1.一種全光開關(guān)，其特征在于，包括：下層的二氧化硅層和形成在所述二氧化硅層上的第一分路器、第一波導(dǎo)、第二波導(dǎo)和第二分路器；
所述第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)平行設(shè)置形成平行波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，所述第一分路器和第二分路器分別連接在所述平行波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的入光端和出光端，在所述二氧化硅層上設(shè)有開口向上的窗口，所述第二波導(dǎo)的部分懸設(shè)在所述窗口上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全光開關(guān)，其特征在于，所述第一波導(dǎo)和所述第二波導(dǎo)的長(zhǎng)度為200微米，所述第一波導(dǎo)和所述第二波導(dǎo)之間的間隔為50微米，所述第二波導(dǎo)懸設(shè)在所述窗口上的懸空部分的長(zhǎng)度大于0，小于30微米。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的全光開關(guān)，其特征在于，還包括位于所述二氧化硅層下的硅襯底層。
4.一種權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的全光開關(guān)的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基體；所述基體包括下層的二氧化硅層和上層的硅結(jié)構(gòu)層；
對(duì)所述硅結(jié)構(gòu)層進(jìn)行圖案化形成第一分路器、第二分路器以及平行波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；所述平行波導(dǎo)結(jié)構(gòu)包括平行設(shè)置的第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)；
對(duì)所述二氧化硅層進(jìn)行圖案化形成開口向上的窗口。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，對(duì)所述硅結(jié)構(gòu)層進(jìn)行圖案化形成第一分路器、第二分路器以及平行波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，包括：
在所述硅結(jié)構(gòu)層上涂覆光刻膠層；
對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影得到光刻膠保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域；
刻蝕所述光刻膠保留區(qū)域的硅結(jié)構(gòu)層，得到所述第一分路器、第二分路器以及平行波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影得到光刻膠保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域，包括：
利用深紫外光刻對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影得到光刻膠保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，刻蝕所述光刻膠保留區(qū)域的硅結(jié)構(gòu)層，得到所述第一分路器、第二分路器以及平行波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，包括：
利用等離子體干法刻蝕方法刻蝕所述光刻膠保留區(qū)域的硅結(jié)構(gòu)層，得到所述第一分路器、第二分路器以及平行波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，對(duì)所述二氧化硅層進(jìn)行圖案化形成開口向上的窗口，包括：
在所述二氧化硅層上涂敷光刻膠層；
對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光顯影得到光刻膠保留區(qū)域和光刻膠去除區(qū)域；
刻蝕所述光刻膠保留區(qū)域的掩埋氧化物層，得到所述開口向上的窗口。
9.根據(jù)權(quán)利要求4-8中任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，對(duì)所述硅結(jié)構(gòu)層進(jìn)行圖案化形成第一分路器、第二分路器以及平行波導(dǎo)結(jié)構(gòu)之后，對(duì)所述二氧化硅層進(jìn)行圖案化形成開口向上的窗口之前，所述方法還包括：
利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述平行波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上沉積一層SiO2包層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法在所述SiO2包層上沉積上一層三氧化二鋁層。