技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種小周期陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，涉及二維微納器件技術(shù)領(lǐng)域。所述制備方法用于在襯底上制備小周期陣列結(jié)構(gòu)，包括：步驟一，在襯底上旋涂光刻膠；步驟二，在光刻膠上采用電子束光刻工藝掃描曝光圖形，得到光刻膠圖形，其中，所述電子束光刻工藝曝光的步長為大步長，以保證兩電子束斑之間的光刻膠不會(huì)被曝光；步驟三，將光刻膠圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，得到樣品；步驟四，將所述樣品置于去膠液中，獲得所述襯底上的小周期陣列結(jié)構(gòu)。采用本發(fā)明的制備方法，利用電子束曝光的步長與劑量控制，在大面積圖案上掃描時(shí)電子束曝光區(qū)域成為小周期陣列圖形，具有制備快速、可控性好、低成本和可大面積制備等特點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員：顧長志;潘如豪;李俊杰;劉哲;唐成春;楊海方
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院物理研究所
文檔號(hào)碼：201710029268
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.16
技術(shù)公布日：2017.05.10