專利名稱：改善晶圓圖案化結(jié)構(gòu)臨界尺寸均勻性方法及用于微影系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造的領(lǐng)域，且特別是涉及集成電路度量衡的領(lǐng)域，用來評估和改善形成于半導(dǎo)體晶圓上的特征結(jié)構(gòu)的臨界尺寸均勻性。
背景技術(shù)：
目前半導(dǎo)體制造設(shè)計規(guī)則可使高密度與執(zhí)行效能的極大規(guī)模集成電路(ULSI)組件具有次微米特征結(jié)構(gòu)、較大的晶體管與電路速度以及較佳的可靠性。這些設(shè)計規(guī)則定義組件與內(nèi)連接線及其線寬間的間距容差，以確保組件或?qū)Ь€在非預(yù)期的情況下彼此之間不會重疊或互動。這種設(shè)計規(guī)則限制或臨界尺寸(CD)定義在組件制造中所容許的導(dǎo)線的最小寬度或兩導(dǎo)線間的最小間距。
大多數(shù)ULSI應(yīng)用的CD只是微米的一小部份。在CMOS技術(shù)中，例如，晶體管的閘極結(jié)構(gòu)是很關(guān)鍵性的。這是因為閘極寬度決定信道長度，而信道長度影響芯片速度。這表示16-Gbit DRAM的臨界尺寸在2006年時將會是0.1μm。
通常，CD錯誤或變動存在，表示在半導(dǎo)體制造過程的關(guān)鍵部分中產(chǎn)生一些不穩(wěn)定情形。此種CD錯誤可能來自任何的源頭，例如光學(xué)(例如在微影系統(tǒng)中的鏡域彎曲或鏡像差)、機械及化學(xué)(例如光阻層與抗反射層(ARC)的厚度不均勻)。隨著降低幾何及增加制程復(fù)雜性，電路圖案缺陷會發(fā)生的較為頻繁，而這些缺陷通常會依次不利地影響到最終半導(dǎo)體組件的執(zhí)行效能。這種狀況使得在圖案化晶圓上進行缺陷偵測變得最為重要。因此，早期偵測以獲得有關(guān)制造過程的前面信息與組件執(zhí)行效能及改善CD均勻性是有必要的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種偵測與調(diào)整微影制程中的偏差的方法與系統(tǒng)，可在執(zhí)行度量衡并發(fā)生任何嚴重錯誤之前，有效改善制程和品質(zhì)控制能力。
本發(fā)明提供一種在半導(dǎo)體與罩幕制造中改善晶圓上的圖案化特征結(jié)構(gòu)的臨界尺寸均勻性的方法。在一實施例中，提供一種評估裝置以評估形成于晶圓上的若干個電路布置的臨界尺寸分布，該若干個電路布置由一罩幕或標線(reticle)定義。在該若干個電路布置上執(zhí)行一邏輯操作，以擷取圖案化特征結(jié)構(gòu)。將圖案化特征結(jié)構(gòu)和設(shè)計規(guī)則做比較，假如圖案化特征結(jié)構(gòu)與設(shè)計規(guī)則之間有偏差或差距，則此差距可經(jīng)由調(diào)整一組微影可調(diào)式參數(shù)例如罩幕制造來做補償。
在另一示范實施例中，提供一種評估裝置以評估被包含在若干個晶粒中的若干個電路布置的臨界尺寸分布，該若干個電路布置由一罩幕或標線定義。在任一該若干個電路布置上執(zhí)行一邏輯操作，以擷取若干個圖案化特征結(jié)構(gòu)。然后算出該若干個圖案化特征結(jié)構(gòu)的平均數(shù)，以獲得其的一平均值。將此圖案化特征結(jié)構(gòu)的平均值和設(shè)計規(guī)則做比較，假如圖案化特征結(jié)構(gòu)的平均值與設(shè)計規(guī)則之間有偏差或差距，則此差距可經(jīng)由調(diào)整一組微影可調(diào)式參數(shù)來做補償。


圖1是經(jīng)掃描式電子顯微鏡表現(xiàn)，形成于晶圓上的一圖案的俯視圖；圖2是對應(yīng)圖1的圖案的原始罩幕圖案的示意圖；圖3是當(dāng)圖1的圖案重疊于圖2的原始罩幕圖案上時，線寬的問題的示意圖；圖4是依照本發(fā)明一實施例位于晶圓上的一多晶硅層與一主動區(qū)以獲得一圖案化特征結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖5是依照本發(fā)明一實施例位于晶圓上若干個晶粒上的若干個多晶硅層與主動區(qū)以獲得若干個圖案化特征結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖6是依照本發(fā)明一實施例用來評估與改善晶圓特征結(jié)構(gòu)的臨界尺寸均勻性的一示范系統(tǒng)的方塊圖；以及圖7是依照一實施例在半導(dǎo)體與罩幕制造過程中，用來改善形成于晶圓上圖案的臨界尺寸均勻性的一方法步驟的流程圖。
具體實施例方式
在以下說明中，提出了許多的特定描述，以使本發(fā)明能更清楚明了。然而本發(fā)明并非只能在這些特定描述中實行。在一些例子中，度量衡工具與軟件、由度量衡裝置來表現(xiàn)的晶圓圖案影像、系統(tǒng)、結(jié)構(gòu)與技術(shù)并未詳加說明，以避免不必要的混淆本發(fā)明。
為使本發(fā)明能更清楚易懂，將以線寬度量衡工具來做簡短說明。
經(jīng)微影制程產(chǎn)出的晶圓表面特征結(jié)構(gòu)上的臨界尺寸錯誤是由線寬度量衡裝置來測量，例如掃描式電子顯微鏡，現(xiàn)有臨界尺寸掃描式電子顯微鏡(CD-SEMs)。CD-SEM基本上是一種精密顯微鏡，使用反射電子束來產(chǎn)生晶圓表面的影像，其可掃描表面與放大影像至大約100,000X及更高。其可在IC制造過程期間測量與分析晶圓的表面地形，并且通常是在執(zhí)行圖案化步驟前使用，通常是電漿蝕刻，以確定微影制程的品質(zhì)。假如CD均勻性是不適當(dāng)?shù)模缧纬捎诰A上的圖案位置脫離了設(shè)計規(guī)則，則必須剝除光阻及重做微影。好的CD控制能力因而是微影制程的關(guān)鍵要素。
圖1是經(jīng)CD-SEM表現(xiàn)，形成于晶圓上的一圖案2的俯視圖。可以知道的是，圖案2可以是任何數(shù)量的不同圖案，而圖案2僅是用做說明。CD-SEM偵測圖案2的寬度或邊緣4以測量CD。圖2是對應(yīng)圖1的晶圓圖案2的原始罩幕圖案6(由設(shè)計規(guī)則定義)的示意圖。此外，可以知道的是，原始罩幕圖案6可以是任何數(shù)量的圖案，而圖2所示的圖案僅是用做說明。通常，晶圓圖案2與對應(yīng)的原始罩幕圖案6不會正確的相配。圖3是線寬的問題或在晶圓圖案2與原始罩幕圖案6間的差距的示意圖。舉例來說，線寬8可處理成一圖案缺陷以使系統(tǒng)工具或工具操作者能經(jīng)由調(diào)整各種可調(diào)式參數(shù)例如罩幕制造，以調(diào)整和修正在電路圖案制造過程中的問題。
雖然CD-SEM可測量晶圓表面特征結(jié)構(gòu)上的CD錯誤，但可惜的是，其幾乎不可能及/或無法測量晶圓上所有次微米特征結(jié)構(gòu)的CD，例如，晶圓上全部的晶體管閘極的CD。由于CD-SEM的低產(chǎn)能的因素，故測量是不實際的。因其可能需花費將近10秒或更長時間用在一典型CD-SEM測量上，而在單一晶圓上有幾百萬的晶體管。因此，要完整測量晶圓上所有閘極的CD來說，其可能需花費好幾天。
雖然SEM度量衡可用于晶圓特征結(jié)構(gòu)的一般檢視上，但其無法在足夠詳細和在可接受的工作時間內(nèi)由設(shè)計規(guī)則中測量與分析數(shù)百萬的CD誤差，以提供缺陷來源的早期實際驗證的充分信息，以進行制程控制來改善CD均勻性。
因此，度量衡裝置例如晶粒-數(shù)據(jù)庫(die-to-database)檢視機器是用于測量晶圓上次微米特征結(jié)構(gòu)的CD，而本發(fā)明的方法可用這種機器或具有相同或類似功能及/或特性的機器來實踐做為晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器。晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器一般是用在罩幕制造以進行罩幕缺陷偵測。然而，如本發(fā)明中所使用，晶粒-數(shù)據(jù)庫機器是用于晶圓缺陷偵測，特別是用于測量晶圓上次微米特征結(jié)構(gòu)的CD。
將由晶粒-數(shù)據(jù)庫機器獲得而形成于晶圓上的圖案和罩幕上的原始圖案做比較。若是跟設(shè)計規(guī)則有偏差，則此偏差視為一個缺陷，并反饋以通知系統(tǒng)操作員，例如，以修正此問題。這種缺陷偵測的產(chǎn)能一般較高，例如其可能需花費數(shù)分鐘用于偵測測量整個晶圓。經(jīng)獲取CD后，此將于后說明，可補償整個晶圓的CD偏差。
雖然以下是參照晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器來加以說明，但也可以使用其它種晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器來實踐本發(fā)明，例如光學(xué)晶粒-數(shù)據(jù)庫機器、電子束晶粒-數(shù)據(jù)庫機器或離子束晶粒-數(shù)據(jù)庫機器。在一示范實施例中，可使用日本的NGR(NanoGeometry Research Company)提供的晶粒-數(shù)據(jù)庫機器。
晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器評估形成于半導(dǎo)體晶圓上的電路圖案的臨界尺寸分布，而此圖案可以是位于晶圓表面上的一光阻圖案或一蝕刻圖案。形成于晶圓表面上的圖案具有由罩幕定義的若干個電路布置。這些電路布置可包括例如邏輯電路、記憶胞、周邊電路、測試圖案或類似者。經(jīng)由掃描晶圓的表面，晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器測量與分析晶圓的表面地形，而測量出的CD分布可儲存在晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器的內(nèi)部或外部數(shù)據(jù)庫中。
依照本發(fā)明的方法，接著在此若干個電路布置上，執(zhí)行根據(jù)傳統(tǒng)軟件的邏輯操作。此邏輯操作可由該若干個電路布置中獲得一圖案化特征結(jié)構(gòu)，并可根據(jù)布爾(Boolean)邏輯功能例如AND、OR、NOT、NOR及NAND，或這些的任何組合者。在一實施例中，該若干個電路布置包括多晶硅層與位于晶體管的主動區(qū)中的層，而該圖案化特征結(jié)構(gòu)包括晶體管的閘極寬度。經(jīng)使用晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器的處理器中的軟件，可執(zhí)行一邏輯操作，例如AND邏輯操作，以從該若干個電路布置的合并中，獲得多晶硅層與位于主動區(qū)中的層的圖案化特征結(jié)構(gòu)和閘極寬度。可以知道的是，評估與改善多晶硅閘極的臨界尺寸均勻性在缺陷分析上是很重要的。這是因為多晶硅閘極是整個IC中極小結(jié)構(gòu)的其中一個，而閘極寬度通常是整個晶圓的最關(guān)鍵的CD線寬。閘極寬度決定信道長度，而信道長度影響芯片速度。
圖4是位于晶圓上的多晶硅層52、閘極54(以斜線表示)與主動區(qū)56的俯視圖。圖4所示的多晶硅層52、閘極54與主動區(qū)56并未繪示出比率，其僅是用做為說明。根據(jù)軟件的邏輯操作，可由多晶硅層52與主動區(qū)56的合并中獲得閘極54。度量衡工具例如晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器中的寬度處理器分析閘極54，例如使用任何傳統(tǒng)的寬度偵測算法以獲得閘極寬度。接著，將這個圖案化特征結(jié)構(gòu)或門極寬度55和定義于罩幕的電路布置中或標線(由設(shè)計規(guī)則定義)的閘極寬度做比較。若是在閘極寬度55與由設(shè)計規(guī)則(閘極寬度信息也可儲存在用于儲存參考資料的數(shù)據(jù)庫中)定義的閘極寬度間有任何的偏差或差距，這些偏差可經(jīng)由調(diào)整罩幕來做補償。舉例來說，定義于罩幕的電路布置中的閘極寬度可由工具操作員在計算機屏幕上做調(diào)整。舉例來說，閘極寬度55是0.18μm而設(shè)計規(guī)則提供0.13μm閘極寬度，則工具操作員可要求制造一個新罩幕以調(diào)整這個0.05μm差距，以使形成于晶圓58上的閘極寬度55測量為0.13μm。
此外，經(jīng)由連結(jié)偏差信息至微影可調(diào)式參數(shù)例如步進機聚焦與曝光設(shè)定值，則可補償此偏差。因此，假如測量值偏離設(shè)計規(guī)則，則提供至步進機的連結(jié)信息可依據(jù)操作員的判斷來做調(diào)整，或可由晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器的相關(guān)工具自動地調(diào)整，以修正此偏差。這些用以響應(yīng)由晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器執(zhí)行的分析的自動調(diào)整偏差的工具可以用現(xiàn)有的硬件或軟件來實現(xiàn)。舉例來說，數(shù)據(jù)庫可包括用以變更生產(chǎn)過程的資料及/或指令，以評估錯誤。處理器可使用來自數(shù)據(jù)庫的資料并提供指令至工具、設(shè)備等等中，以修正錯誤。因此可同時偵測微影和蝕刻制程偏差，故可在執(zhí)行度量衡并發(fā)生任何嚴重錯誤之前，有效改善制程和品質(zhì)控制能力。
在本發(fā)明的另一示范實施例中，經(jīng)使用晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器的處理器中的傳統(tǒng)軟件，可執(zhí)行一邏輯操作，例如OR邏輯操作，以從除了該若干個電路布置、多晶硅層與主動區(qū)中的層以外獲得圖案化特征結(jié)構(gòu)。請再參照圖4，其顯示出形成于晶圓58上的多晶硅層52、閘極54(以斜線表示)與主動區(qū)56的俯視圖。根據(jù)軟件的邏輯操作，可由除了多晶硅層52與主動區(qū)56以外獲得閘極54。CD-SEM的寬度處理器分析閘極54，例如使用任何傳統(tǒng)的寬度偵測算法以獲得閘極寬度55。接著，將這個圖案化特征結(jié)構(gòu)或門極寬度55和定義于罩幕的電路布置中或標線的閘極寬度做比較。若是在閘極55與由設(shè)計規(guī)則定義的閘極寬度間有任何的偏差或差距，這些偏差可經(jīng)由調(diào)整罩幕來做補償。舉例來說，閘極寬度55是0.18μm而設(shè)計規(guī)則提供0.13μm閘極寬度，則工具操作員可要求制造一個新罩幕以調(diào)整這個0.05μm差距，以使形成于晶圓58上的閘極寬度55測量為0.13μm。
此外，經(jīng)由連結(jié)偏差信息至微影可調(diào)式參數(shù)例如步進機聚焦與曝光設(shè)定值，則可補償此偏差。因此，假如測量值偏離設(shè)計規(guī)則，則提供至步進機的連結(jié)信息可依據(jù)操作員的判斷來做調(diào)整，或可由晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器的相關(guān)工具自動地調(diào)整，以修正此偏差。這些用以響應(yīng)由晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器執(zhí)行的分析的自動調(diào)整偏差的工具可以用現(xiàn)有的硬件或軟件來實現(xiàn)。舉例來說，數(shù)據(jù)庫可包括用以變更生產(chǎn)過程的資料及/或指令，以評估錯誤。處理器可使用來自數(shù)據(jù)庫的資料并提供指令至工具、設(shè)備等等中，以修正錯誤。因此可同時偵測微影和蝕刻制程偏差，故可在執(zhí)行度量衡并發(fā)生任何嚴重錯誤之前，有效改善制程和品質(zhì)控制能力。
高執(zhí)行效能微處理器在一個晶粒上具有數(shù)百萬的閘極。在本發(fā)明的另一示范實施例中，可改善若干個圖案化特征結(jié)構(gòu)的臨界尺寸均勻性，而任一圖案化特征結(jié)構(gòu)是形成于晶圓的若干個晶粒中。詳細描述將配合圖5來說明，在若干個電路布置上執(zhí)行根據(jù)軟件程序的邏輯操作，任一該若干個電路布置是形成于晶圓上的若干個晶粒中，以獲取若干個圖案化特征結(jié)構(gòu)。在一實施例中，該若干個電路布置包括多晶硅層與位于晶體管的主動區(qū)中的層，而圖案化特征結(jié)構(gòu)包括晶體管的閘極寬度。接著算出該若干個圖案化特征結(jié)構(gòu)的平均數(shù)，以獲得一平均值，然后將此平均值和由罩幕定義的設(shè)計值做比較。假如在閘極寬度的平均值與由罩幕定義的設(shè)計值間有偏差，則可經(jīng)由微影可調(diào)式參數(shù)來調(diào)整此偏差或用其它方法修正。
圖5是依照本發(fā)明一示范實施例形成于晶圓63上若干個晶粒62上的若干個多晶硅層60與主動區(qū)61的俯視圖。可以知道的是，這些形成于晶圓63上的特征結(jié)構(gòu)并未繪示出比率，其僅是用以清楚說明本發(fā)明的特征結(jié)構(gòu)。根據(jù)傳統(tǒng)軟件的邏輯操作，可由多晶硅層60與主動區(qū)61的合并中獲得閘極64(以斜線表示)的結(jié)構(gòu)信息。也可由除了多晶硅層60與主動區(qū)61以外獲得閘極64的結(jié)構(gòu)信息。晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器的相關(guān)工具例如晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器中的寬度處理器分析閘極64，例如使用任何傳統(tǒng)的寬度偵測算法以獲得閘極寬度(未顯示)。這個擷取步驟是在該若干個晶粒62上執(zhí)行，以擷取若干個圖案化特征結(jié)構(gòu)或晶體管的閘極寬度。接著，算出該若干個閘極寬度的平均數(shù)，以獲得一平均值。
然后，將此平均值閘極寬度和定義于罩幕的電路布置中的設(shè)計規(guī)則閘極寬度做比較。假如在平均值閘極寬度與設(shè)計值閘極寬度(例如儲存在用以儲存參考資料的數(shù)據(jù)庫中的閘極寬度信息)間有任何偏差或差距，則可經(jīng)由調(diào)整罩幕來補償此偏差。舉例來說，平均值閘極寬度是0.18μm而設(shè)計規(guī)則提供0.13μm平均值閘極寬度，則工具操作員可要求制造一個新罩幕以調(diào)整這個0.05μm差距，以使新的平均值閘極寬度測量為0.13μm。此外，經(jīng)由連結(jié)此偏差信息至微影可調(diào)式參數(shù)例如步進機聚焦與曝光設(shè)定值，可補償此偏差。因此，假如測量值偏離設(shè)計規(guī)則，則提供至步進機的連結(jié)信息可依據(jù)操作員的判斷來做調(diào)整，或可由晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器的相關(guān)工具自動地調(diào)整，以修正此偏差。這些用以響應(yīng)由晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器執(zhí)行的分析的自動調(diào)整偏差的工具可以用現(xiàn)有的硬件或軟件來實現(xiàn)。舉例來說，數(shù)據(jù)庫可包括用以變更生產(chǎn)過程的資料及/或指令，以評估錯誤。處理器可使用來自數(shù)據(jù)庫的資料并提供指令至工具、設(shè)備等等中，以修正錯誤。因此可同時偵測微影和蝕刻制程偏差，故可在執(zhí)行度量衡并發(fā)生任何嚴重錯誤之前，有效改善制程和品質(zhì)控制能力。
圖6是依照本發(fā)明一實施例用來評估與改善晶圓特征結(jié)構(gòu)的臨界尺寸均勻性的一示范系統(tǒng)的方塊圖。可以知道的是，圖6的系統(tǒng)環(huán)境只是本發(fā)明可使用的許多不同系統(tǒng)環(huán)境的其中一種。晶粒-數(shù)據(jù)庫檢視機器70可包括例如軟件72、內(nèi)存74、數(shù)據(jù)庫76與光學(xué)系統(tǒng)78。軟件72包括程序、例行程序、程序代碼與其它用以指示晶粒-數(shù)據(jù)庫機器70的寫入指令，以執(zhí)行實際的預(yù)定功能，例如晶圓缺陷偵測。軟件72可包括一邏輯操作軟件，用以由晶圓上的一圖案化特征結(jié)構(gòu)中擷取一閘極寬度。數(shù)據(jù)庫76與內(nèi)存74包含資料，例如設(shè)計規(guī)則(例如若干個晶體管的閘極寬度信息)，并且也可包含用以調(diào)整微影設(shè)備的指令，以修正偏差值。光學(xué)系統(tǒng)78產(chǎn)生一晶圓影像，然后將的和由罩幕定義的電路布置或標線做比較(82)，而任何偏差值可經(jīng)由制造(86)一個新罩幕或標線(88)或調(diào)整微影設(shè)備90來做補償(84)。
請參照圖7，其為依照本發(fā)明一示范實施例在半導(dǎo)體與罩幕制造過程中，用以改善形成于晶圓上圖案化特征結(jié)構(gòu)的臨界尺寸均勻性的一方法步驟的流程圖。此方法開始于步驟710，評估形成于晶圓上的若干個電路布置，該若干個電路布置由罩幕或標線定義。在步驟720，在該若干個電路布置上執(zhí)行一邏輯操作，以擷取一圖案化特征結(jié)構(gòu)。此外，在步驟730，將此圖案化特征結(jié)構(gòu)和設(shè)計規(guī)則做比較。在步驟740，假如在圖案化特征結(jié)構(gòu)與設(shè)計規(guī)則間有偏差或差距，則經(jīng)由調(diào)整微影可調(diào)式參數(shù)例如罩幕來補償此差距。
權(quán)利要求
1.一種改善晶圓上的一圖案化特征結(jié)構(gòu)的臨界尺寸均勻性的方法，其特征在于，該方法至少包括以下步驟評估形成于該晶圓上的若干個電路布置，該若干個電路布置由一罩幕或標線定義；在該若干個電路布置上執(zhí)行一邏輯操作，以擷取一圖案化特征結(jié)構(gòu)；以及比較該圖案化特征結(jié)構(gòu)和由該罩幕或標線定義的該若干個電路布置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，該方法還包括調(diào)整一組微影可調(diào)式參數(shù)，以補償在該圖案化特征結(jié)構(gòu)與由該罩幕或標線定義的該若干個電路布置間的一偏差或差距。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該可調(diào)式參數(shù)至少包含步進機的聚焦或曝光設(shè)定值或罩幕制造調(diào)整值。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該邏輯操作經(jīng)由一AND邏輯操作來執(zhí)行，以由該若干個電路布置的合并中擷取該圖案化特征結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，該圖案化特征結(jié)構(gòu)包括一閘極的一寬度，該閘極寬度與由該罩幕或標線定義的該若干個電路布置間的該偏差或差距是經(jīng)由調(diào)整該微影可調(diào)式參數(shù)來補償。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，該邏輯操作經(jīng)由一OR邏輯操作來執(zhí)行，以由除了該若干個電路布置以外擷取該圖案化特征結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，該圖案化特征結(jié)構(gòu)包括一閘極的一寬度，該閘極寬度與由該罩幕或標線定義的該若干個電路布置間的該偏差或差距是經(jīng)由調(diào)整該微影可調(diào)式參數(shù)來補償。
8.一種改善晶圓上的一圖案化特征結(jié)構(gòu)的臨界尺寸均勻性的方法，其特征在于，該方法至少包括評估形成于該晶圓上的若干個電路布置，該若干個電路布置由一罩幕或標線定義；在該若干個電路布置上執(zhí)行一邏輯操作，以擷取一圖案化特征結(jié)構(gòu)；比較該圖案化特征結(jié)構(gòu)和由該罩幕或標線定義的該若干個電路布置；以及調(diào)整一組微影可調(diào)式參數(shù)，以補償在該圖案化特征結(jié)構(gòu)與由該罩幕或標線定義的該若干個電路布置間的一偏差或差距。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該可調(diào)式參數(shù)包括步進機的聚焦或曝光設(shè)定值或罩幕制造調(diào)整值。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該邏輯操作經(jīng)由一AND邏輯操作來執(zhí)行，以由該若干個電路布置的合并中擷取該圖案化特征結(jié)構(gòu)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，該圖案化特征結(jié)構(gòu)包括一閘極的一寬度，該閘極寬度與由該罩幕或標線定義的該若干個電路布置間的該偏差或差距是經(jīng)由調(diào)整該微影可調(diào)式參數(shù)來補償。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，該邏輯操作經(jīng)由一OR邏輯操作來執(zhí)行，以由該若干個電路布置的合并中擷取該圖案化特征結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，該圖案化特征結(jié)構(gòu)包括一閘極的一寬度，該閘極寬度與由該罩幕或標線定義的該若干個電路布置間的該偏差或差距是經(jīng)由調(diào)整該微影可調(diào)式參數(shù)來補償。
14.一種改善晶圓上若干個晶粒上的若干個圖案化特征結(jié)構(gòu)的臨界尺寸均勻性的方法，其特征在于，該方法至少包括評估被包含在該若干個晶粒中的若干個電路布置，該若干個電路布置由一罩幕或標線定義；在任一該若干個電路布置上執(zhí)行一邏輯操作，以擷取若干個圖案化特征結(jié)構(gòu)；算出該若干個圖案化特征結(jié)構(gòu)的平均數(shù)，以獲得其的一平均值；比較該圖案化特征結(jié)構(gòu)的該平均值和由該罩幕或標線定義的該若干個電路布置；以及調(diào)整一組微影可調(diào)式參數(shù)，以補償在該圖案化特征結(jié)構(gòu)的該平均值與由該罩幕或標線定義的該若干個電路布置間的一偏差或差距。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，該可調(diào)式參數(shù)包括步進機的聚焦或曝光設(shè)定值或罩幕制造調(diào)整值。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，該邏輯操作經(jīng)由一AND邏輯操作來執(zhí)行，以由該若干個電路布置的合并中擷取任一該若干個圖案化特征結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，該若干個圖案化特征結(jié)構(gòu)的該平均值包括一閘極的一寬度，該平均值閘極寬度與由該罩幕或標線定義的該若干個電路布置間的該偏差或差距是經(jīng)由調(diào)整該微影可調(diào)式參數(shù)來補償。
18.一種用于微影的系統(tǒng)，其特征在于，該系統(tǒng)至少包括一儲存一預(yù)期圖案的數(shù)據(jù)庫；一檢視形成于一基材上的一圖案的檢視組件，該檢視圖案和該預(yù)期圖案有關(guān)；一轉(zhuǎn)換該檢視圖案成一調(diào)整圖案的邏輯裝置；以及一確定該調(diào)整圖案與該預(yù)期圖案之間的一差距的比較器。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其特征在于，該檢視組件執(zhí)行該檢視圖案的一光學(xué)檢視。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其特征在于，該檢視組件執(zhí)行該檢視圖案的一電子束檢視。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的系統(tǒng)，其特征在于，該檢視組件執(zhí)行該檢視圖案的一離子束檢視。
全文摘要
一種在半導(dǎo)體與罩幕制造中改善晶圓上的圖案化特征結(jié)構(gòu)的臨界尺寸均勻性的方法。在一實施例中，提供一種評估裝置以評估形成于晶圓上的若干個電路布置的臨界尺寸分布，該若干個電路布置由一罩幕定義。在該若干個電路布置上執(zhí)行一邏輯操作，以擷取圖案化特征結(jié)構(gòu)。將圖案化特征結(jié)構(gòu)和設(shè)計規(guī)則做比較，假如圖案化特征結(jié)構(gòu)與設(shè)計規(guī)則之有偏差或差距，則此差距可經(jīng)由調(diào)整微影的可調(diào)式參數(shù)(例如罩幕制造)來做補償。
文檔編號G03F7/20GK1670914SQ20041008059
公開日2005年9月21日 申請日期2004年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月3日
發(fā)明者許照榮, 游展汶, 高蔡勝, 林本堅 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司