直下式背光模組的制作方法
【專利摘要】一種直下式背光模組，包括基板、設置于基板一側的發光二極管、位于發光二極管上方的擴散板，所述擴散板包括主體部及自主體部朝向發光二極管凸設的導光部，所述導光部位于所述發光二極管的正上方；所述導光部的外表面中部、沿其周緣方向設置向內凹陷的弧狀的折射面，發光二極管發出的光線經由導光部的折射面折射后自主體部射出。
【專利說明】直下式背光模組
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種背光模組，尤其涉及一種出光均勻的直下式背光模組。
【背景技術】
[0002]現有的直下式背光模組包括基板、設置于基板上的若干發光二極管、位于發光二極管上方的擴散板以及位于擴散板上方的光學膜片。所述擴散板為一平整的板體，其包括一入光面及與該入光面相對的一出光面；該擴散板將發光二極管發出的光線進行散射擴散，從而改善該直下式背光模組出光的均勻度。
[0003]然而，由于發光二極管中部的光強較強，側向的光強較弱，以及發光二極管與背光模組的擴散板之間的配置關系，擴散板的入光面正對發光二極管的區域上光線較強，而遠離發光二極管的區域上光線較弱，因此擴散板的出光面上容易出現明暗不均的現象，從而影響背光模組的出光均勻度。

【發明內容】

[0004]有鑒于此，有必要提供一種出光均勻度較高的直下式背光模組。
[0005]一種直下式背光模組，包括基板、設置于基板一側的發光二極管、位于發光二極管上方的擴散板，所述擴散板包括主體部及自主體部朝向發光二極管凸設的導光部，所述導光部位于所述發光二極管的正上方；所述導光部的外表面中部、沿其周緣方向設置向內凹陷的弧狀的折射面，發光二極管發出的光線經由導光部的折射面折射后自主體部射出。
[0006]與現有技術相比，本發明提供的直下式背光模組，發光二極管發出的光線在入射至擴散板之前，經由擴散板與發光二極管正對的導光部的折射發散，均勻地射出擴散板，從而提高了直下式背光模組的出光均勻度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為本發明一較佳實施例中的直下式背光模組的側視圖。
[0008]圖2為圖1所示的擴散板的立體圖。
[0009]圖3為圖1所示的光學透鏡的放大圖。
[0010]圖4為圖3所示的光學透鏡的沿IV-1V線的剖視圖。
[0011]圖5為本發明一較佳實施例中的直下式背光模組的光路不意圖。
[0012]主要元件符號說明
【權利要求】
1.一種直下式背光模組，包括基板、設置于基板一側的發光二極管、位于發光二極管上方的擴散板，其特征在于:所述擴散板包括主體部及自主體部朝向發光二極管凸設的導光部，所述導光部位于所述發光二極管的正上方；所述導光部的外表面中部、沿其周緣方向設置向內凹陷的弧狀的折射面，發光二極管發出的光線經由導光部的折射面折射后自主體部射出。
2.如權利要求1所述的直下式背光模組，其特征在于:所述導光部呈漏斗狀，其直徑自所述主體部朝向所述發光二極管方向逐漸減小。
3.如權利要求1所述的直下式背光模組，其特征在于:所述弧狀折射面的曲率為0.5至 1.5。
4.如權利要求1所述的直下式背光模組，其特征在于:所述發光二極管包括發光二極管晶粒，所述發光二極管晶粒與所述主體部與導光部連接的一側表面之間的距離介于15mm至40mm之間。
5.如權利要求1所述的直下式背光模組，其特征在于:所述主體部連接導光部的一側表面與發光二極管晶粒之間的距離為30mm。
6.如權利要求1所述的直下式背光模組，其特征在于:所述擴散板遠離發光二極管的一側表面上設置有擴散膜。
7.如權利要求1所述的直下式背光模組，其特征在于:所述發光二極管與導光部之間設有光學透鏡，且所述發光二極管發出的光線經由所述光學透鏡擴散后射向擴散板。
8.如權利要求7所述的直下式背光模組，其特征在于:所述光學透鏡為菲涅爾透鏡。
9.如權利要求7所述的直下式背光模組，其特征在于:所述光學透鏡包括貼設部及自貼設部頂端向上凸設的發散部；所述發散部為若干連續的鋸齒，且這些鋸齒自貼設部的上表面的中心沿徑向向外圍均勻分布，并關于光學透鏡的中心中心對稱設置。
10.如權利要求7所述的直下式背光模組，其特征在于:所述鋸齒包括所述自貼設部斜向上延伸的斜面以及自貼設部垂直向上延伸且與該斜面相交的豎直面；該斜面自靠近所述光學透鏡中心的方向向遠離光學透鏡中心的方向傾斜向上向外延伸。
【文檔編號】F21V13/12GK103672568SQ201210321710
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月4日 優先權日:2012年9月4日
【發明者】張超雄, 陳濱全, 陳立翔 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創能源科技股份有限公司