(shí)序要求來(lái)操作，一些液晶屏對(duì)下電過(guò)程中的放電時(shí)間有要求，需要在給定的時(shí)間內(nèi)完成電荷的泄放，否則會(huì)導(dǎo)致液晶屏產(chǎn)生閃爍，影響顯示效果。

傳統(tǒng)的做法是使用繼電器，通過(guò)數(shù)字控制的方式，在下電時(shí)，讓被控制的電源直接連接至GND，從而從達(dá)到瞬時(shí)放電的目的。由于使用的是繼電器，存在電火花的安全隱患，另外，繼電器的壽命短，價(jià)格高，占用電路板面積大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)現(xiàn)有數(shù)據(jù)線的不足，提供一種利用三極管以及場(chǎng)效應(yīng)管達(dá)到控制液晶屏上下電時(shí)序，并且能夠讓液晶在下電過(guò)程中快速泄放電荷的用于液晶屏正負(fù)電源下電過(guò)程中快速放電的電路。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案：

一種用于液晶屏正負(fù)電源下電過(guò)程中快速放電的電路，其中：包括正電壓電源放電電路和負(fù)電壓電源放電電路；所述的正電壓電源放電電路通過(guò)控制端口的三極管分別連接兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q5和Q14進(jìn)行導(dǎo)通和關(guān)斷，正電壓電源放電電路工作；所述的負(fù)電壓電源放電電路通過(guò)控制端口的場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q8分別連接場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q9和Q13進(jìn)行導(dǎo)通和關(guān)斷，負(fù)電壓電源放電電路工作。

進(jìn)一步的，所述的正電壓電源放電電路包括三極管Q10、場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q5和Q14，場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q5的柵極與Q14的柵極相連，并且連接電阻R27和三極管Q10的集電極；三極管Q10的基電極分別與電阻R36和R39連接，電阻R36的另外一端與控制器連接（MCU_UIO_C），R39另外一端與三極管Q10的發(fā)射極連接，并接地；場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q5的漏極分別連接電容C31、電阻R28和液晶屏（LCD_VSP），Q14的源極和電容C31另一端分別接地，場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q5的源極和電阻R27都與正電壓電源和電容C30連接，并連接至液晶電源正電壓提供端（LCD_VSP_MB），電容C30的另一端接地；Q5的漏極與Q14的源極之間連接有電阻R28。

更進(jìn)一步的，所述的負(fù)電壓電源放電電路的場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q9柵極和Q13的柵極相連，并且連接電阻R35和R29；R35另外一端與Q8的漏極相連，Q8的源極連接控制器（MCU_ID）和電阻R40，R40的另外一端與地相連；Q8的柵極與地相連；Q13的源極與液晶電源負(fù)電壓提供端連接（LCD_VSN_MB），并連接C32，以及R29另外一端，C32的另外一端連接地；Q13的漏極分別與液晶屏（LCD VSN）、電容C33、電阻R30連接；電容C33另一端連接地，R30另外一端連接Q9的漏極；Q9的源極連接地。

更進(jìn)一步的，所述的正電壓電源的電壓為正電壓。

更進(jìn)一步的，所述的負(fù)電壓電源的電壓為負(fù)電壓。

更進(jìn)一步的，所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q5為PMOS管，場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q14為NMOS管。

更進(jìn)一步的，所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q8和Q9為PMOS管，場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q13為NMOS管。

本實(shí)用新型的有益效果：

本實(shí)用新型通過(guò)利用三極管以及場(chǎng)效應(yīng)管達(dá)到控制液晶屏上下電時(shí)序，并且能夠讓液晶在下電過(guò)程中快速泄放電荷。本實(shí)用新型具有上下電速度快、安全性能高、壽命長(zhǎng)、體積小和成本低的優(yōu)點(diǎn)，更適合在快速放電中使用。

附圖說(shuō)明

附圖1是實(shí)施例的正電壓電源放電電路示意圖；

附圖2是實(shí)施例的負(fù)電壓電源放電電路示意圖。

具體實(shí)施方式

下面參照附圖，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)一步的詳細(xì)描述。

實(shí)施例1：

如圖1、2所示，一種用于液晶屏正負(fù)電源下電過(guò)程中快速放電的電路，其中：包括正電壓電源放電電路和負(fù)電壓電源放電電路；所述的正電壓電源放電電路通過(guò)控制端口的三極管分別連接兩個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q5和Q14進(jìn)行導(dǎo)通和關(guān)斷，正電壓電源放電電路工作；所述的負(fù)電壓電源放電電路通過(guò)控制端口的場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q8分別連接場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q9和Q13進(jìn)行導(dǎo)通和關(guān)斷，負(fù)電壓電源放電電路工作。

所述的正電壓電源放電電路包括三極管Q10、場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q5和Q14，場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q5的柵極與Q14的柵極相連，并且連接電阻R27和三極管Q10的集電極；三極管Q10的基電極分別與電阻R36和R39連接，電阻R36的另外一端與控制器連接（MCU_UIO_C），R39另外一端與三極管Q10的發(fā)射極連接，并接地；場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q5的漏極分別連接電容C31、電阻R28和液晶屏（LCD_VSP），Q14的源極和電容C31另一端分別接地，場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q5的源極和電阻R27都與正電壓電源和電容C30連接，并連接至液晶電源正電壓提供端（LCD_VSP_MB），電容C30的另一端接地；Q5的漏極與Q14的源極之間連接有電阻R28。

更進(jìn)一步的，所述的負(fù)電壓電源放電電路的場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q9柵極和Q13的柵極相連，并且連接電阻R35和R29；R35另外一端與Q8的漏極相連，Q8的源極連接控制器（MCU_ID）和電阻R40，R40的另外一端與地相連；Q8的柵極與地相連；Q13的源極與液晶電源負(fù)電壓提供端連接（LCD_VSN_MB），并連接C32，以及R29另外一端，C32的另外一端連接地；Q13的漏極分別與液晶屏（LCD VSN）、電容C33、電阻R30連接；電容C33另一端連接地，R30另外一端連接Q9的漏極；Q9的源極連接地。

更進(jìn)一步的，所述的正電壓電源的電壓為+5V。

更進(jìn)一步的，所述的負(fù)電壓電源的電壓為-5V。

更進(jìn)一步的，所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q5為PMOS管，場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q14為NMOS管。

更進(jìn)一步的，所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q8和Q9為PMOS管，場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q13為NMOS管。

正電壓電源放電電路的實(shí)現(xiàn)原理過(guò)程：

液晶屏正常工作時(shí)：

1）MCU_UIO_C控制信號(hào)送出為電平“1”（電壓為3.3V），三極管Q10導(dǎo)通；

2） Q10導(dǎo)通之后，由于PMOS Q5的VGS為負(fù)壓，并且大于VGS(TH)，Q5導(dǎo)通，則LCD_VSP_MB電源送至LCD_VSP；

3）Q10導(dǎo)通之后，由于NMOS Q14的VGS約為0V，Q14截止，所以，在液晶正常工作時(shí)，LCD_VSP不會(huì)通過(guò)Q14放電；

液晶屏下電時(shí)：

1）MCU_UIO_C控制信號(hào)送出為電平“0”，三極管Q10截止；

2）Q10截止之后，由于PMOS Q5的VGS約為0V，Q5截止，則LCD_VSP_MB電源無(wú)法送至LCD_VSP，從而達(dá)到下電的目的；

3）Q10截止之后，NMOS Q14的VGS為正壓，并且大于VGS(TH)，Q14導(dǎo)通，所以，LCD_VSP的殘留電荷通過(guò)Q14泄放到GND；

負(fù)電壓電源放電電路的實(shí)現(xiàn)原理過(guò)程：

液晶屏正常工作時(shí)：

1）MCU_ID控制信號(hào)送出為數(shù)字電平“1”（電壓為3.3V），由于PMOS Q8的VGS為負(fù)壓，并且大于VGS(TH)，Q8導(dǎo)通，Q8漏極D送出數(shù)字電平“1”（電壓約為3.3V）；

2）Q8漏極D送出電平“1”之后（電壓約為3.3V），由于NMOS Q13的VGS為正壓，并且大于VGS(TH)，Q13導(dǎo)通，則LCD_VSN_MB電源送至LCD_VSN；

3）Q8漏極D送出電平“1”之后（電壓約為3.3V），由于PMOS Q9的VGS為正壓，Q9截止，所以，在液晶正常工作時(shí)，LCD_VSN不會(huì)通過(guò)Q9放電；

液晶屏下電時(shí)：

1）MCU_ID控制信號(hào)送出為電平“0”，由于PMOS Q8的VGS為0V，Q8截止，Q8漏極D為高阻態(tài)；

2）Q8漏極D為高阻態(tài)之后，由于NMOS Q13的VGS約為0V，Q13截止，則LCD_VSN_MB電源無(wú)法送至LCD_VSN，從而達(dá)到下電的目的；

3）Q8漏極D為高阻態(tài)之后，由于PMOS Q9的VGS為負(fù)壓，并且大于VGS(TH)，Q9導(dǎo)通，所以，LCD_VSN的殘留電荷通過(guò)Q9泄放到GND。

本實(shí)用新型的有益效果：

本實(shí)用新型通過(guò)利用三極管以及場(chǎng)效應(yīng)管達(dá)到控制液晶屏上下電時(shí)序，并且能夠讓液晶在下電過(guò)程中快速泄放電荷。本實(shí)用新型具有上下電速度快、安全性能高、壽命長(zhǎng)、體積小和成本低的優(yōu)點(diǎn)，更適合在快速放電中使用。

以上所述的實(shí)施例，只是本實(shí)用新型的較優(yōu)選的具體方式之一，本領(lǐng)域的技術(shù)員在本實(shí)用新型技術(shù)方案范圍內(nèi)進(jìn)行的通常變化和替換都應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。