專利名稱：一種干刻蝕裝置的下部電極及干刻蝕裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及干刻蝕技術領域，特別涉及一種干刻蝕裝置的下部電極及干刻蝕
>J-U ρ α裝直。
背景技術：
干刻蝕工藝是把基板上無光刻膠掩蔽的金屬膜或非金屬膜刻蝕掉，使有光刻膠掩蔽的區域保存下來，從而在基板上形成所需要的圖形。對基板進行干刻蝕是在干刻蝕裝置中完成的，而干刻蝕裝置的下部電極是進行干刻蝕的關鍵部件，如圖1所示，干刻蝕裝置的下部電極包括:電極底板1，陣列狀分布在電極底板I上的多個凸起2 ;其中，凸起2的形狀為立方體或半球形。在進行干刻蝕時，將待刻蝕的基板放置在下部電極上，多個凸起2支撐待刻蝕的基板。但在對非金屬膜如二氧化硅(以下簡稱為SiO2)、娃的氮化物(以下簡稱SiNx)、多晶娃(polycrystalline silicon,以下簡稱p-Si)、非晶娃(amorphous silicon,以下簡稱a_Si)等非金屬膜刻蝕時,這些材料對刻蝕速率、均一性和坡度角等有較高的要求，導致干刻蝕效果較差，影響基板刻蝕的合格率。

實用新型內容本實用新型的目的在于提供一種干刻蝕裝置的下部電極，用于提高基板刻蝕的合格率。
為了實現上述目的，本實用新型提供以下技術方案:一種干刻蝕裝置的下部電極，包括:電極基底和設置于所述電極基底上的陶瓷層；其中，所述陶瓷層具有供冷卻氣體通過的多個吹氣孔，以及設置于所述陶瓷層周邊且凸出所述陶瓷層上表面的凸臺。優選地，所述凸臺相對于所述陶瓷層上表面的高度為30 60um。優選地，所述凸臺為陶瓷凸臺。較佳地，所述凸臺與所述陶瓷層為一體化結構。優選地，所述陶瓷層上表面的粗糙度為0.2 0.6。較佳地，所述吹氣孔為圓形孔。優選地，所述電極基底為招電極基底。進一步地，上述干刻蝕裝置的下部電極還包括:設置于所述陶瓷層中的靜電吸附層，且所述靜電吸附層位于所述電極基底上方。本實用新型同時還提供了一種干刻蝕裝置，包括:具有上述特征的干刻蝕裝置的下部電極。在本實用新型中，干刻蝕裝置的下部電極包括:電極基底和設置于電極基底上的陶瓷層；其中，陶瓷層具有供冷卻氣體通過的多個吹氣孔，以及設置于陶瓷層周邊且凸出所述陶瓷層上表面的凸臺。如此設置，在對基板進行刻蝕時，特別是對鍍有如Si02、SiNx、p_Si或a-Si等材料膜的基板，可以提高刻蝕的均一性，從而提高基板刻蝕的合格率。

圖1為現有技術中一種干刻蝕裝置的下部電極的結構示意圖；圖2為本實用新型實施例一提供的干刻蝕裝置的下部電極的結構示意圖；圖3為圖2中A-A向剖視圖。附圖標記:1-電極底板，2-凸起，5-電極基底，6-陶瓷層，7-凸臺，8-靜電吸附層，9-吹氣孔。
具體實施方式為了提高基板刻蝕的合格率，本實用新型提供了一種干刻蝕裝置的下部電極，包括:電極基底和設置于電極基底上的陶瓷層；其中，陶瓷層具有供冷卻氣體通過的多個吹氣孔，以及設置于陶瓷層周邊且凸出所述陶瓷層上表面的凸臺。使得在對基板進行刻蝕時，特別是對鍍有如Si02、SiNx、p_Si或a-Si等材料膜的基板，可以提高刻蝕的均一性，從而提高基板刻蝕的合格率。為了使本領域技術人員更好的理解本實用新型的技術方案，下面結合說明書附圖對本實用新型實施例進行詳細的描述。如圖2、圖3所示，本實用新型實施例提供的干刻蝕裝置的下部電極，包括:電極基底5和設置于電極基底5上的陶瓷層6 ;其中，陶瓷層6具有供冷卻氣體通過的多個吹氣孔9，以及設置于陶瓷層6周邊且凸出陶瓷層6上表面的凸臺7。在本實施例中，電極基底5和陶瓷層6為平板結構，凸臺7相對于陶瓷層6上表面的高度很小，凸臺7相對于陶瓷層6上表面的高度H為30 60um，在本實施例中，凸臺7相對于陶瓷層6上表面的高度H為50um;因此，可將下部電極近似看作為平板電極。當將具有上述Si02、SiNx, p-Si或a-Si膜層的基板放置在該下部電極上時，基板在自身重力用下中部與陶瓷層6上表面接觸，基板其它部分由凸臺7支撐，使得基板與下部電極之間具有一定的傾斜角，從而提高了刻蝕的均一性，進而提高了基板刻蝕的合格率。同時，因凸臺7會支撐基板周邊，使得基板與陶瓷層6上表面之間具有間隙，有利于從吹氣孔9中噴出的冷卻氣體對基板冷卻，這里冷卻氣體優選氦氣，使基板各個位置的溫度基板趨于一致，進而進一步提高基板刻蝕的合格率。因下部電極的工作環境溫度較高，優選地，上述凸臺7為陶瓷凸臺；較佳地，凸臺7與陶瓷層6為一體化結構。為了提高干刻蝕工序的合格率，優選地，上述陶瓷層6上表面的粗糙度Ra為
0.2 0.6。優選地，上述吹氣孔9為圓形孔；吹氣孔9的孔徑通常為0.06mm。優選地，上述電極基底5為鋁電極基底。為了進一步提高干刻蝕的合格率，上述干刻蝕裝置的下部電極還包括:設置于陶瓷層6中的靜電吸附層8，且靜電吸附層8位于電極基底5上方。如此設置，可以吸附在基板表面的銅等金屬顆粒，有利于提聞干刻蝕工序的合格率。[0032]本實用新型實施例同時還提供了一種干刻蝕裝置，包括:具有上述技術特征的干刻蝕裝置的下部電極。綜上所述，采用本實用新型提供的下部電極對基板進行刻蝕時，基板在自身重力用下中部與陶瓷層上表面接觸，基板其它部分由凸臺支撐，如此設置，可以提高刻蝕的均一性，從而提高基板刻蝕的合格率。本實用新型同時還公開了一種干刻蝕裝置，包括具有上述特征的干刻蝕裝置的下部電極。顯然，本領域的技術人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣，倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權利要求及其等同技術的范圍之內，則本實用 新型也意圖包含這些改動和變型在內。
權利要求1.一種干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，包括:電極基底和設置于所述電極基底上的陶瓷層；其中， 所述陶瓷層具有供冷卻氣體通過的多個吹氣孔，以及設置于所述陶瓷層周邊且凸出所述陶瓷層上表面的凸臺。
2.如權利要求1所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述凸臺相對于所述陶瓷層上表面的高度為30 60um。
3.如權利要求2所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述凸臺為陶瓷凸臺。
4.如權利要求3所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述凸臺與所述陶瓷層為一體化結構。
5.如權利要求1所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述陶瓷層上表面的粗糙度為0.2 0.6。
6.如權利要求1所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述吹氣孔為圓形孔。
7.如權利要求1所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，所述電極基底為鋁電極基底。
8.如權利要求1-7任一所述的干刻蝕裝置的下部電極，其特征在于，還包括:設置于所述陶瓷層中的靜電吸附層，且所述靜電吸附層位于所述電極基底上方。
9.一種干刻蝕裝置，其特征在于，包括:如權利要求1-8任一所述的干刻蝕裝置的下部電 極。
專利摘要本實用新型涉及干刻蝕技術領域，特別涉及一種干刻蝕裝置的下部電極及干刻蝕裝置，用于提高基板刻蝕的合格率。本實用新型公開了一種干刻蝕裝置的下部電極，包括電極基底，設置于所述電極基底上的陶瓷層，且所述陶瓷層具有供冷卻氣體通過的多個吹氣孔，以及設置于所述陶瓷層周邊且凸出所述陶瓷層上表面的凸臺。采用本實用新型提供的下部電極對基板進行刻蝕時，基板中部與陶瓷層上表面接觸，基板邊緣由凸臺支撐，如此設置，可以提高刻蝕的均一性，從而提高基板刻蝕的合格率。本實用新型同時還公開了一種干刻蝕裝置，包括具有上述特征的干刻蝕裝置的下部電極。
文檔編號H01J37/30GK203134749SQ20132014915
公開日2013年8月14日 申請日期2013年3月28日 優先權日2013年3月28日
發明者趙吾陽, 蔣冬華, 倪水濱 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司