專利名稱：離子束電荷量控制方法
技術領域：
本發明涉及半導體制造技術領域，特別涉及一種離子東的電荷特性檢測 方法。
技術背景隨著半導體制造技術的飛速發展，半導體器件為了達到更快的運算速度、 更大的數據存儲量以及更多的功能，半導體晶片朝向更高的元件密度、高集成度方向發展，CMOS (互補金屬氧化物半導體晶體管)器件的柵極特征尺寸 已經進入深亞微米階段，柵極長度變得越來越細且長度變得較以往更短。為 了獲得較好的電學特性，例如載流子遷移率、閾值電壓和驅動電流，通常需 要在器件的特定區域進行雜質離子注入，例如向MOS晶體管的源極區和漏極 區注入N型或P型雜質。為避免短溝效應，還需對源極區和漏極區的延伸區域 進行輕摻雜，通常稱為延伸摻雜，以使源/漏結區變淺。圖l為對MOS器件的 源/漏極區進行延伸摻雜的剖面示意圖。圖2為對MOS器件的源/漏極區進行重 摻雜的剖面示意圖。如

圖1所示，在半導體襯底100上形成柵極140之后，注入 雜質離子形成延伸#^雜區域120和130。然后，如圖2所示，在柵極140兩側形 成側墻(offset spacer ) 141,采用自對準工藝，在源極區和漏極區執行重摻雜 形成源極121和漏極131。對于NMOS器件而言，n型雜質離子為磷(P+)或砷 (As);對于PMOS器件而言，p型雜質離子主要為硼(B+)。對于65nm以下的工藝節點，離子注入劑量和均勻性需要得到很好的控制。 在離子注入中，電離的雜質原子經靜電場加速注射到晶片表面，通過測量離 子電流可以嚴格控制注入劑量，通過控制靜電場可以控制雜質離子的穿透深 度。注入工藝所用的劑量范圍從很輕摻雜的1011<:111-2到諸如源/漏極的低電阻區 所用的10"cm—2。某些特殊的應用要求劑量大于10"cm—2。在對整個晶片進行注入時，離子注入系統首先將含有注入物質的氣體送 入反應室，硅工藝中常用的氣體有BF3、 AsH3和PH3; GaAs工藝中常用的氣體 為SiH4和H2。圖3為離子注入時在晶片表面積累電荷的剖面示意圖。如圖3所 示，在放電腔室將氣體激發為帶電離子212，帶電離子212通常為帶正電的離 子。在電極的作用下帶電離子212形成離子束。在許多情況下，硅襯底表面具 有的一個或多個材料層，例如二氧化硅或光刻膠等。當離子注入時，采用劑 量均勻的地毯式注入方式，暴露在硅片表面的材料，例如光刻膠或氧化層200 都是絕緣體，離子轟擊硅片表面時會發射出二次電子，使這些層充滿電荷211 而使晶片表面局部帶電。在半導體器件制造過程中，由于很多工藝步驟，例如離子注入、等離子刻蝕或化學氣相淀積等工藝，都需要借助帶電粒子進行，晶片帶電是經常發 生的現象。晶片表面絕緣層上聚集的電荷會建立起空間電場，隨著離子注入 過程的推移，聚集電荷的絕緣層會隨著電荷聚集量的增加而對離子束產生越 來越強的排斥作用。這樣，靠近絕緣層的襯底區域注入的離子數量便會減少， 從而使硅片表面離子注入的均勻程度下降。此外，MOS晶體管薄的柵極氧化 層極易因多晶硅或金屬層表面傳導的電荷產生的隧道電流所損壞，造成器件 的良率降低。申請號為02156342.X的中國專利申請公開了 一種在晶片處理和器件制 造、特別是等離子體和離子注入工藝期間晶片表面出現的電荷的檢測方法。 該方法在襯底中形成由MOS晶體管和MOS電容器組成的檢測電路。檢測電路 將聚集在晶片上的電荷傳送給一個電荷收集極板，通過讀取極板上的電荷來 獲得電荷量。該方法雖然能夠檢測晶片表面的帶電電荷，但并未給出如何消 除離子束的正電荷對晶片的充電現象。而且該方法需要在襯底上形成單獨的 器件結構作為電荷檢測電路，占用了芯片面積，提高了工藝復雜程度和制造 成本。另 一篇專利號為ZL02154880.3的中國專利中，介紹了 一種用與扼制襯底 電荷積累的離子束輻照裝置和方法，該方法通過在電子回旋加速器共振 (ECR)離子產生裝置中采用調制射頻功率輸出的方式建立ECR放電，獲得能 量可調的電子，通過改變調制頻率控制加入電子的能量，從而達到控制離子 束中電子的能量，降低或調整離子束在襯底表面的電荷電勢的積累。雖然該 方法能夠通過調整調制頻率得到具有合適的電荷電勢的離子束，其目的是降 低離子束的電荷電勢并維持一個合適的離子狀態。但是該方法并沒有解決如 何確定加入電子的劑量與襯底表面離子注入均勻度之間的關系問題，以及如 何通過控制加入電子的劑量使離子注入的均勻度達到最佳。
發明內容
本發明的目的在于提供一種離子束電荷量控制方法，能夠通過監測離子 注入能量的均勾度來確定晶片上加入電子的劑量是否達到最佳并相應地進行調整。為達到上述目的，本發明提供的一種離子束電荷量控制方法，用于正式生產前的試片測試，包括在反應室內提供一半導體晶片作為測試試片；在所述試片表面形成絕緣層，所述絕緣層之間具有間隔，將所述試片表 面分為開闊區域和狹長區域；對所述試片進行離子束注入并向所述離子束中加入特定劑量的電子；沿著所述開闊區域和狹長區域測量復數個方塊電阻值；根據所述復數個方塊電阻值的變化趨勢調整所述加入電子的劑量。形成所述絕緣層的步驟包括在所述試片表面淀積絕緣物質；涂布光刻膠并圖案化所述光刻膠形成絕緣層掩膜圖形；刻蝕未被所述掩膜圖形覆蓋的絕緣層并去除所述光刻膠。所述絕緣物質為氧化硅或氮化硅。所述絕緣層的厚度為20A 30000A。所述狹長區i或的寬度為1 mm 200mm 。所述開闊區域和狹長區域為相通的連續區域。所述連續區域沿所述試片的直徑方向對稱分布。若所述開闊區域的方塊電阻值小于所述狹縫區域的方塊電阻值，則增大 電子的加入劑量；電子的加入劑量。所述方塊電阻值的數量為15 50個。測量方塊電阻之前，所述方法還包括對試片進行退火的步驟。 與現有技術相比，本發明具有以下優點本發明的離子束電荷量控制方法首先在測試晶片上形成特定布局的絕緣 層圖形，該絕緣層圖形將晶片表面劃分成"平原區"，即面積較大的區域；+和 "峽谷區"，即狹長區域。然后采用實際離子注入的工藝條件對測試晶片進行離子注入，并向反應室內部加入適量的電子。離子注入的過程中，離子束在 整個晶片范圍內進行地毯式注入。其中的帶正電的離子不斷地轟擊絕緣層和 硅襯底表面。轟擊到硅襯底表面的離子進入襯底內部，而轟擊到絕緣層表面 的離子在絕緣層表面釋放出二次電子并不斷積累正電荷而使絕緣層帶正電。 隨著離子注入過程的推移，帶正電的絕緣層對離子束產生越來越強的排斥作 用，從而削弱了晶片表面狹縫區域的離子注入能量，減少了狹縫區域的離子 注入劑量，使平原區和峽谷區的離子注入均勻程度不一致，導致平原區和峽 谷區的襯底方塊電阻不同。通過向反應室中加入適量電子，對離子束中的正 電荷和絕緣層表面積累的正共同起到中和作用。那么離子束中的電荷電勢會 有所降低，在絕緣層積累的電荷將減少，對離子束的排斥作用減弱，峽谷區 的離子注入強度增加，從而縮小了平原區和峽谷區離子注入均勻程度的差異。 加入電子的量決定了平原區和峽谷區離子注入的均勻性差異程度，而這種差 異可以用襯底方塊電阻的變化表征。本發明的方法在對測試晶片離子注入的 過程結束后，通過測量平原區和峽谷區的方塊電阻的變化趨勢，確定離子束 中加入電子的量與襯底表面離子注入均勻度之間的關系，進而通過調整加入 電子的劑量使離子束和絕緣層表面達到一個合適的電荷電勢水平，獲得最佳 的離子注入均勻度。為后續正式晶片的生產提供了準確和有價值的工藝參數， 確保離子注入達到良好的效果。 附困說明通過附圖中所示的本發明的優選實施例的更具體說明，本發明的上述及 其它目的、特征和優勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同 的部分。并未刻意按比例繪制附圖，重點在于示出本發明的主旨。在附圖中， 為清楚明了，放大了層和區域的厚度。圖1為對MOS器件的源/漏極區進行延伸摻雜的剖面示意圖；圖2為對MOS器件的源/漏極區進行重摻雜的剖面示意圖；圖3為離子注入時在晶片表面積累電荷的剖面示意圖；圖4A為本發明方法在測試晶片上形成的絕緣層圖形示意圖；圖4B為圖4A所示示意圖沿B-B'線的剖面示意圖；圖4C為圖4A所示示意圖沿A-A'線的剖面示意圖；圖5為離子束在圖4B所示位置注入的情形的示意圖； 圖6A為離子束在圖4C所示位置注入的情形的示意圖； 圖6B為向圖6A所示離子束中加入電子的情形的示意圖； 圖7為本發明的方法沿晶片表面徑向測量方阻的示意圖； 圖8A為當電子加入量過小時測得的方阻沿徑向的變化示意圖； 圖8B為當電子加入量過大時測得的方阻沿徑向的變化示意圖； 圖8C為當電子加入量適宜時測得的方阻沿徑向的變化示意圖。
具體實施方式
為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖 對本發明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本發明。但是本發 明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不 違背本發明內涵的情況下做類似推廣。因此本發明不受下面公開的具體實施 的限制。離子注入工藝是半導體制造技術中的重要工藝。為便于使用和控制，離 子注入大多采用氣態源，將氣態摻雜物原子離化產生離子。離子注入是一個 物理過程，也就是說注入動作不依賴于雜質與晶片材料的反應。摻雜原子被 離化、分離、加速形成離子束流，掃過晶片。雜質離子對晶片進行物理轟擊， 進入表面并在表面以下停下。注入的雜質離子會使晶片表面的方塊電阻發生 改變離化過程發生在通有源蒸氣的離化反應腔中。該反應腔保持約10-3托的低 壓。反應腔內部的氣體從熱燈絲(陰極)和金屬極板(陽極)之間流過。相 對于金屬極板而言，燈絲維持一個大的負電位，其表面被加熱到可以發射電 子的溫度。帶負電的電子被反應腔中的陽極所吸引而向陽極加速運動。電子 從燈絲運動到陽極的過程中與雜質源分子碰撞，產生包含大量雜質分子所包 含元素形成的正離子束。在許多情況下，晶片表面具有在一個或多個絕緣材料層，例如二氧化硅、 氮化硅或光刻膠。利用光刻工藝在硅片表面形成絕緣層圖形，然后將硅片置 于離子注入反應腔室內，當離子轟擊硅片表面時，高強度束流攜帶大量正電 荷使晶片表面的絕緣層帶電。
離子注入的過程中，離子束在整個晶片范圍內進行地毯式注入。其中的 帶正電的離子不斷地轟擊絕緣層和襯底表面。轟擊到襯底表面的離子進入襯 底內部，而轟擊到絕緣層表面的離子在絕緣層表面釋放出二次電子并不斷積 累正電荷而使絕緣層帶正電。隨著離子注入過程的推移，帶正電的絕緣層對 離子束產生越來越強的排斥作用，從而削弱了晶片表面狹縫區域的離子注入 能量，減少了狹縫區域的離子注入劑量，使平原區和峽谷區的離子注入均勻 程度不一致，導致平原區和峽谷區的襯底方塊電阻不同。本發明的離子束電荷量控制方法首先在測試晶片上形成特定布局的絕緣層圖形，該絕緣層圖形將晶片表面劃分成"平原區"，即面積較大的區域；和"峽谷區"，即狹長區域。然后采用實際離子注入的工藝條件對測試晶片進行 離子注入，并向離子束中加入適量的電子。加入電子的量決定了平原區和峽 谷區離子注入能量均勻性的差異程度，而這種差異可以用襯底方塊電阻的變 化表征。本發明的方法在對測試晶片離子注入的過程結束后，通過測量平原 區和峽谷區的方塊電阻的變化趨勢，確定離子束中加入電子的量與襯底表面 方塊電阻之間的關系，進而通過調整加入電子的劑量使離子束和絕緣層表面 達到一個合適的電荷電勢水平，獲得最佳的離子注入能量均勻度。為后續正 式晶片的生產提供了準確和有價值的加入電子劑量參數，確保離子注入達到良好的效果。下面結合圖4至圖8對本發明的方法進行更為詳細的說明。圖4A為本發明方法在測試晶片上形成的絕緣層圖形示意圖，所述示意圖 只是實例，在此不應過多限制本發明保護的范圍。如圖4所示，本發明的方 法為了獲得電子加入量與離子注入均勻性之間的關系，首先提供一測試晶片， 在測試晶片表面形成測試圖形。測試圖形為特定形狀的絕緣層布局，其目的 是將晶片表面劃分為具有較大面積的區域，在此簡稱為平原區，以及狹長區 域，在此簡稱峽谷區。例如，晶片表面覆蓋的絕緣層200將晶片表面分為平 原區110和峽谷區120。形成絕緣層200的方法采用常規光刻、刻蝕工藝即可。 首先在晶片表面淀積一層絕緣層，其材料為氧化硅或氮化硅，可采用化學氣 相淀積(CVD)的方法，厚度可以在20A 30000A之間。然后涂布光刻膠， 通過曝光、顯影形成所需圖形，再以上述圖形為掩膜，刻蝕暴露部分的絕緣 層，除去光刻膠后便形成了絕緣層200。絕緣層200的形狀并沒有嚴格的要求， 只要能夠將晶片劃分為上述區域，即能夠保證晶片表面具有一個大面積的平
原區IIO和一個狹長的峽谷區120。絕緣層200的位置優選為在接近晶片半圓 的位置將晶片表面劃分平原區110和峽谷區120。峽谷區120之間的寬度優選 為lmm 200mm。在此需要說明的是，峽谷區120也可以為多個，可以視正式 晶片有源區(AA )的分布情況而定，即應該^:絕鄉彖層200的面積與AA區域 的面積大致相等。在AA區域較密集時可設置2-5個峽谷區。圖4B為圖4A所示示意圖沿B-B，線的剖面示意圖；圖4C為圖4A所示 示意圖沿A-A，線的剖面示意圖；所述示意圖只是實例，在此不應過多限制本 發明保護的范圍。如圖4B和4C所示，襯底IOO可以是整體半導體襯底，例 如單晶、多晶或非晶結構的硅(Si)或硅鍺(SiGe),混合的半導體結構(例 如碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、銻化銦、磷化銦、砷化銦、砷化鎵或銻化鎵)。 也可以是絕緣層上有半導體的襯底，例如絕緣體上硅(SOI),本發明以硅襯 底為例。絕緣層200可以是氧化硅或氮化硅等材料，也可以是其它絕緣材料。 平原區IIO和峽谷區120分別由絕緣層200劃分確定，并一起作為測試圖形。 圖5為離子束在圖4B所示位置注入的情形的示意圖，所述示意圖只是實 例，在此不應過多限制本發明保護的范圍。在反應室中對晶片表面進行離子 注入操作。晶片表面包括絕緣區200、平原區IIO以及峽谷區120 (本圖為示 出)。氣態源的分子被電離后分解為帶正電的離子212,眾多離子212在電場 的作用下形成密度均勻且向晶片表面高速移動的離子束，對晶片表面進行轟 擊。當離子束轟擊到硅襯底IOO表面平原區110時，離子進入平原區110下 面的襯底內部，在隨后的退火過程中離子和硅離子形成共價^:從而改變平原 區110下面襯底的方塊電子的阻值，使平原區110下面的襯底具有特定阻值 的方塊電阻RS。當離子束轟擊到絕緣層200時，絕緣材料不能傳導電荷，因 此隨著時間的推移離子束會在絕緣層200表面積累電荷。圖6A為離子束在圖4C所示位置注入的情形的示意圖，所述示意圖只是 實例，在此不應過多限制本發明保護的范圍。如圖6A所示，襯底100的表面 包括絕緣層200，和絕緣層200之間的峽谷區120，以及平原區(圖中未示出)。 隨著離子注入過程的推移，離子束不斷向絕緣層200表面積累正電荷211，使 絕緣層200表面具有越來越強的正電荷電勢，該電勢會對包括眾多正電荷212 的離子束起到越來越強的排斥作用，阻礙離子束向絕緣層200之間的峽谷區 120的移動和離子注入，使峽谷區120離子注入的濃度下降，與平原區IIO相
比離子注入的濃度存在差異。平原區IIO相比峽谷區120，襯底的方塊電阻也 因而存在差異。圖6B為向離子束中加入電子的情形的示意圖，所述示意圖只是實例，在 此不應過多限制本發明保護的范圍。為了降低上述絕緣層200表面電場的作 用造成的離子注入濃度的差異，本發明的方法在離子注入過程中向反應室中 注入特定量的電子。注入的電子213會在空間電場的作用下向絕緣層200和 離子束移動，從而中和絕緣層200表面積累的正電荷，同時還會對離子束中 的正離子其到一定程度的中和作用。總體表現為加入電子213之后，絕緣層 200表面的正電荷電勢下降，對離子束的排斥作用降低。離子束對絕緣層200 之間的峽谷區120的離子注入濃度得到提高，從而縮小了峽谷區120與平原 區IIO之間離子注入濃度之間的差異，因此方塊電阻之間的差異也隨之縮小。本發明的方法通過測量平原區IIO和峽谷區120之間方塊電阻的變化趨 勢來確定加入電子的量是否合適。離子注入過程結束后，需進行IOO(TC以上 的快速熱退火，其目的是使注入的離子修復共價鍵，然后進行方塊電阻測試。 圖7為本發明的方法沿晶片表面徑向測量方阻的示意圖，所述示意圖只是實 例，在此不應過多限制本發明保護的范圍。如圖7所示，沿晶片的直徑方向， 從晶片平原區110頂端300開始，沿直徑方向，從平原區110逐漸進入峽谷 區120，每隔一定距離測量一次襯底表面的方塊電阻，直至晶片直徑方向的另 一端，也就是底端400。中間取不少于15個點測量襯底表面的方塊電阻。也 就是測量過程會獲得不少于15個方塊電阻值。將這些方塊電阻值放入坐標中 進行分析可以繪制成一條方塊電阻值RS沿直徑方向變化的曲線。通過上述曲 線可以確定襯底表面方塊電阻與離子束中加入電子的量之間的關系，進而確 定離子束中加入電子的量與離子注入能量均勻度之間的關系，通過調整加入 電子的劑量使離子束和絕緣層表面達到一個合適的電荷電勢水平，獲得最佳 的離子注入能量均勻度。圖8A為當電子加入量過小時測得的方阻沿徑向的變化示意圖，所述示意 圖只是實例，在此不應過多限制本發明保護的范圍。如圖8A所示，橫坐標表 示晶片直徑方向，坐標原點"0"表示晶片頂端，"1"表示晶片底端，"1/2" 表示平原區向峽谷區的過渡位置。由圖中可以看出，沿直徑方向平原區向峽 谷區過渡時，方塊電阻RS的值增加，亦即峽谷區的方塊電阻值要大于平原區
的方塊電阻值。這說明電子加入量過小，絕緣層表面的電場對離子束的排斥 作用還是比較大的，使離子束對峽谷區的注入量無法得到提高，峽谷區襯底 中離子注入濃度較小，導致山夾谷區的方塊電阻大于平原區的方塊電阻。圖8B為當電子加入量過大時測得的方阻沿徑向的變化示意圖，所述示意 圖只是實例，在此不應過多限制本發明保護的范圍。如圖8B所示，橫坐標表 示晶片直徑方向，坐標原點"0"表示晶片頂端，'T，表示晶片底端，"1/2" 表示平原區向峽谷區的過渡位置。由圖中可以看出，沿直徑方向平原區向峽 谷區過渡時，方塊電阻RS的值減小。亦即峽谷區的方塊電阻值要小于平原區 的方塊電阻值。這說明電子加入量過大，電子過度地中和了絕緣層表面的正 電荷，絕緣層表面的正電荷電勢過低甚至出現了負電荷電勢，使絕緣層表面 的電場對離子束的吸引作用大大增強，離子束對峽谷區的注入量得到提高， 峽谷區襯底中離子注入濃度增加，大于平原區襯底中注入的離子濃度，導致 峽谷區的方塊電阻小于平原區的方塊電阻。圖8C為當電子加入量適宜時測得的方阻沿徑向的變化示意圖，所述示意 圖只是實例，在此不應過多限制本發明保護的范圍。如圖8C所示，橫坐標表 示晶片直徑方向，坐標原點"0"表示晶片頂端，"1"表示晶片底端，"1/2" 表示平原區向峽谷區的過渡位置。由圖中可以看出，當加入了合適劑量的電 子時，平原區和峽谷區的方塊電阻值是趨于一致的，沒有明顯的變化。這說 明加入了合適劑量的電子時，電子對離子束和絕緣層表面積累的正電荷的中 和作用達到了 一個平衡的中間狀態，使得平原區和峽谷區表面的離子注入能 量趨于一致，離子注入的均勻性達到最佳狀態。在離子注入過程中，通過加入一定量的電子，注入結束后測量方塊電阻。 若得到如圖8A所示的曲線則需重新制作測試圖形，重復上述本發明的方法并 加大加入電子的量。反之若得到如圖8B所示的曲線則需重新制作測試圖形， 重復上述本發明的方法并減小加入電子的量，直至獲得如圖8C所示的曲線。 此時加入電子的量便為合適的量。將上述加入電子的量作為工藝參數應用于 后續正式晶片的生產，可確保離子注入得到良好的均勻度。以上所述，僅是本發明的較佳實施例而已，并非對本發明作任何形式上 的限制。雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發明。 任何熟悉本領域的技術人員，在不脫離本發明技術方案范圍情況下，都可利
用上述揭示的方法和技術內容對本發明技術方案作出許多可能的變動和修 飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發明技術方案的及修飾，均仍屬于本發明技術方案保護的范圍內。
權利要求
1、一種離子束電荷量控制方法，用于正式生產前的試片測試，包括在反應室內提供一半導體晶片作為測試試片；在所述試片表面形成絕緣層，所述絕緣層之間具有間隔，將所述試片表面分為開闊區域和狹長區域；對所述試片進行離子束注入并向所述離子束中加入特定劑量的電子；沿著所述開闊區域和狹長區域測量復數個方塊電阻值；根據所述復數個方塊電阻值的變化趨勢調整所述加入電子的劑量。
2、 如權利要求1所述的方法，其特征在于形成所述絕緣層的步驟包括 在所述試片表面淀積絕緣物質；涂布光刻膠并圖案化所述光刻膠形成絕緣層掩膜圖形； 刻蝕未被所述掩膜圖形覆蓋的絕緣層并去除所述光刻膠。
3、 如權利要求2所述的方法，其特征在于所述絕緣物質為氧化硅或氮 化硅。
4、 如權利要求3所述的方法，其特征在于所述絕緣層的厚度為 20A 30000A。
5、 如權利要求1所述的方法，其特征在于所述狹長區域的寬度為 lmm 200mm。
6、 如權利要求l所述的方法，其特征在于所述開闊區域和狹長區域為 相通的連續區域。
7、 如權利要求6所述的方法，其特征在于所述連續區域沿所述試片的 直徑方向對稱分布。
8、 如權利要求1所述的方法，其特征在于若所述開闊區域的方塊電阻值小于所述狹縫區域的方塊電阻值，則增大 電子的加入劑量；若所述開闊區域的方塊電阻值大于所述狹縫區域的方塊電阻值，則減小 電子的加入劑量。
9、 如權利要求1所述的方法，其特征在于所述方塊電阻值的數量為 15~50個。
10、 如權利要求1所述的方法，其特征在于測量方塊電阻之前，所述 方法還包括對試片進行退火的步驟。
全文摘要
本發明公開了一種離子束電荷量控制方法，用于正式生產前的試片測試，包括提供一半導體晶片作為測試用試片；在所述晶片表面形成測試圖形；向具有所述圖形的晶片表面注入雜質離子并加入特定劑量的電子；測量所述晶片表面不同區域的復數個方塊電阻值；根據所述復數個方塊電阻值的變化趨勢調整所述電子的加入劑量。本發明的離子束電荷量控制方法能夠通過監測離子注入的均勻度來確定晶片上加入電子的劑量是否達到最佳并相應地進行調整。
文檔編號C23C14/54GK101153383SQ20061011690
公開日2008年4月2日 申請日期2006年9月30日 優先權日2006年9月30日
發明者朱津泉 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司