一種爬升時間快的低溫汞齊的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種爬升時間快的低溫汞齊，包括內核，在所述的內核的表面上覆蓋有多個純汞層和多個非汞金屬層；所述的純汞層和非汞金屬層由內向外依次交替設置，最內層為純汞層，最外層為非汞金屬層。本實用新型所述的爬升時間快的低溫汞齊的突出優點包括：由于其汞原子以游離形態存在于球體表面層部分，其汞原子在等管內的釋放速度顯然比傳統汞齊快，更容易釋放進入熒光燈管壁中，燈管的爬上時間更快，同時更有效的減少熒光燈燈管的汞用量，采用純金屬層覆蓋液汞層，是的加工工藝更加簡單，成本降低，且容易控制汞用量，增強了汞齊的抗壓能力，減少了汞污染，具有很好的實用性，能夠產生很好的經濟效益和社會效益。
【專利說明】一種爬升時間快的低溫汞齊

【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種低溫汞齊，具體涉及一種爬升時間快的低溫汞齊。

【背景技術】
[0002]目前，傳統低溫汞齊在一定程度上減少了汞的使用，也降低了汞對環境的污染，對保護環境雖然發揮了一定積極作用，但是隨著技術的發展有其是對汞的使用要求的進一步提高，傳統低溫汞齊所暴露出主要缺陷就是熒光燈亮得很慢，即爬升時間變得很長，顯然還不能完全滿足使用需求。
實用新型內容
[0003]發明目的:針對現有低溫汞齊的不足，本實用新型的目的是提供一種爬升時間快的低溫汞齊，以通過改變其結構，減少汞用量，改變燈管爬升時間，滿足使用需求。
[0004]技術方案:為了實現上述發明目的，本實用新型采用的技術方案為:
[0005]一種爬升時間快的低溫汞齊，包括內核，在所述的內核的表面上覆蓋有多個純汞層和多個非汞金屬層；所述的純汞層和非汞金屬層由內向外依次交替設置，最內層為純汞層，最外層為非汞金屬層。
[0006]所述的內核為惰性球體。
[0007]所述的惰性球體選自鐵球、鐵合金球，鋅球、鋅合金球、玻璃球、陶瓷球、塑料球。
[0008]所述的純汞層和非汞金屬層均為3-10層，且純汞層與非汞金屬層層數相同。
[0009]所述的非未金屬層為純金屬層，純金屬選自Sn、Sb、Zn、B1、Ga、In、Ag ;3-10層非未金屬層為相同或不同金屬層。
[0010]所述的內核的直徑為0.9?2mm。
[0011]所述的純汞層厚度為0.005-0.1mm。
[0012]所述的非汞金屬層為0.01-0.1mm。
[0013]有益效果:與現有技術相比，本實用新型所述的爬升時間快的低溫汞齊的突出優點包括:由于其汞原子以游離形態存在于球體表面層部分，其汞原子在等管內的釋放速度顯然比傳統汞齊快，更容易釋放進入熒光燈管壁中，燈管的爬上時間更快，同時更有效的減少熒光燈燈管的汞用量，采用純金屬層覆蓋液汞層，是的加工工藝更加簡單，成本降低，且容易控制汞用量，增強了汞齊的抗壓能力，減少了汞污染，具有很好的實用性，能夠產生很好的經濟效益和社會效益。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是爬升時間快的低溫汞齊的結構示意圖。

【具體實施方式】
[0015]下面結合具體附圖對本實用新型做進一步的解釋。
[0016]如圖1所示，爬升時間快的低溫汞齊主要結構包括內核1、純汞層2、非汞金屬層3組成；純汞層2、非汞金屬層3由內向外依次交替的覆蓋在內核I表面上。
[0017]內核I為惰性球體，該惰性球體可以為金屬球或非金屬球，球體的直徑可以為直徑為0.9^2mm ;金屬球選自鐵球、鐵合金球，鋅球、鋅合金球等，非金屬球選自玻璃球、陶瓷球、塑料球。
[0018]純汞層和非汞金屬層均多層，且純汞層與非汞金屬層層數相同，優選為3-10層，例如4層、6層、8層等；純未層厚度為0.005-0.1mm ;非未金屬層為純金屬層，純金屬選自Sn、Sb、Zn、B1、Ga、In、Ag等；3_10層非未金屬層可以為相同或不同金屬層，非未金屬層厚度為 0.01-0.1mm0
[0019]該爬升時間快的低溫汞齊，由于其汞原子以游離形態存在于球體表面層部分，其汞原子在等管內的釋放速度顯然比傳統汞齊快，更容易釋放進入熒光燈管壁中，燈管的爬上時間更快，同時更有效的減少熒光燈燈管的汞用量，采用純金屬層覆蓋液汞層，是的加工工藝更加簡單，成本降低，且容易控制汞用量，增強了汞齊的抗壓能力，減少了汞污染。
[0020]實施例1
[0021]爬升時間快的低溫未齊，內核直徑為1.4mm的鐵合金球，表面層部分由內向外依次為純未層、純Sn層、純未層、純Sn層、純未層、純Sn層。純未層厚度為0.05mm,純Sn層厚度為 0.05mm。
[0022]實施例2
[0023]爬升時間快的低溫汞齊，內核直徑為1.0mm的鋅合金球，表面層部分由內向外依次為純未層、純Sb層、純未層、純Zn層、純未層、純Bi層、純未層、純Ga層。純未層厚度為0.03mm或0.02mm,純Sb層、純Zn層、純Bi層、純Ga層厚度同時為0.05mm。
[0024]實施例3
[0025]爬升時間快的低溫未齊，內核直徑為0.95mm的玻璃球，表面層部分由內向外依次為純未層、純In層、純未層、純Ag層、純未層、純In層、純未層、純Ag層、純未層、純In層、純未層、純Ag層、純未層、純Ga層。純未層厚度為0.0lmm,純Sb層、純Zn層、純Bi層、純Ga層、純In層、純Ag層厚度選自0.01-0.1mm0
[0026]實施例4
[0027]爬升時間快的低溫汞齊，內核直徑為1.8mm的陶瓷球，表面層部分由內向外依次為純未層、純In層、純未層、純Ag層、純未層、純In層、純未層、純Ag層、純未層、純In層、純未層、純Ag層、純未層、純Ga層。純未層厚度選自0.005-0.1mm，且各層厚度均不相同，純Sb層、純Zn層、純Bi層、純Ga層、純In層、純Ag層厚度選自0.01-0.1mm,且各層厚度均不相同。
【權利要求】
1.一種爬升時間快的低溫汞齊，包括內核(1)，其特征在于:在所述的內核(I)的表面上覆蓋有多個純汞層(3)和多個非汞金屬層(4);所述的純汞層(3)和非汞金屬層(4)由內向外依次交替設置，最內層為純汞層(3)，最外層為非汞金屬層(4)。
2.根據權利要求1所述的爬升時間快的低溫汞齊，其特征在于:所述的內核(I)為惰性球體。
3.根據權利要求2所述的爬升時間快的低溫汞齊，其特征在于:所述的惰性球體選自鐵球、鐵合金球，鋅球、鋅合金球、玻璃球、陶瓷球、塑料球。
4.根據權利要求1所述的爬升時間快的低溫汞齊，其特征在于:所述的純汞層(3)和非未金屬層(4)均為3-10層，且純未層(3)與非未金屬層(4)層數相同。
5.根據權利要求4所述的爬升時間快的低溫汞齊，其特征在于:所述的非汞金屬層(4)為純金屬層，純金屬選自Sn、Sb、Zn、B1、Ga、In、Ag ；3-10層非未金屬層(4)為相同或不同金屬層。
6.根據權利要求1所述的爬升時間快的低溫汞齊，其特征在于:所述的內核(I)的直徑為 0.9?2mm。
7.根據權利要求1所述的爬升時間快的低溫汞齊，其特征在于:所述的純汞層(3)厚度為 0.005-0.1mm。
8.根據權利要求1所述的爬升時間快的低溫汞齊，其特征在于:所述的非汞金屬層(4)為 0.01-0.1mm0
【文檔編號】H01J61/28GK204242994SQ201420654664
【公開日】2015年4月1日 申請日期:2014年11月5日 優先權日:2014年11月5日
【發明者】宋維申, 石廣宏, 周義科, 田啟林, 朱加才 申請人:揚州市邗江圣珠光電有限公司