專利名稱：掃描曝光機校準度檢測方法
掃描曝光機校準度檢測方法技術領域：
本發明涉及利用掃描曝光機進行晶片加工的領域，尤其涉及一種掃描曝 光才幾4交準度4企測方法。背景4支術用來加工集成電路用的晶片， 一般分為十幾層，有些要分為二十幾層， 因為各層的結構不同，所以通常每層都是經過不同的掃描曝光機加工到晶片 上的。如果不同的掃描曝光機的對準不一致，則同一晶片的不同層之間就會 存在偏差，如果這個偏差超出了規定的標準范圍，則生產加工出來的晶片的 各層之間也會有很大的偏差，這樣的晶片就無法用來進行后續加工，就是不 合格產品。要解決晶片不同層之間的對準偏差問題，就要盡量使所有機臺的對準都 一致。因此，業界一直不斷地致力于不同的掃描曝光機之間的絕對對準標準 不同的問題，但絕對標準很難確定，因為不同機臺內部的標準不同。因此用 于檢測不同掃描曝光機的校準標準和方法也很難確定。
發明內容本發明的目的在于提供一種掃描曝光機校準度檢測方法，克服了現有技 術的不足，通過檢測不同掃描曝光機之間的相對偏差，解決檢測多臺掃描曝 光機對準不一致的問題。本發明是通過以下技術方法實現的一種掃描曝光機校準度檢測方法，包括下列步驟選定作為標準的掃描 曝光機，并調整所述的標準掃描曝光機的傳輸系統的精度；使用所述的標準 掃描曝光機在晶片上定義出預定的標記圖形，并經刻蝕工藝加工后在晶片上 形成立體標記圖形；用待測掃描曝光機模擬加工所述的刻有標記的晶片；根 據所述的待測掃描曝光機輸出的加工結果報告中的偏差值與預定的偏差允許 范圍判斷待測掃描曝光機的校準度。所述的掃描曝光機校準度檢測方法中，所述的晶片應為5片或5片以上。 所述的加工結果^I艮告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值 以及角度偏差值。所述的加工結果報告中的偏差值應為平均值。所述的標記 的形狀可以是矩形、圓形、三角形或橢圓形。所述的標記的圖形的最大長度 不應超過半徑的三分之一。所述的標記應刻蝕在所述的晶片的三分之二半徑 和圓周之間。所述的掃描曝光才幾校準度;f企測方法，所述的標記應為2個或2個以上。 所述的標記之間的距離之和應為最大。所述的加工結果報告中的偏差值包括X 方向的偏差值、Y方向的偏差值以及角度偏差值。所述的加工結果報告中的 偏差值應為平均值。所述的標記的形狀可以是矩形、圓形、三角形或橢圓形。 所述的標記的圖形的最大長度不應超過半徑的三分之一。所述的標記應刻蝕 在所述的晶片的三分之二半徑和圓周之間。本發明的掃描曝光機校準度檢測方法以一臺作為標準的掃描曝光機加工 的若千晶片為參照，通過在待測機器上模擬加工時得出的數據來判斷待測機 器相對于標準掃描曝光機的對準度，解決了多臺掃描曝光機對準不一致時的 檢測問題。
圖1是本發明掃描曝光機校準度檢測方法的流程圖；圖2是有刻蝕標記的晶片的示意圖；圖3是使用本發明方法判斷多臺掃描曝光機校準度的示意圖；具體實施方式
請參閱圖1，圖1為本發明掃描曝光機校準度檢測方法的流程圖，包括下 列步驟選定作為標準的掃描曝光機，調整所述的標準掃描曝光機的傳輸系 統的精度；使用所述的標準掃描曝光機在晶片上定義出預定的標記圖形，并 經刻蝕工藝加工后在晶片上形成立體標記圖形；用待測掃描曝光機模擬加工 所述的刻有標記的晶片；將所述的待測掃描曝光機輸出的加工結果報告中的 偏差值與預定的偏差允許范圍對比，判斷待測掃描曝光機的校準度。所述的加工結果報告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值 以及角度偏差值。所述的加工結果"t艮告中的偏差值應為平均值。所述的標記 的形狀可以是矩形、圓形、三角形或橢圓形。所述的標記的圖形的最大長度 不應超過半徑的三分之一。所述的標記應刻蝕在所述的晶片的三分之二半徑 和圓周之間。實驗數據表明用于檢測的晶片為1片時，檢測精度為80%;晶片為2片 時，檢測精度為93%;晶片為3片時，檢測精度為95%;晶片為4片時，檢 測精度為96%;晶片為5片時，檢測精度為98%。 一般認為檢測精度為98% 以上，符合高精度對準標準。因此，在本發明的一個較佳實施例中，使用本發明方法時，用于檢測的 刻蝕標記的晶片為5片或5片以上，此時檢測精度為98%以上。其中所述的 加工結果報告中的偏差值包括X方向的偏差值、丫方向的偏差值以及角度偏差值。所述的加工結果報告中的偏差值應為平均值。所迷的標記的形狀可以 是矩形、圓形、三角形或橢圓形。所述的標記的圖形的最大長度不應超過半 徑的三分之一。所述的標記應刻蝕在所述的晶片的三分之二半徑和圓周之間。請參閱圖2，圖2為有刻蝕標記的晶片的示意圖。其中晶片2上的標記 1可為一個或多個。為了提高精度，在本發明的另 一個較佳實施例中，使用本發明方法時， 用于檢測的晶片上刻蝕的標記為2個或2個以上。其中，所述的標記之間的 距離之和最好為最大，即相鄰標記之間的距離相等。所述的加工結果報告中 的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值以及角度偏差值。所述的加 工結果報告中的偏差值應為平均值。所述的標記的形狀可以是矩形、圓形、 三角形或橢圓形。所述的標記的圖形的最大長度不應超過半徑的三分之一。 所述的標記應刻蝕在所述的晶片的三分之二半徑和圓周之間。在上述實施例中，如果用于檢測的晶片為5片或5片以上，則其檢測精 度會更高。請參閱圖3,圖3為使用本發明方法判斷多臺掃描曝光機校準度的示意 圖。圖上的每個點對應一臺掃描曝光機^^莫擬加工晶片時輸出的偏差值，即待 測掃描曝光機相對于標準掃描曝光機的對準偏差。圖3中0值對應的線為無 偏差線，如果掃描曝光機對應的偏差值的點位于O點上，說明沒有相對偏差， 完全對準。與0值線相鄰的上下兩條線為預警線，即預定的偏差允許值；如 果掃描曝光機對應的偏差值的點位于兩條預警線之間，即在預定的偏差允許 范圍內，則符合對準標準。與預警線相鄰的，位于預警范圍外的上下兩條線 為不符合標準線，如果掃描曝光機對應的偏差值的點位于預警線與不符合標 準線之間時，其對準基本符合標準，但對該臺掃描曝光機的檢測頻率應提高， 防止偏差超過標準值。如果掃描曝光機對應的偏差值的點位于不符合標準線上，或不符合標準線以外時，則該臺掃描曝光機已不符合對準標準，應對其 進行手工一交對。以上介紹的僅僅是基于本發明的幾個較佳實施例，并不能以此來限定本 發明的范圍。任何對本發明的裝置作本技術領域內熟知的部件的替換、組合、 分立，以及對本發明實施步驟作本技術領域內熟知的等同改變或替換均不超 出本發明的揭露以及保護范圍。
權利要求
1. 一種掃描曝光機校準度檢測方法，其特征在于包括下列步驟選定作為標準的掃描曝光機，并調整所述的標準掃描曝光機的傳輸系統的精度；使用所述的標準掃描曝光機在晶片上定義出預定的標記圖形，并經刻蝕工藝加工后在晶片上形成立體標記圖形；用待測掃描曝光機模擬加工所述的刻有標記的晶片；根據所述的待測掃描曝光機輸出的加工結果報告中的偏差值與預定的偏差允許范圍判斷待測掃描曝光機的校準度。
2、 如權利要求1所述的掃描曝光機校準度^r測方法，其特征在于所述 的晶片應為5片或5片以上。
3、 如權利要求1或2所述的掃描曝光機校準度檢測方法，其特征在于 所述的加工結果報告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值以及 角度偏差值。
4、 如權利要求1或2所述的掃描曝光機校準度檢測方法，其特征在于 所述的加工結果報告中的偏差值應為平均值。
5、 如權利要求1或2所述的掃描曝光機校準度檢測方法，其特征在于 所述的標記的形狀可以是矩形、圓形、三角形或橢圓形。
6、 如權利要求1或2所述的掃描曝光機校準度檢測方法，其特征在于 所述的標記的圖形的最大長度不應超過半徑的三分之一。
7、 如權利要求1或2所述的掃描曝光機校準度檢測方法，其特征在于 所述的標記應刻蝕在所述的晶片的三分之二半徑和圓周之間。
8、 如權利要求1或2所述的掃描曝光機校準度檢測方法，其特征在于 所述的標記應為2個或2個以上。
9、 如權利要求8所述的掃描曝光機校準度檢測方法，其特征在于所述的標記之間的距離之和應為最大。
10、 如權利要求8所述的掃描曝光機校準度檢測方法，其特征在于所 述的加工結果報告中的偏差值包括X方向的偏差值、Y方向的偏差值以及角 度偏差值。
11、 如權利要求8所述的掃描曝光機校準度檢測方法，其特征在于所 述的加工結果報告中的偏差值應為平均值。
12、 如權利要求8所述的掃描曝光機校準度檢測方法，其特征在于所 述的標記的形狀可以是矩形、圓形、三角形或橢圓形。
13、 如權利要求8所述的掃描曝光機校準度檢測方法，其特征在于所 述的標記的圖形的最大長度不應超過半徑的三分之一。
14、 如權利要求8所述的掃描曝光機校準度檢測方法，其特征在于所 述的標記應刻蝕在所述的晶片的三分之二半徑和圓周之間。
全文摘要
一種掃描曝光機校準度檢測方法，包括下列步驟選定作為標準的掃描曝光機，并調整所述的標準掃描曝光機的傳輸系統的精度；使用所述的標準掃描曝光機在晶片上定義出預定的標記圖形，并經刻蝕工藝加工后在晶片上形成立體標記圖形；用待測掃描曝光機模擬加工所述的刻有標記的晶片；根據所述的待測掃描曝光機輸出的加工結果報告中的偏差值與預定的偏差允許范圍判斷待測掃描曝光機的校準度。本發明解決了多臺掃描曝光機校準不一致時的檢測問題。
文檔編號G03F7/20GK101226338SQ200710036530
公開日2008年7月23日 申請日期2007年1月17日 優先權日2007年1月17日
發明者楊金坡, 越 車, 超 鄒 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司