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一種基于空間光調制器的激光光束整形裝置及方法與流程

文檔序號:11152643閱讀:3077來源:國知局
一種基于空間光調制器的激光光束整形裝置及方法與制造工藝

本發明涉及激光應用領域,涉及一種高斯激光束整形裝置及方法,更具體地說,本發明涉及一種基于空間光調制器的激光光束整形裝置及方法。



背景技術:

激光是光學史乃至整個科技發展史上具有里程碑意義的重要發明。激光加工是一種非接觸加工方式,具有能量密度高、方向性好、高相干性、熱影響區小等優點(參考文件:基于空間光調制器的飛秒并行加工方法研究),使其在信息技術、材料加工、測試計量技術、生物技術以及國防工業等相關領域具有重大應用價值(參考文件:高斯光束整形技術研究)。目前國際上激光加工技術研究的一個重要特點是覆蓋內容廣、發展速度快。特別是在航空、航天領域,激光已經成為加工特種零件的有效手段(參考文件:光束整形及其在飛秒激光微加工領域的應用研究)。

然而,激光光束能量一般呈高斯分布,在諸如激光焊接、生物醫學工程等技術領域,這種能量非均勻分布的特性會導致材料在局部范圍內產生熱累積,從而破壞材料特性,影響加工效果的一致性。特別是在金屬材料加工過程中,這種熱累積效應會導致微裂紋、重鑄層、再結晶等加工缺陷,極大的制約了激光微加工技術在航空、航天等對器件可靠性要求較高領域的應用。因此,需要將高斯光束轉化為能量分布均勻的平頂光束以消除不良影響。

由于高斯光束中心區域能量分布較為均勾,所以最初采用孔徑光闌法,在光束前加入孔徑光闌,濾掉邊緣區域能量,只保留中心區域能量分布較為均勻的光束以獲得平頂光束(參考文件:F.M.Dickey and S.C.Holswade,Historical perspective of laser beam shaping.[C].Pro.of SPIE,2002:27-47)。這種方法光路簡單、易于實現且成本很低,但是激光能量利用率低,大部分能量都被遮擋,并且會伴隨嚴重的邊緣衍射效應,不利于在工程實踐中廣泛應用。為了解決孔徑光闌法能量利用率低的問題,人們先后提出了多種能量利用率高的高斯光束整形技術,將激光光束轉化為能量均勻分布的平頂光束,例如:非球面透鏡法、微透鏡陣列法、雙折射透鏡組法以及長焦深整形元件法。

非球面透鏡法整形技術具有能量利用率高、耐高溫、成本低等優點,但是,非球面透鏡整形系統參數的設計需大量數學運算,設計結果需要帶入現有的光學軟件中反復校驗,不利于計算機軟件自動優化設計。微透鏡陣列是通過先分割后疊加的方式實現整形,重疊率有所差異,光斑在局部區域分布不均勻,同時微透鏡陣列之間的縫隙會產生衍射和干涉效應,降低了能量利用率。雙折射透鏡組法靈活方便、可隨入射光的改變而改變,但是雙折射晶體透鏡的制作成本、加工水平制約了該方法的發展。長焦深元件制作困難、加工成本較高、加工精度差,這些因素都影響了該技術在工程領域的應用。



技術實現要素:

為了克服現有技術中加工成本高、衍射和干涉影響大、計算復雜、靈活性差的問題,本發明提供了一種基于空間光調制器的激光光束整形裝置及方法。

本發明的裝置所采用的技術方案是:一種基于空間光調制器的激光光束整形裝置,其特征在于:包括激光器、擴束鏡、第一反射鏡、快門、第二反射鏡、空間光調制器、第一透鏡、光闌、分束鏡、第三反射鏡、第二透鏡、工作臺、第三透鏡、CCD相機和電腦;所述第一透鏡和所述第二透鏡組成第一光學4f系統,所述第一透鏡和第三透鏡組成第二光學4f系統;所述激光器產生的激光依次通過所述擴束鏡、第一反射鏡、快門、第二反射鏡后入射到所述空間光調制器上,出射光經過所述第一透鏡、光闌后入射到所述分束鏡內;經所述分束鏡后激光分成兩部分,一部分通過第一光學4f系統把空間光調制器近場的像傳遞到工作臺上的待加工表面,另一部分通過第二光學4f系統將整形后的光束傳遞到CCD相機中進行觀察;所述電腦分別與所述快門、空間光調制器、CCD相機連接,用于控制所述快門、空間光調制器、CCD相機工作。

本發明的方法所采用的技術方案是:一種基于空間光調制器的激光光束整形方法,其特征在于,包括以下步驟:

步驟1:利用空間光調制器的控制軟件生成模擬二元光柵,在模擬的二元光柵中加入需要整形的圖案形成掩模圖;

步驟2:將步驟1中得到的掩模圖加載到空間光調制器上;

步驟3:把激光器發出的高斯光以小于10°的入射角入射到空間光調制器上;

步驟4:將經過空間光調制器后發生衍射的高階光用光闌去除;

步驟5:將發生反射的零階光利用第一光學4f系統把空間光調制器近場的像傳遞到工作臺上的待加工表面;

步驟6:使用分光鏡把能量10%零階光通過第二光學4f系統將整形后的光束傳遞到CCD相機中進行觀察。

與現有技術相比,本發明方法具有以下優點:

(1)液晶SLM操作方便、使用靈活;

(2)本發明方法使用的掩模圖為二元光柵和整形圖案相結合的圖形,不需要復雜計算,節約時間;

(3)本發明方法利用4f成像系統,理論上最終成像的激光束為平行光束,可在3f之后的任意位置加工,克服了景深的限制;

(4)本發明方法可以有效避免衍射和干涉的影響,提高了光束質量。

附圖說明

圖1為本發明實施例的裝置結構圖;

圖2為本發明實施例的流程圖;

圖3(a)(b)為本發明實施例加載到空間光調制器上的掩模圖;

圖4為本發明實施例的反射式二元光柵原理圖;

圖5(a)(b)為本發明實施例中獲得的不同形態的平頂激光束光強分布圖。

其中:1是激光器,2是擴束鏡,3是第一反射鏡,4是快門,5是第二反射鏡,6是空間光調制器,7是第一透鏡,8是光闌,9是分束鏡,10是第三透鏡,11是第三反射鏡,12是第二透鏡,13是工作臺,14是CCD相機,15是電腦。

具體實施方式

為了便于本領域普通技術人員理解和實施本發明,下面結合附圖及實施例對本發明作進一步的詳細描述,應當理解,此處所描述的實施示例僅用于說明和解釋本發明,并不用于限定本發明。

請見圖1,本發明提供的一種基于空間光調制器的激光光束整形裝置,包括激光器1、擴束鏡2、第一反射鏡3、快門4、第二反射鏡5、空間光調制器6、第一透鏡7、光闌8、分束鏡9、第三透鏡10、第三反射鏡11、第二透鏡12、工作臺13、CCD相機14和電腦15;所述第一透鏡7和所述第二透鏡12組成第一光學4f系統,所述第一透鏡7和第三透鏡10組成第二光學4f系統;激光器1產生的激光依次通過擴束鏡2、第一反射鏡3、快門4、第二反射鏡5后入射到空間光調制器6上,出射光經過第一透鏡7、光闌8后入射到分束鏡9內;經分束鏡9后激光分成兩部分,一部分通過第一光學4f系統把空間光調制器6近場的像傳遞到工作臺13上的待加工表面,另一部分通過第二光學4f系統將整形后的光束傳遞到CCD相機14中進行觀察;電腦15分別與快門4、空間光調制器6、CCD相機14連接,用于控制快門4、空間光調制器6、CCD相機14工作。

本實施例由電腦15控制掩模圖的自動切換,并且與激光的重復頻率和工作臺的運動配合,實現高速、任意形態的加工。

請見圖2,本發明提供的一種基于空間光調制器的激光光束整形方法,包括以下步驟:

步驟1,首先利用空間光調制器SLM(以下簡稱“SLM”)6的控制軟件生成模擬二元光柵,再利用畫圖軟件在模擬的二元光柵中加入需要整形的圖案后,得到如圖3所示的掩模圖。調節整形區域圖形灰度值為0,二元光柵灰度值分別為0、105;

步驟2,將步驟一中得到的掩模圖加載到SLM6上,移動掩模圖位置,使圖形中心與激光光斑中心重合。本實施例采用的SLM6為Hamamatsu生產的純相位空間光調制器,型號為X10468-02,幀速率為60Hz;

步驟3,激光器1產生的高斯光束能量經過衰減后,以小于10°的入射角度入射到SLM6上,入射的高斯光束照射到光柵部分會發生衍射,照射到灰度值為0的整形圖形部分會發生全反射,其原理如圖4所示。本實施例采用的激光器1脈寬為100fs,單脈沖能量為25μJ,重復頻率為10kHz;

步驟4,使用孔徑光闌8將發生衍射的高階光去除,只保留發生全反射的零階光,用于加工;所述孔徑光闌大小可調,調控范圍為1~12mm;

步驟5,利用光學4f成像原理,使用第一透鏡7和第二透鏡12組成第一光學4f成像系統,將零階光在SLM6近場形成的像傳遞到待加工表面。成像大小可根據掩模圖中整形區域圖形大小和第一光學4f成像系統中透鏡焦距來調節。本實例中第一透鏡7焦距為1000mm,第二透鏡12焦距為30mm;第一透鏡7位于SLM6后1000mm處,第二透鏡12位于第一透鏡7后1030mm處。第一光學4f成像系統最終成像為平行的平頂光;

步驟6,為了檢測整形后光斑能量分布,在第一透鏡7后950mm處加入分束鏡9,分出來的光經過由第一透鏡7和第三透鏡10組成的第二光學4f系統后最終的成像入射到CCD相機14中,用于觀測整形之后的光束,檢測結果如圖5(a)(b)所示。分束鏡9能量透射率為90%,反射率為10%;經過分光鏡的光源為去除高階光后的零階光;第一透鏡7和第三透鏡10,焦距都為1000mm;第三透鏡10位于第一透鏡7后2000mm處;CCD相機位于第三透鏡10后任意位置;檢測結果圖5(a)(b)分別為整形得到的平頂方形與圓環。

盡管本說明書較多地使用了激光器1、擴束鏡2、第一反射鏡3、快門4、第二反射鏡5、空間光調制器6、第一透鏡7、光闌8、分束鏡9、第三透鏡10、第三反射鏡11、第二透鏡12、工作臺13、CCD相機14和電腦15等術語,但并不排除使用其他術語的可能性。使用這些術語僅僅是為了更方便的描述本發明的本質,把它們解釋成任何一種附加的限制都是與本發明精神相違背的。

應當理解的是,本說明書未詳細闡述的部分均屬于現有技術。

應當理解的是,上述針對較佳實施例的描述較為詳細,并不能因此而認為是對本發明專利保護范圍的限制,本領域的普通技術人員在本發明的啟示下,在不脫離本發明權利要求所保護的范圍情況下,還可以做出替換或變形,均落入本發明的保護范圍之內,本發明的請求保護范圍應以所附權利要求為準。

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