清潔系統和襯底處理工具的制作方法
【專利摘要】一種清潔系統和襯底處理工具，所述清潔系統包括清潔單元，所述清潔單元被構造和布置以在襯底保持件的支撐表面上產生基團，以從其上移除污染物，其中，所述清潔系統處在氫氣氣體環境中，其中所述清潔單元包括：外殼，所述外殼包括與真空單元相連通的出口和多個開口，所述多個開口使得氣體在所述氫氣氣體環境和所述外殼的內部之間連通，和等離子體產生器，所述等離子產生器被布置在所述外殼的內部且被配置以產生用于產生所述基團的氫等離子體，所述氫氣氣體環境被配置以用作所述等離子體產生器的氫供給。
【專利說明】清潔系統和襯底處理工具
[0001]本申請是申請日為2008年7月25日、申請號為200880100971. 6、 申請人:為ASML荷蘭有限公司、發明名稱為“光刻設備和器件制造方法”的中國專利申請的分案申請。
【技術領域】
[0002]本發明涉及一種光刻設備和一種器件制造方法。
【背景技術】
[0003]光刻設備是一種將所需圖案應用到襯底上，通常是襯底的目標部分上的機器。例如，可以將光刻設備用在集成電路（IC)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉移到襯底（例如，硅晶片）上的目標部分（例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯）上。通常，圖案的轉移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料（抗蝕劑）層上進行的。通常，單獨的襯底將包含被連續形成圖案的相鄰目標部分的網絡。公知的光刻設備包括：步進機，在所述步進機中，通過將全部圖案一次曝光到所述目標部分上來輻射每一個目標部分；以及掃描器，在所述掃描器中，通過輻射束沿給定方向（“掃描”方向）掃描所述圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向同步掃描所述襯底來輻射每一個目標部分。也能夠以通過將圖案壓印（imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉移到襯底上。
[0004]已廣泛地承認光刻術是IC和其它的器件和/或結構制造中的關鍵步驟之一。目前，沒有可替代的技術看上去能夠提供具有類似精度、速度和經濟的生產率的期望的圖案建構。然而，隨著使用光刻術制造的特征的尺寸不斷變小，光刻術成為了使微型的IC或其它器件和/或結構能夠在真實的大規模上制造的即便不是最關鍵的門檻（grating)因素，也是最關鍵的門檻（gating)因素中的一個。
[0005]通過如等式（I)中所示出的分辨率的瑞利準則來給出圖案印刷的限制的理論估計：
[0006]
【權利要求】
1.一種清潔系統，所述清潔系統包括清潔單元，所述清潔單元被構造和布置以在襯底保持件的支撐表面上產生基團，以從其上移除污染物， 其中，所述清潔系統處在氫氣氣體環境中，其中所述清潔單元包括: 外殼，所述外殼包括與真空單元相連通的出口和多個開口，所述多個開口使得氣體在所述氫氣氣體環境和所述外殼的內部之間連通，和 等離子體產生器，所述等離子產生器被布置在所述外殼的內部且被配置以產生用于產生所述基團的氫等離子體，所述氫氣氣體環境被配置以用作所述等離子體產生器的氫供5口 O
2.根據權利要求1所述的清潔系統，其中，所述等離子體產生器包括RF電極、DC放電電極或RF線圈。
3.根據權利要求1所述的清潔系統，其中，所述外殼在使用中靠近所述襯底保持件定位，以在所述支撐表面的至少一部分上產生所述基團。
4.根據權利要求3所述的清潔系統，其中，所述外殼被構造和布置以基本上覆蓋由所述支撐表面限定的整個區域。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的清潔系統，其中，在使用中，所述清潔單元能夠相對于用于保持待清潔的襯底的襯底保持件移動。
6.根據權利要求5所述的清潔系統，其中，所述清潔單元是能夠沿著大致垂直于所述支撐表面的方向移動的。
7.根據權利要求1-4中任一項所述的清潔系統，其中，所述清潔系統還包括配置用于檢測在所述支撐表面上的污染物的污染物檢測系統和與所述污染物檢測系統和所述清潔單元相通訊的控制器，所述控制器被配置以基于所述污染物檢測系統的檢測結果來控制所述清潔單元、所述襯底保持件或上述兩者的位置。
8.根據權利要求1-4中任一項所述的清潔系統，其中，所述外殼由網孔材料制成。
9.一種襯底處理工具，包括根據權利要求1-8中任一項所述的清潔系統。
【文檔編號】G03F7/20GK103543614SQ201310495327
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2008年7月25日 優先權日:2007年7月30日
【發明者】A·J·布里克, A·L·H·J·范米爾 申請人:Asml荷蘭有限公司