光致生酸劑、包含所述光致生酸劑的光致抗蝕劑以及包含所述光致抗蝕劑的經涂覆的制品的制作方法
【專利摘要】本發明涉及光致生酸劑、包含所述光致生酸劑的光致抗蝕劑以及包含所述光致抗蝕劑的經涂覆的制品。本發明涉及一種具有式I結構的化合物，式中，各R1獨立地是H或任選地與相鄰R1相連的取代或未取代的C1-30脂族基團；各R2和R3獨立地是H、F、C1-10烷基、C1-10氟代烷基、C3-10環烷基或C3-10氟代環烷基，其中至少一個R2和/或R3包含F；L1、L2和L3各自獨立地是單鍵或者任選地包含內酯基團的C1-20連接基團，其中L1、L2和L3中的一個或多個任選地形成環結構；各a獨立地是0-12的整數；b是0-5的整數；各c、d和r獨立地是0或1；p是0-10的整數；q是1-10的整數。光致抗蝕劑包括光致生酸劑，經涂覆的制品包括光致抗蝕劑。所述光致抗蝕劑可用于形成器件。
【專利說明】光致生酸劑、包含所述光致生酸劑的光致抗蝕劑以及包含所述光致抗蝕劑的經涂覆的制品
【背景技術】
[0001]光致抗蝕劑中使用的光致生酸劑(PAG)被設計用于產生體積較大的陰離子，從而抑制曝光后烘烤(PEB)過程中的酸擴散，并由此得到較高分辨率。然而，由于體積較大的陰離子是疏水性的，其通常包含親脂基團如氟化基團，并且可能在顯影劑和清洗水中的溶解度差，因此這種趨勢通常導致較高的缺陷度。
[0002]同時實現低擴散率和良好的缺陷度水平的一種方式是通過連接酸可解離的基團來增加PAG陰離子的尺寸。通過這種方式，PAG陰離子的尺寸能增大到足夠大，從而抑制PEB時的酸擴散，并且在PEB過程完成后碎裂成較小的高極性物質。經解離的光生酸在與氫氧化四甲基銨(TMAH)顯影劑接觸后很容易溶解，這樣可以減少缺陷數量。可以通過在光致陰離子部分上連接縮醛或縮酮來獲得酸可解離性。
[0003]日本專利第JP2011201860(A)號描述了縮酮保護的多羥基陰離子，所述陰離子基于特定多羥基四氫呋喃環體系的氟化加合物。但是，仍然需要用于193納米光刻的光致生酸劑，所述光致生酸劑具有改進的分辨率和缺陷控制。

【發明內容】

[0004]現有技術的上述或其它缺陷可以通過包含具有式(I)結構的化合物的光致生酸
劑來克服:
[0005]
【權利要求】
1.一種具有式I結構的化合物:
2.如權利要求1所述的化合物，該化合物具有式(II)的結構:
3.如權利要求1所述的化合物，該化合物具有式(ΙΙ-a)至(ΙΙ-c)的結構:
4.如權利要求1所述的化合物，該化合物具有式(III)的結構:
5.如權利要求4所述的化合物，該化合物具有式(ΙΙΙ-a)或(ΙΙΙ-b)的結構:
6.如權利要求1所述的化合物，其特征在于，Z是式(V)的陽離子:

7.如權利要求6所述的化合物，其特征在于，所述陽離子具有式(VI)、(VII)或(VIII)的結構:
8.如權利要求1所述的化合物，其特征在于，Z具有式(IX)、(X)、(XI)或(XII)的結構:
9.一種光致抗蝕劑組合物，其包含: 酸敏感聚合物；以及 如權利要求1-8中任一項所述的化合物。
10.一種經涂覆的基材，其包括:(a)基材，所述基材包括位于其表面之上的將被圖案化的一個層或多個層；和(b)如權利要求9所述的光致抗蝕劑組合物層，其位于所述將被圖案化的一個層或多個層上。
11.一種形成電子器件的方法，其包括:(a)在基材上施加如權利要求9所述的光致抗蝕劑組合物層；(b)以圖案化方式將所述光致抗蝕劑組合物層曝光于活化輻射；以及(C)對經曝光的光致抗蝕劑組合物層進行顯影，以提供抗蝕劑浮雕圖像。
12.如權利要求11所述的方法，其特征在于，所述輻射是193納米輻射或248納米輻射。
【文檔編號】G03F7/004GK103508994SQ201310257323
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年6月25日 優先權日:2012年6月26日
【發明者】E·阿恰達, I·考爾, 劉驄, C-B·徐, 李明琦, G·P·普羅科普維茨 申請人:羅門哈斯電子材料有限公司