本發明涉及用于質譜儀的離子阱質量分析器的技術領域，特別是涉及一種線性離子阱分析器的制備方法。

背景技術：

目前，在眾多的分析測試方法中，質譜分析方法被認為是一種同時具備高特異性和高靈敏度的普適性分析方法，是世界上應用最廣泛的分析技術之一，其工作原理是將在電磁場中運動的離子按質荷比的不同分離開來，并依次送入離子阱質量分析器內進行檢測，最后經過相應的數據處理實現對物質的定性或定量檢測。

一般，離子阱大致分為三維離子阱、線性離子阱及軌道離子阱三種，其中，線性離子阱的結構與四級桿質譜非常相似，由兩組雙曲線形級桿和兩端的兩個極板組成，兩組級桿中，其中一組施加一個交變電壓，另一組施加兩個交變電壓，在其中一組級桿上開有窄縫，通過改變三組交變電壓驅動離子從窄縫射出。

現有的具有捕獲場的由四個圍繞著公共軸線(阱軸線)排列的細長形電極(桿狀)形成的線性離子阱是本領域公知的，線性離子阱分析器一般由若干塊石英玻璃、電極、及若干塊外框板組成，先把電極線切割加工好，再把石英玻璃、電極、及外框板進行組裝而成。現有的工藝流程如下：在石英玻璃上開設有多個具有凸起環的圓孔，用螺栓組件穿過圓孔把石英玻璃固定在外框板上，使用高精密度的線性切割機把電極切割成具有弧形結構的電極塊，且在電極上開始有固定孔，用螺栓組件穿過石英玻璃固定在電極塊上，最后再使用螺栓組件把相鄰兩個外框板連接起來。

然而，采用上述線性離子阱分析器的制備方法依然具有如下弊端：

1、當在石英玻璃利用螺栓組件固定在外框板上時，在螺栓與螺母擰緊時，會使得石英玻璃與外框板間出現偏差，隨著使用的螺栓組件越多，石英玻璃與外框板間的偏差也會也大。

2、當各電極在使用高精密度的線性切割機進行切割時也會出現偏差，只是線性切割機的精密度越高偏差會越小，但隨著離子阱內的電極塊數量的增加，這種偏差就會累加。

3、當各電極塊組裝在石英玻璃及外框板上時，各組裝件間也會存在偏差，最后各組裝件組裝成整體的線性離子阱分析器時，也會出現偏差，即使小小的偏差累加起來也會使得組合后的線性離子阱分析器的偏差越大，從而大大降低了線性離子阱分析器精密度。

技術實現要素：

基于此，有必要提供一種穩定性能較好以及精密度較大的線性離子阱分析器的制備方法。

一種線性離子阱分析器的制備方法，包括如下步驟：

S1、備料：提供四塊石英玻璃、四塊電極塊及四塊外框板；

S2：石英件組裝：把每一所述石英玻璃與每一所述外框板一一對應進行組裝，獲得石英組裝件；

S3：電極粗坯組裝：把每一所述電極塊組裝在所述石英組裝件的所述石英玻璃上，形成四個電極粗坯組裝件；

S4：封接：把每一所述電極粗坯組裝件進行封接；

S5：把封接好的四個所述電極粗坯組裝件進行組裝，形成一個整體的半成品組裝件；

S6：把所述半成品組裝件固定在加工治具上，然后利用線切割機進行線切割，獲得所需的線性離子阱分析器。

在其中一個實施例中，所述S1中還提供一根接地壓針，所述接地壓針設置在其中任意一塊所述外框板的一端。

在其中一個實施例中，所述線切割機為慢走絲線切割機。

在其中一個實施例中，所述半成品組裝件為具有八邊形橫截面的八棱柱結構。

在其中一個實施例中，還包括S7：把所述線性離子阱分析器利用等離子清洗機進行清洗。

在其中一個實施例中，還包括S8：把清洗好的所述線性離子阱分析器進行測量。

在其中一個實施例中，所述加工治具包括：一主體和兩個對稱外傾的側邊體，所述側邊體與主體一體成型，在所述側邊體之間的平面上開設有定位腔，所述定位腔包括凹槽與位于所述凹槽兩側的延伸部，所述凹槽的頂面設有若干第一定位孔，所述側邊體的側面開設有若干第二定位孔。

與現有技術相比，本發明的線性離子阱分析器的制備方法具有以下有益效果：

首先通過備料、石英件組裝、電極粗坯組裝、封接、把封接好的四個所述電極粗坯組裝件進行組裝，形成一個整體的半成品組裝件，再固定在加工治具上對電機粗配進行線切割，最大限度地減小了四塊石英玻璃、四塊電極塊及四塊外框板互相之間的組裝誤差和加工誤差，可以保證所加工的產品精度一致。

附圖說明

圖1為本發明制備的線性離子阱分析器的結構示意圖；

圖2為本發明的加工治具的結構示意圖。

具體實施方式

為了便于理解本發明，下面將參照相關附圖對本發明進行更全面的描述。附圖中給出了本發明的較佳實施方式。但是，本發明可以以許多不同的形式來實現，并不限于本文所描述的實施方式。相反地，提供這些實施方式的目的是使對本發明的公開內容理解的更加透徹全面。

需要說明的是，當元件被稱為“固定于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時存在居中元件。本文所使用的術語“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及類似的表述只是為了說明的目的，并不表示是唯一的實施方式。

除非另有定義，本文所使用的所有的技術和科學術語與屬于本發明的技術領域的技術人員通常理解的含義相同。本文在本發明的說明書中所使用的術語只是為了描述具體的實施方式的目的，不是旨在于限制本發明。本文所使用的術語“及/或”包括一個或多個相關的所列項目的任意的和所有的組合。

請參閱附圖1-2，一種線性離子阱分析器的制備方法，包括如下步驟：

S1、備料：提供四塊石英玻璃1、四塊電極塊2及四塊外框板3；

S2：石英件組裝：把每一所述石英玻璃1與每一所述外框板3一一對應進行組裝，獲得石英組裝件；

S3：電極粗坯組裝：把每一所述電極塊2組裝在所述石英組裝件的所述石英玻璃1上，形成四個電極粗坯組裝件；

S4：封接：把每一所述電極粗坯組裝件進行封接；

S5：把封接好的四個所述電極粗坯組裝件進行組裝，形成一個整體的半成品組裝件；

S6：把所述半成品組裝件固定在加工治具4上，然后利用線切割機進行線切割，獲得所需的線性離子阱分析器。

在其中一個實施例中，所述S1中還提供一根接地壓針5，所述接地壓針5設置在其中任意一塊所述外框板3的一端。

在其中一個實施例中，所述線切割機為慢走絲線切割機，本申請中使用的慢走絲線切割機的型號為AGIECUT VERTEX。慢走絲線切割是電火花線切割的一種，英文簡寫是(WEDM-LS)。是利用連續移動的細金屬絲(稱為電極絲)作電極，對工件進行脈沖火花放電蝕除金屬、切割成型。它主要用于加工各種形狀復雜和精密細小的工件。

慢走絲線切割專業對外承接精密零配件等精密件加工,光潔度高,精密度可達±5UM

根據電極絲的運行速度不同，電火花線切割機床通常分為兩類：一類是慢走絲(也叫低速走絲電火花線切割機床)電極絲作低速單向運動，一般走絲速度低于0.2mm/s，精密度達0.001mm級，表面質量也接近磨削水平。電極絲放電后不再使用，工作平穩、均勻、抖動小、加工質量較好。而且采用先進的電源技術，實現了高速加工，最大生產率可達350mm2/min

由于慢走絲線切割機是采取線電極連續供絲的方式，即線電極在運動過程中完成加工，因此即使線電極發生損耗，也能連續地予以補充，故能提高零件加工精密度。慢走絲線切割機所加工的工件表面粗糙度通?？蛇_到Ra＝0.12μm及以上，且慢走絲線切割機的圓度誤差、直線誤差和尺寸誤差都較快走絲線切割機好很多，所以在加工高精密度零件時，慢走絲線切割機得到了廣泛應用。

在其中一個實施例中，所述半成品組裝件為具有八邊形橫截面的八棱柱結構。

在其中一個實施例中，還包括S7：把所述線性離子阱分析器利用等離子清洗機進行清洗。

在其中一個實施例中，還包括S8：把清洗好的所述線性離子阱分析器進行測量。

在其中一個實施例中，所述加工治具4包括：一主體41和兩個對稱外傾的側邊體42，所述側邊體42與主體41一體成型，在所述側邊體之間的平面上開設有定位腔43，所述定位腔43包括凹槽431與位于所述凹槽431兩側的延伸部432，所述凹槽431的頂面設有若干第一定位孔4311，所述側邊體42的側面開設有若干第二定位孔421，外框板3置于凹槽431內，固定件穿過第一定位孔4311和第二定位孔421，將外框板3固定在加工治具4上，然后進行線切割，加工精度大大提高，將工件誤差大大降低。

以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。

以上所述實施方式僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍。因此，本發明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。