專(zhuān)利名稱(chēng)：電極板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于一種電極板，特別是有關(guān)于一種應(yīng)用于等離子體薄膜沉積 和蝕刻技術(shù)的電極板。
背景技術(shù)：
隨著科技的進(jìn)步與經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，半導(dǎo)體工藝技術(shù)日漸成熟，而使得半導(dǎo) 體產(chǎn)品的體積越來(lái)越小，功能越來(lái)越強(qiáng)大。現(xiàn)有的半導(dǎo)體及光電工藝通常包 含清洗步驟、加熱步驟、光刻步驟、蝕刻步驟、沉積步驟和切割步驟，其中 蝕刻步驟和沉積歩驟所使用的蝕刻和沉積技術(shù)與半導(dǎo)體及光電產(chǎn)品的合格率 息息相關(guān)，因此，各種的蝕刻和沉積技術(shù)陸續(xù)被研發(fā)出來(lái)，而其中等離子體 蝕刻技術(shù)和等離子體薄膜沉積技術(shù)為目前最常使用，也是最受歡迎的技術(shù)。 然而，在現(xiàn)有的等離子體蝕刻技術(shù)和等離子體薄膜沉積技術(shù)中，電極板面積 的增加或是電源頻率的升高，都會(huì)增加駐波與干涉形成的機(jī)率，造成電場(chǎng)強(qiáng) 度分布不均，而導(dǎo)致蝕刻結(jié)果或薄膜沉積結(jié)果無(wú)法達(dá)到預(yù)期的功效。
請(qǐng)參考圖1，其示出了現(xiàn)有等離子體蝕刻技術(shù)和等離子體薄膜沉積技術(shù)
的電極板的電場(chǎng)分布圖，其中射頻電源Prf是從電極板10側(cè)邊引入。由圖1 可知，基板區(qū)域A的電場(chǎng)強(qiáng)度最大，基板區(qū)域B的電場(chǎng)強(qiáng)度次之、基板區(qū)域 C的電場(chǎng)強(qiáng)度最小。該種電場(chǎng)分布不均的情況容易導(dǎo)致等離子體蝕刻過(guò)度或 蝕刻不足。類(lèi)似地，電場(chǎng)分布不均也會(huì)使得薄膜沉積過(guò)度或沉積不足。當(dāng)?shù)?離子體蝕刻和沉積效果無(wú)法達(dá)到預(yù)期的目標(biāo)時(shí)，制作中的半成品可能會(huì)因此 損壞。
因此，需要一種新的電極板來(lái)增加電場(chǎng)的均勻度，以確保蝕刻與沉積結(jié) 果能達(dá)到預(yù)期的功效。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種電極板，以使電極板的電場(chǎng)強(qiáng)度分布均勻。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一實(shí)施例中提出一種電極板，至少包含導(dǎo)電 基板、電源和單個(gè)或多個(gè)材料層，其中導(dǎo)電基板具有多個(gè)基板區(qū)域。電源是 用以在該導(dǎo)電基板上誘發(fā)電場(chǎng)和等離子體。材料層設(shè)置在基板區(qū)域上。所述 材料層具有不同的電導(dǎo)率，以使所述多個(gè)基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度相等。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明另一實(shí)施例中提出一種電極板，包含導(dǎo)電基 板和電源，其中電源是用以在導(dǎo)電基板上誘發(fā)電場(chǎng)和等離子體，而導(dǎo)電基板 具有單個(gè)或多個(gè)基板區(qū)域，每一基板區(qū)域具有不同的高度，以使基板區(qū)域的 電場(chǎng)強(qiáng)度彼此相等。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明又一實(shí)施例中提出一種電極板，包含電源引 入體，第一導(dǎo)電基板和基板，其中電源引入體的末端具有接觸部。電源引入 體是用以傳導(dǎo)一電源。第一導(dǎo)電基板的第一表面的中心處具有第一凹槽，該 第一凹槽是用以容納電源引入體的接觸部。基板設(shè)置在第一導(dǎo)電基板的第一 表面上，其中該基板的一第二表面與第一表面緊密接合，以遮蔽接觸部。其 中，電源是用以在第一基板上誘發(fā)電場(chǎng)和等離子體。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明再一實(shí)施例中提出一種電極板，包含一基板 和一電源，其中該基板的一表面具有一放射狀電路，該放射狀電路電性連接 至電源，并至少包含中心部、多個(gè)樹(shù)狀連接部和電源連接部。中心部位于基 板表面的中心處。樹(shù)狀連接部電性連接至中心部，其中樹(shù)狀連接部是由表面 的中心處向外延伸分布。電源連接部是用以連接電源至中心部，以透過(guò)樹(shù)狀 連接部來(lái)在基板上誘發(fā)電場(chǎng)和等離子體。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明再一實(shí)施例中提出一種電極板，包含基板和 電源，其中基板具有多個(gè)基板區(qū)域，這些基板區(qū)域具有多電路圖形，其中這 些電路圖形的電路密度都不相同，以使基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度彼此相等。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明再一實(shí)施例中提出一種電極板，包含基板和 電源，其中基板具有多個(gè)基板區(qū)域，這些基板區(qū)域具有多電路圖形，其中這 些電路圖形的電路密度都不相同，以使基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度彼此相等。其中， 每一電路圖形具有一導(dǎo)體區(qū)塊面積，每一電路圖形層的導(dǎo)體區(qū)塊面積都不相 同，以使基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度相等。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明再一實(shí)施例中提出一種電極板，包含基板和電源，其中基板具有多個(gè)基板區(qū)域，這些基板區(qū)域具有多個(gè)通透的切槽，以 改變每一基板區(qū)域的導(dǎo)電面積大小和導(dǎo)電區(qū)域的分布情況，可使每一基板區(qū) 域的電場(chǎng)強(qiáng)度相等。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉 一較佳實(shí)施例，并配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下
圖1是現(xiàn)有等離子體蝕刻技術(shù)的電極板的電場(chǎng)分布圖2是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電極板的結(jié)構(gòu)側(cè)視圖3是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電極板的制造方法的流程圖4是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的電極板的結(jié)構(gòu)側(cè)視圖5是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的電極板的制造方法的流程圖6是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的電極板300的結(jié)構(gòu)側(cè)視圖7是根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的電極板的制造方法的流程圖8是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的電極板的結(jié)構(gòu)側(cè)視圖9是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的電極板的制造方法的流程圖10是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的電極板的結(jié)構(gòu)示意圖11是根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的電極板的制造方法的流程圖12是根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的電極板的上視結(jié)構(gòu)示意圖13是根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的電極板的上視結(jié)構(gòu)示意圖14是根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的電極板的制造方法的流程圖15是根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的電極板的上視結(jié)構(gòu)示意圖16是根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的電極板的上視結(jié)構(gòu)示意圖。
主要組件符號(hào)說(shuō)明
10:電極板 102:導(dǎo)電基板
102b:導(dǎo)電區(qū)塊 102d:導(dǎo)電區(qū)塊
104b:材料層
100:電極板
102a:導(dǎo)電區(qū)塊
102c:導(dǎo)電區(qū)塊
104a:材料層 104c:材料層150:制造方法 150b:材料層鍍膜步驟 108:弧狀表面 200:電極板
250a:電場(chǎng)強(qiáng)度估測(cè)步驟
300:電極板
350a:電場(chǎng)強(qiáng)度估測(cè)步驟
400:電極板
450a:電場(chǎng)強(qiáng)度估測(cè)步驟
500:電極板 504:導(dǎo)電基板
502a:接觸部
504b:凹槽
502b:主體部
550:制造方法 550b:組裝步驟 550d:電源引入歩驟 602:基板
602b:樹(shù)狀連接部
700:電極板
750a:電場(chǎng)強(qiáng)度估測(cè)步驟
800:電極板
902a:切槽 902c:切槽 B:基板區(qū)域 D:基板區(qū)域
H2:孔洞 Prf:電源
150a:電場(chǎng)強(qiáng)度估測(cè)歩驟 106:承載板 110:階梯狀表面 250:制造方法
250b:材料層鎖固或鉻接步驟
350:制造方法
350b:高度調(diào)整步驟
450:制造方法
450b:高度調(diào)整步驟
502:電源引入體
506:基板
504a:表面
504c:溝渠
506a:表面
550a:凹槽形成步驟
550c:密合步驟
600:電極板
602a:中心部 602c:電源連接部
750:制造方法
750b:電路密度分配步驟 900:電極板 902b:切槽
A:基板區(qū)域 C:基板區(qū)域 H1:孔洞
H3:孔洞
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參照?qǐng)D2，其示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電極板100的結(jié)構(gòu)側(cè)視 圖，其中電源Prf為射頻電源，然而在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，電源Prf可為
其它種類(lèi)的電源，并不受限于射頻電源。電極板100包含導(dǎo)電基板102和多 個(gè)材料層104a、104b和104c,其中材料層104c的電導(dǎo)率(electric conductivity) 大于材料層104b的電導(dǎo)率，而材料層104b的電導(dǎo)率大于材料層104a的電導(dǎo) 率。在電極板100中，由于基板區(qū)域A與電源Prf的距離最小，基板區(qū)域A 的電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)大于基板區(qū)域B和C的電場(chǎng)強(qiáng)度，因此將電導(dǎo)率較差的材料層 104a鍍?cè)诨鍏^(qū)域A。類(lèi)似地，基板區(qū)域C與電源Prf的距離最大，基板區(qū) 域C的電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)小于基板區(qū)域A和B的電場(chǎng)強(qiáng)度，因此將電導(dǎo)率較佳的 材料層104c鍍?cè)诨鍏^(qū)域C上。通過(guò)鍍上不同電導(dǎo)率的材料層，電極板100 的電場(chǎng)強(qiáng)度可比現(xiàn)有電極板10的電場(chǎng)強(qiáng)度均勻。值得注意的是，通過(guò)適當(dāng)?shù)?選擇材料層104a、 104b和104c的材質(zhì)，可使材料層104a、 104b和104c的 厚度相同，避免電極板表面出現(xiàn)較大的高低起伏。
請(qǐng)參照?qǐng)D3，其示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的電極板100的制造方法 150的流程圖。在制造方法150中，首先，進(jìn)行電場(chǎng)強(qiáng)度估測(cè)步驟150a，以 施加電源Ptf在導(dǎo)電基板102上，并估測(cè)每一基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度。接著， 進(jìn)行材料層鍍膜步驟150b。在材料層鍍膜步驟150b中，是根據(jù)每一基板區(qū) 域的電場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)在基板區(qū)域上鍍上多個(gè)電導(dǎo)率不同的材料層，以使所有基板 區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度相等。
請(qǐng)參照?qǐng)D4，其示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的電極板200的結(jié)構(gòu)側(cè)視 圖。電極板200類(lèi)似于電極板100，但不同之處在于，材料層104a、 104b和 104c是以鎖固或镕接的方式來(lái)形成在導(dǎo)電基板102上。本發(fā)明的第二實(shí)施例 是利用鎖固或镕接的方式來(lái)將材料層104a、104b和104c固定在導(dǎo)電基板102 上，該種做法比第一實(shí)施例所述的鍍膜方式更為便利，在成本上更為低廉。
請(qǐng)參照?qǐng)D5，其示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的電極板200的制造方法 250的流程圖。在制造方法250中，首先，進(jìn)行電場(chǎng)強(qiáng)度估測(cè)步驟250a，以 施加電源Prf在導(dǎo)電基板102上，并估測(cè)每一基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度。接著， 進(jìn)行材料層鎖固或镕接步驟250b。在材料層鎖固或镕接步驟250b中，是根 據(jù)每一基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)在基板區(qū)域上鎖固或镕接多個(gè)電導(dǎo)率不同的材 料層，以使所有基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度相等。請(qǐng)參照?qǐng)D6，其示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的電極板300的結(jié)構(gòu)側(cè)視
圖。電極板300包含導(dǎo)電基板102和承載板106，承載板106設(shè)置在導(dǎo)電基 板102上，以承載工件(未示出)。電極板300具有弧狀表面108，弧狀表面 108使得電極板300上的基板區(qū)域A、 B、 C具有不同的高度。因而改變基板 區(qū)域A、 B、 C的電場(chǎng)強(qiáng)度。在本實(shí)施例中，基板區(qū)域A的電場(chǎng)強(qiáng)度大于基 板區(qū)域B和C的電場(chǎng)強(qiáng)度，因此基板區(qū)域A的高度被設(shè)計(jì)為較基板區(qū)域B 和C為低。類(lèi)似地，基板區(qū)域C與電源Prf的距離最大，基板區(qū)域C的電場(chǎng) 強(qiáng)度小于基板區(qū)域A和B的電場(chǎng)強(qiáng)度，因此基板區(qū)域C的高度被設(shè)計(jì)為較 基板區(qū)域A和B為高。
值得注意的是，電極板上的電場(chǎng)強(qiáng)度分布具有連續(xù)性。因此，適當(dāng)?shù)卦O(shè) 計(jì)弧狀表面108的曲度，可使電極板300的基板區(qū)域高度符合電場(chǎng)強(qiáng)度的連 續(xù)性變化，使電極板300的電場(chǎng)均勻度比其它實(shí)施例更佳。
請(qǐng)參照?qǐng)D7，其示出了根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的電極板300的制造方法 350的流程圖。在制造方法350中，首先，進(jìn)行電場(chǎng)強(qiáng)度估測(cè)步驟350a，以 施加電源Prf在導(dǎo)電基板102上，并估測(cè)每一基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度。接著， 進(jìn)行高度調(diào)整步驟350b。在高度調(diào)整步驟350b中，是根據(jù)每一基板區(qū)域的 電場(chǎng)強(qiáng)度，來(lái)在導(dǎo)電基板102上形成弧狀表面108,以使每一基板區(qū)域形成 不同的高度，而使每一基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度相等。
請(qǐng)參照?qǐng)D8，其示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的電極板400的結(jié)構(gòu)側(cè)視 圖。電極板400類(lèi)似于電極板300，但不同之處在于，電極板400是利用階 梯狀表面IIO來(lái)改變基板區(qū)域的高度。本發(fā)明的第四實(shí)施例所使用的階梯狀 表面具有加工容易的優(yōu)點(diǎn)，因此其成本可較第三實(shí)施例低廉。
請(qǐng)參照?qǐng)D9，其示出了根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的電極板400的制造方法 450的流程圖。在制造方法450中，首先，進(jìn)行電場(chǎng)強(qiáng)度估測(cè)步驟450a，以 施加電源Ptf在導(dǎo)電基板102上，并估測(cè)每一基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度。接著， 進(jìn)行高度調(diào)整步驟450b。在高度調(diào)整步驟450b中，是根據(jù)每一基板區(qū)域的 電場(chǎng)強(qiáng)度，來(lái)在導(dǎo)電基板102上形成階梯狀表面110，以使每一基板區(qū)域形 成不同的高度，而使每一基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度相等。
請(qǐng)參照?qǐng)D10，其示出了根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的電極板500的結(jié)構(gòu)示意 圖。電極板500包含電源引入體502、導(dǎo)電基板504和基板506。電源引入體502是用以將電源引入至導(dǎo)電基板504，其中電源引入體502的末端具有一接 觸部502a。導(dǎo)電基板504的表面504a的中心處具有可容置接觸部502a的凹 槽504b，而該凹槽504b連接至溝渠504c，溝渠504c用以容置電源引入體 502的主體部502b，主體部502b套絕緣套。基板506設(shè)置在導(dǎo)電基板504 的表面504a上，而基板506的表面506a與表面504a緊密接合，以遮蔽接觸 部502a。值得注意的是，凹槽504b的外形與接觸部502a的外形配合，如此 不但可將接觸部502a固定在凹槽504b內(nèi)，更可增加導(dǎo)電基板504與電源引 入體502的接觸性。
在本實(shí)施例中，電源引入體502將電源引入至導(dǎo)電基板504的中心處， 如此可使導(dǎo)電基板504的電場(chǎng)強(qiáng)度均勻分布，減少駐波發(fā)生的機(jī)率。
另夕卜，基板506的表面506a的中心處也可具有另一凹槽，如此可進(jìn)一步 增加接觸性和固定性。
請(qǐng)參照?qǐng)D11，其示出了根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的電極板500的制造方法 550的流程圖。在制造方法550中，首先，進(jìn)行凹槽形成步驟550a。在凹槽 形成歩驟550a中，是在導(dǎo)電基板504的表面504a的中心處形成凹槽504b， 并在凹槽504b旁形成溝渠504c。接著，進(jìn)行組裝步驟550b。在組裝步驟550b 中，是將電源引入體502的接觸部502a置入凹槽504b，并將電源引入體502 的主體部置入溝渠504c。然后，進(jìn)行密合步驟550c。在密合步驟550c中， 是將基板506設(shè)置在導(dǎo)電基板504的表面504a上，以使基板506的表面506a 與表面504a緊密貼合，而遮蔽接觸部502a與凹槽504b。接著，進(jìn)行電源引 入步驟550d。在電源引入步驟550d中，利用電源引入體502來(lái)將電源Prf引 入至導(dǎo)電基板504，以在導(dǎo)電基板504上誘發(fā)電場(chǎng)和等離子體。
另外，在凹槽形成步驟550a中，也可根據(jù)凹槽504b對(duì)應(yīng)于基板506的 表面506a的位置，來(lái)形成另一凹槽在表面506a上，并在后續(xù)的組裝步驟550b 中，將電源引入體502的接觸部502a置入該凹槽，以增加接觸性和固定性。
請(qǐng)參照?qǐng)D12，其示出了根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的電極板600的上視結(jié)構(gòu) 示意圖。電極板600包含基板602，該基板602的表面具有放射狀電路，而
放射狀電路電性連接至電源Prf，以使電源Prf在放射狀電路上誘發(fā)電場(chǎng)和等離
子體。放射狀電路包含中心部602a、樹(shù)狀連接部602b和電源連接部602c。 電源連接部602c電性連接至中心部602a和電源&f，以將電源Prf導(dǎo)入至放射狀電路。中心部602a位于基板602的中心處，電源Prf被輸入中心部602a后， 可經(jīng)由樹(shù)狀連接部602b由內(nèi)而外平均地分布在電極板600上，而使電極板 600上的電場(chǎng)強(qiáng)度均勻分布。
電極板600的功效類(lèi)似電極板500，但電極板600的放射狀電路可使電 場(chǎng)強(qiáng)度分布更為均勻。
另外，為了保護(hù)放射狀電路不被工件破壞，可設(shè)置承載板在基板602上， 以避免工件與放射狀電路直接接觸。
請(qǐng)參照?qǐng)D13，其示出了根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的電極板700的上視結(jié)構(gòu) 示意圖。電極板700類(lèi)似于電極板100，但不同之處在于電極板700的基板 區(qū)域A、 B和C的表面各具有一電路圖形，而這些電路圖形的電路密度均不 相等。在本實(shí)施例中，基板區(qū)域A的電路圖型具有多個(gè)孔洞Hp基板區(qū)域B 的電路圖形具有多個(gè)孔洞H2，而基板區(qū)域C的電路圖案具有多個(gè)孔洞H3 。 將孔洞K的面積設(shè)計(jì)為最大，孔洞H2的面積次之，孔洞H3的面積最小，可 使基板區(qū)域A的電路密度小于基板區(qū)域B的電路密度，而基板區(qū)域B的電 路密度小于基板區(qū)域C的電路密度。通過(guò)適當(dāng)?shù)卣{(diào)整各基板區(qū)域的電路密度， 可使每個(gè)基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度相等，達(dá)到電場(chǎng)均勻的目標(biāo)。
請(qǐng)參照?qǐng)D14，其示出了根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的電極板700的制造方法 750的流程圖。在制造方法750中，首先，進(jìn)行電場(chǎng)強(qiáng)度估測(cè)步驟750a。在 電場(chǎng)強(qiáng)度估測(cè)歩驟750a中，施加電源Prf在導(dǎo)電基板102上，并估測(cè)每一基 板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度。接著，進(jìn)行電路密度分配步驟750b。在電路密度分配步 驟750b中，根據(jù)每一基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度，來(lái)在基板區(qū)域上形成電路圖形， 其中每一電路圖形的電路密度都不相等，以使每一基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度相等。
請(qǐng)參照?qǐng)D15，其示出了根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例的電極板800的上視結(jié)構(gòu) 示意圖。在本實(shí)施例中，電極板800的每一基板區(qū)域A、 B、 C和D的表面 電路圖形包含多個(gè)導(dǎo)電區(qū)塊。基板區(qū)域A包含導(dǎo)電區(qū)塊102a，基板區(qū)域B 包含導(dǎo)電區(qū)塊102b，基板區(qū)域C包含導(dǎo)電區(qū)塊102c，而基板區(qū)域D包含導(dǎo) 電區(qū)塊102d，其中導(dǎo)電區(qū)塊102a的面積小于導(dǎo)電區(qū)塊102b的面積，導(dǎo)電區(qū) 塊102b的面積小于102c的面積，而導(dǎo)電區(qū)塊102c的面積小于102d的面積。 本實(shí)施例是通過(guò)在每一基板區(qū)域上設(shè)計(jì)不同面積大小的導(dǎo)電區(qū)塊來(lái)達(dá)到電場(chǎng) 強(qiáng)度平均的功效。請(qǐng)參照?qǐng)D16，其示出了根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例的電極板900的上視結(jié)構(gòu)
示意圖。在本實(shí)施例中，電極板900的每一基板區(qū)域A、 B和C的表面電路 圖形包含多個(gè)通透的切槽，這些切槽貫穿電極板900。基板區(qū)域A包含切槽 902a，基板區(qū)域B包含切槽902b，基板區(qū)域C包含切槽902c，其中切槽902a 的面積大于切槽902b的面積，切槽902b的面積大于切槽902c的面積。在本 實(shí)施例中，每個(gè)基板區(qū)域上形成有多條切槽，根據(jù)每一基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度， 來(lái)控制這些切槽的面積和分布情況，可使每一基板區(qū)域達(dá)到電場(chǎng)強(qiáng)度平均的 功效。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的 情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明做出各種相應(yīng)的改變和變形， 但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種電極板，其特征在于，至少包含一導(dǎo)電基板，具有多個(gè)基板區(qū)域；一電源，用以在該導(dǎo)電基板上誘發(fā)電場(chǎng)；以及多個(gè)材料層，設(shè)置在所述基板區(qū)域上，其中所述材料層具有不同的電導(dǎo)率，以使所述多個(gè)基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度相等。
2、 一種電極板，其特征在于，至少包含 一導(dǎo)電基板；以及一電源，用以在該導(dǎo)電基板上誘發(fā)一電場(chǎng)；其中，該導(dǎo)電基板具有多個(gè)基板區(qū)域，每一所述基板區(qū)域具有不同的高 度，以使所述多個(gè)基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度彼此相等。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極板，其特征在于，該導(dǎo)電基板具有一弧狀 表面，以使所述多個(gè)基板區(qū)域具有不同的高度。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極板，其特征在于，該導(dǎo)電基板具有一階梯 狀表面，以使所述多個(gè)基板區(qū)域具有不同的高度。
5、 一種電極板，其特征在于，至少包含一電源引入體，用以傳導(dǎo)一電源，其中該電源引入體的末端具有一接觸部；一第一導(dǎo)電基板，其中該第一導(dǎo)電基板的一第一表面的中心處具有一第 一凹槽，該第一凹槽用以容納該接觸部；以及一基板，設(shè)置在該第一導(dǎo)電基板的該第一表面上，其中該基板的一第二 表面與該第一表面緊密接合，以遮蔽該接觸部；其中該電源是用以在該第一基板上誘發(fā)電場(chǎng)。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電極板，其特征在于，該第二表面具有一第二 凹槽，該第二凹槽用以容納該接觸部。
7、 一種電極板，其特征在于，至少包含 一電源；一基板，其中該基板的一表面具有一放射狀電路，該放射狀電路電性連 接至該電源，并至少包含一中心部，其中該中心部位于該表面的中心處；多個(gè)樹(shù)狀連接部，電性連接至該中心部，其中所述樹(shù)狀連接部是由 該表面的中心處向外延伸分布；以及一電源連接部，用以連接該電源至該中心部，以透過(guò)所述多個(gè)樹(shù)狀 連接部來(lái)在該基板上誘發(fā)電場(chǎng)。
8、 一種電極板，其特征在于，至少包含一基板，其中該基板具有多個(gè)基板區(qū)域，所述多個(gè)基板區(qū)域具有多電路 圖形以及一電源，用以在所述電路圖形上誘發(fā)電場(chǎng)；其中，所述電路圖形的電路密度都不相同，以使所述多個(gè)基板區(qū)域的電 場(chǎng)強(qiáng)度彼此相等。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的電極板，其特征在于，該電路圖形包含多個(gè)孔 洞，所述孔洞的數(shù)量根據(jù)該電路圖形所對(duì)應(yīng)的電場(chǎng)強(qiáng)度而變動(dòng)。
10、 一種電極板，其特征在于，至少包含一基板，其中該基板具有多個(gè)基板區(qū)域，每一所述基板區(qū)域具有多條切 槽，所述切槽貫穿該基板；以及一電源，用以在所述電路圖形上誘發(fā)電場(chǎng)；其中，每一所述基板區(qū)域的所述切槽的總面積都不相等，以使所述多個(gè) 基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度相等。
全文摘要
本發(fā)明涉及一電極板。該電極板包含基板和多個(gè)材料層，其中基板具有多個(gè)基板區(qū)域，且每一材料層的電導(dǎo)率都不相同。在電極板的制造方法中，首先進(jìn)行電場(chǎng)強(qiáng)度估測(cè)步驟。在電場(chǎng)強(qiáng)度估測(cè)步驟中，射頻電源被施加在基板上，以在基板上誘發(fā)電場(chǎng)和等離子體。接著，進(jìn)行材料層鍍膜步驟。在材料層鍍膜步驟中，根據(jù)每一基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度來(lái)在基板區(qū)域上鍍上電導(dǎo)率不同的材料層，以使所有基板區(qū)域的電場(chǎng)強(qiáng)度相等。
文檔編號(hào)C23C16/44GK101587821SQ20081009770
公開(kāi)日2009年11月25日 申請(qǐng)日期2008年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月20日
發(fā)明者莊峻銘, 簡(jiǎn)永杰 申請(qǐng)人:東捷科技股份有限公司