用于多植入的對位基板的系統與方法
【專利摘要】揭示一種揭示為在連續處理步驟(例如離子植入步驟)期間對基板進行對位的系統及方法。在基板(300)上建立植入區(302)。在植入之后，獲得植入區的影像，并且以對應于在基板上植入區的至少其中之一提供基準(310)。在基板上進行熱退火處理，使得植入區不再為可見的，但基準仍然可見。基準的位置可用來在下游處理步驟中適當地將圖案化掩模與植入區對位。基準亦可在進行將任何離子植入基板前應用于基板。基準相對于基板的邊緣或角的位置可用于在下游處理步驟期間的對位。描述以及主張其他實施例。
【專利說明】用于多植入的對位基板的系統與方法

【技術領域】
[0001]本發明的實施例涉及一種基板處理的領域。更明確地說，本發明涉及一種用于對基板進行對位以進行連續植入操作(例如離子植入操作)的改善方法及裝置。

【背景技術】
[0002]離子植入(1n implantat1n)是一種用于將改變導電性的雜質引入工件(例如晶圓或其他基板)中的標準技術。在離子源中將所需的雜質材料離子化，使離子加速以形成特定能量的離子束，且將離子束引導到工件的表面上。離子束中的高能離子穿透到工件材料的主體中，并嵌入工件材料的晶格(crystalline lattice)中，從而形成具有所需導電性的區域。
[0003]太陽能電池(Solar cells)是使用硅工件的元件的一個實例。任何針對高性能太陽能電池的制造或生產成本的降低，或任何針對高性能太陽能電池的效率的改善，都會對太陽能電池的實施產生正面的影響。換言之，此舉將使得這種干凈能源技術能得到更廣泛地使用。
[0004]太陽能電池通常是使用與用于其他半導體元件相同的制程來制造，并且其通常使用硅作為基板材料。半導體太陽能電池是具有內建電場的簡易元件，所述內建電場將經由半導體材料中的光子吸收而產生的電荷載子(carrier)分離。此電場通常通過p_n接面(二極管)的形成產生，所述p-n接面是藉由摻雜不同的半導體材料而產生。在半導體基板的一部分摻雜極性相反的雜質而形成p-n接面，其可用作將光轉換成電的光伏元件(photovoltaic device)。
[0005]通常需要圖案化摻雜步驟來形成太陽能電池。此等圖案化結構通常會使用傳統式光刻(lithography)(或硬掩模(hard mask))及熱擴散(thermal diffus1n)來制作。另一方式則使用植入結合傳統光刻掩模，其能夠在摻雜物活化前輕易地被移除掉。另一方式則在離子植入器中利用遮蔽掩模(shadow mask)或模板掩模(stencil mask)去定義用來作為接觸點(contact)的高摻雜區。這些技術全部都利用固定的掩模層，非直接在基板上或在射束線中定位(posit1n)。
[0006]這些技術都有明顯的缺陷。舉例而言，其皆會受到太陽能晶圓的特殊處理下的限制，例如，光掩模與基板對位以及在離子植入期間從掩模分散而來的材料所造成的交叉污染(cross contaminat1n)。
[0007]因此，需要一些努力來降低成本及將圖案摻雜到基板上。然而，當這些在降低成本及制程時間上的努力成功了，這些造價上的節省通常伴隨而來的是圖案化準確度下降。然而，在基板圖案化處理中，由于后續處理步驟有賴于此準確度(accuracy)，因此光掩模是必須準確地對位。
[0008]因此，當要維持適當的準確度以便使掩模在后續處理步驟期間能夠正確地定位時，在太陽能電池生產上就會有可靠的、成本下降的技術的需求(圖案化處理步驟的數量以及復雜度減少)。雖然主要是針對太陽能電池的生產，此等技術亦能應用于其他摻雜的應用。


【發明內容】

[0009]本
【發明內容】
是提供一種以簡單的方式介紹的概念的選擇，以下實施方式更進一步描述所述概念的選擇。本
【發明內容】
并非用以定義所申請的標的的關鍵特征或重要特征，亦非決定申請的標的的范疇。
[0010]揭示一種用于處理基板的改善系統及方法，例如用于建立太陽能電池。在基板上建立摻雜區。可相鄰于至少其中之一的摻雜區建立基準標記。可隨后使用基準標記的視覺辨識，以辨認植入的確切區域。可接著在后續處理步驟中使用此信息，以維持或得到對位。后續處理步驟的實例可包括額外的植入步驟、網版印刷步驟、金屬化步驟、激光處理步驟或其他類似處理。關于對位位置的信息可反向回饋(例如，至植入器)或正向回饋(例如，至其他處理工具)，以修正一個或多個處理參數。這些技術亦可用于其他離子植入器應用。
[0011]本發明系統及方法的摻雜圖案的對位可用于使用離子植入來制造的太陽能電池。可能因材料組成及結構的改變，而使離子植入特征可見于之后的植入中。然而，在使用熱退火處理以活化植入摻雜物種并且修復晶體缺陷(crystal damage)之后,植入特征可能不再為可見的。因此，在后續處理步驟期間，可將基準標記定位于基板上，以促進處理設備的對位，從而確保后續處理步驟定向(direct)至在如先前植入時在基板上相同位置。
[0012]揭示一種用于處理基板的方法。所述方法可包括將離子植入于基板，以建立植入特征；判定植入特征的位置；調整掩模的位置，以與基準對位，藉此使掩模與植入特征對位；以及通過掩模將離子植入于基板。
[0013]揭示一種用于處理基板的方法。所述方法可包括將離子植入于基板，以建立植入特征；判定植入特征的位置；將基準置于基板上對應于植入特征的已知位置；在后續處理步驟中，檢測基準的位置；以及在后續處理步驟期間，使用基準的位置來與植入特征對位。
[0014]揭示一種用于植入工件的裝置。所述裝置可包括用來將離子植入于基板以建立植入特征的離子植入器；用來檢測基準在基板上的位置的檢測器；以及處理器，用來執行指令以:判定基準的位置；調整掩模的位置以與基準對位，藉此對掩模進行對位；以及使用離子植入器，通過掩模將離子植入于基板。
[0015]揭不一種處理基板的方法,包含:將離子植入于基板，以建立光學可見的植入特征；對基板進行熱退火，其中熱退火使植入特征為非光學可見的，其中在基板上的基準在熱退火之后為光學可見的；調整掩模的位置，以與基準對位，藉此使掩模與植入特征對位；以及通過掩模將離子植入于基板。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]為使本發明能更明顯易懂，附圖附上說明，加注說明的附圖于此并入，說明如下。
[0017]圖1是束線式離子植入器的方框圖。
[0018]圖2A、圖2B以及圖2C是具有多個植入區的例示性基板的第一平面圖、第二平面圖以及第二平面圖。
[0019]圖3是用于獲得關于植入區的影像信息以及用于在基板上建立基準的系統的示意圖。
[0020]圖4A及圖4B是包括基準標記以及多個植入位置的例示性基板的第一平面圖及第二平面圖。
[0021]圖5A、圖5B以及圖5C是包括基準標記以及多個植入位置的例示性基板的第一平面圖、第二平面圖以及第三平面圖。
[0022]圖6是顯示根據揭示的第一例示性方法的流程圖。
[0023]圖7是顯示根據揭示的第二例示性方法的流程圖。
[0024]圖8是顯示根據揭示的第三例示性方法的流程圖。

【具體實施方式】
[0025]本發明的系統及方法是描述關于一種離子植入器。在具體指出的太陽能電池的離子植入中，所述植入器可與其他工件(例如，舉例而言，半導體晶圓、平面顯示器或發光二極管(LED)) —起使用。因此，本發明不限于下述特定實施例。圖1是束線式離子植入器200的方框圖。在一實施例中，此植入器200可用于對太陽能基板進行摻雜。所屬【技術領域】中普通技術人員應了解束線式離子植入器200僅為多個可制造離子的束線式離子植入器的實例的其中之一。因此，本文所述的系統及方法不僅限于圖1的束線式離子植入器200。此外，應了解所述離子植入器不限制于“束線式”名稱，并且可包括基于等離子體浸入式(plasma immers1n)、淹沒式(flood)或其他等離子體源名稱的植入器。
[0026]一般而言，束線式離子植入器200包括離子源280，以產生用于形成離子束281的離子。離子源280可包括離子腔室283，于其中將供應至離子腔室283的饋入氣體(feedgas)離子化。此等氣體可以是或可包括或含有氫、氦、其他稀有氣體、氧、氮、砷、硼、磷、鋁、銦、鎵、鋪、碳硼燒(carborane)、燒(alkane)、其他大分子化合物或其他P型或N型摻雜物。可藉由一系列的萃取電極(extract1n electrode)自離子腔室283萃取所產生的離子，以形成離子束281。特別的是，可藉由萃取電極部分(由腔室283的出口孔、抑制電極(suppress1n electrode) 284 以及接地電極(ground electrode) 285 形成)自腔室 283 萃取離子。藉由質量分析器286 (其包括解析磁鐵(resolving magnet) 282以及具有解析孔289的遮蔽電極(masking electrode) 288)來對離子束281進行質量分析。解析磁鐵282使在離子束281中的離子偏轉,使得僅具有所需質荷比(mass to charge rat1)(對應特定摻雜物離子物種)的離子穿過解析孔289。非需要的離子物種因其被遮蔽電極288阻擋而無法穿過解析孔289。
[0027]所需離子物種的離子穿過解析孔289至角度校正磁鐵294。角度校正磁鐵294使所需的離子物種的離子偏轉，且使離子束自發散離子束轉換為具有實質上平行的離子軌跡的帶狀離子束212。在一些實施例中，束線式離子植入器200可還包括加速單元和/或減速單元。加速及減速單元使用于離子植入系統中，以加速離子束或使離子束慢下來。速度調整是藉由將電壓位準(voltage potential)的特定組合施加到配置于離子束的相對側上的電極組來完成。隨著離子束在電極之間通過，離子能量根據所施加的電壓位準來增加或減少。由于離子植入的深度與碰撞離子束(impinging 1n beam)的能量成正比,所以在進行深離子植入時可能需要束加速(beam accelerat1n)。相反地,在需要淺離子植入的情況下,進行束減速以確保碰撞離子僅行進到工件中較短距離。所顯示的實施例包含減速單元296。
[0028]終端臺211包含平臺295，其用以支撐一個或多個工件(例如，基板138)，所述平臺295配置于帶狀離子束212的路徑中，使得所需物種的離子植入到基板138中。基板138可為(例如)半導體晶圓、太陽能電池等。終端臺211也可包括掃描器(未圖示)，其用于使基板138垂直于帶狀離子束212剖面的長軸(long dimens1n)移動，藉此將離子分布在基板138的整個表面上。盡管顯示了帶狀離子束212，但其他實施例可提供點束(spotbeam)。所屬【技術領域】中普通技術人員應了解，在離子植入期間，離子束橫越的整個路徑都被抽真空(evacuate)。在一些實施例中,束線式離子植入器200亦可包括所屬【技術領域】中普通技術人員已知的額外構件，且可合并離子的熱植入或冷植入。
[0029]離子植入到基板138中的深度是基于離子植入能量和離子質量。較小的電子元件尺寸需要以較低能量級(energy level)(例如彡2keV)植入的高束電流密度。當基板138為太陽能電池時，帶狀束212可以高束電流和大約IkeV至1keV的能量進行植入。為了完成這種情況，使用處理腔室減速(process-chamber-decelerat1n, PO))模式，其中離子束281和帶狀離子束212以相對高的能量通過束線式離子植入器200進行傳輸，且使用一個或多個減速單元296從終端臺211的上游減速。例如，在藉由減速單元296進行減速之前，可以30keV至50keV的能量通過植入器200來傳輸帶狀離子束212。
[0030]對于太陽能電池而言，帶狀離子束212以最大能量進行傳輸一直到達減速單元296，其中離子就在終端臺211前被減速到所需的能量。例如，帶狀離子束212可在減速單元296之前具有30keV的能量，且在減速單元296之后具有1keV的能量。這稱為3: I減速比(decelerat1n rat1)。根據所需的植入深度和特定植入處理,例如,可能為4: I或甚至50: I的更高減速比。
[0031]如前文所記載的，基板可經受多個連續植入步驟，以制造元件(例如太陽能電池)。亦如同所記載的，連續植入被精確地對位是重要的，以形成精細的結構(其為典型太陽能電池的一部分)。換言之，將后續的植入特征定位在對應于前述植入特征的特定位置是重要的。
[0032]參看圖2A至圖2C，展示在所有植入過程期間的各個步驟的例示性基板300 (其可對應于一實施例中的基板138)。圖2A展示在圖案化離子植入步驟之后的基板300。如可見至IJ，由于離子撞擊導致在基板材料中的組成與結構發生改變，因此多個植入特征302在離子植入步驟之后為可見的。攝影機304(見圖3)可用來獲得植入特征302所建立的圖案的影像。接著，可經攝影機304將影像信息提供給控制器306。在一實施例中，攝影機304為電荷耦合二極管(CXD)攝影機。攝影機304亦可包含多種其他影像元件，包括紅外線攝影機、光二極管以及激光。換言之，控制器306可控制激光308以將基準310配置在基板300上對應于一個或多個植入特征302的已知位置。或者，在攝影機304獲得藉由植入特征302所建立的圖案的影像之前，激光308可將基準310配置于基板300。在此另一實施例中，藉由攝影機304而提供給控制器306的影像信息包括關于基準310的位置以及植入特征302的位置的信息。這意味著可使用除了激光以外的任何各種技術來將基準310配置在基板300上。例如，可使用噴墨技術、機械切割(mechanical scribe)、放電加工(electrical dischargemachining,EDM)、蝕刻以及類似方法，將一個或多個基準310配置在基板300上。這也意味著控制器306可為植入器200 (圖1)的一部份，或其可為分離處理工具的一部份。
[0033]圖2B展示在配置基準310之后的基板300。所顯示的基準310以十字型(cross-shape)展示。然而，這并不重要，而是意味著基準310可采取任何各種形式，例如點或類似者的圖案。此外，盡管所述的基準310是經由激光308而建立，其亦可取而以使用任何各種所需的其他技術來建立。
[0034]一但將基準310配置在基板300上(或中)，即可在基板上進行熱退火處理。熱退火通常用以“活化”所植入的摻雜物種以及修復由離子植入處理所導致的晶體缺陷。然而，此熱退火造成植入特征302不再是可見的。這展示于圖2C中。然而，與植入特征302不同，基準310在熱退火步驟之后仍然是可見的。在之后處理步驟期間，即使植入特征302不再是可見的，仍可對應于基準310來進行對位，換言之，即使植入特征302為不可見的，仍可確保與植入特征302進行對位。舉例而言，作為后續的網版印刷步驟的一部分，攝影機304可用來定位基準310的位置并且提供此位置信息給控制器306，換言之，其可指示適當調整網版的位置，以獲得與植入特征302精確對位。
[0035]圖4A及4B展示一種在任何處理步驟之前或在第一圖案化離子植入步驟之前將基準310配置在基板300上的揭示方法的實施例。在此實施例中，使用攝影機304來判定基準310的位置，并且將此信息提供給控制器306。可接著使用此位置信息，以使植入器200中的一個或多個掩模與基板300進行對位。圖4A展示在離子植入之前的基板300。基準310如展示。圖4B再次展示在離子植入之前的基板300，其中通過圖案化掩模314而可見到基準310以及多個圖案化植入位置312。圖案化植入位置312對應于在離子植入步驟期間中植入特征302所建立的位置。此技術的優點為其無需精確對位于基板的邊緣。換言之，在離子植入步驟期間，可將基板300放置于圖案化掩模314下，其中圖案化掩模314可包括開口 316，并且攝影機304可通過開口 316看到基準310。此圖案化掩模314可由諸如石墨(graphite)或硅制造，并且可放置在基板300上游的一距離處。影像信息可藉由攝影機304提供給控制器306 (其可指示圖案化掩模314的移動)，使得圖案化掩模314與基準310對位，藉此完成與所得的植入特征302的精確對位。在本方法中，可完成主動回饋(activefeedback)以及圖案化掩模314的對位。
[0036]在另一實施例中，攝影機304可位于基板300放入植入器200之前的最終處理站。為了定位而捕捉、校正基板300與基準310的影像，并且可將基板300移入植入器200中(其中可進行離子植入處理，以建立植入特征302)。
[0037]圖5A至圖5C顯示一種在任何處理步驟之前或至少在第一圖案化離子植入步驟(圖5A)之前將基準310配置在基板300上的揭示方法的實施例。在基準310的配置之后，量測基準310相對于基板邊緣318、邊緣320和/或角322、角324的位置(圖5B)。量測可以與用于檢測植入圖案(如前述方法的一部分)相同的設備來進行。舉例而言，在一實施例中，攝影機304可為電荷耦合元件攝影機，且攝影機304可用來檢測基準310。相對地，基板300的邊緣318、邊緣320同樣容易由攝影機304觀察。在一些實施例中，可提供基板300的背光，以助于檢測邊緣318、邊緣320。將此影像信息提供給控制器306 (其判定邊緣與基準的相對位置),并且將信息儲存于相聯存儲器(associated memory) 326,使得在下游圖案化步驟期間，可再次使用攝影機304來觀察基板300，包括基準310(圖5C)的位置。使用前述獲得的關于基準的位置的量測數據，可相對于基板邊緣318、邊緣320和/或角322、角324來調整圖案化掩模314的位置，以精確地將圖案化掩模314與植入位置312對位。
[0038]此方法的優點為無需任何類型的邊緣記錄(registrat1n)。額外的優點為其可使基準的位置得以被離線(offline)量測(亦即，在基板載入植入器200之前)。可將位置信息提供給控制器306，其可接著指示將圖案化掩模314的位置相對于基板300以及相對于基準310進行調整。
[0039]本文所包括的內容為代表用于對基板進行對位的例示性處理以進行連續植入操作的流程圖。當然，為了簡化解釋的目的，本文展示一個或多個處理，舉例而言，在流程圖或邏輯流程圖的格子中展示及描述一連串的動作，應被了解及意味著所述處理不限于動作可能的次數，據此，以不同的次數進行和/或者與描述與展示于本文中的其他動作同時進行。舉例而言，所屬【技術領域】中普通技術人員應了解及意識到所述方法可選擇以一系列對應的步驟展示。又，并非所有在方法中顯示的步驟可為新穎實施所需要。
[0040]現將描述關于圖6的第一例示性邏輯流程圖。在步驟1000中，將離子植入于基板以建立多個植入特征。在步驟1100中，使用例如攝影機來辨認多個植入特征的位置。在步驟1200，在基板對應于多個植入特征的至少其中之一的已知位置的表面上標記基準。在步驟1300中，在基板上進行熱退火處理，其中基準在熱退火處理之后仍然為可見的。在步驟1400中，將圖案化掩模對于基準進行對位，藉此使圖案化掩模中的開口可與在步驟1000中所建立的植入特征對位。在步驟1500中，以圖案化掩模在原位(in place)進行后續處理步驟(例如，離子植入處理)，以得到或維持與植入特征進行對位。舉例而言，可使用如此的實施例來制造指叉狀背面電極(interdigitated back contact, IBC)太陽能電池(其同時需要η型摻雜與P型摻雜)，其可使用兩種不同的圖案化掩模。在另一實施例中，后續處理步驟可為網版印刷或金屬化處理。
[0041]現將描述關于圖7的第二例示性邏輯流程圖。在步驟2000中，在第一圖案化離子植入步驟之前，將基準配置在基板上。在步驟2100中，鄰近于基板提供圖案化掩模，其中圖案化掩模包括與基準對應的開口，以及對應于基板上將要植入離子的位置的多個開口。在步驟2200中，攝影機通過對應的開口看到基準，以判定基準在基板上的位置。在步驟2300中，提供關于基準的位置的信息至控制器。在步驟2400中，控制器使用關于基準的位置的信息，以指示圖案化掩模對應于基板進行對位。在步驟2500中，以圖案化掩模來原位(in place)植入離子，以在基板中形成多個植入特征。此等實施例可用于將重摻雜線(heavily-doped line)配置在太陽能電池中，例如選擇性發射極(selective emitter, SE)太陽能電池。重摻雜線對應于基準的準確配置將能夠使得使用基準的之后的網版印刷或金屬化步驟能夠與重摻雜線對位。
[0042]現將描述關于圖8的第三例示性邏輯流程圖。在步驟3000中，在第一圖案化離子植入步驟之前，將基準配置在基板上。在步驟3100中，量測基準相對于第一基板邊緣及第二基板邊緣和/或第一基板角及第二基板角的位置，以獲得基準的量測位置。在步驟3200中，將基準的量測位置提供給控制器，并且儲存于對應于控制器的存儲器中。在步驟3300中，鄰近于基板提供圖案化掩模，其中圖案化掩模包括與基準對應的開口，以及對應于基板上將要植入離子的位置的多個開口。在步驟3400中，攝影機通過對應的開口看到基準，以判定基準在基板上相對于第一基板邊緣及第二基板邊緣和/或第一基板角及第二基板角的位置。在步驟3500中，將關于基準的位置的信息提供給控制器。在步驟3600中，控制器使用關于基準的位置的信息，以指示圖案化掩模對應于基板進行對位。在步驟3700中，以圖案化掩模來原位(in place)植入離子，以在基板中形成多個植入特征。關于基準相對于第一基板邊緣及第二基板邊緣和/或第一基板角及第二基板角的位置的信息亦可用于例如網版印刷的下游處理。
[0043]所揭示的元件的一些實施例可(例如)使用可存儲指令或指令集的存儲媒體、電腦可讀媒體或制造物品來實施，所述指令如果由機器執行，則可致使所述機器執行根據本發明的實施例的方法和/或操作。此機器可包括:(例如)任何合適的處理平臺、計算平臺、計算元件、處理元件、計算系統、處理系統、電腦、處理器或類似物，且可使用硬體和/或軟體的任何合適的組合來實施。電腦可讀媒體或物品可包括:(例如)任何合適類型的存儲器單元、存儲器元件、存儲器物品、存儲器媒體、存儲元件、存儲物品、存儲媒體和/或存儲單元，(例如)存儲器(包括非暫時性存儲器)、可拆卸或不可拆卸媒體、可抹除或不可抹除媒體、可寫入或可再寫入媒體、數字或模擬媒體、硬盤(hard disk)、軟盤(floppy disk)、只讀光盤存儲器(Compact Disk Read Only Memory, CD-ROM)、可記錄式光盤片(CompactDisk Recordable, CD-R)、可寫入式光盤片(Compact Disk Rewriteable, CD-RW)、光盤(optical disk)、磁性媒體、磁性光學媒體、可拆卸存儲卡或磁片、各種類型的數字多功能光盤(Digital Versatile Disk, DVD)、磁帶、盒式磁帶或類似物。指令可包括任何合適類型的代碼，例如，源代碼、經編譯代碼、經翻譯代碼、可執行代碼、靜態代碼、動態代碼、經加密代碼及類似物，其使用任何合適的高階、低階、物件導向的(object oriented)、視覺化(visual)、編譯的(compilied)和/或直譯的(interpreted)程式語言來實施。
[0044]本發明的范圍不應受本文所描述的具體實施例限制。實際上，所屬【技術領域】中普通技術人員從以上描述和附圖將了解(除本文所描述的那些實施例和修改外)本發明的其他各種實施例和對本發明的修改。因此，此類其他實施例和修改既定屬于本發明的范圍內。此外，盡管已出于特定目的而在本文中在特定環境中的特定實施方案的情境中描述了本發明，但所屬【技術領域】中普通技術人員將認識到，其效用不限于此，且可出于任何數量的目的在任何數量的環境中有利地實施本發明。因此，應鑒于如本文所描述的本發明的整個廣度和精神來解釋所陳述的權利要求。
【權利要求】
1.一種處理基板的方法，包含: 將離子植入于基板，以建立植入特征； 判定所述植入特征的位置； 將基準配置于所述基板上對應于所述植入特征的已知位置； 在后續處理步驟中，檢測所述基準的位置；以及 在所述后續處理步驟期間，使用所述基準的位置來與所述植入特征對位。
2.根據權利要求1所述的處理基板的方法，其中判定所述植入特征的位置包含檢測所述基準。
3.根據權利要求2所述的處理基板的方法，其中判定所述植入特征的位置包含以電荷耦合元件攝影機、紅外線攝影機、光二極管以及激光的至少其中之一來檢測所述基準。
4.根據權利要求1所述的處理基板的方法，還包含使用電荷耦合元件攝影機、紅外線攝影機、光二極管以及激光的至少其中之一來調整掩模的位置以與所述基準對位。
5.根據權利要求1所述的處理基板的方法，其中在將所述離子植入于所述基板之前，將所述基準配置在所述基板上。
6.根據權利要求1所述的處理基板的方法，其中在將所述離子植入于所述基板之后，將所述基準配置在所述基板上。
7.根據權利要求1所述的處理基板的方法，還包含在將所述離子植入于所述基板之前，記錄所述基準至所述基板的邊緣或角的至少其中之一。
8.根據權利要求1所述的處理基板的方法，還包含在將所述離子植入于所述基板之前，記錄所述基準至所述基板的第一鄰邊及第二鄰邊。
9.根據權利要求1所述的處理基板的方法，包含在將所述離子植入于所述基板之后，對所述基板進行熱退火，其中所述植入特征在所述熱退火之前為光學可見的，且所述植入特征在所述熱退火之后為非光學可見的，并且其中所述基準在所述熱退火之后為光學可見的。
10.一種用于植入工件的裝置，包含: 離子植入器，用以將離子植入于基板，以建立植入特征； 檢測器，用以檢測基準在所述基板上的位置；以及 處理器，用來執行指令: 判定所述基準的所述位置； 調整掩模的位置以與所述基準對位，藉此對所述掩模進行對位；以及 使用所述離子植入器，通過所述掩模將所述離子植入于所述基板。
11.根據權利要求10所述的用于植入工件的裝置，還包含致動器，用以移動所述掩模，以使所述掩模與所述基準對位。
12.根據權利要求10所述的用于植入工件的裝置，其中使用所述檢測器判定所述基準的位置，其中所述檢測器是選自由電荷耦合元件攝影機、紅外線攝影機、光二極管以及激光所組成的族群。
13.—種處理基板的方法,包含: 將離子植入于基板，以建立光學可見的植入特征； 對所述基板進行熱退火，其中所述熱退火使得所述植入特征為非光學可見的，其中在所述基板上的基準在所述熱退火之后為光學可見的； 調整掩模的位置，以與所述基準對位，藉此使所述掩模與所述植入特征對位；以及 通過所述掩模將所述離子植入于所述基板。
14.根據權利要求13所述的處理基板的方法，包含在對所述基板進行所述熱退火之前，將所述基準施加于所述基板。
15.根據權利要求13所述的處理基板的方法，包含判定自所述基準至所述基板的第一鄰邊及第二鄰邊的距離，以及在所述調整的步驟中使用判定的所述距離。
【文檔編號】H01J37/317GK104272428SQ201380022385
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2013年4月12日 優先權日:2012年4月27日
【發明者】約翰·W·奎夫, 班杰明·B·里歐登, 尼可拉斯·P·T·貝特曼 申請人:瓦里安半導體設備公司