本發明涉及液晶顯示器技術領域，特別是涉及一種量子點薄膜及背光模塊。

背景技術：

目前，使用量子點薄膜(QD film)實現高色域以及較高的光學穿透率，需要搭配光學增亮膜。按照光線傳輸的路徑，藍色光源耦合進入導光板后射出的藍色光線，首先經過棱鏡膜集光，然后經過其上層的量子點薄膜，激發出窄帶的紅色和綠色光，經過偏振轉換增亮膜，將振動方向雜亂的光線轉化為同一個線性偏振方向上。該偏振方向平行于液晶盒入光測的偏光片透光軸，從而大大提高背光的利用率。

但是這種結構存在設計難點，調整好光譜空間分布的量子點薄膜，在經過偏振轉換增亮膜時，會有一部分偏振方向的反射光被反射回來，從而會再次激發量子點薄膜。因而激發的紅色和綠色光的比例會比預先設定的比例高，造成整個顯示器出現色偏。

此外，由于綠光的能量顯著高于紅光的能量，因而綠光也可以激發紅光。在經過反射型的增亮膜結構時，由于與增亮膜透過偏振方向不一致的綠光會被反射并重新透過量子點薄膜，從而激發紅色量子點發光，其中藍光激發綠色量子點發光，綠色量子點的光線激發紅色量子點發光。因此，經歷兩次能量轉化后，導致能量損耗，尤其是長波綠光激發紅色量子點發光的能量損失比較嚴重，導致現有的量子點薄膜存在能量損耗較多以及容易出現色偏的問題。

因此，有必要提供一種量子點薄膜及背光模塊，以解決現有技術所存在的問題。

技術實現要素：

本發明的目的在于提供一種量子點薄膜及背光模塊，以解決現有量子點薄膜的能量損耗較多以及容易出現色偏的技術問題。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種量子點薄膜，其包括：

量子發光層，包括多個沿同一方向排布的量子棒；

介質層，位于所述量子發光層上；

金屬層，位于所述介質層上，所述金屬層包括多個間隔設置的金屬線；其中所述金屬線具有第一長軸，所述量子棒具有第二長軸，所述第一長軸的延長線與所述第二長軸的延長線之間的夾角位于預設角度范圍內。

在本發明的量子點薄膜中，所述第一長軸的延長線與所述第二長軸的延長線近似垂直。

在本發明的量子點薄膜中，所述量子棒的粒徑范圍為1-10納米。

在本發明的量子點薄膜中，相鄰兩個所述金屬線的中心點之間的距離范圍為20-500納米。

在本發明的量子點薄膜中，所述金屬線的寬度與中心間距的比例范圍為0.1-0.9，其中所述中心間距為相鄰兩個所述金屬線的中心點之間的距離。

在本發明的量子點薄膜中，所述金屬線的厚度范圍為10-500納米。

在本發明的量子點薄膜中，所述介質層的材料包括SiO₂、SiO、MgO、Si₃N₄、TiO₂、Ta₂O₅中的至少一種。

在本發明的量子點薄膜中，所述金屬層的材料包括Al、Ag、Au中的至少一種。

在本發明的量子點薄膜中，所述量子點薄膜還包括第一隔離層和第二隔離層，所述第一隔離層位于所述量子發光層的下方，所述第二隔離層位于所述量子發光層和所述介質層之間。

本發明還提供一種背光模塊，其包括導光板以及上述任意一種量子點薄膜。

本發明的量子點薄膜及背光模塊，通過將量子發光層內設置量子棒，并且在量子發光層上設置介質層和具有多個金屬線的金屬層。由于量子棒具有較佳的偏振度，因而能夠減少短波長量子點激發長波量子點所導致的亮度損失與色偏問題，從而提高了亮度效率、并降低了色偏。

【附圖說明】

圖1為本發明實施例量子點薄膜的結構示意圖。

圖2為本發明另一實施例量子點薄膜的結構示意圖。

圖3為本發明背光模塊的結構示意圖。

【具體實施方式】

以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發明可用以實施的特定實施例。本發明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」、「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。在圖中，結構相似的單元是以相同標號表示。

請參照圖1，圖1為本發明實施例量子點薄膜的結構示意圖。

如圖1所示，本發明的量子點薄膜包括量子發光層11、介質層12、金屬層13；該量子發光層11包括多個沿同一方向排布的量子棒111。可以理解的，全部量子棒111的排布方向大致沿一個方向排布，也即該量子棒111的長軸方向的大致沿同一方向排布。該量子發光層11還可以包括樹脂介質層，該量子棒111分布在樹脂介質層中。所述量子棒111的粒徑范圍可以為1-10納米。由于該粒徑范圍內的量子棒的偏轉效果最佳，從而能夠更好地降低亮度損失。

該介質層12位于所述量子發光層11上，該介質層12用于隔離量子發光層11和金屬層13；所述介質層12的材料包括SiO₂、SiO、MgO、Si₃N₄、TiO₂、Ta₂O₅中的至少一種。

金屬層13位于所述介質層12上，所述金屬層13包括多個間隔設置的金屬線131，所述金屬層13的材料包括Al、Ag、Au中的至少一種。由于這些金屬能夠使得紅色、綠色以及藍色光線更好地透過，也即提高了光線的透過率。所述金屬線131具有第一長軸，比如該長軸為沿直面向里的方向的軸線，也即金屬線131的長度方向。所述量子棒111具有第二長軸，比如該第二長軸沿水平方向的軸線，也即為量子棒的長度方向。所述第一長軸的延長線與所述第二長軸的延長線之間的夾角位于預設角度范圍內。具體地，金屬線131的長度方向與量子棒111的長度方向不平行，也即該預設角度范圍為大于0度小于180度。可以理解的，該金屬線131的具體制備方式是對整層金屬層13進行圖案化處理得到的。

由于背光模塊中的藍光LED發射藍光通過導光板進入量子發光層11中，量子棒吸收部分藍光并激發出具有極佳偏振度的紅、綠光；通常所有的紅、綠光的偏振方向平行于量子棒取向以及與金屬線的排布方向具有一定的夾角，因而使得光線能夠完全透過所述金屬線柵而不產生反射。其中未被吸收的藍光中偏振方向與金屬線具有夾角的部分，也會透過金屬線，而偏振方向平行于金屬線的偏振光被所述金屬線反射，并重新進入量子發光層，使其與量子棒作用，部分進入導光板中進行循環利用。由于量子棒具有較佳的偏振度，因而能夠減少短波長量子點激發長波量子點所導致的亮度損失與色偏問題，改善現有高色域顯示裝置的顯示效果。

優選地，該所述第一長軸的延長線與所述第二長軸的延長線近似垂直。也即金屬線131的長度方向與量子棒111的長度方向垂直。由于兩者垂直時，能夠使得量子棒的偏振度達到最佳，從而更好地減少短波長量子點激發長波量子點所導致的亮度損失和色偏問題。

優選地，相鄰兩個金屬線131的中心點之間的距離L的范圍為20-500納米。比如最左側的第一個金屬線131的中心點與最左側的第二個金屬線131的中心點之間的間距L位于20-500納米范圍。由于金屬線的間距超過該范圍，不利于光線的偏振。

優選地，所述金屬線131的寬度M與中心間距L的比例范圍為0.1-0.9，其中所述中心間距為相鄰兩個所述金屬線的中心點之間的距離。也即金屬線131的寬度與金屬線131的間隙的比例位于此范圍時，能夠更好地使量子棒產生的光線進行偏振，提高了光線的利用率。

優選地，所述金屬線131的厚度D的范圍為10-500納米，由于厚度太小，不利于光線的偏振，厚度太大不利于光線透過，因此將金屬線131的厚度設置在此范圍內，能夠有效地提高光線的透過率以及便于光線產生偏振。

優選地，如圖2所示，所述量子點薄膜10還包括第一隔離層14和第二隔離層15，所述第一隔離層14位于所述量子發光層11的下方，所述第二隔離層15位于所述量子發光層11和所述介質層12之間。所述第一隔離層14和第二隔離層15用于防止水分子或者氧分子對量子發光層的侵蝕。

上述量子點薄膜中量子發光層的制作方法包括：

S101、將具有上下兩個隔離層的樹脂介質層放入一容器中，所述容器橫向設置一定數量的電極，可通過施加不同的偏壓在樹脂介質層表面產生橫向電場；

S102、將混合有量子棒的配體溶液均勻地滴在所述樹脂介質層的表面；

S103、施加一定的橫向電壓，使得所述量子棒沿著電場方向排布；該橫向電壓用于產生橫向電場。

S104、采用UV或者熱固化方式使得量子棒的取向固定。

本發明的量子點薄膜，通過將量子發光層內設置量子棒，并且在量子發光層上設置介質層和具有多個金屬線的金屬層。由于量子棒具有較佳的偏振度，因而能夠減少短波長量子點激發長波量子點所導致的亮度損失與色偏問題，從而提高了亮度效率、并降低了色偏。

請參照圖3，本發明背光模塊的結構示意圖。

如圖3所示，該背光模塊100包括光源21、反射片22、導光板23、光學膜片24以及量子點薄膜10。其中光源21用于提供原始光線，導光板23位于反射片22的上方，光學膜片24位于導光板23的上方，量子點薄膜10位于光學膜片24的上方。

具體地，可以結合圖1，該量子點薄膜10包括量子發光層11、介質層12、金屬層13；該量子發光層11包括多個沿同一方向排布的量子棒111。可以理解的，全部量子棒111的排布方向大致沿一個方向排布，也即該量子棒111的長軸方向的大致沿同一方向排布。該量子發光層11還可以包括樹脂介質層，該量子棒111分布在樹脂介質層中。所述量子棒111的粒徑范圍可以為1-10納米。由于該粒徑范圍內的量子棒的偏轉效果最佳，從而能夠更好地降低亮度損失。

該介質層12位于所述量子發光層11上，該介質層12用于隔離量子發光層11和金屬層13；所述介質層12的材料包括SiO2、SiO、MgO、Si3N4、TiO2、Ta2O5中的至少一種。

金屬層13位于所述介質層12上，所述金屬層13包括多個間隔設置的金屬線131，所述金屬層13的材料包括Al、Ag、Au中的至少一種。由于這些金屬能夠使得紅色、綠色以及藍色光線更好地透過，也即提高了光線的透過率。所述金屬線131具有第一長軸，比如該長軸為沿直面向里的方向的軸線，也即金屬線131的長度方向。所述量子棒111具有第二長軸，比如該第二長軸沿水平方向的軸線，也即為量子棒的長度方向。所述第一長軸的延長線與所述第二長軸的延長線之間的夾角位于預設角度范圍內。具體地，金屬線131的長度方向與量子棒111的長度方向不平行，也即該預設角度范圍為大于0度小于180度。可以理解的，該金屬線131的具體制備方式是對整層金屬層13進行圖案化處理得到的。

優選地，該所述第一長軸的延長線與所述第二長軸的延長線近似垂直。也即金屬線131的長度方向與量子棒111的長度方向垂直。由于兩者垂直時，能夠使得量子棒的偏振度達到最佳，從而更好地減少短波長量子點激發長波量子點所導致的亮度損失和色偏問題。

優選地，相鄰兩個金屬線131的中心點之間的距離L的范圍為20-500納米。比如最左側的第一個金屬線131的中心點與最左側的第二個金屬線131的中心點之間的間距L位于20-500納米范圍。由于金屬線的間距超過該范圍，不利于光線的偏振。

優選地，所述金屬線131的寬度M與中心間距L的比例范圍為0.1-0.9，其中所述中心間距為相鄰兩個所述金屬線的中心點之間的距離。也即金屬線131的寬度與金屬線131的間隙的比例位于此范圍時，能夠更好地使量子棒產生的光線進行偏振，提高了光線的利用率。

優選地，所述金屬線131的厚度D的范圍為10-500納米，由于厚度太小，不利于光線的偏振，厚度太大不利于光線透過，因此將金屬線131的厚度設置在此范圍內，能夠有效地提高光線的透過率以及便于光線產生偏振。

優選地，如圖2所示，所述量子點薄膜10還包括第一隔離層14和第二隔離層15，所述第一隔離層14位于所述量子發光層11的下方，所述第二隔離層15位于所述量子發光層11和所述介質層12之間。所述第一隔離層14和第二隔離層15用于防止水分子或者氧分子對量子發光層的侵蝕。

本發明的背光模塊，通過將量子發光層內設置量子棒，并且在量子發光層上設置介質層和具有多個金屬線的金屬層。由于量子棒具有較佳的偏振度，因而能夠減少短波長量子點激發長波量子點所導致的亮度損失與色偏問題，從而提高了亮度效率、并降低了色偏。

綜上所述，雖然本發明已以優選實施例揭露如上，但上述優選實施例并非用以限制本發明，本領域的普通技術人員，在不脫離本發明的精神和范圍內，均可作各種更動與潤飾，因此本發明的保護范圍以權利要求界定的范圍為準。