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一種芯片級自鎮(zhèn)流LED的制作方法

文檔序號:12440289閱讀:335來源:國知局

本實用新型涉及微電子技術領域,特別涉及一種芯片級自鎮(zhèn)流LED。



背景技術:

自從20世紀90年代初LED商業(yè)化以來,已經被廣泛應用到照明、背光、顯示、亮化等領域,被譽為21世紀最有競爭力的新一代光源。對于LED來說,替代傳統(tǒng)光源,可靠度是重中之重,但是由于LED上游、中游、下游之間缺乏強有力的合作?,F有LED燈具為分立器件或芯片通過串并聯(lián)后再與電源連接,這就存在電流分配不均現象;或者一顆LED燈損壞,其他LED分配電流擴大的狀況,大大的影響了LED的可靠性。



技術實現要素:

本實用新型為了彌補現有技術的缺陷,提供了一種結構設計合理,恒定電壓條件下流過LED發(fā)光層電流恒定的適用于分立器件的芯片級自鎮(zhèn)流LED。

本實用新型是通過如下技術方案實現的:

一種芯片級自鎮(zhèn)流LED,其特征在于:包括底部恒流電源層、中部絕緣過渡層以及頂部LED發(fā)光層,所述恒流電源層上封裝有集成電路,底部為輸入端,所述恒流電源層與LED發(fā)光層的正極之間連接有輸出正極,與LED發(fā)光層負極之間連接有輸出負極。

所述恒流電源層的材質為半導體(如Si),恒流電源層上封裝有集成電路。

所述絕緣過渡層的材質為絕緣導熱材料(如SiO2),與恒流電源層及LED發(fā)光層的材料具有高的晶格匹配度,且絕緣過渡層上蝕刻有恒流電源層的輸出正極和輸出負極。

本實用新型的有益效果是:本實用新型的芯片級自鎮(zhèn)流LED結構簡單、設計合理,通過在分立器件襯底中集成恒流電源層,促使單個分立器件在給定電壓條件下,流過LED發(fā)光層的電流恒定,適應推廣使用。

附圖說明

下面結合附圖對本實用新型作進一步的說明。

附圖1為本實用新型一種芯片級自鎮(zhèn)流LED的主視結構示意圖;

圖中,1、LED發(fā)光層,2、絕緣過渡層,3、恒流電源層,41、輸出正極,42、輸出負極,43、輸入端。

具體實施方式

附圖為本實用新型的一種具體實施例。如附圖1所示,該芯片級自鎮(zhèn)流LED,包括底部恒流電源層3、中部絕緣過渡層2以及頂部LED發(fā)光層1,所述恒流電源層3的材質為Si或其他半導體材料,恒流電源層3上封裝有集成電路,底部為輸入端43,絕緣過渡層2的材質為SiO2或其他絕緣導熱材料,它與恒流電源層3及LED發(fā)光層1的材料具有高的晶格匹配度,且絕緣過渡層2上蝕刻有恒流電源層3的輸出正極41和輸出負極42,恒流電源層3與LED發(fā)光層1的正極之間連接有輸出正極41,與LED發(fā)光層1負極之間連接有輸出負極42。

本實用新型的芯片級自鎮(zhèn)流LED,首先要設定電源方案,在Si或其他半導體材料襯底上按照現有工藝制作集成電路以及所需要的電子元器件,得到恒流電源層3,恒流電源層3上沉積一層絕緣過渡層2,并在絕緣過渡層2上蝕刻出恒流電源層3的輸出正極41和輸出負極42,絕緣過渡層2上按照LED發(fā)光層制作工藝制作LED發(fā)光層3,并將恒流電源層3的輸出端與LED風光層通過輸出正極41和輸出負極42完成電氣連接,本實用新型促使單個分立器件在給定電壓條件下,流過LED發(fā)光層的電流恒定,適應推廣使用。

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