本發明屬于主動噪聲控制技術領域,特別涉及了一種抑制窄帶主動噪聲控制中頻率不匹配的方法。
背景技術:
傳統被動噪聲控制方法主要用于控制高頻信號,主動噪聲控制(ANC,Active Noise Control)技術與之相比在低頻具有較好的性能,且控制器尺寸小,適合用于控制周期或近似周期的低頻正弦型窄帶噪聲信號,是傳統被動噪聲控制方法不可或缺的有利補充。
目標窄帶噪聲的頻率較低,通常是由旋轉設備或具有往復運動的裝置產生。在窄帶主動噪聲控制系統中,為了避免聲反饋,一般使用非聲學傳感器測得噪聲頻率,再由該同步頻率獲得參考信號以進行后續處理。
而非聲學傳感器由于長期運行,元件老化等原因,所測得的同步頻率與目標噪聲的真實頻率之間往往存在誤差,即產生了頻率不匹配。頻率不匹配對于窄帶主動噪聲控制系統的影響是致命的,噪聲抑制效果將嚴重下降。
技術實現要素:
為了解決上述背景技術提出的技術問題,本發明旨在提供一種抑制窄帶主動噪聲控制中頻率不匹配的方法,有效抑制窄帶ANC系統的目標噪聲,且計算量小、收斂速度快。
為了實現上述技術目的,本發明的技術方案為:
一種抑制窄帶主動噪聲控制中頻率不匹配的方法,包括以下步驟:
(1)在給定失真頻率初始值條件下,采用AR模型自動跟蹤目標噪聲頻率,并產生余弦型參考信號和正弦型參考信號;
(2)采用第一自適應FLANN濾波器對余弦型參考信號及其延遲信號進行處理,得到由余弦型參考信號產生的次級源信號;采用第二自適應FLANN濾波器對正弦型參考信號及其延遲信號進行處理,得到由正弦型參考信號產生的次級源信號;
(3)步驟(2)產生的兩種次級源信號疊加后形成次級源合成信號,次級源合成信號經過次級通道后生成次級噪聲信號;
(4)次級噪聲信號與目標噪聲信號進行相消疊加,得到殘余噪聲信號;
(5)采用步驟(3)所述次級通道的估計模型處理余弦型參考信號和正弦型參考信號,分別得到濾波-X余弦型參考信號和濾波-X正弦型參考信號;
(6)將濾波-X余弦型參考信號和殘余噪聲信號輸入到FXLMS算法中,更新第一自適應FLANN濾波器的權值參數;將濾波-X正弦型參考信號和殘余噪聲信號輸入到另一個FXLMS算法中,更新第二自適應FLANN濾波器的權值參數;將濾波-X余弦型參考信號、濾波-X正弦型參考信號以及殘余噪聲信號輸入到LMS算法中,更新AR模型的自適應參數,從而使產生的次級噪聲信號有效地抑制目標噪聲信號。
進一步地,在步驟(1)中,得到的余弦型參考信號的表達式如下:
xa(0)=a,
xa(1)=a cos(ω),
xa(n)=-c(n)xa(n-1)-xa(n-2),n≥2
其中,xa(0)、xa(1)、xa(n-2)、xa(n-1)、xa(n)分別為余弦型參考信號的第0次、第1次、第n-2次、第n-1次、第n次的更新值,ω為通過非聲學傳感器獲得的失真的噪聲頻率;
正弦型參考信號的表達式如下:
xb(0)=b,
xb(1)=b sin(ω),
xb(n)=-c(n)xb(n-1)-xb(n-2),n≥2
其中,xb(0)、xb(1)、xb(n-2)、xb(n-1)、xb(n)分別為正弦型參考信號的第0次、第1次、第n-2次、第n-1次、第n次的更新值;
c(n)為AR模型的自適應參數的第n次更新值,其初始值為c(0)=c(1)=-2cos(ω)。
進一步地,在步驟(3)中,所述次級源合成信號y(n)的表達式如下:
xa(n)=[xa(n),xa(n-1),...,xa(n-N+1)]T,
xb(n)=[xb(n),xb(n-1),...,xb(n-N+1)]T
其中,wa(n)為第一自適應FLANN濾波器權值的第n次更新值,分別為第一自適應FLANN濾波器的第1個,第2個,…,第N個權值,xa(n)為余弦型參考信號xa(n)的第n次更新值經過N-1次延時器延時形成的N維向量;wb(n)為第二自適應FLANN濾波器權值的第n次更新值,分別為第二自適應FLANN濾波器的第1個,第2個,…,第N個權值,xb(n)為正弦型參考信號xb(n)的第n次更新值經過N-1個延時器延時形成的N維向量。
進一步地,在步驟(4)中,所述殘余噪聲信號e(n)的表達式如下:
e(n)=p(n)-ys(n)
其中,p(n)為目標噪聲信號,它是窄帶源噪聲經線性初級通道傳播后在相消點形成的噪聲,ys(n)為次級噪聲信號。
進一步地,目標噪聲信號p(n)的表達式如下:
p(n)=apcos(ωpn)+bpsin(ωpn)+vp(n)
其中,ap、bp為離散傅里葉系數,ωp為目標噪聲頻率,vp(n)為加性環境噪聲。
進一步地,在步驟(6)中,更新第一、第二自適應FLANN濾波器的權值參數的表達式如下:
更新AR模型的自適應參數的表達式如下:
其中,為第一自適應FLANN濾波器第k+1個權值的第n次,第n+1次更新值,為第二自適應FLANN濾波器第k+1個權值的第n次,第n+1次更新值;為濾波-X余弦型參考信號經過k個延時器延時后所得信號的第n次更新值,為濾波-X正弦信號經過k個延時器延時后所得信號的第n次更新值;為濾波-X余弦型參考信號的第n-1次更新值,為濾波-X正弦型參考信號的第n-1次更新值;μ為FLANN濾波器權值的更新步長因子,μc為AR模型參數的更新步長因子。
進一步地,步驟(3)所述次級通道S(z)和步驟(5)所述次級通道的估計模型是由FIR濾波器構成,它們的表達式如下:
其中,M、為FIR濾波器的長度。
采用上述技術方案帶來的有益效果:
本發明能有效應對窄帶主動噪聲控制中25%以內的頻率不匹配量,所用到的權值數目少且系統收斂速度快。
附圖說明
圖1是本發明的基本流程圖。
圖2是本發明的結構框架圖。
具體實施方式
以下將結合附圖,對本發明的技術方案進行詳細說明。
一種抑制窄帶主動噪聲控制中頻率不匹配的方法,如圖1、圖2所示,具體步驟如下:
步驟1:在給定失真頻率初始值條件下,采用AR模型自動跟蹤目標噪聲頻率,并產生余弦型參考信號和正弦型參考信號。
余弦型參考信號的表達式如下:
xa(0)=a,
xa(1)=a cos(ω),
xa(n)=-c(n)xa(n-1)-xa(n-2),n≥2
其中,xa(0)、xa(1)、xa(n-2)、xa(n-1)、xa(n)分別為余弦型參考信號的第0次、第1次、第n-2次、第n-1次、第n次的更新值;
正弦型參考信號的表達式如下:
xb(0)=b,
xb(1)=b sin(ω),
xb(n)=-c(n)xb(n-1)-xb(n-2),n≥2
其中,xb(0)、xb(1)、xb(n-2)、xb(n-1)、xb(n)分別為正弦型參考信號的第0次、第1次、第n-2次、第n-1次、第n次的更新值;
c(n)為AR模型的自適應參數的第n次更新值,其初始值為c(0)=c(1)=-2cos(ω)。
步驟2:采用第一自適應FLANN濾波器對余弦型參考信號及其延遲信號進行處理,得到由余弦型參考信號產生的次級源信號;采用第二自適應FLANN濾波器對正弦型參考信號及其延遲信號進行處理,得到由正弦型參考信號產生的次級源信號。
步驟3:步驟2產生的兩種次級源信號疊加后形成次級源合成信號,次級源合成信號經過次級通道后生成次級噪聲信號。次級源合成信號y(n)的表達式如下:
xa(n)=[xa(n),xa(n-1),...,xa(n-N+1)]T,
xb(n)=[xb(n),xb(n-1),...,xb(n-N+1)]T
其中,wa(n)為第一自適應FLANN濾波器權值的第n次更新值,分別為第一自適應FLANN濾波器的第1個,第2個,…,第N個權值,xa(n)為余弦型參考信號xa(n)的第n次更新值經過N-1次延時器延時形成的N維向量;wb(n)為第二自適應FLANN濾波器權值的第n次更新值,分別為第二自適應FLANN濾波器的第1個,第2個,…,第N個權值,xb(n)為正弦型參考信號xb(n)的第n次更新值經過N-1個延時器延時形成的N維向量。
上述次級源合成信號y(n)經過次級通道S(z),輸出次級噪聲信號ys(n)。次級通道S(z)是由FIR濾波器構成,即:
則,
步驟4:次級噪聲信號與目標噪聲信號進行相消疊加,得到殘余噪聲信號:
其中,目標噪聲信號p(n)是窄帶源噪聲經由線性初級通道傳播后在相消點形成的噪聲,可表示為p(n)=apcos(ωpn)+bpsin(ωpn)+vp(n),ap、bp為離散傅里葉系數,ωp為目標噪聲頻率,vp(n)為加性環境噪聲。
步驟5:采用步驟3所述次級通道的估計模型處理余弦型參考信號和正弦型參考信號,分別得到濾波-X余弦型參考信號和濾波-X正弦型參考信號。
步驟6:將濾波-X余弦型參考信號和殘余噪聲信號輸入到FXLMS算法中,更新第一自適應FLANN濾波器的權值參數;將濾波-X正弦型參考信號和殘余噪聲信號輸入到另一個FXLMS算法中,更新第二自適應FLANN濾波器的權值參數;將濾波-X余弦型參考信號、濾波-X正弦型參考信號以及殘余噪聲信號輸入法到LMS算法中,更新AR模型的自適應參數,從而使產生的次級噪聲信號有效地抑制目標噪聲信號。
更新第一、第二自適應FLANN濾波器的權值參數的表達式如下:
更新AR模型的自適應參數的表達式如下:
其中,為第一自適應FLANN濾波器第k+1個權值的第n次,第n+1次更新值,為第二自適應FLANN濾波器第k+1個權值的第n次,第n+1次更新值;為濾波-X余弦型參考信號經過k個延時器延時后所得信號的第n次更新值,為濾波-X正弦信號經過k個延時器延時后所得信號的第n次更新值;為濾波-X余弦型參考信號的第n-1次更新值,為濾波-X正弦型參考信號的第n-1次更新值;μ為FLANN濾波器權值的更新步長因子,μc為AR模型參數的更新步長因子。
實施例僅為說明本發明的技術思想,不能以此限定本發明的保護范圍,凡是按照本發明提出的技術思想,在技術方案基礎上所做的任何改動,均落入本發明保護范圍之內。