液晶顯示器的制造方法
【專利摘要】一種液晶顯示器，包括：絕緣基板、像素電極、微腔層、公共電極和一個層。像素電極布置在基板上。微腔層布置在像素電極上且包括多個微腔，所述微腔中布置有液晶分子。公共電極布置在微腔層上。所述層布置在公共電極上且包含有機材料。所述層具有大于1.6且小于2.0的折射率。
【專利說明】液晶顯示器【技術領域】
[0001]示例性實施方式涉及顯示器技術，更具體地，涉及一種包括形成在微腔中的液晶層的液晶顯示器及其制造方法。
【背景技術】
[0002]傳統的液晶顯示器通常包括上面形成有場產生電極(諸如像素電極和公共電極)的兩個顯示面板和設置于顯示面板之間的液晶層。
[0003]為了有助于顯示圖像，通常通過向場產生電極施加電壓而在液晶層上施加電場。這使得液晶層的液晶分子配向并控制入射光的偏振。
[0004]包括嵌入式微腔(EM)結構的液晶顯示器是這樣的裝置，其中形成有犧牲層(諸如光刻膠層)，上面設置有支撐件，然后通過例如灰化工藝去除犧牲層，并且在由于去除犧牲層而形成的孔隙(或者空的空間、空腔等)中設置液晶。
[0005]為了支撐去除了犧牲層的孔隙，形成有包括有機材料的層(例如，頂層)。代替使用有機材料層，一些液晶顯示器不使用由例如玻璃制成的覆在上面的絕緣基板。但是，當使用有機材料層時，光學特性可能變差。因此，存在對于提供有效且成本高效技術的方法的需求，以提供包括EM結構和這種有機材料層的顯示裝置，而不會使顯示裝置的光學特性變差。
[0006]該【背景技術】部分中公開的上述信息僅是為了增加對本發明背景的理解，因此，它含有的信息對本領域技術人員而言可能不構成在本國已知的現有技術。

【發明內容】

[0007]示例性實施方式提供一種包括有機材料層的液晶顯示器，而不會使顯示裝置的光學特性變差，其中有機材料層形成在包括液晶的微腔層上。
[0008]其他方面將在隨后的詳細描述中闡述，并且部分地將從本公開顯而易見，或者可通過本發明的實踐而獲知。
[0009]根據示例性實施方式，液晶顯示器包括:基板；像素電極，布置在所述基板上；微腔層，布置在像素電極上，該微腔層包括多個微腔，這些微腔中布置有液晶分子；公共電極，布置在微腔層上；以及布置在公共電極上的層，該層包含有機材料。該層具有大于1.6且小于2.0的折射率。
[0010]根據示例性實施方式，液晶顯示器包括:基板；像素電極，布置在所述基板上；微腔層，布置在像素電極上，該微腔層包括多個微腔，這些微腔中布置有液晶分子；公共電極，布置在微腔層上；以及布置在公共電極上的層。該層包括凸形圖案。
[0011]上面的一般性描述和下面的詳細描述是示例性和說明性的，旨在提供對所要求保護的本發明的進一步解釋。
【專利附圖】

【附圖說明】[0012]附圖被包括進來以提供對本發明的進一步理解，并且結合在說明書中并構成說明書的一部分，附圖示出了本發明的示例性實施方式，并與描述一起用來解釋本發明的原理。
[0013]圖1是根據示例性實施方式的液晶顯示器的平面圖。
[0014]圖2是根據示例性實施方式的沿圖1中的剖面線I1-1I截取的液晶顯示器的剖面圖。
[0015]圖3是根據示例性實施方式的液晶顯示器的示意性剖面圖。
[0016]圖4是根據示例性實施方式的曲線圖，比較了歸一化透射率與折射率。
[0017]圖5示出了根據示例性實施方式的有機層添加劑的化學式。
[0018]圖6是根據示例性實施方式的液晶顯示器的剖面圖。
[0019]圖7是根據示例性實施方式的液晶顯示器的剖面圖。
[0020]圖8示出了根據示例性實施方式的圖7中的液晶顯示器的各個觀看點。
[0021]圖9和圖10是根據示例性實施方式的液晶顯示器的剖面圖。
[0022]圖11是根據示例性實施方式的液晶顯示器的電路圖。
[0023]圖12是根據示例性實施方式的液晶顯示器的平面圖。
[0024]圖13是根據示例性實施方式的液晶顯示器的電路圖。
[0025]圖14是根據示例性實施方式的液晶顯示器的平面圖。
【具體實施方式】
[0026]在下面的描述中，為了解釋的目的，闡述了多個具體細節，以便提供對各個示例性實施方式的全面理解。但是，很顯然，可以在沒有這些具體細節或僅有一個或多個等同布置的情況下實踐各個示例性實施方式。在其他情況中，已知的結構和裝置以框圖的形式示出，以避免不必要地使各個示例性實施方式變得含糊。
[0027]在附圖中，為了清楚起見和描述的目的，放大了層、膜、面板、區域等的尺寸和相對尺寸。而且，相同的參考標號表示相同的元件。
[0028]當指出一個元件或層位于另一元件“上”、“連接至”或“耦接至”另一元件或層時，其可以直接位于另一元件上，直接連接至或耦接至另一元件或層，或者也可以存在中間的元件或層。但是，當指出一個元件或層“直接位于另一元件上”、“直接連接至”或“直接耦接至”另一元件或層時，則不存在中間的元件或層。為了本公開的目的，“x、Y和Z中的至少一個”和“選自由X、Y和Z構成的組中的至少一個”可以僅由X、僅由Y、僅由Z構成，或者由Χ、Υ和Z中的兩個或更多個的任意組合構成，例如，XYZ ,XYY > YZ和ΖΖ。相同的標號始終表示相同的元件。如這里所使用的，術語“和/或”包括相關所列項目中的一個或多個的任意組合和所有組合。
[0029]盡管在本文中可以使用術語第一、第二等來描述各種元件、部件、區域、層和/或部分，但這些元件、部件、區域、層和/或部分不應當局限于這些術語。這些術語僅用于將一個元件、部件、區域、層和/或部分與另一元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，在不背離本發明的教導的情況下，以下所討論的第一元件、部件、區域、層或部分也可以稱為第二元件、部件、區域、層或部分。
[0030]為了便于描述，在本文中可以使用空間關系術語，例如、“下面”、“下部”、“上方”、上部”等，以描述如圖中所示的一個元件或特征相對于另一元件或特征的關系。除了圖中示出的方向之外，這些空間關系術語旨在涵蓋裝置在使用或操作時的不同方位。例如，如果將圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件或特征“下面”或“下方”的元件也可定位成在其它元件或特征“上方”。因此，示例性術語“下面”可涵蓋“上方”和“下方”兩個方位。此外，裝置也可以其它方式配向(例如，旋轉90度或者處于其它方位)，并且本文中所使用的空間關系描述可做相應解釋。
[0031 ] 本文所使用的術語只是為了描述【具體實施方式】，而不是旨在進行限制。如本文所使用的，除非上下文清晰地指示出了其他情況，否則單數形式旨在也包括復數形式。而且，當術語“包括”和/或“包含”用在本說明書中時，表明存在所述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件，但不排除存在或附加有一個或多個其他的特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或它們的組。
[0032]本文參考示意性示出理想示例性實施方式和/或中間結構的剖面圖來描述各個示例性實施方式。這樣，可以預料例如由制造技術和/或公差導致的示意圖形狀的變化。因而，這里公開的示例性實施方式不應解釋為局限于所示區域的特定形狀，而應包括由例如制造導致的形狀上的偏差。例如，以矩形示出的植入區域通常在其邊緣處具有圓形或彎曲特征和/或植入濃度的梯度，而不是從植入區域到非植入區域的二元變化。同樣，由植入形成的埋置區域可造成在埋置區域與發生植入的表面之間的區域中的某些植入。因此，附圖中示出的區域在本質上是示意性的，并且它們的形狀不旨在示出裝置的區域的實際形狀，并且不旨在進行限制。
[0033]除非另外定義，否則本文使用的所有術語(包括技術術語和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常所理解的同樣的含義。諸如通常使用的詞典中所定義的那些術語應當解釋為具有與相關領域的上下文中的意思一致的含義，而不應解釋為理想的或過于正式的意思，除非本文中清楚地進行了這樣的限定。
[0034]盡管關于液晶顯示裝置來描述示例性實施方式，但應該理解，可以關于其他或等同顯示裝置(諸如各種自發射型和非自發射型顯示技術)來利用示例性實施方式。例如，自發射型顯示裝置可包括有機發光顯示器(0LED)、等離子顯示面板(PDP)等，而非自發射型顯示裝置可包括電泳顯示器(EH))、電潤濕顯示器(EWD)等。
[0035]圖1是根據示例性實施方式的液晶顯示器的平面圖。圖2是圖1中的液晶顯示裝置沿剖面線I1-1I截取的剖面圖。
[0036]根據示例性實施方式，柵線121和存儲電壓線131形成在由任何適當的材料(例如，透明玻璃、塑料等)形成的絕緣基板110上。柵線121包括第一柵電極124a、第二柵電極124b和第三柵電極124c。存儲電壓線131包括存儲電極135a和135b以及沿柵線121的方向突出的突出部134。存儲電極135a和135b的結構環繞相鄰(或前一)像素的第一子像素電極192h和第二子像素電極1921。存儲電極的水平部分135b可以是與相鄰(或前一)像素的水平部分135b連接的配線。
[0037]柵絕緣層140形成在柵線121和存儲電壓線131上。位于數據線171下面的半導體151、位于源/漏電極173a-c/175a-c下面的半導體155、以及位于薄膜晶體管的溝道部分處的半導體154形成在柵絕緣層140上。
[0038]多個歐姆接觸(未示出)可形成在每個半導體151、154和155上，并且設置在數據線171與源/漏電極之間。[0039]數據導體171、173a、173b、173c、175a、175b 和 175c 形成在每個半導體 151、154 和155以及柵絕緣層140上。數據導體171、173a、173b、173c、175a、175b和175c包括多條數據線171，包括第一源電極173a和第二源電極173b、第一漏電極175a、第二漏電極175b、第三源電極173c和第三漏電極175c。
[0040]第一柵電極124a、第一源電極173a和第一漏電極175a與半導體154—起形成第一薄膜晶體管Qa。第一薄膜晶體管Qa的溝道形成在第一源電極173a和第一漏電極175a之間的半導體部154處。類似地，第二柵電極124b、第二源電極173b和第二漏電極175b與半導體154 —起形成第二薄膜晶體管Qb。第二薄膜晶體管Qb的溝道形成在第二源電極173b和第二漏電極175b之間的半導體部154處。另外，第三柵電極124c、第三源電極173c和第三漏電極175c與半導體154 —起形成第三薄膜晶體管Qc。第三薄膜晶體管Qc的溝道形成在第三源電極173c和第三漏電極175c之間的半導體部154處。
[0041]根據示例性實施方式，數據線171的結構具有在第三漏電極175c的延伸部175c’附近的第三薄膜晶體管Qc的形成區域中變得更小的寬度。數據線171的上述結構維持與相鄰配線的間隔，并且降低了信號干擾。然而，需預期的是，數據線171的上述結構可以另外地或替換地形成。
[0042]第一鈍化層180形成在數據導體171、173a、173b、173c、175a、175b和175c上以及半導體154的暴露部分上。第一鈍化層180可包含任何適當的材料，例如無機絕緣體，諸如氮化娃(SiNx)、氧化娃(SiOx)等。
[0043]濾色器230和230’形成在鈍化層180上。相同顏色的濾色器230形成在沿豎直方向(例如，與數據線171平行的方向)相鄰的相鄰像素中。不同顏色的濾色器230和230’形成在沿水平方向(例如，與柵線121平行的方向)相鄰的相鄰像素中。需預期的是，濾色器230和230’可與數據線171的對應部分重疊。濾色器230和230’可被構造成有助于顯示至少一種顏色，諸如原色中的一種，例如紅色、綠色和藍色。然而，還需預期的是，濾色器230和230’可有助于顯示任何其他適當的顏色，諸如青色、品紅色、黃色和白色。注意到，濾色器230和230’可集體稱為濾色器230。
[0044]阻光件(或黑矩陣)220形成在濾色器230和230’上。根據示例性實施方式，阻光件220可包含不透過光的任何適當的材料。阻光件220形成包括開口的格子結構。這樣，濾色器(例如，濾色器230)、像素電極(例如，像素電極192)以及液晶層(例如，液晶層3)至少位于阻光件220的開口中。
[0045]第二鈍化層185設置在黑矩陣220以及濾色器230和230’上。根據示例性實施方式，第二鈍化層185包含任何適當的材料，例如有機絕緣體。這樣，第二鈍化層185也可稱為有機鈍化層185。第二鈍化層185可以是具有折射率的有機鈍化層185，將在下面參照圖3至圖5更詳細地描述。
[0046]根據示例性實施方式，第二鈍化層185由有機鈍化層形成，這減少或消除了至少部分地由濾色器230和230’與阻光件220之間的厚度差造成的階梯。
[0047]第一接觸孔(或通孔)186a和第二接觸孔(或通孔)186b分別暴露第一漏電極175a和第二漏電極175b的延伸部175b’。以這種方式，第一接觸孔186a和第二接觸孔186b穿過濾色器230、黑矩陣220以及鈍化層180和185而形成。而且，第三接觸孔(或通孔)186c暴露存儲電壓線131的突出部134和第三漏電極175c的延伸部175c’。以這種方式，第三接觸孔186c穿過濾色器230、阻光件220以及鈍化層180和185而形成。
[0048]根據示例性實施方式，阻光件220和濾色器230包括延伸穿過的接觸孔186a、186b和186c。以這種方式，可能難以形成(例如，蝕刻)接觸孔186a、186b和186c，因為與鈍化層180和185的材料相比，阻光件220和濾色器230之間具有材料差異。這樣，可在形成接觸孔186a、186b和186c之前，在與接觸孔186a、186b和186c對應的位置處去除(例如，蝕刻)阻光件220和/或濾色器230。
[0049]根據示例性實施方式，可通過改變阻光件220的位置并且僅蝕刻濾色器230以及鈍化層180和185來形成接觸孔186a、186b和186c。
[0050]像素電極192 (包括第一子像素電極192h和第二子像素電極1921)形成在第二鈍化層185上。像素電極192可由任何適當的材料制成，諸如透明導電材料，例如氧化鋁鋅(ΑΖ0)、氧化鎵鋅(GZ0)、氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(IZO)等。還需預期的是，可以使用一種或多種導電聚合物(ICP)，諸如，聚苯胺、聚(3，4-乙烯二氧基噻吩)_聚(苯乙烯磺酸)(PEDOT: PSS)等。
[0051]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921在列(或豎直)方向(例如，與數據線171的延伸部平行的方向)上彼此相鄰。第一子像素電極192h和第二子像素電極1921具有完全四邊形的形狀，并且包括由橫向主干和與橫向主干交叉的縱向主干構造的交叉主干。而且，第一子像素電極192h和第二子像素電極1921可被橫向主干和縱向主干分成四個子區域。以這種方式，每個子區域可包括多個微小分支。雖然這里針對子像素電極192h和1921的構造描述了示例性實施方式，還可預期的是，第一子像素電極192h和第二子像素電極1921可以是其他構造的。
[0052]根據示例性實施方式，第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的微小分支與柵線121或橫向主干形成大約40度至45度的角度。而且，兩個相鄰子區域的微小分支可以彼此垂直。換句話說，四個相鄰設置的子區域的微小分支可從相應子像素的中心部分(例如橫向主干和縱向主干彼此交叉的中心部分)匯聚(或發散)。而且，雖然未示出，但每個(或一些)微小分支的寬度可逐漸變大(或小)，和/或該微小分支或所述的一些微小分支194之間的間隔可以彼此不同。
[0053]在示例性實施方式中，第一子像素電極192h和第二子像素電極1921與第一漏電極175a和第二漏電極175b通過第一接觸孔186a和第二接觸孔186b物理連接和電連接。這樣，第一子像素電極192h和第二子像素電極1921分別從第一漏電極175a和第二漏電極175b接收數據電壓。
[0054]連接件194將第三漏電極175c的延伸部175c’和存儲電壓線131的突起134通過第三接觸孔186c電連接。因此，施加于第二漏電極175b的數據電壓的一部分可通過第三源電極173c劃分。這樣,施加于第二子像素電極1921的電壓的值可小于施加于第一子像素電極192h的電壓的值。
[0055]根據示例性實施方式，第二子像素電極1921的面積可以與第一子像素電極192h的面積相同或者可達第一子像素電極的面積的兩倍。
[0056]可構造一開口(未示出)，以收集從濾色器230排出的氣體，并且用與像素電極192相同的材料覆蓋相應開口的保護層(未示出)可形成在第二鈍化層185上。可利用開口和保護層來阻擋從濾色器230排出的氣體，用來阻擋氣體傳遞至另一元件。應注意到，在示例性實施方式中可不包括開口和保護層。
[0057]液晶層3形成在第二鈍化層185和像素電極192上。設置液晶層3的空間稱為微腔層。微腔層由上覆頂層312支撐。根據示例性實施方式，微腔層包括多個微腔，每個微腔對應于液晶顯示器的一個像素。以這種方式，每個微腔包括液晶分子310，這在下面將更顯然。
[0058]配向液晶分子310的配向層(未示出)可形成在微腔層與液晶層3之間。配向層可包含任何適當的材料，諸如聚酰胺酸、聚硅氧烷或聚酰亞胺。
[0059]液晶分子310通過配向層初始配向，并且其布置方向根據至少部分地由像素電極192所施加的電場而改變。液晶層3的高度(或厚度)對應于微腔層的高度(或厚度)。根據示例性實施方式，液晶層3的厚度可以是(或大約)2.Ομπι至(或大約)3.6μπι，例如2.5μπι至 3.1 μ m,諸如 2.7 μ m 至 2.9 μ m。
[0060]在示例性實施方式中，微腔層的一部分開口，以形成液晶注入孔335。這樣，可利用毛細力通過液晶注入孔335將液晶分子310注入到微腔層中。以這種方式，還可通過毛細力形成配向層。在注入配向層和液晶分子310之后，可通過封蓋層(未示出)密封液晶注入孔 335。
[0061]公共電極270位于微腔層和液晶層3上。公共電極270的結構的一部分可沿著微腔層彎曲(或以其他方式朝著絕緣基板110延伸)，以便靠近(例如，朝著其延伸)數據線171并位于其上。而且，公共電極270可不形成在形成有液晶注入孔335的部分中(例如，不形成在形成有晶體管的區域中)，以在柵線方向(例如，水平方向)上具有延伸結構。
[0062]公共電極270可包含任何適當的透明導電材料，諸如，AZ0、GZ0、IT0、IZ0等。還可預期的是，公共電極270可由一種或多種導電聚合物形成，例如聚苯胺、PED0T:PSS等。根據示例性實施方式，公共電極270可用來與像素電極192 —起產生電場，從而被構造成控制液晶分子310的布置方向。
[0063]下絕緣層311位于公共電極270上。在示例性實施方式中，下絕緣層310可包含任何適當的材料，諸如無機絕緣材料，例如氮化娃(SiNx )、氧化娃(SiOx )等。
[0064]頂層312形成在下絕緣層311上。頂層312可用來支撐待形成在像素電極192與公共電極270之間的空間(微腔)。根據示例性實施方式，頂層312可由有機絕緣體形成，所述有機絕緣體可呈現相對較高的折射率。參照圖3至圖5更詳細地描述具有高折射率的有機絕緣體。
[0065]上絕緣層313形成在頂層312上。根據示例性實施方式，上絕緣層313可由任何適當的材料形成，諸如無機絕緣材料，例如SiNx、SiOx等。
[0066]下絕緣層311、頂層312和上絕緣層313可包括形成在其一側的液晶注入孔335(例如，形成在與晶體管形成區域對應的部分中)，以能夠將液晶注入到微腔層中。甚至在除去用于形成微腔層的犧牲層(未示出)時，也可以使用液晶注入孔335。
[0067]例如，可如下地形成微腔層。可形成具有微腔層形狀的犧牲層。可在犧牲層上形成公共電極270、下絕緣層311、頂層312和上絕緣層313。可圖案化(例如，蝕刻)公共電極270、下絕緣層311、頂層312和上絕緣層313，以形成暴露犧牲層的液晶注入孔335。以這種方式，可除去暴露的犧牲層。可通過液晶注入孔335注入液晶分子310，以形成液晶層3。應注意到，在設置有液晶注入孔335的薄膜晶體管形成區域中，并且在沉積下絕緣層311和上絕緣層313以及形成(但不是形成在薄膜晶體管形成區域中)頂層312之后，僅除去薄膜晶體管形成區域中的下絕緣層311和上絕緣層313，以形成液晶注入孔335。
[0068]根據示例性實施方式，可在薄膜晶體管形成區域中一起圖案化(例如，蝕刻)頂層312、上絕緣層313和下絕緣層311，從而形成液晶注入孔335。可通過封蓋層(未示出)來密封液晶注入孔335。
[0069]根據示例性實施方式，可省去下絕緣層311和上絕緣層313。
[0070]相應的偏振器(未示出)可分別設置在絕緣基板110之下和上絕緣層313之上。偏振器可包括用于偏振的偏振元件和用于確保耐久性的三乙酰纖維素(TAC)層。根據示例性實施方式，設置在上絕緣層313上的偏振器的透射軸線的方向和設置在絕緣基板110下的偏振器的透射軸線的方向可彼此垂直或平行。
[0071]將參照圖3至圖5來描述根據示例性實施方式的液晶顯示器的透射特性。
[0072]圖3是根據示例性實施方式的液晶顯示器的示意性剖面圖。應注意到，圖3的剖面圖僅示出了與圖1和圖2的示例性實施方式中的光的透射性有關的各層。
[0073]如圖3所示，液晶顯示器通過絕緣基板110、柵絕緣層140、第一鈍化層180、濾色器230、第二鈍化層185、像素電極192、下配向層11、液晶層3、上配向層21、公共電極270、下絕緣層311、頂層312和上絕緣層313傳輸光。一旦光傳播通過上述每個層，則光可透射至與圖像的顯示有關的觀看者。根據示例性實施方式，絕緣基板110可具有約1.5的折射率，柵絕緣層140可具有約1.86的折射率，第一鈍化層180可具有約1.86的折射率，濾色器230可具有約1.6的折射率，像素電極192可具有約2.05的介電比(或相對介電常數)，下配向層11和上配向層21可分別具有約1.6的折射率，公共電極270可具有約1.83的折射率，并且下絕緣層311和上絕緣層313可具有約1.86的折射率。
[0074]根據示例性實施方式，第二鈍化層185和頂層312可以是具有約1.54的折射率的有機層。應注意到，這些有機層185和312的折射率低于其他層的折射率，使得通過光在高折射率層與低折射率層之間的界面處的反射而減少透射。通常而言，一個有機層的使用可使得透射減少約3%。
[0075]但是，根據示例性實施方式，兩個有機層中的至少一個(即，第二鈍化層185和頂層312中的至少一個)由具有相對高折射率的有機層形成，以減少光在有機層與其它層的界面處的反射量，從而提高顯示裝置的透射性。參照圖4更詳細地描述有機層與無機絕緣層(例如，SiNx、SiOx等)之間的界面處的光學特性。
[0076]圖4是根據示例性實施方式的比較歸一化透射性與折射率的曲線圖。應注意到，圖4中示出的歸一化透射特性是基于使用550nm波長的光時改變有機層的折射率而示出的。這樣，X軸表示有機層的折射率，并且I軸表示歸一化透射性。
[0077]如圖4中可見，SiNx無機絕緣層的界面反射特性在有機層的折射率為1.7時最小。以這種方式，歸一化透射性相對較大。因此，由于上述有機層具有約1.54的折射率，所以與高于上述有機層的透射性有關的有機層的折射率范圍大于1.6。
[0078]如圖4中可見，即使在有機層的折射率為約1.8附近透射性降低至最小值，與具有
1.54的折射率的有機層相比，仍提高了歸一化透射性。應注意的是，雖然圖4的曲線圖僅示出了與折射率變化至高達1.9相比的歸一化透射性，但應注意的是，與上述有機層相比，基于曲線圖的特性，可獲得的相對較高的歸一化透射性直達2.0的折射率。因此，用于改進透射性的有機層的折射率范圍可被構造在1.6至2.0之間，例如為約1.7125。因此，當有機層185或312中的至少一個呈現出1.6至2.0的折射率時，改進了由例如SiNx (具有約1.86的折射率)制成的無機絕緣層的反射界面特性。
[0079]返回到圖3，下絕緣層311和上絕緣層313 (即，無機絕緣層)形成在頂層312 (BP,有機層)上和下。這樣，如果頂層312具有1.6至2.0的折射率，則可在下絕緣層311與頂層312之間的界面處以及上絕緣層313與頂層312之間的界面處改進透射特性，從而能夠改進根據示例性實施方式的液晶顯示器的透射性。為此，還可預期的是，由于第二鈍化層185也是有機層，所以其也可以由呈現出1.6至2.0的折射率的有機材料形成，這也可以改進根據示例性實施方式的液晶顯示器的透射特性。
[0080]因此，應注意到，由于可形成層312和/或185的傳統有機材料通常呈現出1.54的折射率，所以可將具有相對較高折射率的添加劑添加到有機材料中，以將折射率增大至1.6至 2.0。
[0081]根據示例性實施方式，為了形成相對較高折射率的有機層，將相對較高折射率的添加劑與丙烯酸鹽混和。作為相對較高折射率的添加劑，可使用分散在溶液中的有機/無機混和凝膠或納米級顆粒。但是，應注意到，基于所使用的添加劑，這種材料可能造成在有機層中產生渾濁或者可能使表面粗糙度降低。丙烯酸鹽溶液包括丙烯，并且丙烯可呈現出1.49至1.53的折射率。這樣，相對較高折射率的添加劑可包括陶瓷溶膠或相對較高折射率的單體。應注意到，陶瓷溶膠可包括，例如，二氧化硅(SiO2)、二氧化鈦(TiO2)、氧化鋁(Al2O3)和二氧化鋯(Zr02)。在它們當中，TiO2具有約2.5至2.7的折射率，而ZrO2具有約
2.13的折射率。相對較高折射率的單體可呈現出約1.5至1.8的折射率。這種單體的示例性化學式在圖5中示出。但是，可預期的是，可使用任何合適的單體。
[0082]根據示例性實施方式，當有機層185和312中的至少一個形成為呈現出1.6至2.0的折射率時，可改進具有微腔層的液晶顯示器的透射性。
[0083]根據示例性實施方式，可在頂層312中形成凸形圖案，以改變液晶顯示器的光學特性，這將參照圖6至圖10更詳細地描述。
[0084]圖6是根據示例性實施方式的液晶顯示器的剖面圖。應注意到，圖6中示出的示例性構造可以用來改進相關的液晶顯示裝置的光收集效果。而且，為了避免使這里描述的示例性實施方式變得含糊不清，僅描述圖2和圖6的剖面之間的區別。
[0085]如圖6中所見，液晶顯示器可包括背光單元500。根據示例性實施方式，雖然未示出，但背光單元500可包括光源、光導件、反射片、漫射片和照明改進膜。
[0086]根據示例性實施方式，液晶層3位于微腔層中，并且公共電極270、下絕緣層311、頂層312和上絕緣層313位于液晶層3上。如圖6中所見，頂層312包括凸形圖案，使得每個液晶區域分別與相應的凸形形成的凸形圖案相關。例如，凸形圖案可非常類似于透鏡圖案。
[0087]根據示例性實施方式，每個液晶區域可表示一個像素，使得頂層312的凸形圖案的凸形部分與顯示裝置的每個像素相關地形成。換句話說，凸形圖案的每個凸形部分的寬度可被構造成對應于像素的寬度。為此，應注意到，凸形圖案的凸形部分不僅在水平方向(例如，柵線方向)上延伸，而且在豎直方向(例如，數據線方向)上延伸，使得凸形部分形成球形罩。[0088]根據示例性實施方式，圖6中所示的頂層312的凸形圖案可使光收集特性成為可能，使得透射的光不擴散，而是沿液晶顯示器的前表面傳播。以這種方式，可提高前表面的亮度。
[0089]在示例性實施方式中，數據線171可布置為設置在阻光件220的對應側部處的一對數據線171。這樣，可預期的是，液晶顯示器的下部結構(例如，液晶顯示器的設置在液晶層3下面的部分)也可實現不同的構造。而且，微腔層的結構包括圖2和圖6中的錐形結構；但是，可預期的是，可使用倒置的錐形結構。為此，公共電極270基于微腔層的彎曲結構而形成；但是，可預期的是，公共電極270可以水平(或平面)結構形成，S卩，形成為不具有微腔層的彎曲結構。
[0090]雖然未示出，但也可預期的是，相應的偏振器可位于絕緣基板110之下和上絕緣層313之上。以這種方式，雖然描述了相關于頂層312而形成的凸形圖案，但是也可預期的是，兩個偏振器中的上偏振器可形成為包括替代頂層312的凸形圖案。為此，可省去上絕緣層313或下絕緣層311。
[0091]根據示例性實施方式，頂層312可形成為包括凸形圖案，其呈現出與多個像素相關的凸形部分，這將參照圖7和圖8更詳細地描述。
[0092]圖7是根據示例性實施方式的液晶顯示器的剖面圖。圖8示出了圖7中的液晶顯示器的觀看點。應注意到，可以利用圖7和圖8中示出的示例性構造來實現液晶顯示裝置的多個觀看點。而且，為了避免使這里描述的示例性實施方式變得含糊不清，僅描述圖2和圖7的剖面之間的區別。
[0093]如圖7所示，凸形圖案可形成在頂層312中，使得每個凸形部分水平地覆蓋多個(例如，八個)液晶區域。也就是說，凸形圖案的一個凸形部分形成為對應于例如八個水平設置的像素。但是，可預期的是，任何適當數量的水平設置的像素可與每個凸形部分相關。為此，注意到，凸形圖案的凸形部分不僅在水平方向(例如，柵線方向)上延伸，而且在豎直方向(例如，數據線方向)上延伸，使得凸形部分形成位于多個水平和豎直設置的像素之上的球形罩。
[0094]根據示例性實施方式，上述凸形圖案改變從液晶顯示器透射的光的傳播方向，諸如圖8中所示。S卩，圖7中的上述凸形圖案使得八個觀看點成為可能；但是，根據與每個凸形部分相關的像素的數量，可相應地影響觀看點的數量。為此，各個觀看點使得能夠基于觀看者觀察透射光的觀看點來識別不同的圖像。為此，觀看者眼睛位置的差異使得能夠自動觀察不同的圖像作為立體(例如，三維)圖像。這樣，圖7的液晶顯示器能夠觀察立體圖像，而無需使用單獨的結構，諸如，雙凸透鏡等。
[0095]根據示例性實施方式，凸形圖案的一個凸形部分可形成為覆蓋三個至二十個水平設置的像素。
[0096]為了在顯示立體圖像時減少波紋影響(B卩，光干涉圖案)，凸形圖案可在相對于豎直方向稍傾斜的方向上延伸。
[0097]雖然未示出，但是也可預期的是，相應的偏振器可設置在絕緣基板110之下和上絕緣層313之上。以這種方式，雖然描述了相關于頂層312而形成的凸形圖案，但是也可預期的是，兩個偏振器中的上偏振器可形成為包括替代頂層312的凸形圖案。為此，可省去上絕緣層313或下絕緣層311。[0098]根據示例性實施方式，與微腔層的多個微腔相比，凸形圖案的尺寸(B卩，凸形圖案的對應起伏(undulation))可能是微小的,這將參照圖9和圖10更詳細地描述。
[0099]圖9和圖10是根據示例性實施方式的液晶顯示器的剖面圖。為了避免使這里描述的示例性實施方式變得含糊不清，僅描述圖2、圖9和圖10的剖面之間的區別。
[0100]如圖9所示，與微腔層的多個微腔相比，頂層312的凸形圖案精細地形成。也就是說，凸形圖案包括多個起伏，使得微腔層的每個微腔與凸形圖案的多個起伏的對應多個相關地設置。以這種方式，凸形圖案可稱為浮凸圖案。浮凸圖案可形成為具有2至50μπι的節距，例如，15至37 μ m,諸如20至32 μ m。換句話說，凸形圖案的對應起伏可間隔開2至50 μ m的節距，例如，15至37 μ m，諸如20至32 μ m。因此，入射光可通過包括微小凸形圖案的頂層312而散射。
[0101]根據示例性實施方式，背光單元500可位于絕緣基板110之下，從而被構造成向絕緣基板110提供光。因此，從背光單元500射出的光穿過液晶層3透射到浮凸圖案并朝著觀看者散射地射出。根據示例性實施方式，可預期的是，偏振器(未示出)可形成在絕緣基板110之下和上絕緣層313之上。通常，一非反射層可設置在上絕緣層313上，諸如防眩層。但是，在示例性實施方式中，由于光通過微小的浮凸圖案而散射，所以可省去附加的非反射層。
[0102]根據示例性實施方式，上述偏振器可分別設置在絕緣基板110之下和上絕緣層313之上。以這種方式，雖然描述了相關于頂層312而形成的凸形圖案，但是也可預期的是，兩個偏振器中的上偏振器可形成為包括替代頂層312的凸形圖案。為此，可省去上絕緣層313或下絕緣層311。
[0103]回到圖10，背光單元500面向頂層312的浮凸圖案。也就是說，頂層312設置在背光單元500與絕緣基板之間。這樣，從背光單元500提供的光在提供給液晶層3之前被提供給頂層312。以這種方式，從背光單元500提供的光透射穿過頂層312、液晶層3，并穿過絕緣基板110而朝著觀看者射出。浮凸圖案可形成為具有2至50 μ m的節距，例如，15至37 μ m,諸如20至32 μ m。換句話說，凸形圖案的對應起伏可間隔開2至50 μ m，例如，15至37 μ m,諸如 20 至 32 μ m。
[0104]根據示例性實施方式，所形成的凸形圖案包括微小的浮凸圖案，使得傳播進入液晶層3的光通過浮凸圖案而散射，然后傳播穿過液晶層3。這提供了與通常使用的傳統漫射膜類似的效果，以從背光單元500均勻地提供光，對于每個區域沒有不同。這樣，根據示例性實施方式，背光單元500可省去這種傳統的漫射膜。
[0105]雖然未示出，但可預期的是，相應的偏振器可分別設置在絕緣基板110之下和上絕緣層313之上。以這種方式，雖然描述了相關于頂層312而形成的凸形圖案，但是也可預期的是，兩個偏振器中的上偏振器可形成為包括替代頂層312的凸形圖案。為此，可省去上絕緣層313或下絕緣層311。
[0106]根據示例性實施方式，通過在頂層312中形成凸形圖案，可改變液晶顯示器的光學特性。此外，如圖3至圖5中所示，頂層312可包含有機材料并且形成為呈現出相對較高的折射率(例如，1.6至2.0的折射率)，從而提高顯示裝置的透射性。而且，第二鈍化層185可包含有機材料并且形成為呈現出相對較高的折射率，以進一步提高顯示裝置的透射性。
[0107]根據示例性實施方式，當頂層312形成為包含有機材料時，頂層312的凸形圖案可經由一個或多個曝光和顯影程序而形成。可替換地，可在將液晶分子注入到多個微腔中之后，在頂層312中形成凸形圖案。
[0108]根據示例性實施方式，可改變液晶顯示器的像素結構，諸如相關于圖11至圖14所描述的。但是，應注意到，可以采用任何合適的像素結構。
[0109]圖11和圖13是根據示例性實施方式的包括改進的像素結構的液晶顯示器的電路圖。圖12和圖14是圖11和圖13的液晶顯不器的平面圖。
[0110]如圖11和圖12中所見，兩個子像素PXa和PXb從一個晶體管Q接收數據電壓，并通過存儲電容器Cas耦接，這將在下面變得更顯然。
[0111]根據示例性實施方式，該液晶顯示器包括多條信號線，這些信號線包括多條柵線GL、多條數據線DL和多條存儲電壓線SL，多個像素PX連接至這些信號線。每個像素PX包括一對子像素，例如，第一子像素PXa和第二子像素PXb。第一子像素PXa包括第一子像素電極(圖12的192h)，并且第二子像素PXb包括第二子像素電極(圖12的1921)。
[0112]該液晶顯示器進一步包括連接至柵線GL和數據線DL的開關元件Q。第一液晶電容器Clca和第一存儲電容器Csta連接至開關元件Q并且形成在第一子像素PXa中。第二液晶電容器Clcb和第二存儲電容器Cstb連接至開關元件Q并且形成在第二子像素PXb中。輔助電容器Cas形成在開關元件Q與第二液晶電容器Clcb之間。
[0113]開關元件Q是設置在絕緣基板110上的三端子元件，諸如薄膜晶體管。開關元件Q包括連接至柵線GL的控制端子、連接至數據線DL的輸入端子以及連接至第一液晶電容器Clca、第一存儲電容器Csta和輔助電容器Cas的輸出端子。
[0114]輔助電容器Cas的一個端子連接至開關元件Q的輸出端子，并且另一端子連接至第二液晶電容器Clcb和第二存儲電容器Cstb。
[0115]由于輔助電容器Cas，第二液晶電容器Clcb的充電電壓低于第一液晶電容器Clca的充電電壓，使得可改進液晶顯示器的側向可視性。
[0116]如圖12中所示，多個柵導體(包括多條柵線121和多條存儲電壓線131)形成在由任何適當的材料(諸如,透明玻璃或塑料)制成的絕緣基板(未示出)上。
[0117]柵線121傳輸柵信號并沿大致水平的方向延伸。每條柵線121包括向上突出的多個柵電極124。
[0118]存儲電壓線131接收預定的電壓，并且可與柵線121平行地延伸。每條存儲電壓線131位于兩條相鄰的柵線121之間。存儲電壓線131包括向下延伸的存儲電極135a和135b。但是，可預期的是，存儲電壓線131以及存儲電極135a和135b的形狀和布置可以是任何形狀和/或構造的。
[0119]柵絕緣層(未示出)形成在柵導體121和131上。半導體154形成在柵絕緣層上。半導體154還位于柵電極124上。
[0120]數據導體(包括多條數據線171和漏電極175)形成在半導體154和柵絕緣層上。
[0121]數據線171傳輸數據信號并沿豎直方向延伸，從而與柵線121和存儲電壓線131交叉。每條數據線171包括朝著柵電極124延伸的源電極173。
[0122]漏電極175與數據線171隔開，并且包括相對于柵電極124面向源電極173的桿狀端部。該桿狀端部被彎曲的源電極173部分地環繞。
[0123]漏電極175的另一端部與數據線171大致平行地延伸，從而穿過第一子像素PXa和第二子像素PXb而形成。形成在第二子像素PXb中的部分被稱為輔助電極176。
[0124]鈍化層(未示出)形成在數據導體171和175以及半導體154上。鈍化層由有機絕緣體制成并具有平坦(或平面的)表面。
[0125]雖然未示出，但可在鈍化層下面形成濾色器。
[0126]多個像素電極192形成在鈍化層上。每個像素電極192包括以預定間隔形成的第一子像素電極192h和第二子像素電極1921。
[0127]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921分別包括位于中央的交叉形狀的主干以及例如沿傾斜方向從部分板電極突出的多個微小分支電極。
[0128]第一子像素電極192h包括第一主干和多個第一微小分支電極，并且通過延伸到第一子像素電極192h的方形(四邊形)區域之外的連接部而連接至漏電極175的寬端部。多個第一微小分支電極相對于柵線121或數據線171形成45度的角度。
[0129]第二子像素電極1921包括第二主干和多個第二微小分支電極，并且與輔助電極176重疊，從而形成輔助電容器Cas。多個第二微小分支電極相對于柵線121或數據線171形成45度的角度。
[0130]根據示例性實施方式，第一子像素電極192h和第二子像素電極1921與上面板的公共電極270 —起形成第一液晶電容器Clca和第二液晶電容器Clcb,其中液晶層3設置在它們之間。以這種方式，第一液晶電容器Clca和第二液晶電容器Clcb被構造成在薄膜晶體管(圖11的Q)截止之后維持所施加的電壓。
[0131]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921與存儲電極135a和135b重疊，以形成第一存儲電容器Csta和第二存儲電容器Cstb,從而增強第一液晶電容器Clca和第二液晶電容器Clcb的電壓存儲容量。
[0132]根據示例性實施方式，輔助電極176從漏電極175延伸，但也可以替換地形成。例如，輔助電極176可與漏電極175隔開。鈍化層包括形成在第一子像素電極192h上的接觸孔184，并且輔助電極176可通過接觸孔184連接至第一子像素電極192h并且可與第二子像素電極1921重疊。
[0133]液晶層3形成在第二鈍化層185和像素電極192上。液晶層3所位于的空間被稱為微腔層。該微腔層由上覆頂層312支撐。微腔層包括其中設置有液晶分子310的多個微腔。
[0134]用于對液晶分子310配向的配向層(未示出)可形成在微腔層與液晶層3之間。
[0135]液晶分子310通過配向層進行初始配向，并且配向方向可基于所施加的電場而改變。
[0136]在示例性實施方式中，微腔層的一部分可開口，以形成液晶注入孔335。這樣，液晶分子310可通過液晶注入孔335利用毛細力注入到微腔層中。還應注意到，配向層可通過毛細力形成。在將配向層和液晶分子310注入到微腔中之后，可通過封蓋層(未示出)密封液晶注入孔335。
[0137]公共電極270位于微腔層和液晶層3上。公共電極270的結構的一部分可沿著微腔層彎曲(或以其他方式朝著絕緣基板延伸)，以便位于數據線171之上并接近數據線(例如，朝著其延伸)。而且，公共電極270可以不形成在形成有液晶注入孔335的部分中(例如，不形成在形成有晶體管的區域中)，以在柵線方向(例如，水平方向)上具有延伸結構。[0138]公共電極270可包含任何適當的透明導電材料，諸如AZ0、GZ0、IT0、IZ0等。還可預期的是，公共電極270可由一種或多種導電聚合物形成，例如，聚苯胺、PED0T:PSS等。根據示例性實施方式，公共電極270可用來與像素電極192 —起產生電場，從而被構造成控制液晶分子310的布置方向。
[0139]下絕緣層311位于公共電極270上。在示例性實施方式中，下絕緣層311可包含任何適當的材料，諸如，無機絕緣材料，例如氮化娃(SiNx )、氧化娃(SiOx )等。
[0140]頂層312形成在下絕緣層311上。頂層312可用來支撐待形成在像素電極192與公共電極270之間的空間(微腔)。根據示例性實施方式，頂層312由有機絕緣體形成，如之前所述。以這種方式，頂層312可呈現出比顯示裝置的其他層相對更高的折射率。
[0141]上絕緣層313形成在頂層312上。上絕緣層313可由任何適當的材料形成，諸如，無機絕緣材料，例如氮化娃(SiNx )、氧化娃(SiOx )等。
[0142]下絕緣層311、頂層312和上絕緣層313可包括形成在其一側(例如，形成在與晶體管形成區域對應的部分中)的液晶注入孔335，以能夠將液晶注入到微腔層中。甚至在除去用于形成微腔層的犧牲層(未示出)時，也可以使用液晶注入孔335。
[0143]相應的偏振器(未示出)分別位于絕緣基板110之下和上絕緣層313之上。偏振器可包括用于偏振的偏振元件以及用于確保耐久性的三乙酰纖維素(TAC)層。根據示例性實施方式，設置在上絕緣層313之上的偏振器的透射軸線的方向和設置在絕緣基板110之下的偏振器的透射軸線的方向可彼此垂直或平行。
[0144]此外，頂層312可包括凸形圖案，諸如參照圖6至圖10中的一個或多個附圖所描述的。
[0145]根據示例性實施方式，子像素PXa和PXb可被構造成從晶體管Qa和Qb接收不同的數據電壓，這將參照圖13和圖14更詳細地描述。
[0146]參照圖13和圖14，液晶顯示器包括下面板(圖14中所示)、形成在下面板上的微腔層(未示出)、以及位于微腔層中的液晶層(未示出)。
[0147]多條柵線121以及多條存儲電壓線131和135形成在絕緣基板(未示出)上。
[0148]柵線121傳輸柵信號并且主要在水平方向上延伸。每條柵線121包括向上突出的第一柵電極124a和第二柵電極124b。
[0149]存儲電壓線131包括與柵線121大致平行的主干以及從主干延伸的多個存儲電極135a 和 135b。
[0150]根據示例性實施方式，存儲電壓線131 (主干、和存儲電極135a和135b)的形狀和布置可以以適當的方式設置。
[0151]柵絕緣層140形成在柵線121以及存儲電壓線131上，并且由例如非晶硅或晶體硅制成的多個半導體154a和154b形成在柵絕緣層140上。
[0152]多對歐姆接觸(未示出)形成在半導體154a和154b上，并且歐姆接觸可由諸如η+氫化非晶硅(其中以高濃度摻雜有η型雜質(諸如，磷))或硅化物制成。
[0153]多對數據線171a和171b以及多對第一漏電極175a和第二漏電極175b形成在歐姆接觸和柵絕緣層140上。
[0154]數據線171a和171b傳輸數據信號并且主要在豎直方向上延伸，從而與柵線121以及存儲電壓線131的主干交叉。數據線171a和171b包括以“U”形彎曲并朝著第一柵電極124a和第二柵電極124b延伸的第一源電極173a和第二源電極173b。第一源電極173a和第二源電極173b相對于第一柵電極124a和第二柵電極124b分別面向第一漏電極175a和第二漏電極175b。
[0155]第一漏電極175a和第二漏電極175b起始于被第一源電極173a和第二源電極173b包圍的一個端部并向上延伸，而其另一端部可具有用于連接至另一層的寬區域部分。但是，可預期的是，第一漏電極175a和第二漏電極175b和數據線171a和171b的形狀和布置可以以任何合適的方式更改。
[0156]第一柵電極124a和第二柵電極124b、第一源電極173a和第二源電極173b、以及第一漏電極175a和第二漏電極175b與第一半導體154a和第二半導體154b —起相應地形成第一薄膜晶體管Qa和第二薄膜晶體管Qb。第一薄膜晶體管Qa和第二薄膜晶體管Qb的溝道分別形成在第一源電極173a與第一漏電極175a之間的第一半導體154a及第二源電極173b與第二漏電極175b之間的第二半導體154b中。
[0157]歐姆接觸設置在下面的半導體154a和154b與上面的數據線171a和171b以及漏電極175a和175b之間。以這種方式，歐姆接觸降低了下面的半導體154a和154b與上面的數據線171a和171b以及漏電極175a和175b之間的接觸電阻。半導體154a和154b具有暴露而不被數據線171a和171b以及漏電極175a和175b覆蓋的部分、以及位于源電極173a和173b與漏電極175a和175b之間的部分。
[0158]鈍化層161形成在數據線171a和171b、漏電極175a和175b、以及暴露的半導體154a和154b上。鈍化層可由任何適當的材料制成，諸如上述的有機絕緣體。為此，鈍化層可具有平坦(或平面的)表面。
[0159]雖然未示出，但多個濾色器可形成在鈍化層下面。鈍化層具有接觸孔186a和186b，并且濾色器具有接觸孔235a和235b。這些接觸孔186a、186b、235a和235b暴露漏電極175a和175b。像素電極192通過接觸孔186a、186b、235a和235b直接連接至漏電極175a 和 175b。
[0160]多個像素電極192形成在鈍化層上。每個像素電極192包括以預定間隔形成的第一子像素電極192h和第二子像素電極1921。
[0161]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921分別包括位于中央的交叉形狀的主干以及例如沿傾斜方向從部分板電極突出的多個微小分支電極。
[0162]第一子像素電極192h包括第一主干和多個第一微小分支電極。第一子像素電極192h通過延伸到形成有第一子像素電極192h的區域之外的連接部連接至第一漏電極175a。多個第一微小分支電極相對于柵線121或數據線171形成45度的角度。
[0163]第二子像素電極1921包括第二主干和多個第二微小分支電極。第二子像素電極1921通過延伸到形成有第二子像素電極1921的區域之外的連接部連接至第二漏電極175b。多個第二微小分支電極相對于柵線121或數據線171形成45度的角度。
[0164]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921與上面板的公共電極270 —起形成第一液晶電容器Clca和第二液晶電容器Clcb，并且液晶層3設置在其間，以在薄膜晶體管(圖13的Qa和Qb)截止之后維持所施加的電壓。
[0165]第一子像素電極192h和第二子像素電極1921的部分195與存儲電極135a和135b重疊，以形成第一存儲電容器Csta和第二存儲電容器Cstb,從而增強第一液晶電容器Clca和第二液晶電容器Clcb的電壓存儲容量。
[0166]液晶層3形成在第二鈍化層185和像素電極192上。液晶層3所位于的空間被稱為微腔層。該微腔層由上覆頂層312支撐。微腔層包括其中設置有液晶分子310的多個微腔。
[0167]用于對液晶分子310配向的配向層(未示出)可形成在微腔層與液晶層3之間。
[0168]液晶分子310通過配向層進行初始配向，并且配向方向可基于所施加的電場而改變。
[0169]在示例性實施方式中，微腔層的一部分可開口，以形成液晶注入孔335。這樣，液晶分子310可通過液晶注入孔335利用毛細力注入到微腔層中。還應注意到，配向層還可通過毛細力形成。在將配向層和液晶分子310注入到微腔中之后，可通過封蓋層(未示出)密封液晶注入孔335。
[0170]公共電極270位于微腔層和液晶層3上。公共電極270的結構的一部分可沿著微腔層彎曲(或以其他方式朝著絕緣基板延伸)，以便位于數據線171之上并接近數據線(例如，朝著其延伸)。而且，公共電極270可以不形成在形成有液晶注入孔335的部分中(例如，不形成在形成有晶體管的區域中)，以在柵線方向(例如，水平方向)上具有延伸結構。
[0171]公共電極270可包含任何適當的透明導電材料，諸如，AZ0、GZ0、IT0、IZ0等。還可預期的是，公共電極270可由一種或多種導電聚合物形成，例如聚苯胺、PED0T:PSS等。根據示例性實施方式，公共電極270可用來與像素電極192 —起產生電場，從而被構造成控制液晶分子310的布置方向。
[0172]下絕緣層311位于公共電極270上。在示例性實施方式中，下絕緣層311可包含任何適當的材料，諸如，無機絕緣材料，例如氮化娃(SiNx )、氧化娃(SiOx )等。
[0173]頂層312形成在下絕緣層311上。頂層312可用來支撐待形成在像素電極192與公共電極270之間的空間(微腔)。根據示例性實施方式，頂層312由有機絕緣體形成，如之前所述。以這種方式，頂層312可呈現出比顯示裝置的其他層相對更高的折射率。
[0174]上絕緣層313形成在頂層312上。上絕緣層313可由任何適當的材料形成，諸如，無機絕緣材料，例如氮化娃(SiNx)、氧化娃(SiOx)等。
[0175]下絕緣層311、頂層312和上絕緣層313可包括形成在其一側(例如，形成在與晶體管形成區域對應的部分中)的液晶注入孔335，以能夠將液晶注入到微腔層中。甚至在除去用于形成微腔層的犧牲層(未示出)時，也可以使用液晶注入孔335。
[0176]相應的偏振器(未示出)分別位于絕緣基板110之下和上絕緣層313之上。偏振器可包括用于偏振的偏振元件以及用于確保耐久性的三乙酰纖維素(TAC)層。設置在上絕緣層313之上的偏振器的透射軸線的方向和設置在絕緣基板110之下的偏振器的透射軸線的方向可彼此垂直或平行。
[0177]此外，頂層312可包括凸形圖案，諸如參照圖6至圖10中的一個或多個附圖所描述的。
[0178]盡管這里描述了某些示例性實施方式和實現方法，但從該描述中其他實施方式和修改將顯而易見。因此，本發明不限于這些實施方式，而是旨在包括所附權利要求的更寬的范圍以及各種顯然的修改和等同布置。
【權利要求】
1.一種液晶顯示器，包括: 基板； 像素電極，布置在所述基板上； 微腔層，布置在所述像素電極上，所述微腔層包括多個微腔，所述微腔中布置有液晶分子; 公共電極，布置在所述微腔層上；以及 布置在所述公共電極上的層，布置在所述公共電極上的所述層包含有機材料， 其中，布置在所述公共電極上的所述層具有大于1.6且小于2.0的折射率。
2.根據權利要求1所述的液晶顯示器，其中，布置在所述公共電極上的所述層包括混和在溶液中的添加劑，所述添加劑具有比所述有機材料相對更高的折射率。
3.根據權利要求2所述的液晶顯示器，其中，所述溶液是丙烯酸鹽，并且所述添加劑包含有機/無機的混和凝膠或納米級顆粒。
4.根據權利要求2所述的液晶顯示器，進一步包括: 鈍化層，設置在所述基板與所述像素電極之間， 其中，所述鈍化層包含所述有機材料。
5.根據權利要求2所述的液晶顯示器，其中，布置在所述公共電極上的所述層包括凸形圖案。
6.根據權利要求5所述的液晶顯示器，其中，所述凸形圖案包括多個凸形部分，每個凸形部分與所述多個微腔中的相應一個微腔相關地設置。
7.根據權利要求5所述的液晶顯示器，其中，所述凸形圖案包括至少一個凸形部分，所述至少一個凸形部分與所述多個微腔中的多個相鄰設置的微腔相關地設置。
8.根據權利要求5所述的液晶顯示器，其中，所述凸形圖案包括多個起伏，所述多個微腔中的每個與所述多個起伏中的相應多個相關。
9.根據權利要求8所述的液晶顯示器，其中，直接相鄰的起伏之間的節距為2至50 μ m0
10.根據權利要求8所述的液晶顯示器，進一步包括: 背光單元， 其中，所述基板設置在所述背光單元上，并且所述背光單元被構造成向所述基板提供光。
【文檔編號】G02F1/1333GK103869521SQ201310344524
【公開日】2014年6月18日 申請日期:2013年8月8日 優先權日:2012年12月11日
【發明者】樸載華, 樸帝亨, 李相明, 禹修完, 洪基表, 皇甫尚佑 申請人:三星顯示有限公司