本發明涉及一種光轉換薄膜及其制造方法以及層疊體及其制造方法。

背景技術：

光的偏振特性被利用在電視、計算機、移動電話等各種顯示裝置中。通常，從光源產生的光為非偏振，因此有時使用起偏器以得到偏振。然而，使用起偏器而得到特定的偏振的方式中，隨著能量損失，一般損失約50％的入射光。

對于上述問題，近年來，已提出使用量子桿的方式。量子桿是棒狀(桿狀)的半導體化合物的微粒(半導體奈米結晶)，因形狀為棒狀并具有定向性而發出偏振。例如在專利文獻1中公開對包含取向于一個方向的量子桿的光學活性結構體照射泵浦光(pumping light)而得到偏振的方式，記載有作為顯示裝置的背光系統而有用的主旨。此外，專利文獻1的實施例欄中，作為使量子桿分散的矩陣材料，具體使用聚乙烯醇縮丁醛。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特表2014-502403號公報

技術實現要素：

發明所要解決的問題

另一方面，為了將如上述的包含量子桿并發出偏振的光轉換薄膜在顯示裝置中適用，要求滿足各種特性。

例如，為了可長期連續使用顯示裝置，即使在將從光源發出的光(泵浦光)連續地照射到量子桿時，仍期望來自量子桿的發光效率的降低較小。而且，為了即使在濕熱環境下，也使顯示裝置正常工作，即使在濕熱環境下仍期望維持來自上述光轉換薄膜的偏振特性。

本發明人等將專利文獻1中記載的聚乙烯醇縮丁醛作為量子桿的矩陣使用以制造光轉換薄膜，并對其特性進行評價時，確認到在濕熱環境下靜放規定的時間后測定其偏振度時，偏振度有顯著地變化。

另一方面，將耐濕熱性優異，光學薄膜中廣泛使用的脂環式烯烴聚合物(COP)使用在量子桿的矩陣以制造光轉換薄膜，并對其特性進行評價時，確認到在濕熱環境下的偏振度的降低非常少，但在對光轉換薄膜進行泵浦光的連續照射時，經連續照射后，來自量子桿的發光效率會降低。

本發明鑒于上述實際情況而提供一種光轉換薄膜，所述光轉換薄膜即使在連續照射光時也可抑制發光效率的降低，即使在濕熱環境下也可抑制偏振度的變化。

而且，本發明的課題也在于提供上述光轉換薄膜的制造方法以及包含光轉換薄膜的層疊體及其制造方法。

用于解決問題的手段

本發明人等對于現有技術的問題點進行深入研究的結果，發現通過使用滿足規定特性的光轉換薄膜而可解決上述問題。

即，發現可通過以下結構來實現上述目的。

(1)一種光轉換薄膜，其包含聚合物與量子桿，其以平行于光轉換薄膜表面之一個方向(規定方向)與量子桿的長軸成為平行的方式使上述量子桿取向，

其含水率為1.0％以下，

其氧透過系數為200cc·20μm/m²·day·atm以下。

(2)根據(1)所述的光轉換薄膜，其中，聚合物包含聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯。

(3)一種層疊體，其包含支撐體與配置在支撐體上的(1)或(2)所述的光轉換薄膜。

(4)根據(3)所述的層疊體，其中，支撐體包含聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯。

(5)一種光轉換薄膜的制造方法，其是(1)或(2)所述的光轉換薄膜的制造方法，

所述光轉換薄膜的制造方法具備如下工序：

將包含聚合物與量子桿的混合物熔融制膜而得到聚合物薄膜的工序；及

將聚合物薄膜朝一個方向延伸而得到光轉換薄膜的工序。

(6)一種光轉換薄膜的制造方法，其是(1)或(2)所述的光轉換薄膜的制造方法，

所述光轉換薄膜的制造方法具備如下工序：

將包含聚合物、量子桿及溶劑的混合物涂布在支撐體上而在支撐體上形成包含聚合物與量子桿的涂膜的工序；

使支撐體與涂膜一同朝一個方向延伸而得到包含支撐體與配置在支撐體上的光轉換薄膜的層疊體的工序；及

從層疊體去除支撐體而得到光轉換薄膜的工序。

(7)一種層疊體的制造方法，其是(3)或(4)所述的層疊體的制造方法，

所述層疊體的制造方法具備如下工序：

將包含聚合物、量子桿及溶劑的混合物涂布在支撐體上而在支撐體上形成包含聚合物與量子桿的涂膜的工序；及

使支撐體與涂膜一同朝一個方向延伸而得到層疊體的工序。

發明效果

根據本發明，可提供一種光轉換薄膜，所述光轉換薄膜即使在連續照射光時也可抑制發光效率的降低，在濕熱環境下也可抑制偏振度的變化。

而且，根據本發明，可提供一種上述光轉換薄膜的制造方法以及包含光轉換薄膜的層疊體及其制造方法。

附圖說明

圖1是光轉換薄膜的一實施方式的剖視圖。

圖2是層疊體的一實施方式的剖視圖。

具體實施方式

以下針對本發明進行詳細說明。以下記載的構成要件的說明雖是根據本發明所代表的實施方式而成，但本發明并不限定于這種實施方式。另外，本說明書中，使用“～”所表示的數值范圍意指包含將“～”前后所記載的數值作為上限值及下限值的范圍。

而且，本說明書中，關于角度(例如“90°”等角度)及其關系(例如“平行”、“正交”等)，包含本發明所屬的技術領域中可容許的誤差范圍。例如意指在精確角度±20°以下的范圍內，與精確角度的誤差優選為5°以下，更優選為3°以下。例如為平行時，為0°±20°的范圍(-20～20°)即可。

作為本發明的光轉換薄膜的特征點之一，可舉出光轉換薄膜顯示規定的含水率及氧透過系數的方面。本發明人等對于在現有技術中無法得到所期望的效果的理由進行檢討時，首先發現作為量子桿的發光效率降低的原因是氧氣的影響。即，發現到通過氧氣逐漸滲透至光轉換薄膜內而阻礙來自量子桿的發光。因此，在本發明中，通過將光轉換薄膜的氧透過系數調整在規定范圍內，從而解決上述問題。而且，作為在濕熱環境下靜放時偏振度降低的原因，發現到在濕熱環境下靜放光轉換薄膜時，水滲透至光轉換薄膜內而成為量子桿容易移動的狀況，作為結果量子桿的取向性降低、偏振度下降。因此，本發明中，通過規定光轉換薄膜的含水率而解決上述問題。

以下，對于本發明的光轉換薄膜及包含光轉換薄膜的層疊體的優選實施方式，參考附圖進行說明。圖1表示本發明的光轉換薄膜的一實施方式的剖視圖。而且，本發明中的圖為示意圖，各層的厚度的關系、位置關系等不一定與實際一致。以下的圖也相同。

光轉換薄膜10包含：作為矩陣功能的聚合物12；及分散在聚合物12內的多個量子桿14。量子桿14以平行于光轉換薄膜10的表面(面方向)的一個方向(與光轉換薄膜10的厚度方向正交的一個方向)與其長軸LA成為平行的方式取向。換言之，量子桿14以其長軸LA與光轉換薄膜10的表面平行，且多個量子桿14的長軸LA互為平行的方式取向。對這種光轉換薄膜10中的量子桿14射入入射光16時，從量子桿14射出偏振18。即，光轉換薄膜10是通過射入激發光而射出偏振的薄膜。

而且，如圖2所示，光轉換薄膜10可配置在支撐體20上而構成層疊體22。

以下，對構成光轉換薄膜及層疊體的各部件進行詳細敘述，然后，對光轉換薄膜及層疊體的制造方法進行詳細敘述。

＜聚合物＞

光轉換薄膜中包含聚合物，作為用于分散量子桿的矩陣而發揮功能。

作為聚合物的種類，若光轉換薄膜顯示規定的含水率及氧透過系數則無特別限制，但可舉出例如聚酯系樹脂(例如，聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯)、(甲基)丙烯酸樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂等。其中，在滿足能夠進一步抑制發光效率的降低的方面及能夠進一步抑制在濕熱環境下的偏振度的降低的方面中的至少任一個(此后，也可簡稱為“本發明的效果更優異的點”)時，優選聚酯系樹脂，更優選聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯。

作為聚合物的優選方式之一，可舉出彈性模量為1000MPa以上的聚合物。作為彈性模量的范圍更優選3000MPa以上。上限并無特別限制，但大多為10000MPa以下。

聚合物的彈性模量在上述范圍時，即使對于光轉換薄膜施加應力時，也可進一步抑制薄膜的延伸及撓曲，量子桿的取向不易發生紊亂，偏振度等不易發生變化，也不易引起不均。

上述彈性模量的測定方法按照JIS K 7161的方法進行。

在本發明的效果更為優異的方面上，作為聚合物，與后述的光轉換薄膜同樣地，可舉出含水率為1％以下，且氧透過系數為200cc·20μm/m²·day·atm以下的聚合物。

對于含水率及氧透過系數的測定方法，將在后面進行詳細敘述。

而且，聚合物的含水率及氧透過系數的優選范圍與后述的光轉換薄膜的含水率及氧透過系數的優選范圍相同。

＜量子桿＞

所謂量子桿，也稱為半導體奈米棒，是棒狀(桿狀)的半導體奈米結晶(奈米粒子)，由于形狀為桿狀并具有定向性，因此，若從光源射出的光射入則發出偏振。即，量子桿由射入的激發光所激發而發出螢光。

如圖1所示，在光轉換薄膜10中，多個量子桿14以平行于光轉換薄膜10的表面的一個方向(與光轉換薄膜10的厚度方向正交的一個方向)與其長軸LA成為平行的方式而取向分散。換言之，以量子桿14的長軸LA與光轉換薄膜10的面方向平行，且沿著同一方向的方式，使量子桿14分散在聚合物12中。另外，量子桿14以多個量子桿14的長軸LA互相平行的方式取向。正交及平行的定義如上述。如此，若量子桿朝規定方向取向，則可在恒定的所期望的振動方向發出直線偏振的光。

作為量子桿的長軸方向的確認方法并無特別限制，但一般可使用顯微鏡(例如，透射型電子顯微鏡)觀察光轉換薄膜的截面而確認。

而且，量子桿的取向方向并無特別限制，但如后述，當由延伸處理制造光轉換薄膜時，一般量子桿以量子桿的長軸與延伸方向成為平行的方式排列。即，上述一個方向相當于延伸方向。而且，在不損害本發明的效果的范圍內，也可包含光轉換薄膜中長軸不與規定方向平行的量子桿。

量子桿可僅使用1種，也可并用2種以上。

在并用2種以上時，可使用發出的光的波長不同的2種以上的量子桿。

量子桿的形狀可為在一個方向上延伸的形狀(桿狀)，可為所謂的圓柱狀、四棱柱狀(優選為長方體狀)、三棱柱狀及六棱柱狀等。

量子桿的平均長度(長軸方向的平均長度：平均長軸長度)并無特別限制，但在發光特性更優異的方面和/或本發明的效果更優異的方面上，優選8～500nm，更優選為10～160nm。

而且，對于上述平均長度，是將任意選擇的20個以上的量子桿的長軸長度以顯微鏡(例如，透射型電子顯微鏡)測定，對它們進行算術平均而得到的值。

而且，量子桿的長軸是指以顯微鏡(例如，透射型電子顯微鏡)觀察而得到的量子桿的二維圖像中，橫切量子桿的線段的最長的線段。短軸是指與長軸正交，且橫切量子桿的線段的最長的線段。

量子桿的平均短軸長度(短軸的平均值)并無特別限制，但在發光特性更優異的方面和/或本發明的效果更優異的方面上，優選0.3～20nm，更優選1～10nm。

而且，對于上述平均短軸長度，是將任意選擇的20個以上的量子桿的直徑以顯微鏡(例如，透射型電子顯微鏡)測定，對它們進行算術平均而得到的值。

量子桿的長寬比(量子桿的長軸/量子桿的短軸)并無特別限制，但在發光特性更優異的方面和/或本發明的效果更優異的方面上，優選1.5以上，更優選3.0以上。上限并無特別限制，但在易于操作的方面上，20以下的情況較多。

而且，上述長寬比為平均值，是將任意選擇的20個以上的量子桿的長寬比以顯微鏡(例如，透射型電子顯微鏡)測定，對它們進行算術平均而得到的值。

構成量子桿的材料并無特別限制，一般由半導體所構成，可舉出例如II-VI半導體、III-V半導體、IV-VI半導體或它們的組合。更具體而言，可選自CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、GaAs、GaP、GaAs、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InSb、AlAs、AlP、AlSb、Cu₂S、Cu₂Se、CuInS₂、CuInSe₂、Cu₂(ZnSn)S₄、Cu₂(InGa)S₄、它們的TiO₂合金以及它們的混合物。

量子桿可為由單一成分構成的量子桿，也可為具備第一半導體的芯及第二半導體的殼而成的芯/殼型的量子桿。而且，也可為芯/多層殼型的量子桿，也可使用殼為階段性組成的芯/殼結構的量子桿。

量子桿的表面中配位基可根據需要而配位。作為配位基，可舉出：例如三辛基膦氧化物(TOPO：Trioctylphosphine oxide)、三辛基膦(TOP：Trioctylphosphine)及三丁基膦(TBP：Tributylphosphine)等膦及膦氧化物；十二烷基膦酸(DDPA：Dodecylphosphonic acid)、十三烷基膦酸(TDPA：Tridecylphosphonic acid)、己基膦酸(HPA：Hexylphosphonic acid)等膦酸；十二烷基胺(DDA：Dodecyl amine)、十四烷基胺(TDA：Tetradecyl amine)、十六烷基胺(HDA：Hexadecyl amine)、十八烷基胺(ODA：Octadecyl amine)等胺；十六烷硫醇、己硫醇等硫醇；巰基丙酸、巰基十一烷酸等巰基羧酸。

如上所述，光轉換薄膜也可包含發光特性不同的2種以上的量子桿。作為量子桿的具體方式，可舉出例如在600nm～680nm的范圍的波長頻帶具有發光中心波長的量子桿A、在500nm～600nm的范圍的波長頻帶具有發光中心波長的量子桿B以及在400nm～500nm的波長頻帶具有發光中心波長的量子桿C等。量子桿A由激發光激發而發出紅色光，量子桿B發出綠色光、量子桿C發出藍色光。例如，若對包含量子桿A與量子桿B的光轉換薄膜射入藍色光作為激發光，則通過由量子桿A發出的紅色光、由量子桿B發出的綠色光及與透射光轉換薄膜的藍色光而可體現白光。或者，通過對包含量子桿A、B及C的光轉換薄膜射入紫外光作為激發光，而由量子桿A發出的紅色光、由量子桿B發出的綠色光及由量子桿C發出的藍色光可體現白光。作為量子桿，可毫無限制地使用由公知方法所配成的量子桿。量子桿的發光波長一般可由粒子的組成、大小以及組成及大小而調整。

＜光轉換薄膜＞

光轉換薄膜包含上述聚合物與分散在聚合物中的量子桿。

光轉換薄膜的含水率為1.0％以下，在根據本發明的效果更為優異的方面上，優選0.5％以下，更優選0.1％以下。下限并無特別限制，但0.001％以上的情況較多。

上述含水率超過1.0％時，在濕熱環境下的偏振度的變化較大。

對于含水率，是使用光轉換薄膜，根據ISO62method1在23℃的水中浸漬24小時之后測定水分率的值。

光轉換薄膜的氧透過系數為200(cc·20μm/m²·day·atm)以下，在本發明的效果更優異的方面上，優選50(cc·20μm/m²·day·atm)以下，更優選10(cc·20μm/m²·day·atm)以下。下限并無特別限制，但0.01(cc·20μm/m²·day·atm)以上的情況較多。

上述氧透過系數超過200(cc·20μm/m²·day·atm)時，在連續照射光之后，量子桿的發光效率容易降低。

作為氧透過系數的測定方法，根據JIS K 7126(壓差法)進行。作為測定條件，在溫度23℃、相對濕度50％下實施。而且，對于氧透過系數(cc·20μm/m²·day·atm)，將光轉換薄膜的厚度換算成20μm，基于薄膜面積1m²、壓力1atm，表示每1天(24小時)所透過氣體的量。

光轉換薄膜的彈性模量并無特別限制，但優選1000MPa以上，更優選3000MPa以上。上限并無特別限制，但10000MPa以下的情況較多。

光轉換薄膜的彈性模量在上述范圍時，即使對于光轉換薄膜施加應力時，也可進一步抑制薄膜的延伸及撓曲，量子桿的取向不易發生紊亂，偏振度等不易發生變化，也不易引起不均。

上述彈性模量的測定方法按照JIS K 7161的方法進行。

光轉換薄膜中，至少包含上述聚合物及量子桿。光轉換薄膜中的量子桿含量并無特別限制，但在分散性及發光特性更優異的方面上，相對于聚合物100質量份，優選0.1～30質量份，更優選0.5～25質量份。

光轉換薄膜的膜厚并無特別限制，但在操作性及發光特性的方面上，優選5～200μm，更優選10～150μm。

另外，在本說明書中，上述膜厚是指平均厚度，平均厚度通過測定光轉換薄膜的任意10處以上的厚度，對它們進行算術平均而求出。

如圖2所示，光轉換薄膜10可配置在支撐體20上。通過配置在支撐體上，而可加強光轉換薄膜的機械強度。而且，如后述，對支撐體施行延伸處理時，作為支撐體優選為具有延伸性的支撐體(延伸性支撐體)。

支撐體的種類并無特別限制，可使用公知的支撐體。構成支撐體的材料并無特別限制，可舉出例如聚酯系樹脂(例如，聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚烯烴系樹脂(例如，聚乙烯、聚丙烯)、聚苯乙烯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、硅氧系樹脂、聚氯乙烯系樹脂及聚偏二氯乙烯系樹脂等。其中，在機械強度優異，易適用在后述的延伸處理的方面上，優選聚酯系樹脂，更優選聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯。

支撐體的膜厚并無特別限制，在操作性的方面上，優選20～200μm，更優選30～150μm。

另外，在本說明書中，上述膜厚是指平均厚度，平均厚度通過測定支撐體的任意10處以上的厚度，對它們進行算術平均而求出。

＜光轉換薄膜的制造方法＞

[優選方式(其一)]

作為上述光轉換薄膜的制造方法的優選方式之一，可舉出具備得到聚合物薄膜的工序A及實施延伸處理的工序B的制造方法。

以下，對各工序的順序進行詳細敘述。

(工序A：薄膜形成工序)

工序A是將包含聚合物與量子桿的混合物熔融制膜而得到聚合物薄膜的工序。本工序所得到的聚合物薄膜為未延伸狀態的薄膜，在該聚合物薄膜中量子桿的各長軸朝向隨機方向并為非取向狀態。

本工序中使用的聚合物與量子桿的定義如上述。

混合物中的聚合物與量子桿的混合比(質量比)并無特別限制，但優選為在上述的光轉換薄膜中的聚合物與量子桿的混合比的范圍。

熔融制膜是使上述混合物熔融，并將熔融物從擠出機擠出后經冷卻而得到薄膜的方法。以下，對熔融制膜的順序的例子進行說明。

(干燥)

首先，在使混合物熔融之前，可根據需要實施使混合物干燥的處理。

(熔融擠出)

接著，將混合物通過擠出機的供給口供給至缸體內部，使其混煉及熔融。通常，缸體內部從供給口側依次以供給部(區域A)、壓縮部(區域B)及測量部(區域C)所構成。擠出機的螺桿壓縮比優選1.5～4.5，缸體長度對缸體內徑的比(L/D)優選20～70，缸體內徑優選30～150mm。擠出溫度優選190～350℃。進而，為了防止因殘留的氧而熔融樹脂氧化，優選使擠出機內成為在非活性(氮氣等)氣流中而實施、或使用帶排氣孔的擠出機進行真空排氣并實施。

而且，為了過濾混合物中的異物，優選設置組合有斷路器板式的過濾器、葉片型圓盤濾波器而成的過濾器。過濾可以1級進行，也可多級過濾。過濾精確度優選為3～15μm，進一步優選為3～10μm。

而且，為了減少吐出量的變動并使厚度精確度提高，優選在擠出機與模具之間設置齒輪泵。

混合物通過如上述那樣構成的擠出機而熔融，根據需要通過過濾器、齒輪泵使熔融樹脂連續地送入模具中。模具可為T型模具、魚尾模具、衣架式模具中的任一個。

(流延)

使從模具擠出成片狀的熔融物(熔體)在流延鼓上冷卻硬化，得到薄膜。

當熔體與流延鼓接觸時，優選使用靜電施加法、氣刀法、氣室法、真空噴嘴法及接觸輥法等，提高流延鼓與熔體的密合，其中優選接觸輥法。這樣的密合提高法可在熔體整個面實施，也可局部實施。

然后，從流延鼓剝除薄膜，可得到聚合物薄膜。

(工序B：延伸工序)

工序B是將工序A所得到的聚合物薄膜在一個方向延伸而得到光轉換薄膜的工序。通過實施本工序，聚合物薄膜中的量子桿以其長軸與延伸方向成為平行的方式(量子桿的長軸沿著延伸方向)取向，得到所期望的光轉換薄膜。而且，作為延伸處理一般在聚合物薄膜的面方向實施延伸處理，如上述，以量子桿的長軸與光轉換薄膜的表面(面方向)成為平行(與光轉換薄膜的厚度方向正交)的方式使量子桿取向。

延伸處理的方法并無特別限制，通常，作為延伸處理優選通過實施單軸延伸而進行。單軸延伸可采用對聚合物薄膜的長度方向進行的縱向延伸、對聚合物薄膜的寬度方向進行的橫向延伸中的任一個。在聚合物薄膜中優選通過橫向延伸來進行。橫向延伸中，可朝寬度方向進行延伸并且在長度方向收縮。作為橫向延伸方式，可舉出例如通過拉幅機對一端進行固定的固定端單軸延伸法、或不對一端進行固定的自由端單軸延伸法等。作為縱向延伸方式，可舉出例如輥間延伸法、壓縮延伸法及使用了拉幅機的延伸方法等。延伸處理也可以多級進行。而且，延伸處理可通過實施雙軸延伸、斜向延伸等而進行。

并且，對于延伸處理，可采用濕式延伸方法與干式延伸方法中的任一個，但本發明中，在可廣泛地設定使聚合物薄膜延伸時的溫度范圍的方面上，優選使用干式延伸方法。

干式延伸方法中，通常對聚合物薄膜在加熱(預熱)至50～200℃左右、優選80～180℃的狀態下進行延伸處理。

在延伸處理中的延伸程度并無特別限制，但相對于聚合物薄膜的原始長度(總長度)，優選在延伸倍率(延伸后的長度/延伸前的長度)為1.5～17倍的范圍下進行，更優選在1.5～10倍的范圍下進行。

延伸處理后，優選對所得到的薄膜進行冷卻，優選以10～70℃左右進行冷卻。這樣的冷卻，可與冷卻輥接觸，也可吹噴冷空氣。

延伸處理后，可根據需要實施熱固定處理和/或熱松弛操作。

熱固定處理可通過在薄膜上實施熱處理而在薄膜內生成微晶，提高力學特性及耐久性。熱固定處理的條件并無特別限制，但優選在170～210℃左右(優選為180～200℃)實施1～60秒鐘(優選為2～30秒鐘)的熱處理。對于熱固定處理，優選在延伸之后，在拉幅機內把持卡盤的狀態下進行。

熱松弛處理是為了松弛對薄膜的應力而加熱并使薄膜收縮的處理。相對于薄膜的玻璃化轉變溫度(Tg(℃))，松弛溫度優選Tg+50～Tg+180℃，更優選為Tg+60～Tg+150℃。

[優選方式(其二)]

作為上述光轉換薄膜的制造方法的其它優選方式，可舉出具備在支撐體上形成包含聚合物及量子桿的涂膜的工序C、實施延伸處理的工序D以及去除支撐體而得到光轉換薄膜的工序E的制造方法。

以下，對各工序的順序進行詳細敘述。

(工序C：涂膜形成工序)

工序C是將包含聚合物、量子桿及溶劑的混合物涂布在支撐體上，在該支撐體上形成包含聚合物與量子桿的涂膜的工序。以本工序而得到的涂膜中，量子桿以無取向狀態分散。

本工序中使用的聚合物、量子桿及支撐體的定義如上所述。

混合物中的聚合物與量子桿的混合比(質量比)并無特別限制，但優選上述光轉換薄膜中的聚合物與量子桿的混合比的范圍。

混合物中包含溶劑。作為溶劑的種類，可舉出水或有機溶劑等。有機溶劑的種類并無特別限制，例如有機溶劑的例中，可舉出酰胺系溶劑(例如，N,N-二甲基甲酰胺)、亞砜系溶劑(例如，二甲基亞砜)、雜環化合物系溶劑(例如，吡啶)、烴系溶劑(例如，苯、己烷)、鹵代烷系溶劑(例如，氯仿、二氯甲烷)、酯系溶劑(例如，乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯)、酮系溶劑(例如，丙酮、甲基乙基酮)、醚系溶劑(例如，四氫呋喃、1,2-二甲氧基乙烷)。

對于混合物中的溶劑含量，根據混合物的操作性的方面，相對于混合物總質量，優選50～95質量％，更優選60～90質量％。

在支撐體上涂布混合物的方法并無特別限制，可采用公知方法(例如，浸涂法、線棒涂布法、直接凹版涂布法、反向凹版涂布法、模具涂布法)。

在支撐體上涂布混合物之后，根據需要，為了去除揮發性成分而實施干燥處理。

所形成的涂膜的厚度并無特別限制，優選所得到的光轉換薄膜的膜厚以成為上述優選范圍的方式而調整。

(工序D：延伸工序)

工序D是將支撐體與涂膜一同在一個方向延伸而得到層疊體的工序。通過實施本工序，使涂膜中的量子桿以其長軸平行于延伸方向的方式取向，可得到支撐體上配置有所期望的光轉換薄膜的層疊體。

延伸處理的方法并無特別限制，可舉出上述工序B所說明的延伸處理。

(工序E：支撐體去除工序)

工序E是從工序D所得到的層疊體去除支撐體而得到光轉換薄膜的工序。通過實施本工序，可得到所期望的光轉換薄膜。

支撐體的去除方法并無特別限制，可舉出從層疊體剝離支撐體的方法、或在僅溶解支撐體的溶劑中浸漬層疊體而去除支撐體的方法等。

＜層疊體的制造方法＞

作為具備支撐體與配置在支撐體上的光轉換薄膜的層疊體的制造方法的優選方式之一，可舉出具備以下工序C及工序D的制造方法。

工序C：使包含聚合物、量子桿及溶劑的混合物與支撐體接觸而在支撐體上形成包含聚合物與量子桿的涂膜的工序

工序D：將支撐體與涂膜一同在一個方向延伸而得到層疊體的工序

關于工序C及工序D的順序，與上述光轉換薄膜的制造方法中說明的順序相同，因此省略說明。

＜用途＞

上述光轉換薄膜及層疊體可適用在各種用途中，例如可舉出顯示裝置(液晶顯示裝置)等。

實施例

以下，舉出實施例對本發明進一步具體地進行說明。以下實施例所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理順序等，只要不脫離本發明的主旨，可適當地進行變更。因此，本發明的范圍并不受以下所示的具體例所限定。

(量子桿的制作)

參考美國專利7303628、論文(Peng,X.G.；Manna,L.；Yang,W.D.；Wi ckham,j.；Scher,E.；Kadavanich,A.；Alivisatos,A.P.Nature 2000,404,59-61)及論文(Manna,L.；Scher,E.C.；Alivisatos,A.P.j.Am.Chem.Soc.2000,122,12700-12706)，制作在藍色光射入時發出中心波長540nm、半值寬度40nm的綠色光的螢光的量子桿1與發出中心波長645nm、半值寬度30nm的紅色光的螢光的量子桿2。量子桿1、2的形狀為長方體形，量子桿的長軸的平均長度(平均長軸長度)為30nm。量子桿的平均長軸長度以透射型電子顯微鏡確認。

(實施例1)

以以下方法制作了含有量子桿的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜。

-原料聚酯的合成-

-原料聚酯1-

如以下所示，使對苯二甲酸與乙二醇直接反應并蒸餾除去水，進行酯化后，在減壓下使用進行縮聚的直接酯化法，通過連續聚合裝置而得到原料聚酯1(Sb催化劑系PET)。

(1)酯化反應

在第一酯化反應槽中，將高純度對苯二甲酸4.7噸與乙二醇1.8噸經90分鐘進行混合并形成漿料，以3800kg/h的流量連續地供給至第一酯化反應槽中。進而連續供給三氧化銻的乙二醇溶液，在反應槽內溫度250℃攪拌下，以平均停留時間約4.3小時進行反應。此時，以Sb添加量以元素換算值成為150ppm的方式連續添加三氧化銻。

將該反應物轉移到第二酯化反應槽，在攪拌下，反應槽內溫度250℃下，以平均停留時間1.2小時進行反應。在第二酯化反應槽中，以Mg添加量及P添加量以元素換算值分別成為65ppm、35ppm的方式連續供給乙酸鎂的乙二醇溶液、磷酸三甲酯的乙二醇溶液。

(2)縮聚反應

將上述所得到的酯化反應生成物連續地供給至第一縮聚反應槽中，在攪拌下，在反應溫度270℃、反應槽內壓力20torr(2.67×10^-3MPa)下以平均停留時間約1.8小時進行縮聚。

進而，轉移到第二縮聚反應槽，在該反應槽中，在攪拌下，在反應槽內溫度276℃、反應槽內壓力5torr(6.67×10^-4MPa)下以停留時間約1.2小時的條件進行反應(縮聚)。

接著，進一步轉移到第三縮聚反應槽，在該反應槽中，在反應槽內溫度278℃、反應槽內壓力1.5torr(2.0×10^-4MPa)下以停留時間1.5小時的條件進行反應(縮聚)，得到反應物(聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET))。

接著，將所得到的反應物在冷水中排出成股線狀，并立即切割，制作了聚酯的顆粒(截面：長徑約4mm、短徑約2mm、長度：約3mm)。所得到的聚合物的固有黏度IV＝0.63。將該聚合物作為原料聚酯1。

另外，對于固有黏度IV，將原料聚酯1溶解于1,1,2,2-四氯乙烷/苯酚(＝2/3[質量比])混合溶劑中，根據該混合溶劑中的在25℃下的溶液黏度而求出。

-薄膜成形工序-

將原料聚酯1(95質量份)、上述制作的量子桿1(4質量份)及量子桿2(1質量份)干燥至含水率20ppm以下之后，投入到直徑50mm的單軸混煉擠出機1的料斗1，在擠出機1以300℃熔融。由下述擠出條件，通過齒輪泵、過濾器(孔徑20μm)而從模具擠出。

熔融樹脂的擠出條件以壓力變動為1％、熔融樹脂的溫度分布為2％，將熔融樹脂從模具擠出。具體而言，將背壓相對于擠出機的筒內平均壓力而加壓1％，將擠出機的配管溫度以相對于擠出機的筒內平均溫度而高2％的溫度進行加熱。

對于從模具擠出的熔融樹脂，在將溫度設定為25℃的冷卻流延鼓上擠出，使用靜電施加法使其與冷卻流延鼓密合。使用與冷卻流延鼓相對配置的剝離輥進行剝離，得到含有量子桿的未延伸聚酯薄膜1。

-橫向延伸工序-

-預熱部-

將預熱溫度設為90℃，加熱至可延伸含有量子桿的未延伸聚酯薄膜1的溫度。

-延伸部-

將經預熱的含有量子桿的未延伸聚酯薄膜1引導至拉幅機(橫向延伸機)，將薄膜端部以卡盤把持，并且在TD方向(薄膜寬度方向、橫向方向)以下述條件橫向延伸，得到含有量子桿的橫向延伸聚酯薄膜1。

《條件》

·橫向延伸溫度：90℃

·橫向延伸倍率：4.3倍

-熱固定部-

接著，以含有量子桿的橫向延伸聚酯薄膜1的膜面溫度成為下述溫度的方式進行控制，并且進行熱固定處理。

《條件》

·熱固定溫度：180℃

·熱固定時間：15秒

-熱松弛部-

將熱固定后的含有量子桿的橫向延伸聚酯薄膜1加熱至下述溫度，使薄膜松弛。

《條件》

·熱松弛溫度：170℃

·熱松弛率：TD方向(薄膜寬度方向、橫向方向)2％

-冷卻部-

接著，將熱松弛后的含有量子桿的橫向延伸聚酯薄膜1在50℃的冷卻溫度下進行冷卻。

將如此得到的含有量子桿的橫向延伸聚酯薄膜1作為實施例1的薄膜。膜厚為60μm。

(實施例2)

除了將原料聚酯變更為聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯(poly(ethylenenaphthalate)：PEN)以外，與實施例1同樣地，得到實施例2的薄膜。

(實施例3)

將附有含量子桿的層的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜用以下方法制作。

-支撐體成形工序-

將實施例1所制作的原料聚酯1干燥至含水率20ppm以下后，投入到直徑50mm的單軸混煉擠出機1的料斗1，在擠出機1以300℃熔融。根據下述擠出條件，通過齒輪泵、過濾器(孔徑20μm)而從模具擠出。熔融樹脂的擠出條件以壓力變動為1％、熔融樹脂的溫度分布為2％，將熔融樹脂從模具擠出。具體而言，將背壓相對于擠出機的筒內平均壓力而加壓1％，將擠出機的配管溫度以相對于擠出機的筒內平均溫度而高2％的溫度進行加熱。

對于從模具擠出的熔融樹脂，在將溫度設定為25℃的冷卻流延鼓上擠出，使用靜電施加法使其與冷卻流延鼓密合。使用與冷卻流延鼓相對配置的剝離輥進行剝離，得到未延伸聚酯薄膜3(膜厚250μm)。

-含量子桿的層的制作-

將混合有VYLON 500(TOYOBO CO.,LTD.)(80質量份)、上述制作的量子桿1(16質量份)、量子桿2(4質量份)以及乙酸乙酯(300質量份)的組合物，以干燥后的膜厚成為25μm的方式在上述所制作的未延伸聚酯薄膜3配成并且進行涂布，得到附有含量子桿的層的未延伸聚酯薄膜3。

-橫向延伸工序-

-預熱部-

將預熱溫度設為90℃，加熱至可延伸附有含量子桿的層的未延伸聚酯薄膜3的溫度。

-延伸部-

將經預熱的附有含量子桿的層的未延伸聚酯薄膜3引導至拉幅機(橫向延伸機)，將薄膜端部以卡盤把持，并且在TD方向(薄膜寬度方向、橫向方向)以下述條件橫向延伸，得到附有含量子桿的層的橫向延伸聚酯薄膜3。

《條件》

·橫向延伸溫度：90℃

·橫向延伸倍率：4.3倍

-熱松弛部-

將延伸后的附有含量子桿的層的橫向延伸聚酯薄膜3加熱至下述溫度，使薄膜松弛。

《條件》

·熱松弛溫度：80℃

·熱松弛率：TD方向(薄膜寬度方向、橫向方向)2％

-冷卻部-

接著，將熱松弛后的附有含量子桿的層的橫向延伸聚酯薄膜3在50℃的冷卻溫度下冷卻。

將如此得到的附有含量子桿的層的橫向延伸聚酯薄膜3作為實施例3的層疊體(膜厚70μm)。層疊體中包含支撐體、包含量子桿的光轉換薄膜。

(比較例1)

-支撐體成形工序-

依照與實施例3的未延伸聚酯薄膜3的制作方法的相同順序，制作未延伸聚酯薄膜4(膜厚240μm)。

-含量子桿的層的制作-

將混合有12質量％的聚乙烯醇(PVA)124水溶液(KURARAY CO.,LTD制造)(650質量份)、上述制作的量子桿1(16質量份)、量子桿2(4質量份)的組合物，以干燥后的膜厚成為30μm的方式在上述所制作的未延伸聚酯薄膜4配成并且進行涂布，得到附有含量子桿的層的未延伸聚酯薄膜4。

-橫向延伸工序-

-預熱部-

將預熱溫度設為90℃，加熱至可延伸附有含量子桿的層的未延伸聚酯薄膜4的溫度。

-延伸部-

將經預熱的附有含量子桿的層的未延伸聚酯薄膜4引導至拉幅機(橫向延伸機)，將薄膜端部以卡盤把持，并且在TD方向(薄膜寬度方向、橫向方向)以下述條件橫向延伸，得到附有含量子桿的層的橫向延伸聚酯薄膜4。

《條件》

·橫向延伸溫度：90℃

·橫向延伸倍率：4.3倍

-熱松弛部-

將延伸后的附有含量子桿的層的橫向延伸聚酯薄膜4加熱至下述溫度，使薄膜松弛。

《條件》

·熱松弛溫度：80℃

·熱松弛率：TD方向(薄膜寬度方向、橫向方向)2％

-冷卻部-

接著，將熱松弛后的附有含量子桿的層的橫向延伸聚酯薄膜4在50℃的冷卻溫度下冷卻。

將如此得到的附有含量子桿的層的橫向延伸聚酯薄膜4作為比較例1的層疊體(膜厚65μm)。層疊體中包含支撐體、包含量子桿的光轉換薄膜。

(比較例2)

將作為脂環式烯烴聚合物(COP)的一種的熱塑性降冰片烯樹脂的顆粒[Zeon Corporation制造，商品名稱“ZEONOR1420”，玻璃化轉變溫度137℃]在100℃下干燥5小時。將上述顆粒(95質量份)和上述制作的量子桿1(4質量份)、量子桿2(1質量份)投入到直徑50mm的單軸混煉擠出機1的料斗1，在擠出機1中熔融。根據下述擠出條件，通過齒輪泵、過濾器(孔徑20μm)而從模具擠出。熔融樹脂的擠出條件以壓力變動為1％、熔融樹脂的溫度分布為2％，將熔融樹脂從模具擠出。具體而言，將背壓相對于擠出機的筒內平均壓力而加壓1％，將擠出機的配管溫度以相對于擠出機的筒內平均溫度而高2％的溫度進行加熱。

對于從模具擠出的熔融樹脂，在將溫度設定為25℃的冷卻流延鼓上擠出，使用靜電施加法使其與冷卻流延鼓密合。使用與冷卻流延鼓相對配置的剝離輥進行剝離，得到含有量子桿的未延伸COP薄膜5。

-縱向延伸工序-

-預熱部-

將預熱溫度設為140℃，加熱至可延伸含有量子桿的未延伸COP薄膜5的溫度。

-延伸部-

將經預熱的含有量子桿的未延伸COP薄膜5引導至拉幅機(縱向延伸機)，在MD方向(薄膜行進方向、縱向方向)以下述條件縱向延伸，得到含有量子桿的縱向延伸COP薄膜5。

《條件》

·縱向延伸溫度：150℃

·縱向延伸倍率：3.0倍

-熱松弛部-

將延伸后的含有量子桿的縱向延伸COP薄膜5加熱至下述溫度，使薄膜松弛。

《條件》

·熱松弛溫度：140℃

·熱松弛率：MD方向(薄膜行進方向、縱向方向)2％

-冷卻部-

接著，將熱松弛后的含有量子桿的縱向延伸COP薄膜5在50℃的冷卻溫度下冷卻。

將如此得到的含有量子桿的縱向延伸COP薄膜5作為比較例2的薄膜。膜厚為63μm。

(比較例3)

將含有量子桿的聚乙烯醇縮丁醛(PVB)薄膜用以下方法制作。

-薄膜成形工序-

將聚乙烯醇縮丁醛(以下PVB，95質量份)、上述制作的量子桿1(4質量份)及量子桿2(1質量份)干燥至含水率20ppm以下之后，投入到直徑50mm的單軸混煉擠出機1的料斗1，在擠出機1中熔融。根據下述擠出條件，通過齒輪泵、過濾器(孔徑20μm)而從模具擠出。熔融樹脂的擠出條件以壓力變動為1％、熔融樹脂的溫度分布為2％，將熔融樹脂從模具擠出。具體而言，將背壓相對于擠出機的筒內平均壓力而加壓1％，將擠出機的配管溫度以相對于擠出機的筒內平均溫度而高2％的溫度進行加熱。

對于從模具擠出的熔融樹脂，在將溫度設定為25℃的冷卻流延鼓上擠出，使用靜電施加法使其與冷卻流延鼓密合。使用與冷卻流延鼓相對配置的剝離輥進行剝離，得到含有量子桿的未延伸PVB薄膜6。

-橫向延伸工序-

-預熱部-

將預熱溫度設為90℃，加熱至可延伸含有量子桿的未延伸PVB薄膜6的溫度。

-延伸部-

將預熱的含有量子桿的未延伸PVB薄膜6引導至拉幅機(橫向延伸機)，將薄膜端部以卡盤把持，并且在TD方向(薄膜寬度方向、橫向方向)以下述條件橫向延伸，得到含有量子桿的橫向延伸PVB薄膜6。

《條件》

·橫向延伸溫度：110℃

·橫向延伸倍率：4.5倍

-熱松弛部-

將延伸后的含有量子桿的橫向延伸PVB薄膜6加熱至下述溫度，使薄膜松弛。

《條件》

·熱松弛溫度：100℃

·熱松弛率：TD方向(薄膜寬度方向、橫向方向)2％

-冷卻部-

接著，將熱松弛后的含有量子桿的橫向延伸PVB薄膜6在50℃的冷卻溫度下冷卻。

將如此得到的含有量子桿的橫向延伸PVB薄膜6作為比較例3的薄膜。膜厚為60μm。

＜氧透過系數的評價＞

將實施例1～2及比較例2～3的薄膜、與實施例3及比較例1中的層疊體的光轉換薄膜的氧透過系數，以以下方法評價。

(實施例1～2及比較例2～3：無支撐體的薄膜)

在Orbisphere Laboratories公司制造的氧濃度計的檢測部，使實施例1～2及比較例2～3所制作的薄膜分別隔著硅潤滑脂黏貼，依上述方法，從平衡氧濃度值得到各薄膜的氧透過系數(P)。對所得到的氧透過系數(P)的值依照后述(評價基準)中所示的基準進行評價。將結果在表1匯總表示。

(實施例3及比較例1的層疊體：具有支撐體的層疊體)

在Orbisphere Laboratories公司制造的氧濃度計的檢測部，使實施例3及比較例1所制作的層疊體分別隔著硅潤滑脂黏貼，依上述方法，從平衡氧濃度值得到每實際膜厚的氧透過率(P0)。

以相同的方式，測定實施例3及比較例1中使用的僅實施延伸處理的支撐體的每實際膜厚的氧透過率(P1)，并通過下述式，計算出實施例3及比較例1所制作的層疊體中所含的僅光轉換薄膜的每實際膜厚的氧透過率(P2)。

1/P2＝(1/P0)-(1/P1)

使用由上述式所得到的氧透過率(P2)的值，得到氧透過系數(P)。另外，氧透過系數根據(氧透過系數)＝(氧透過率)×(厚度(20μm))計算。將所得到的氧透過系數(P)依照以下基準進行評價。將結果在表1匯總表示。

A：P≤10[cc·20μm/m²·day·atm]

B：10[cc·20μm/m²·day·atm]＜P≤200[cc·20μm/m²·day·atm]

C：200[cc·20μm/m²·day·atm]＜P≤1000[cc·20μm/m²·day·atm]

D：1000[cc·20μm/m²·day·atm]＜P

＜含水率的評價＞

通過ISO62method1(測定在23℃的水中浸漬24小時后的重量增加率的方法)，測定實施例1的薄膜的含水率w，并依照下述基準進行評價。將結果示于表1。

而且，除了使用實施例2及比較例2～3的薄膜來代替實施例1的薄膜以外，依照與上述相同的順序，測定各薄膜的含水率并進行評價。

進而，除了使用實施例3的層疊體來代替實施例1的薄膜以外，依照與上述相同的順序，測定層疊體的含水率(WO)。而且，除了使用未延伸聚酯薄膜3來代替實施例1的薄膜并使用以實施例3中記載的延伸處理的順序延伸的支撐體以外，依照與上述相同的順序，測定支撐體的含水率(W1)。從層疊體的含水率(WO)除支撐體的含水率(W1)，計算層疊體中的光轉換薄膜的含水率(W)，依照以下基準進行評價。

另外，對于比較例1中得到的層疊體，也通過與使用了上述實施例3中得到的層疊體時相同的順序，計算比較例1中得到的層疊體中的光轉換薄膜的含水率，并依照以下基準進行評價。

A：w≤0.1[％]

B：0.1[％]＜w≤1.0[％]

C：1.0[％]＜w≤5.0[％]

D：5.0[％]＜w

＜亮度變化評價＞

1.初期(連續照射前)亮度的評價

在市售的藍色光源(OPTEX-FA股份有限公司制造的OPSM-H150X142B)上放置實施例1的薄膜，將透射的光的亮度(Y0)以設置在對薄膜的面為垂直方向740mm的位置的亮度計(SR3，TOPCON公司制造)測定。

2.連續照射后的亮度的評價

在保持為25℃相對濕度60％RH的房間，在市售的藍色光源(OPTEX-FA股份有限公司制造的OPSM-H150X142B)上放置實施例1的薄膜，對實施例1的薄膜連續照射藍色光250小時。

以與上述1.的連續照射前的亮度的評價相同的方法，測定連續照射后的實施例1的薄膜的亮度(Y1)，計算下述式記載的與初期亮度值的變化率(ΔY)并作為亮度變化的指標。

ΔY[％]＝(Y0-Y1)/Y0×100

根據所得到的ΔY的值，以下述基準評價亮度變化。若評價結果為A及B，則可判斷即使在連續照射后端部的發光效率也維持良好。

(評價基準)

A：ΔY＜20[％]

B：20[％]≤ΔY＜40[％]

C：40[％]≤ΔY＜60[％]

D：60[％]≤ΔY

另外，除了使用實施例2與比較例2～3的薄膜來代替實施例1的薄膜及使用實施例3與比較例1的層疊體以外，依照與上述相同的順序，實施亮度變化評價。將結果在表1匯總表示。

＜耐濕熱性試驗評價＞

1.耐濕熱性試驗前的偏振度

使用自動偏振片測量裝置VAP-7070(日本分光股份有限公司)，測定耐濕熱性試驗前的實施例1的薄膜的偏振度P0。

2.耐濕熱性試驗后的偏振度

將實施例1的薄膜在60℃相對濕度90％RH的環境下靜放250小時。

將耐濕熱性試驗后的實施例1的薄膜的偏振度P1以與上述1.的耐濕熱性試驗前的偏振度評價相同方法進行測定，計算下述式記載的與初期偏振度的變化率(ΔP)并作為偏振度變化的指標。

ΔP[％]＝(P0-P1)/P0×100

根據所得到的ΔP的值，以下述基準評價偏振度變化。若評價結果為A及B，則可判斷耐濕熱性良好。

(評價基準)

A：ΔP＜5[％]

B：5[％]≤ΔP＜10[％]

C：10[％]≤ΔP＜20[％]

D：20[％]≤ΔP

另外，除了使用實施例2與比較例2～3的薄膜來代替實施例1的薄膜及使用實施例3與比較例1的層疊體以外，依照與上述相同的順序，實施耐濕熱性試驗評價。將結果在表1匯總表示。

＜量子桿取向評價＞

使用各實施例與各比較例所制作的薄膜及層疊體，將厚度方向的截面及面方向的截面以透射電子顯微鏡觀察時，在各實施例與各比較例制作的薄膜及層疊體中的光轉換薄膜中，多個量子桿以其長軸與延伸方向成為平行的方式在薄膜中(聚合物中)分散取向。即，以長軸平行于與薄膜表面(面方向)平行的一個方向(與薄膜的厚度方向正交的一個方向)的方式，使多個量子桿在聚合物中分散取向。

表1中，在“制造方法”欄中，“1”表示通過熔融制膜制造聚合物薄膜的情況，“2”表示在支撐體上形成涂膜的情況。

另外，實施例中使用的聚合物本身的含水率也為1％以下，且氧透過系數也為200cc·20μm/m²·day·atm以下。

表1

如表1所示，可確認本發明的光轉換薄膜及層疊體中，亮度變化小且即使在耐濕熱性試驗后偏振度變化也少，可得到所期望的效果。

另一方面，在無法滿足規定的氧透過系數及含水率兩者的比較例1～3的方式中，無法得到所期望的效果。

＜液晶顯示裝置的制造＞

對市售的液晶顯示裝置(Panasonic公司制造，商品名TH-L42D2)進行分解，在背光側偏振片與背光單元之間配置實施例1～3的光轉換薄膜或層疊體，將背光單元變更為以下的B窄頻帶背光單元，制造實施例1～3的液晶顯示裝置。此時，以光轉換薄膜或層疊體的延伸方向與背光側偏振片的透射軸成為平行的方式配置。

所使用的B窄頻帶背光單元具備作為光源的藍色發光二極體(Nichia B-LED：Royal Blue，主波長445nm，半值寬20nm，以下也稱為B光源)。而且，在光源的后部具備將從光源發光并由光學片部件反射的光進行反射的反射部件。

＜顏色再現區域的評價＞

將上述實施例1～3的液晶顯示裝置的顏色再現區域(NTSC比)以日本特開2012-3073號公報所記載的方法測定。實施例1～3的液晶顯示裝置的顏色再現區域(NTSC比)為100％以上，為良好。

符號說明

10 光轉換薄膜

12 聚合物

14 量子桿

16 入射光

18 偏振

20 支撐體

22 層疊體