專利名稱：具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的涂層的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有高抗反射特性的涂層結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種具有可穿 透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的涂層。
背景技術(shù)：
通常在液晶顯示器或等離子顯示器的塑料基板(plastic substrate)、玻 璃基板(glass substrate)或塑料網(wǎng)板(plastic web)上，會(huì)加上一抗反射的涂 層結(jié)構(gòu)，因此有眾多的涂層結(jié)構(gòu)已經(jīng)被公開。美國專利U. S. 4， 921， 760公開一種在二氧化鈰和合成數(shù)脂兼具有良好黏 著力的多層抗反射的涂層，該多層系統(tǒng)包括Ce02、 A1A、 Zr02、 Si02、 Ti02和 Ta205，該多層系統(tǒng)的所有薄膜層皆為氧化物，該多層系統(tǒng)包括有三到五層的薄 層，在一實(shí)施例中，該五層結(jié)構(gòu)的總厚度約為3580埃，該多層系統(tǒng)的表層的 物質(zhì)為Si02，其具有一低折射率，當(dāng)波長為550nm時(shí)，折射率為1.46。美國專利U. S. 5， 105, 310公開一種使用反應(yīng)式濺射而配置于同軸涂布機(jī) 器的多層抗反射的涂層，該多層系統(tǒng)包括Ti02、 Si02、 ZnO、 Zr02、和Ta205， 該多層系統(tǒng)的所有薄膜層皆為氧化物，該多層系統(tǒng)包括有四到六層的薄層，在 一實(shí)施例中，該六層結(jié)構(gòu)的總厚度約為4700埃，該多層系統(tǒng)的表層的物質(zhì)為 Si02，其具有一低折射率，當(dāng)波長為550nm時(shí)，折射率為1.46。美國專利U. S. 5， 091， 244和U. S. 5， 407， 733公開一種新型態(tài)的具導(dǎo)電性的 光衰減抗反射的涂層，其主要主張為由特定過渡金屬氮化物來組成而提供一具 導(dǎo)電性、光衰減、抗反射的表面，該多層系統(tǒng)包括TiN、 NbN、 Sn02、 Si02、 A1A 和NbA，該多層系統(tǒng)的所有薄膜層皆為氮化物和氧化物，該多層系統(tǒng)包括有 三到四層的薄層，在一實(shí)施例中，該四層結(jié)構(gòu)的總厚度約為1610埃，該四層 系統(tǒng)的可見光的穿透率低于50%，該多層系統(tǒng)的表層的物質(zhì)為Si02，其具有一 低折射率，當(dāng)波長為550nm時(shí)，折射率為1. 46。美國專利U. S. 5， 147， 125公開一種使用氧化鋅而抗波長小于380nm的紫外線的的多層抗反射的涂層，該多層系統(tǒng)包括Ti02、 Si02、 ZnO和MgF2，該多層 系統(tǒng)的所有薄膜層為氧化物和氟化物，該多層系統(tǒng)包括有四到六層的薄層，在 一實(shí)施例中，該五層結(jié)構(gòu)的總厚度約為7350埃，該多層系統(tǒng)的表層的物質(zhì)為 MgF2，其具有一低折射率，當(dāng)波長為550nm時(shí)，折射率為1.38。美國專利U. S. 5， 170， 291公開一四層系統(tǒng)，其具有一光學(xué)效應(yīng)和高抗反射 效果，該多層系統(tǒng)可通過高溫分解、等離子支撐化學(xué)蒸氣布置、濺射或化學(xué)布 置等方式來形成，該多層系統(tǒng)包括Si02、 Ti02、 A1203、 ZnS、 MgO和BiA，在 一實(shí)施例中，該四層結(jié)構(gòu)的總厚度約為2480埃，該多層系統(tǒng)的表層的物質(zhì)為 Si02，其具有一低折射率，當(dāng)波長為550nm時(shí)，折射率為1.46。美國專利U.S.5，216，542公開一五層涂層，其具有高抗反射效果，該多層 系統(tǒng)包含一層厚度為lnm而由Ni、Cr或NiCr構(gòu)成的黏膜層，其于四層由Sn02、 Zr02、 Zn0、 Ta205、 Ni0、 Cr02、 Ti02、 Sb203、 ln203、 A1203、 Si02、 TiN和ZrNn 所構(gòu)成，在一實(shí)施例中，該五層結(jié)構(gòu)的總厚度約為2337埃，該五層系統(tǒng)的可 見光的穿透率低于30%，該多層系統(tǒng)的表層的物質(zhì)為Si02，其具有一低折射率， 當(dāng)波長為550nm時(shí)，折射率為1. 46。美國專利U. S. 5， 541， 770公開一種具有導(dǎo)電層的光衰減抗反射的涂層，為 四到五層的多層系統(tǒng)，具有光吸收高折射率的金屬，例如Cr、 Mo和W等等， 被當(dāng)作該多層系統(tǒng)的光效果薄膜，而其它的三到四層為Ti02、 ITO、 A1203、 Si02 和TiN，除了一金屬層被用于當(dāng)作該多層系統(tǒng)的光效果薄膜外，該多層系統(tǒng)的 主要物質(zhì)為氧化物和氮化物，在一實(shí)施例中，該五層結(jié)構(gòu)的總厚度約為1495 埃，該多層系統(tǒng)的可見光的穿透率低于60%，該多層系統(tǒng)的表層的物質(zhì)為Si02， 其具有一低折射率，當(dāng)波長為550nm時(shí)，折射率為1.46。美國專利U. S. 5， 362， 552公開一種具有三層導(dǎo)電金屬氧化物的六層抗反 射的涂層，該多層系統(tǒng)包括Si02、 ITO、 Nb205和TaA，該涂層包括一總厚度達(dá) 可見光的波長的導(dǎo)電金屬氧化物，在一實(shí)施例中，該六層結(jié)構(gòu)的兩主要層的物 質(zhì)和厚度分別為Si02、854埃和IT0、 1975埃，該多層系統(tǒng)的表層的物質(zhì)為Si02， 其具有一低折射率，當(dāng)波長為550nm時(shí)，折射率為1.46。美國專利U. S. 5， 579， 162公開一種使用于對溫度靈敏的基板(例如塑料)的四層抗反射的涂層，其中一層為直流反應(yīng)濺射的金屬氧化物，其可快速地布 置于基板上，而且不會(huì)傳遞大量的熱量至該基板，該多層系統(tǒng)包括Sn02、 Si027和ITO，在一實(shí)施例中，該四層結(jié)構(gòu)的兩主要層的物質(zhì)和厚度分別為Sn02、 763 埃和Si02、 940埃，該多層系統(tǒng)的表層的物質(zhì)為Si02，其具有一低折射率，當(dāng) 波長為550rnn時(shí)，折射率為1. 46。美國專利U. S. 5， 728， 456和U. S. 5， 783， 049公開一種改良的方法，用于布 置抗反射的涂層于一塑料薄膜上，該多層薄膜用一濺射工藝涂布一滾子涂層， 該多層系統(tǒng)包括ITO、 Si02和一薄潤滑層，其為一可溶解的氟聚合物，在一實(shí) 施例中，該六層結(jié)構(gòu)的總厚度約為2630埃，該多層系統(tǒng)的表層的物質(zhì)為Si02， 其具有一低折射率，當(dāng)波長為550mn時(shí)，折射率為1.46。以上所公開的光學(xué)多層系統(tǒng)的表面薄層的物質(zhì)為Si02或MgF2，其具有一 低折射率，當(dāng)波長為550nm時(shí)，折射率分別為1. 46和1. 38。公知的抗反射光學(xué)涂層的多層系統(tǒng)皆利用一通則，該通則為該光學(xué)涂層的 表層的物質(zhì)具有一低折射率，例如Si02，折射率為1.46，或Mg&，折射率為 1.38。然而，當(dāng)將該抗反射涂層運(yùn)用于顯示器工業(yè)時(shí)，例如具抗靜電效果的計(jì) 算機(jī)屏幕或用于液晶顯示器或等離子顯示器的低反射玻璃時(shí)，在大量生產(chǎn)的過 程中，存在一些瓶頸,其原因是該光學(xué)涂層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層由一絕緣層(例如Si02 或MgF》所燒制而成。一抗反射涂層的基本設(shè)計(jì)規(guī)則為，布置于一基板表面的第一層為具高折射 率的物質(zhì)所構(gòu)成(標(biāo)示為H)，其后接著一具低折射率的物質(zhì)所構(gòu)成(標(biāo)示為L) 的第二層，因此，公知的抗反射涂層的多層結(jié)構(gòu)的規(guī)則為HLHL或HLHLHL，以 高折射率(H)的物質(zhì)為ITO而低折射率(L)的物質(zhì)為Si02為例子，該四層結(jié)構(gòu) 分別為Glass/ITO/Si02/ITO/Si02。因?yàn)镮TO是一透明的導(dǎo)電物質(zhì)，該多層結(jié) 構(gòu)的涂層的導(dǎo)電性低于每平方100Q，而且當(dāng)該導(dǎo)電涂層連結(jié)至地時(shí)，可用于 電磁干擾(EMI)頻障或靜電放電。然而，問題是該公知的光學(xué)多層結(jié)構(gòu)的表面 物質(zhì)為Si02，且其厚度為1000 A，該Si02的物質(zhì)特性為高密度、具有惰性和 一良好的電絕緣層，在運(yùn)用傳統(tǒng)的抗反射涂層于顯示器工業(yè)的過程中，電性接 觸由外部的Si02層所隔離的該燒制的ITO層是困難的，在使一金屬接觸該ITO 層的接地過程中，需要使用一超音波焊接工藝去打破該Si02層，以確保錫球 與該ITO層產(chǎn)生良好接觸，此一工藝為大量生產(chǎn)抗反射涂層的瓶頸。另一方面，由于液態(tài)錫和超音波的曝露能量的緣故，該超音波焊接工藝微 細(xì)的污染物，此外，該超音波焊接工藝還會(huì)于每一匯流線上產(chǎn)生非持久性的接觸阻抗，這是因?yàn)槌舨ê附庸に嚐o法保證能夠均勻的以相同的深度打破該絕 緣層而得到一均勻的接觸阻抗。上述的缺點(diǎn)會(huì)降低在運(yùn)用公知的抗電磁干擾和抗反射涂層的工藝的良率 和可靠度。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的主要問題在于，提供一種具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低 電阻光衰減抗反射的涂層，其包括八個(gè)氧化物層，而該涂層的表層的物質(zhì)為一可穿透的導(dǎo)電層和具有一介于1. 9到2. 2的高折射率。本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰 減抗反射的涂層，在大量生產(chǎn)該氧化物薄膜的工藝是可靠的，而該低電阻光衰 減抗反射的涂層可運(yùn)用于半導(dǎo)體、光學(xué)頭、液晶顯示器、陰極射線管、建筑玻 璃、觸控式傳感器、屏幕濾波器、塑料網(wǎng)板涂層等工業(yè)。本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰 減抗反射的涂層，該低電阻光衰減抗反射的涂層的多層結(jié)構(gòu)為HL(HL)6H，其包括八個(gè)氧化物層，而該涂層的表層的物質(zhì)為一可穿透的導(dǎo)電層和具有一介于 1. 9到2. 2的高折射率，該低電阻光衰減抗反射的涂層的表層的物質(zhì)為一可穿 透的表面導(dǎo)電層。在一實(shí)施例中，該可穿透的表面導(dǎo)電層的物質(zhì)系Si02、 Zn02、 InA和IT0。本發(fā)明的另一目的在于提供一種具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰 減抗反射的涂層，該低電阻光衰減抗反射的涂層的表層的物質(zhì)為一可穿透的表 面導(dǎo)電層，而該可穿透的表面導(dǎo)電層的光反射率低于0.5%,該低電阻光衰減 抗反射的涂層的阻抗介于每平方0. 5 Q與0. 7 Q之間，而其穿透率為55%至70%。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請公開了一種具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光 衰減抗反射的涂層，包括有一基板；一第十五層，設(shè)置于該基板的一前表面，其由一高折射率的氧化物所構(gòu)成， 物理厚度介于20nm和40nm間；一第十四層，設(shè)置于該第十五層上，其由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成， 物理厚度介于8nm和12nm間；一第十三層，設(shè)置于該第十四層上，其由一高折射率的氧化物所構(gòu)成，物理厚度介于30nm和80nm間；一第十二層，設(shè)置于該第十三層上，其由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成， 物理厚度介于8nm和12nm間；一第十一層，設(shè)置于該第十二層上，其由一高折射率的氧化物所構(gòu)成，物 理厚度介于30nm和80nm間；一第十層，設(shè)置于該第十一層上，其由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成，物 理厚度介于8nm和12nm間；一第九層，設(shè)置于該第十層上，其由一高折射率的氧化物所構(gòu)成，物理厚 度介于30nm和80nm間；一第八層，設(shè)置于該第九層上 厚度介于8nm和12nm間；一第七層，設(shè)置于該第八層上 度介于30nm和80nm間；一第六層，設(shè)置于該第七層上 厚度介于8nm和12nm間；一第五層，設(shè)置于該第六層上 于30nm和80nm間；一第四層，設(shè)置于該第五層上 厚度介于8nm和12nm間；一第三層，設(shè)置于該第四層上 度介于30nm和80nm間；一第二層，設(shè)置于該第三層上 厚度介于8nm和12nm間；以及一第一層，設(shè)置于該第二層上 度介于20nm和40nm間。所述基板是一塑料薄膜。 所述基板是一玻璃。所述第一層、第三層、第五層、第七層、第九層、第十一層和第十三層由 Zn0:Al所構(gòu)成，該第二層、第四層、第六層、第八層、第十層、第十二層和其由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成，物理 其由一高折射率的氧化物所構(gòu)成，物理厚 其由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成，物理 其由一高折射率的氧化物所構(gòu)成，物理介 其由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成，物理 其由一高折射率的氧化物所構(gòu)成，物理厚 其由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成，物理 其由一高折射率的氧化物所構(gòu)成，物理厚第十四層由銀所構(gòu)成，該第十五層由Ti02所構(gòu)成。所述第一層、第三層、第五層、第七層、第九層、第十一層和第十三層的氧化物的折射率介于1.9與2.2之間，該第二層、第四層、第六層、第八層、 第十層、第十二層和第十四層的金屬物質(zhì)的折射率介于0. 1與0. 5之間，該第 十五層的氧化物的折射率介于2. 2與2. 4之間。所述第一層、第三層、第五層、第七層、第九層、第十一層和第十三層的 氧化物由直流或脈沖直流濺射法所形成，該第二層、第四層、第六層、第八層、 第十層、第十二層和第十四層的金屬物質(zhì)由直流或脈沖直流濺射法所形成，該 第十五層的氧化物由交流濺射法所形成。所述第一層至第十五層由同軸或滾子對滾子真空系統(tǒng)的蒸鍍或?yàn)R射工藝 所形成。所述涂層為等離子顯示器或液晶顯示器的基本涂層。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還公開了一種具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的涂層，包括有一基板；一第五層，由一高折射率的氧化物所構(gòu)成和置于該基板之上； 多個(gè)第四層，由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成； 多個(gè)第三層，由一高折射率的氧化物所構(gòu)成； 一第二層，由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成； 一第一層，由一高折射率的氧化物所構(gòu)成；其中，該多個(gè)第四層和該多個(gè)第三層交錯(cuò)堆棧，并置于該第五層之上，接 著依序?yàn)樵摰诙雍驮摰谝粚印Ｋ龅谖鍖拥奈锢砗穸冉橛?0nm和40nm間，該第四層的物理厚度介于 8nm和12nm間，該第三層的物理厚度介于30nm和80nm間，該第二層的物理 厚度介于8nm和12ran間，以及該第一層的物理厚度介于20nm和40nm間。所述基板是一塑料薄膜。所述基板是一玻璃。所述第一層和該多個(gè)第三層由Zn0:Al所構(gòu)成，該第二層和該多個(gè)第四層 由銀所構(gòu)成，該第五層由Ti02所構(gòu)成。所述第一層和該多個(gè)第三層的氧化物的折射率介于1. 9與2. 2之間，該第二層和該多個(gè)第四層的金屬物質(zhì)的折射率介于0. 1與0. 5之間，該第五層的氧 化物的折射率介于2. 2與2. 4之間。所述第一層和該多個(gè)第三層的氧化物由直流或脈沖直流濺射法所形成，該 第二層和該多個(gè)第四層的金屬物質(zhì)由直流或脈沖直流濺射法所形成，該第五層的氧化物由交流濺射法所形成。所述第一層至第五層由同軸或滾子對滾子真空系統(tǒng)的蒸鍍或?yàn)R射工藝所 形成。所述涂層為等離子顯示器或液晶顯示器的基本涂層。本發(fā)明之涂層因?yàn)樵摫韺佑辛己玫膶?dǎo)電特性，該具有可穿透的表面導(dǎo)電層 的低電阻光衰減抗反射的涂層可以降低接地工藝所需的工作負(fù)荷和增加大量 生產(chǎn)的合格率和可靠度，其可運(yùn)用于液晶顯示器或等離子顯示器的玻璃基板或 塑料基板上。為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的 詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖l為本發(fā)明的涂層結(jié)構(gòu)的示意圖；及圖2為本發(fā)明的涂層結(jié)構(gòu)的波長對反射率的曲線圖。其中，附圖標(biāo)記1 第一層2第二層3 第三層4第四層5 第五層6第六層7 第七層8第八層9 第九層10第十層11第十一層12第十二層13第十三層14第十四層15第十五層16前表面17基板18觀看的方向具體實(shí)施方式
本發(fā)明是一種以氧化物為基礎(chǔ)的十五層的抗反射涂層，每一層將以rnn為 單位的物理厚度或光學(xué)厚度來描述，該設(shè)計(jì)可見光的波長為520nm。如圖1所示，基板17由玻璃、塑料或其它可看穿的物質(zhì)所構(gòu)成，該基板 17的前表面16是該基板17面對觀察者之面，觀看的方向以標(biāo)號(hào)18表示，第 十五層15接觸于該基板17的前表面16，第十四層14置于第十五層15上， 接著堆棧著第十三層13、第十二層12、第十一層ll、第十層IO、第九層9、 第八層8、第七層7、第六層6、第五層5、第四層4、第三層3、第二層2和 第一層l。其中第一層1又叫做表面層或最外層，由此構(gòu)成本發(fā)明的具有15 層的涂層結(jié)構(gòu)。第一層l或稱為表面層是ZnO:Al層，其僅吸收些微的可見光，當(dāng)波長為 520nm時(shí)，該表面層的折射率介于1. 9至2. 2之間，而物理厚度為20nm到40nm。 第二層2是一銀層，其僅吸收些微的可見光，當(dāng)波長為520rim時(shí)，其折射率介 于0. 1至0. 5之間，而物理厚度為8nm到12nm。第三層3是ZnO: Al層，當(dāng)波 長為520nm時(shí)，該層的折射率介于1. 9至2. 2之間，而物理厚度為30nm到80nm。 第四層4是一銀層，當(dāng)波長為520nm時(shí)，其折射率介于0. 1至0. 5之間，而物 理厚度為8nm到12nm。第五層5是ZnO:Al層，當(dāng)波長為520nm時(shí)，該層的折 射率介于1.9至2.2之間，而物理厚度為30nm到80nm。第六層6是一銀層， 當(dāng)波長為520nm時(shí)，其折射率介于0. 1至0. 5之間，而物理厚度為8nm到12nm。 第七層7是ZnO:Al層，當(dāng)波長為520nm時(shí)，該層的折射率介于1. 9至2. 2之 間，而物理厚度為30nm到80nra。第八層8是一銀層，當(dāng)波長為520nm時(shí)，其 折射率介于O. 1至0.5之間，而物理厚度為8nm到12nm。第九層9是ZnO:Al 層，當(dāng)波長為520nm時(shí)，該層的折射率介于1. 9至2. 2之間，而物理厚度為 30nm到80nm。第十層10是一銀層，當(dāng)波長為520nm時(shí)，其折射率介于0.1 至0.5之間，而物理厚度為8nm到12nm。第i^一層ll是ZnO:Al層，當(dāng)波長 為520rnn時(shí)，該層的折射率介于1. 9至2. 2之間，而物理厚度為30nm到80nm。 第十二層12是一銀層，當(dāng)波長為520nm時(shí)，其折射率介于0. 1至0. 5之間， 而物理厚度為8nm到12nm。第十三層13是ZnO:Al層，當(dāng)波長為520nm時(shí)， 該層的折射率介于1. 9至2. 2之間，而物理厚度為30mn到80nm。第+四層14 是一薄金屬層，該金屬層是銀所構(gòu)成，其僅吸收些微的可見光，當(dāng)波長為520nm時(shí)，其折射率介于O. 1至O. 5之間，而物理厚度為8mn到12rnn。第十五層15 是Ti02層，其不吸收可見光，當(dāng)波長為520nm時(shí)，該層的折射率介于2. 2至 2. 4之間，而物理厚度為20nm到40nm。在一較佳的實(shí)施例中，該第一層1的厚度為35nm，第二層2的厚度為10nm， 第三層3的厚度為75nm，第四層4的厚度為10nm,第五層5的厚度為55mn， 第六層6的厚度為10nm，第七層7的厚度為55nm，第八層8的厚度為10nm， 第九層9的厚度為55nm，第十層10的厚度為lOmn，第十一層11的厚度為70nm， 第十二層12的厚度為lOnm,第十三層13的厚度為70nm，第十四層14的厚度 為10nm，第十五層15的厚度為33nm。在一總壓力3m Torr (m=mini=0. 001)下，在存在濺射氣體Ar和一小分壓 水的環(huán)境下，直流或脈沖直流磁電管濺射法可用來布置ZnO:Al而形成第一、 三、五、七、九、十一和十三層。在一總壓力4m Torr下，在存在濺射氣體 Ar的環(huán)境下，直流或脈沖直流磁電管濺射法可用來布置銀而形成第二、四、 六、八、十、十二和十四層。在一總壓力2m Torr下，在存在混和Ar和H20 濺射氣體的環(huán)境下， 一交流反應(yīng)式濺射法可用來布置Ti而形成第十五層15 的Ti02。該磁電管陰極與基板的距離為15公分，并使用一加熱裝置，而該基 板的溫度控制于攝氏100度至300度之間。當(dāng)然，本發(fā)明的涂層結(jié)構(gòu)并不限于15層，只要符合HL(HL)nH的設(shè)計(jì)原理 者，皆可達(dá)到類似的功效。圖2為本發(fā)明的涂層結(jié)構(gòu)的波長對反射率的曲線圖，該反射率以百分比來 表示，其顯示可見光波長400nm到700nm的頻譜，由圖中可知，在波長460nm 到600nm之間的反射率低于0. 5%，其優(yōu)于原本以HLHL為設(shè)計(jì)原理的涂層結(jié)構(gòu)。經(jīng)由ITO涂層，該導(dǎo)電表面層的阻抗介于每平方0.5Q與0.7Q之間，在 一玻璃薄膜或塑料薄膜上，當(dāng)對于可見光波長范圍從400nm到700nm間，其反 射頻譜是一平坦且寬的區(qū)帶，而產(chǎn)生具有良好表面導(dǎo)電性的高導(dǎo)電性、光衰減 抗反射的涂層。此外，當(dāng)使用滾子對滾子真空布置法來布置本發(fā)明的涂層結(jié)構(gòu)， 其生產(chǎn)成本低和適用于大量生產(chǎn)。另一方面，本發(fā)明的涂層結(jié)構(gòu)其具有高導(dǎo)電性的特性，當(dāng)其運(yùn)用于等離子顯示器的制造時(shí)，其具有電磁干擾屏障、光學(xué)視角低反射、高表面硬度抗刮性、 適度的光衰減效應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)。例如，本發(fā)明的涂層結(jié)構(gòu)的表面阻抗介于每平方0. 5 Q與0. 7 Q之間，以及具有足夠硬度去通過軍事標(biāo)準(zhǔn)MIL-C-48497的耐刮 測試。本發(fā)明可達(dá)到下列的功效，在公知的涂層系統(tǒng)中，可穿透的導(dǎo)電層被絕緣 二氧化硅層所隔離的問題獲得解決。本發(fā)明提供表面物質(zhì)為ZN0:A1的具有十 五層的涂層結(jié)構(gòu)，而其折射率介于1.9到2.2之間。因?yàn)樵摽狗瓷渫繉拥谋砻鎸泳哂袑?dǎo)電性，幾個(gè)簡單的方式可使本發(fā)明的涂 層產(chǎn)生良好電性接觸，本發(fā)明的涂層可使用于等離子顯示器的屏幕濾波器。在屏幕濾波器的運(yùn)用上，傳統(tǒng)使用超音波焊接工藝會(huì)產(chǎn)生細(xì)微的錫點(diǎn)污染 物的接地制造方法將被取代，抗反射涂層組裝在屏幕濾波器的最后工藝將被簡化，在隔絕導(dǎo)電no層與錫焊間所形成不均勻電接觸的問題將被解決，提升接地工藝的良率。此外，該涂層結(jié)構(gòu)還可運(yùn)用于等離子顯示器和液晶顯示器工業(yè) 的基本涂層。本發(fā)明的十五層的涂層結(jié)構(gòu)由一導(dǎo)電物質(zhì)構(gòu)成其表面層，其可簡單和經(jīng)濟(jì) 地使用于具有低阻抗功能的玻璃或塑料薄膜基板上。以上所述僅為本發(fā)明的較佳可行實(shí)施例，并非用以拘限本發(fā)明的專利范 圍，因此任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明的領(lǐng)域內(nèi)，所實(shí)施的變化或修改，皆 應(yīng)屬本發(fā)明的專利范圍。
權(quán)利要求
1. 一種具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的涂層，其特征在于，包括有一基板；一第十五層，設(shè)置于該基板的一前表面，其由一高折射率的氧化物所構(gòu)成，物理厚度介于20nm和40nm間；一第十四層，設(shè)置于該第十五層上，其由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成，物理厚度介于8nm和12nm間；一第十三層，設(shè)置于該第十四層上，其由一高折射率的氧化物所構(gòu)成，物理厚度介于30nm和80nm間；一第十二層，設(shè)置于該第十三層上，其由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成，物理厚度介于8nm和12nm間；一第十一層，設(shè)置于該第十二層上，其由一高折射率的氧化物所構(gòu)成，物理厚度介于30nm和80nm間；一第十層，設(shè)置于該第十一層上，其由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成，物理厚度介于8nm和12nm間；一第九層，設(shè)置于該第十層上，其由一高折射率的氧化物所構(gòu)成，物理厚度介于30nm和80nm間；一第八層，設(shè)置于該第九層上，其由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成，物理厚度介于8nm和12nm間；一第七層，設(shè)置于該第八層上，其由一高折射率的氧化物所構(gòu)成，物理厚度介于30nm和80nm間；一第六層，設(shè)置于該第七層上，其由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成，物理厚度介于8nm和12nm間；一第五層，設(shè)置于該第六層上，其由一高折射率的氧化物所構(gòu)成，物理介于30nm和80nm間；一第四層，設(shè)置于該第五層上，其由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成，物理厚度介于8nm和12nm間；一第三層，設(shè)置于該第四層上，其由一高折射率的氧化物所構(gòu)成，物理厚度介于30nm和80nm間；一第二層，設(shè)置于該第三層上，其由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成，物理厚度介于8nm和12nm間；以及一第一層，設(shè)置于該第二層上，其由一高折射率的氧化物所構(gòu)成，物理厚度介于20nm和40nm間。
2、 如權(quán)利要求1所述具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的 涂層，其特征在于，該基板是一塑料薄膜。
3、 如權(quán)利要求1所述具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的 涂層，其特征在于，該基板是一玻璃。
4、 如權(quán)利要求1所述具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的 涂層，其特征在于該第一層、第三層、第五層、第七層、第九層、第十一層 和第十三層由ZnO:Al所構(gòu)成，該第二層、第四層、第六層、第八層、第十層、 第十二層和第十四層由銀所構(gòu)成，該第十五層由Ti02所構(gòu)成。
5、 如權(quán)利要求1所述具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的 涂層，其特征在于，該第一層、第三層、第五層、第七層、第九層、第十一層 和第十三層的氧化物的折射率介于1.9與2.2之間，該第二層、第四層、第六 層、第八層、第十層、第十二層和第十四層的金屬物質(zhì)的折射率介于0.1與 0. 5之間，該第十五層的氧化物的折射率介于2. 2與2. 4之間。
6、 如權(quán)利要求1所述具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的 涂層，其特征在于，該第一層、第三層、第五層、第七層、第九層、第十一層 和第十三層的氧化物由直流或脈沖直流濺射法所形成，該第二層、第四層、第 六層、第八層、第十層、第十二層和第十四層的金屬物質(zhì)由直流或脈沖直流濺 射法所形成，該第十五層的氧化物由交流濺射法所形成。
7、 如權(quán)利要求1所述具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的 涂層，其特征在于，該第一層至第十五層由同軸或滾子對滾子真空系統(tǒng)的蒸鍍 或?yàn)R射工藝所形成。
8、 如權(quán)利要求1所述具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的 涂層，其特征在于，該涂層為等離子顯示器或液晶顯示器的基本涂層。
9、 一種具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的涂層，其特征 在于，包括有一基板；一第五層，由一高折射率的氧化物所構(gòu)成和置于該基板之上； 多個(gè)第四層，由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成； 多個(gè)第三層，由一高折射率的氧化物所構(gòu)成； 一第二層，由一低折射率的金屬物質(zhì)所構(gòu)成； 一第一層，由一高折射率的氧化物所構(gòu)成；其中，該多個(gè)第四層和該多個(gè)第三層交錯(cuò)堆棧，并置于該第五層之上，接 著依序?yàn)樵摰诙雍驮摰谝粚印?br> 10、如權(quán)利要求9所述具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的 涂層，其特征在于該第五層的物理厚度介于20nm和40nm間，該第四層的物 理厚度介于8nm和12nm間，該第三層的物理厚度介于30nm和80nm間，該第 二層的物理厚度介于8mn和12nm間，以及該第一層的物理厚度介于20認(rèn)和 40nm間。
11.如權(quán)利要求9所述具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的 涂層，其特征在于，該基板是一塑料薄膜。
12、 如權(quán)利要求9所述具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的 涂層，其特征在于，該基板是一玻璃。
13、 如權(quán)利要求9所述具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的 涂層，其特征在于，該第一層和該多個(gè)第三層由Zn(hAl所構(gòu)成，該第二層和 該多個(gè)第四層由銀所構(gòu)成，該第五層由Ti02所構(gòu)成。
14、 如權(quán)利要求9所述具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的 涂層，其特征在于，該第一層和該多個(gè)第三層的氧化物的折射率介于1.9與 2. 2之間，該第二層和該多個(gè)第四層的金屬物質(zhì)的折射率介于0. 1與0. 5之間， 該第五層的氧化物的折射率介于2. 2與2. 4之間。
15、 如權(quán)利要求9所述具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的 涂層，其特征在于，該第一層和該多個(gè)第三層的氧化物由直流或脈沖直流濺射 法所形成，該第二層和該多個(gè)第四層的金屬物質(zhì)由直流或脈沖直流濺射法所形 成，該第五層的氧化物由交流濺射法所形成。
16、 如權(quán)利要求9所述具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的 涂層，其特征在于，該第一層至第五層由同軸或滾子對滾子真空系統(tǒng)的蒸鍍或?yàn)R射工藝所形成。
17、如權(quán)利要求9所述具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的涂層，其特征在于，該涂層為等離子顯示器或液晶顯示器的基本涂層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的涂層，該低電阻光衰減抗反射的涂層的多層結(jié)構(gòu)為HL(HL)₆H(H代表高折射率的物質(zhì)、L代表低折射率的物質(zhì))，其包括八個(gè)氧化物層，而該涂層的表層的物質(zhì)為一可穿透的導(dǎo)電層和具有介于1.9到2.2的高折射率。本發(fā)明之涂層因?yàn)樵摫韺佑辛己玫膶?dǎo)電特性，該具有可穿透的表面導(dǎo)電層的低電阻光衰減抗反射的涂層可以降低接地工藝所需的工作負(fù)荷和增加大量生產(chǎn)的合格率和可靠度，其可運(yùn)用于液晶顯示器或等離子顯示器的玻璃基板或塑料基板上。
文檔編號(hào)G02B1/11GK101246223SQ20071008027
公開日2008年8月20日 申請日期2007年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月15日
發(fā)明者張正杰 申請人:智盛全球股份有限公司