專利名稱：平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法及生產裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及太陽能光熱利用領域，特別涉及的是平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方
法及生產裝置。
背景技術：
太陽能資源是21世紀的新能源，太陽能制冷、太陽能熱水器、太陽能發電、海水凈化等都是重要的應用領域。選擇性吸熱薄膜具有可見光_近紅外光區高吸收率、紅外光區高反射率的性能優點，其生產方法及裝置成為太陽能利用技術的重要研究方向。目前所采用太陽能選擇性吸熱薄膜的生產方法有以下幾種類型，且都具有相應的局限性玻璃管真空管型將直徑不同的兩個玻璃管的兩端封接在一起，兩管之間的空間形成封接時抽成真空，內管的外壁沉積有太陽能吸熱涂層，吸收太能輻射能而使溫度升高， 內部通水帶走熱能，完成光熱轉換過程。其不足之處在于碰撞易碎，斷水時干燒易炸管，同時在建筑節能一體化時不宜作為建筑外壁、房頂。普通平板吸熱涂層采用電鍍、刷涂等方式在金屬基片上形成吸熱涂層，其不足之處在于外紅光發射率高，太陽能吸收率低，太陽能利用效率低，同時這種生產方式對環境有
一定污染。電子槍蒸發和離子源輔助的方式沉積太陽能吸熱涂層，這種方式具有沉積速率高的優勢。其缺點是單個電子槍所獲得的鍍材的蒸發云不足以覆蓋基片的幅寬，需兩支電子槍合并使用才能滿足寬度上的均勻性，同時由于沉積速率高，膜層厚度控制困難，對于沉積金屬層厚度僅為IOnm左右的介質-金屬干涉膜組類型的太陽吸熱膜層，光學厚度精度在2 至3nm左右時的控制更難實現。已有的連續鍍膜裝置如中國專利200420077693. 6所述，是一種對圓形玻璃管鍍膜，整個生產線從出口到進口到連續鍍膜室如其權利要求1所述“構成閉環”，工件還要自轉，無法生產大面積(單張鍍膜板的長度方向大于600毫米、寬度方向大于300毫米)的平板太陽能吸熱鍍膜板。

發明內容
鑒于以上原因，本發明的目的是為了克服以上不足，提供生產效率高的、膜層厚度控制方便、工藝實現靈活、生產大面積(單張鍍膜板的長度方向大于600毫米、寬度方向大于300毫米)的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法。本發明的另一個目的是提供一種對環境污染程度小的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的生產裝置。本發明的目的是這樣來實現的本發明平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，以大面積金屬片作為太陽能鍍膜板的基片，一片或多片基片放置在由玻璃板或金屬板制成的載片板上，載片板以斷續方式被轉動輥軸傳送快速進入和通過臥式鍍膜裝置中的前真空鎖定室、前保持室后，載片板一塊接一塊的、連續勻速依次進入到至少有3組磁控濺射靶與相應的濺射腔室的連續鍍膜室中， 載片板在連續鍍膜室內由減速機拖動的水平布置轉動輥軸一塊接一塊的、連續勻速的傳送，基片經過磁控濺射靶與相應的濺射腔室，在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/至少一組由金屬膜或金屬介質復合膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層，或者在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/吸熱半導體材料膜或金屬介質復合材料膜/減反射層，從而在基片上形成太陽能吸收功能膜，連續鍍膜室后有后保持室和后真空鎖定室，基片的出片與進片方式相同，也是以斷續方式被轉動輥軸傳送快速退出和通過后保持室和后真空鎖定室，進片、鍍膜和出片的具體方法為外界大氣與前真空鎖定室之間、前真空鎖定室與前保持室之間、前保持室與連續鍍膜室之間、連續鍍膜室與后保持室之間、后保持室與后真空鎖定室之間、后真空鎖定室與外界大氣之間設有真空閥門，當前、后真空鎖定室和前、后保持室的真空度達到連續鍍膜室的鍍膜工作真空度I-QXlO-1Pa,各室與室之間的真空閥門開啟讓載片板分批次按生產節奏進入連續鍍膜室或退出連續鍍膜室， 前、后真空鎖定室與大氣之間的真空閥門開閉一次進出載片板一塊或幾塊為一批為一個生產節奏，是斷續進出片方式，而在連續鍍膜室中載片板一塊或幾塊為一批均為連續走片方式，基片上形成太陽能吸收功能膜后，被轉動輥軸傳送快速依次從后保持室和后真空鎖定室以斷續方式快速出片，生產出平板太陽能吸熱鍍膜板。采用長度方向大于600毫米、寬度方向大于300毫米的大面積、單張片金屬作為作為鍍膜基片，在水平布置的臥式鍍膜裝置上由減速機經過齒型帶或鏈條拖動的轉動輥軸系統來傳送能放置一片或多片金屬基片的由玻璃板或金屬板制成的載片板，隨著鍍膜裝置真空閥門的開啟，載片板一塊或幾塊為一批為一個生產節奏進入臥式鍍膜裝置，鍍膜裝置由真空閥相連依次有前真空鎖定室、前保持室、連續鍍膜室、后保持室和后真空鎖定室，在連續鍍膜室，基片經過按照膜系配置的多個濺射模塊，各濺射模塊配備獨立的充氣系統，相鄰濺射模塊之間設置隔腔室，基片從靶位下經過時沉積的太陽能吸收功能膜層從基片向外依次為紅外光波反射層(金屬膜)/至少一組由金屬膜或金屬介質復合膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層(介質膜)，或者從基片向外依次為紅外光波反射層(金屬膜)/吸熱半導體材料膜或金屬介質復合材料膜/減反射層(介質膜)，連續鍍膜室至少有3組磁控濺射靶與相應的濺射腔室，基片進入連續鍍膜室由減速機拖動的水平布置轉動輥軸(減速機與輥軸經過齒型帶或鏈條連接)傳送，一片接一片的、連續勻速的經過磁控濺射靶與相應的濺射腔室，沉積太陽能吸收功能膜層，生產的吸熱鍍膜板具有吸收率高，發射率低優點，且生產效率高，成本低。上述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，在前保持室與連續鍍膜室之間、連續鍍膜室與后保持室之間，載片板是按生產節奏的斷續快速的一塊接一塊或幾塊為一批的進片或出片方式，變為載片板呈一塊接一塊的連續勻速行進方式，也即在前保持室與連續鍍膜室之間、連續鍍膜室與后保持室之間有一段緩沖區(或稱緩沖室)，使載片板按生產節奏的斷續快速的進片方式在前緩沖區中變為呈一塊接一塊的連續勻速行進方式進入連續鍍膜室，基片上形成太陽能吸收功能膜后，載片板呈一塊接一塊的連續勻速行進方式退出連續鍍膜室進入后緩沖區中，使載片板在后緩沖區中形成按生產節奏的斷續快速的一塊接一塊或幾塊為一批的出片方式。上述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，載片板與載片板之間的距離為20毫米至500毫米。
上述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，連續鍍膜室至少3組磁控濺射靶及相應的濺射腔室之間由隔板分割而形成各自獨立的腔室，各自獨立的腔室有獨立的磁控濺射電源及工藝充氣控制單元系統，每組磁控濺射靶可以分別單獨控制電源功率和鍍膜所需的工藝氣體。上述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，磁控濺射靶及相應的濺射腔室它們之間至少有一個真空抽氣室做為隔離腔室，以保持靶位、腔室之間不竄氣，避免各腔室之間互相干擾工藝氣體和真空度。有2至3個抽氣隔離腔室，加上室與室之間是剛好能通過基片的狹縫結構，靶位、腔室之間不竄氣，可使真空度差一個數量級，避免各腔室工藝氣氛和真空度之間互相干擾。濺射靶及相應的濺射腔室不僅有充氣系統，還單獨配有真空抽氣系統， 采用分子泵和機械泵抽氣機組，可使各自保持自己工藝所需的真空度和工藝氣氛，而不受其它濺射靶真空度和工藝氣氛的影響。氮和/或氧化合物(介質膜)或金屬介質復合膜或者吸熱半導體材料膜，通過控制工藝氣體N2和/或O2的通入量和比例來控制化合物薄膜材料中的金屬元素以及氧和/或氮的化學計量比。上述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，至少3組磁控濺射靶及相應的濺射腔室每組單獨的靶的類型是直流平面靶、直流柱形靶、中頻交流平面靶、中頻交流柱形靶中的至少一種。上述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，鍍介質膜或金屬介質復合膜或吸熱半導體材料膜的磁控濺射靶是中頻交流柱形旋轉靶或者中頻交流平面靶，靶材是金屬靶，濺射時充入工藝氣體Ar以及N2和/或02沉積成金屬氮和/或氧化合物(介質膜)或金屬介質復合膜或者吸熱半導體材料膜。靶材是金屬靶，如鈦、鋁、不銹鋼等。上述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，濺射腔室鍍介質膜或金屬介質復合膜或吸熱半導體材料膜的中頻交流柱形旋轉靶或中頻交流平面靶為A靶，鍍金屬膜或紅外光波反射膜的直流平面靶為B靶，其A靶與B靶的配置依次序為1至4個B靶/1至5個A靶 /1至4個B靶/1至5個A靶/1至4個B靶/1至5個A靶，或者配置為1至4個B靶/1 至5個A靶/1至5個A靶，在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/至少一組由金屬膜或金屬介質復合膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層，或者在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/吸熱半導體材料膜或金屬介質復合材料膜/減反射層， 生產出太陽能吸熱功能膜系。可以鍍制上述從基片向外依次為紅外光波反射層(金屬膜)/ 至少一組由金屬膜或金屬介質復合膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層(介質膜)，或者從基片向外依次為紅外光波反射層(金屬膜)/吸熱半導體材料膜或金屬介質復合材料膜 /減反射層(介質膜)的太陽能吸熱功能膜系。上述的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的方法，單張金屬基片長度方向大于600毫米、寬度方向大于300毫米。本發明平板太陽能吸熱鍍膜板的生產裝置，包括前真空鎖定室、前保持室、至少有 3組磁控濺射靶與相應的濺射腔室的能在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層 /至少一組由金屬膜或金屬介質復合膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層、或者在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/吸熱半導體材料膜或金屬介質復合材料膜 /減反射層、以此在基片上形成太陽能吸收功能膜的連續鍍膜室、后保持室、后真空鎖定室， 磁控濺射靶及靶材，電源，工藝氣體進氣管及控制系統，真空抽氣系統，有能放置一片或多
6片金屬基片的由玻璃板或金屬板制成的載片板，載片板以斷續方式快速通過前保持室和前真空鎖定室和同樣以斷續方式快速通過后保持室和后真空鎖定室的傳送機構是電機拖動轉動輥軸，輥軸表面摩擦傳送載片板，在大氣與前真空鎖定室之間、后真空鎖定室與大氣之間有真空閥門，前真空鎖定室與前保持室之間，后保持室與后真空鎖定室之間有真空閥門， 前保持室與連續鍍膜室之間、連續鍍膜室與后保持室之間有讓載片板分批次按生產節奏進入連續鍍膜室或退出連續鍍膜室的真空閥門。該裝置能在金屬基片上磁控濺射沉積太陽能吸收功能膜層，即從基片向外依次沉積紅外光波反射層(金屬膜)/至少一組由金屬膜或金屬介質復合膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層(介質膜)，或者從基片向外依次沉積紅外光波反射層(金屬膜)/吸熱半導體材料膜或金屬介質復合材料膜/減反射層(介質膜)。裝置包括至少5個鍍膜功能室，分為前真空鎖定室、前保持室、連續鍍膜室(前、后部分別設有緩沖室)、后保持室、后真空鎖定室，它們之間有真空閥門，這些閥門的開啟和關閉使各室都能建立起鍍膜工藝所需的I-QXliT1Pa真空度，在大氣與前(后)真空鎖定室之間，前(后)真空鎖定室與前(后)保持室之間閥門開啟關閉，載片板在轉動輥的傳送下呈一塊接一塊的或幾塊為一批的方式有節奏的快速進入(退出)各室，前(后)保持室與連續鍍膜室之間的閥門開啟關閉，載片板在轉動輥的傳送下呈一塊接一塊的或幾塊為一批的方式有節奏的快速的進入(退出)連續鍍膜室。上述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產裝置，在前保持室與連續鍍膜室之間有載片板由按生產節奏的斷續快速的進片方式變為呈一塊接一塊的連續勻速行進方式進入連續鍍膜室的前緩沖區(或稱前緩沖室)，基片上形成太陽能吸收功能膜后，連續鍍膜室與后保持室之間有使載片板呈一塊接一塊的連續勻速行進方式退出連續鍍膜室后形成按生產節奏的斷續快速的出片方式的后緩沖區(或稱后緩沖室)。當基片快速進入連續鍍膜室之后， 轉動輥的傳動速度變為磁控濺射靶沉積工藝速度所需要的慢速的、連續的、勻速的載片板運行速度，使分批次快速進入連續鍍膜室的基片一片接一片或一批次接一批次的連續的經過磁控濺射靶濺射沉積區，使片與片或批次與批次之間的距離變為盡可能的小，以使沉積不間斷、不空濺射，提高效率，減少空濺時靶材的浪費以及時間的浪費，節約成本。上述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產裝置，連續鍍膜室至少3組磁控濺射靶及相應的濺射腔室它們之間有隔板形成各自獨立腔室，配有獨立的抽真空系統，各自有獨立磁控濺射電源、工藝充氣管路及控制單元系統，使靶、充氣管道、真空抽氣系統集成在一個靶基座或腔室蓋板上成為一個單獨濺射模塊。單獨濺射模塊可以放在連續鍍膜室的任何工藝需要的位置工作，以方便實現鍍制不同膜系的吸熱功能膜層。上述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產裝置，至少3組濺射靶及相應的濺射腔室之間至少有一個基片得以通過的有狹縫的真空抽氣室作為隔離腔室。濺射靶及相應的濺射腔室之間至少有一個側壁開有狹縫(能通過基片)的真空抽氣室作為隔離腔室，不設門閥，通過狹縫抽真空，若有2至3個隔離腔室，就可使濺射室之間真空度差一個數量級，以方便不同靶腔實現不同的充氣氣氛和工藝條件，鍍制不同材質的膜層。上述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產裝置，磁控濺射靶是直流平面靶、直流柱形靶、中頻交流平面靶、中頻交流柱形靶、中頻交流柱形旋轉靶中的至少一種。因可以任意組合，方便實現鍍制不同膜系的吸熱功能膜層，特別是干涉膜堆類型的膜系。可以采用不同金屬材料的靶材用不同氣氛氣體實現化學計量比材質的膜層，也可以用陶瓷靶材直接鍍制介
7質膜。采用中頻交流柱形旋轉靶，可以提高濺射速率，提高生產效率，降低成本。本發明平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，采用長度方向大于600毫米、寬度方向大于300毫米的大面積金屬片作為基片，基片放置在由玻璃板或金屬板制成的載片板上，載片板上能放置一片或多片金屬基片，在水平布置的臥式鍍膜裝置上的連續鍍膜室中， 基片經過按照膜系配置的多個濺射模塊，基片從靶位下經過時依次沉積太陽能吸熱功能膜中的紅外光反射層/吸熱功能層/減反射層等膜層，本發明生產的吸熱鍍膜板具有吸收率高、發射率低的優點，且生產效率高，成本低。本發明平板太陽能吸熱鍍膜板的生產裝置，能高效率的生產膜層厚度控制方便、工藝實現靈活、大面積的平板太陽能吸熱鍍膜板，對環境污染小。


圖1為本發明裝置總體結構示意圖。圖2為本發明裝置傳送系統示意圖。圖3為本發明裝置真空閥關閉時傳送機構示意圖。圖4為本發明裝置真空閥開啟時傳動機構示意圖。圖5為載片板傳送方式示意圖。圖6為載片板另一傳送方式示意圖。圖7為磁控濺射靶及對應的濺射腔室示意圖。圖8為圖7 (單組)的俯視圖。圖9為本發明生產的平板太陽能吸熱鍍膜板結構示意圖。(基片上沉積了由金屬膜組成的紅外光波反射層/金屬膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層)。圖10為本發明生產的另一平板太陽能吸熱鍍膜板結構示意圖(基片上沉積了由金屬膜組成的紅外光波反射層/金屬介質復合材料膜/減反射層)。圖11為本發明生產的再一平板太陽能吸熱鍍膜板結構示意圖(基片上沉積了由金屬膜組成的紅外光波反射層/吸熱半導體材料膜/減反射層)。圖12為本發明裝置另一總體結構俯視示意圖。圖13為本發明裝置再一總體結構俯視示意圖。
具體實施例方式實施例1 圖1 圖9給出了本實施例1圖。參看圖1，本實施例1中的裝置包括上片區1， 前真空鎖定室2，前保持室3，連續鍍膜室4，，后保持室5，后真空鎖定室6，下片區7，以及連接各室的真空閥門8(8a、8b、8c、8d、8f)，其中8a、8f分別是前、后真空鎖定室與外界大氣之間的真空閥門，在連續鍍膜室4的前、后端分別為前緩沖室4M、后緩沖室4N。在連續鍍膜室 4內，按照實現沉積圖9所示基片27上沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層28/金屬膜30 與介質膜29組成的干涉膜堆(兩組)/減反射層31 (本實施例1太陽能吸熱膜系具體為基片/Al紅外光反射層/AlN-不銹鋼干涉復合膜(兩組)/AlN減反射層)，在磁控濺射靶的配置上，依次分布在8個磁控濺射靶及其相應的濺射腔室10a、10b、10c、10d、10e、IOf、10g、 IOh,依次為2個B革巴(10a、10b) /1個A靶(IOc) /1個B靶(IOd) /1個A靶(IOe) /1個B靶(IOf)/2個A靶(10g、10h) (A靶為用于鍍制介質膜或金屬-介質復合膜或吸熱半導體膜的中頻交流柱形旋轉靶或中頻交流平面靶，B靶位用于鍍制金屬膜層或紅外光波反射膜層的直流平面靶)。各濺射腔室之間存在隔離腔室9(9a、9b、9C、9d、9e、9f、9g9h)以實現各濺射腔室的工作氣氛環境的獨立。本裝置中還設有電源，工藝氣體進氣管及控制系統，真空抽氣系統。圖2是本實施例裝置中傳送系統示意圖中，載片板傳送系統是由減速機11通過鏈條13帶動的輥軸12構成，輥軸12貫穿前后(上片區1開始，到下片區7)。減速機11 (11a、 llb、llc、lld、lle、llf、llg、llh、lli)的轉速可調，可各自單獨控制。圖3、圖4是傳送機構示意圖，減速機11 (Ila-Ili)與輥軸12通過鏈條(也可用齒型帶)相連，各輥軸的兩端用軸承固定在腔室的底部。輥軸與輥軸之間設有托塊14(也可不設托塊14)，在真空閥門8的兩側也設有托塊15 (也可不設托塊15)，目的是使載片板16 在輥軸上行進時其前端不至于竄入輥軸之下。隨真空閥門8的開閉(圖3為真空閥門8關閉，圖4為真空閥門8開啟時)配合墊板15，在載片板16跨越真空閥門8時幫助載片板16 順利跨過。圖5、圖6為本實施例裝置的載片板傳送方式示意圖，圖5為本實施例裝置所采用的載片板一塊接一塊傳送方式。基片27放置在載片板16上，從上片區1進入前真空鎖定室2、前保持室3及從后保持室5退出到后真空鎖定室6、下片區7，伴隨真空閥門8a、8b、8e、 8f的開啟關閉，呈現出快速的、斷續的、有節奏的傳送特點。而在前、后保持室(3和5)真空閥門(8c和8d)的開啟和關閉時，載片板快速的送人或退出連續鍍膜室內的緩沖區(4M和 4N)，斷續的按節奏進入、退出的基片在轉動軸的減速傳送下(傳送節奏、速度發生變化)， 呈一片接一片連續勻速的進行均勻的沉積膜層，載片板與載片板之間的距離為20毫米至 500毫米。圖6是本實施例裝置可以采用的另一種傳送方式，即一批接一批的方式，這種方式增加真空閥門8開啟、關閉時每一次進出本實施例裝置的載片板數目，提高生產效率。圖7、圖8為本實施例中連續鍍膜室內磁控濺射靶及對應的濺射腔室示意圖(圖 7、圖8分別為側視圖和俯視圖)。磁控濺射靶23及相應的濺射腔室32之間由隔板17分割而形成各自獨立的腔室，濺射腔室32之間有一個載片板16和基片27得以通過的有狹縫 33的真空抽氣室作為隔離腔室34，可開啟的靶腔箱蓋18壓在腔室之上(壓力面有真空密封圈)。位于靶腔箱蓋上面分子泵19由氣道20通入腔室，同時通過氣管21與機械泵(圖中未畫出)相連，構成單獨的真空抽氣系統；兩根充氣管22橫貫位于濺射靶23兩側，縱貫這個腔室，其端頭經過混氣箱24連接到分別控制沉積太陽能吸熱功能膜所需的工藝氣體氬氣、氮氣和氧氣的三個氣體流量計25a、25b、25c的出口，形成了單獨的充氣控制系統。濺射靶23為直流平面靶，通過靶腔箱蓋18上的電源接頭26連接到濺射電源，形成單獨的濺射靶系統。濺射靶23還根據不同的需要采用為中頻交流柱形旋轉靶、中頻交流平面靶。上述真空抽氣系統、充氣控制系統、濺射靶都集成在靶腔箱蓋(靶基座)18上，形成了一個獨立的濺射模塊，可按不同膜系的工藝要求移動。本實施例裝置工作時，以大面積單張金屬片作為太陽能鍍膜板的基片27，基片27 放置在由玻璃板(或金屬板)制成的載片板16上，載片板16上能放置一片或多片金屬基片，載片板以斷續方式通過臥式鍍膜裝置中的前真空鎖定室2、前保持室3、前緩沖區4M，進入到連續鍍膜室4中，連續鍍膜室4有8組磁控濺射靶與相應的濺射腔室，載片板進入連續鍍膜室由減速機拖動的水平布置轉動輥軸12 —塊接一塊的、連續勻速的傳送，基片經過磁控濺射靶與相應的濺射腔室，在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/金屬膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層，以此在基片上形成太陽能吸收功能膜，連續鍍膜室后有后緩沖區4N、后保持室5和后真空鎖定室6，外界大氣與前真空鎖定室之間、前真空鎖定室與前保持室之間、前保持室與連續鍍膜室之間、連續鍍膜室與后保持室之間、后保持室與后真空鎖定室之間、后真空鎖定室與外界大氣之間設有真空閥門，當前后真空鎖定室和前后保持室的真空度達到連續鍍膜室的鍍膜工作真空度1-9X KT1Pa,他們之間的真空閥門開啟讓基片分批次按節奏進入連續鍍膜室或退出連續鍍膜室，前后真空鎖定室與大氣之間的閥門開閉一次進出載片板一批為一個生產節奏，載片板與載片板之間的距離為20毫米至500毫米，基片上形成太陽能吸收功能膜后，依次從后緩沖區、后保持室和后真空鎖定室出來，生產出平板太陽能吸熱鍍膜板。本實施例中，為了沉積圖9所示介質-金屬干涉疊堆類型的一種太陽能吸熱膜系 基片/Al紅外光反射層/兩組AlN介質層-不銹鋼干涉復合層/AlN介質反射層，在磁控濺射靶配置如下濺射靶10a、10b用于沉積采用直流平面靶，靶材為鋁，只充入濺射氣體Ar ； 10cU0eU0gU0h采用中頻交流柱形旋轉靶，靶材為不銹鋼，充入濺射氣體Ar和反應氣體 N2 ； IOcUlOf采用直流平面靶，只充入濺射氣體Ar。具體工藝如下
靶位本底真空度(Pa)充氣(sccm) Ar/N2/02工作候真空度(Pa)濺射功率 (KW)基片傳送速度 (m/rain)10a、 IOb3X10":i380/0/02-5 X IO"1250. 6IOc3X IO"3210/100/02-5 X 10"'25IOd3 X IO"3210/0/02-5 X 10"'3IOe3 X IO"3215/90/02 5 X IO"128IOf3X IO"3215/0/02-5X10"1. 510h、 IOg3 X IO"3206/125/02-5 X IO"114本實施例所獲得的“干涉膜堆”類型太陽能吸熱鍍膜板(膜系為基片/Al紅外光反射層/AlN-不銹鋼干涉復合層(兩組)/AlN減反射層)的鍍膜層厚度依次為60-200nm、 20-80nm、10-20nm、20-80nm、6-12nm、20-80nm，優化厚度依次為 120-180nm、40_70nm、 12-18nm、40-70nm、6-10nm、40-70nm，經過光譜測試、計算，其太陽能吸收率為93%，發射率為6%。實施例2 圖2 圖8、圖10、圖12給出了本發明實施例2圖。本實施例2基本與實施例1 同，不同處是本實施例主要沉積圖10所示的氮氧化物的“吸熱半導體材料膜系”類型的一種太陽能吸熱鍍膜板，選用的膜系為基片27/A1紅外光反射層28/CrNiOyNx半導體吸收層 (吸熱半導體材料膜)35/SiN減反射層36，以2000 X 1000 X 0. 2mm的鋁材為基片。鍍膜裝置的所采用的傳動系統、傳動機構、基片的傳送方式、濺射靶及其對應的濺射腔室的結構都與
10實施例1中圖2、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8所示結構和方式一樣，只是根據所沉積的太陽能吸收膜系的不同，連續鍍膜室內的濺射靶及其對應的腔室的配置做了調整，參見圖12。圖12為本實施例裝置總體結構示意圖(俯視圖)，其包括的上片區1、前真空鎖定室2、前保持室3、連續鍍膜室4、后保持室5、后真空鎖定室6、下片區7、真空閥8 (8a-8f) 以及連續鍍膜室4的前、后端的前、后緩沖室4M、4N都與實施例1中圖1所示的一樣。在連續鍍膜室4內，依據要沉積的基片/Al紅外光反射層/CrNiOyNx半導體吸收層/SiN減反射層的膜系，其中CrNiOyNx中的0、N的含量在充氣時調整(可見下表內充氣一欄)，在濺射靶的配置上，依次分布在7個濺射靶及其相應的濺射腔室10 (IOa-IOg)，依次為2個B靶 (10a、IOb)/3個A靶(10C、10d、10e)/2個A靶(IOfUOg)0各濺射腔室之間存在隔離腔室 9 (9a-9f)以實現各濺射腔室的工作氣氛環境的獨立。IOaUOb用于沉積在基片上的Al紅外光反射層，采用直流平面靶，鋁靶材，只充入濺射氣體Ar ； 10c、IOcUlOe用于沉積CrNiOyNx半導體吸收層，其中CrNiOyNx中的0、N的含量在充氣時調整(可見下表內充氣一欄)，采用中頻交流柱形旋轉靶，靶材為CrNi合金，充入流量一樣濺射氣體Ar和反應氣體02、N2 ； 10g、IOh用于沉積SiN減反射層，采用中頻交流平面靶，充入Ar、N2。具體工藝如下
權利要求
1.平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于以大面積金屬片作為太陽能鍍膜板的基片，一片或多片基片放置在由玻璃板或金屬板制成的載片板上，載片板以斷續方式被轉動輥軸傳送快速進入和通過臥式鍍膜裝置中的前真空鎖定室、前保持室后，載片板一塊接一塊的、連續勻速依次進入到至少有3組磁控濺射靶與相應的濺射腔室的連續鍍膜室中，載片板在連續鍍膜室內由減速機拖動的水平布置轉動輥軸一塊接一塊的、連續勻速的傳送，基片經過磁控濺射靶與相應的濺射腔室，在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/至少一組由金屬膜或金屬介質復合膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層，或者在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/吸熱半導體材料膜或金屬介質復合材料膜/減反射層，從而在基片上形成太陽能吸收功能膜，連續鍍膜室后有后保持室和后真空鎖定室，基片的出片與進片方式相同，也是以斷續方式被轉動輥軸傳送快速退出和通過后保持室和后真空鎖定室，進片、鍍膜和出片的具體方法為外界大氣與前真空鎖定室之間、前真空鎖定室與前保持室之間、前保持室與連續鍍膜室之間、連續鍍膜室與后保持室之間、后保持室與后真空鎖定室之間、后真空鎖定室與外界大氣之間設有真空閥門，當前、 后真空鎖定室和前、后保持室的真空度達到連續鍍膜室的鍍膜工作真空度I-QXlO-1Pa,各室與室之間的真空閥門開啟讓載片板分批次按生產節奏進入連續鍍膜室或退出連續鍍膜室，前、后真空鎖定室與大氣之間的真空閥門開閉一次進出載片板一塊或幾塊為一批為一個生產節奏，是斷續進出片方式，而在連續鍍膜室中載片板一塊或幾塊為一批均為連續走片方式，基片上形成太陽能吸收功能膜后，被轉動輥軸傳送快速依次從后保持室和后真空鎖定室以斷續方式快速出片，生產出平板太陽能吸熱鍍膜板。
2.如權利要求1所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于在前保持室與連續鍍膜室之間、連續鍍膜室與后保持室之間有一段緩沖區，使載片板按生產節奏的斷續快速的進片方式在前緩沖區中變為呈一塊接一塊的連續勻速行進方式進入連續鍍膜室，基片上形成太陽能吸收功能膜后，載片板呈一塊接一塊的連續勻速行進方式退出連續鍍膜室進入后緩沖區中，使載片板在后緩沖區中形成按生產節奏的斷續快速的一塊接一塊或幾塊為一批的出片方式。
3.如權利要求1或2所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于載片板與載片板之間的距離為20毫米至500毫米。
4.如權利要求1或2所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于連續鍍膜室至少3組磁控濺射靶及相應的濺射腔室之間由隔板分割而形成各自獨立的腔室，各自獨立的腔室有獨立的磁控濺射電源及工藝充氣控制單元系統，每組磁控濺射靶分別單獨控制電源功率和鍍膜所需的工藝氣體。
5.如權利要求1或2所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于磁控濺射靶及相應的濺射腔室之間至少有一個真空抽氣室做為隔離腔室，以保持靶位、腔室之間不竄氣，避免各腔室之間互相干擾工藝氣體和真空度。
6.如權利要求1或2所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于磁控濺射靶及相應的濺射腔室中單獨的靶的類型是直流平面靶、直流柱形靶、中頻交流平面靶、中頻交流柱形靶中的至少一種。
7.如權利要求1或2所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于鍍介質膜或金屬介質復合膜或吸熱半導體材料膜的磁控濺射靶是中頻交流柱形旋轉靶或者中頻交流平面靶，靶材是金屬靶，濺射時充入工藝氣體Ar以及N2和/或O2沉積成金屬氮和/或氧化合物或金屬介質復合膜或者吸熱半導體材料膜。
8.如權利要求1或2所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于濺射腔室鍍介質膜或金屬介質復合膜或吸熱半導體材料膜的中頻交流柱形旋轉靶或中頻交流平面靶為A靶，鍍金屬膜或紅外光波反射膜的直流平面靶為B靶，其A靶與B靶的配置依次序為 1至4個B靶/1至5個A靶/1至4個B靶/1至5個A靶/1至4個B靶/1至5個A靶， 或者配置為1至4個B靶/1至5個A靶/1至5個A靶，在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/至少一組由金屬膜或金屬介質復合膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層，或者在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/吸熱半導體材料膜或金屬介質復合材料膜/減反射層，生產出太陽能吸熱功能膜系。
9.如權利要求1或2所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，其特征在于單張金屬基片長度方向大于600毫米、寬度方向大于300毫米。
10.平板太陽能吸熱鍍膜板的生產裝置，包括前真空鎖定室、前保持室、至少有3組磁控濺射靶與相應的濺射腔室的能在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/至少一組由金屬膜或金屬介質復合膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層、或者在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/吸熱半導體材料膜或金屬介質復合材料膜/減反射層、以此在基片上形成太陽能吸收功能膜的連續鍍膜室、后保持室、后真空鎖定室，磁控濺射靶及靶材，電源，工藝氣體進氣管及控制系統，真空抽氣系統，其特征在于有能放置一片或多片基片的由玻璃板或金屬板制成的載片板，載片板以斷續方式快速通過前保持室和前真空鎖定室和同樣以斷續方式快速通過后保持室和后真空鎖定室的傳送機構是電機拖動轉動輥軸，輥軸表面摩擦傳送載片板，在大氣與前真空鎖定室之間、后真空鎖定室與大氣之間有真空閥門，前真空鎖定室與前保持室之間，后保持室與后真空鎖定室之間有真空閥門，前保持室與連續鍍膜室之間、連續鍍膜室與后保持室之間有讓載片板分批次按生產節奏進入連續鍍膜室或退出連續鍍膜室的真空閥門。
11.如權利要求10所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產裝置，其特征在于在前保持室與連續鍍膜室之間有載片板由按生產節奏的斷續快速的進片方式變為呈一塊接一塊的連續勻速行進方式進入連續鍍膜室的前緩沖區，基片上形成太陽能吸收功能膜后，連續鍍膜室與后保持室之間有使載片板呈一塊接一塊的連續勻速行進方式退出連續鍍膜室后形成按生產節奏的斷續快速的出片方式的后緩沖區。
12.如權利要求10或11所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產裝置，其特征在于連續鍍膜室至少3組磁控濺射靶及相應的濺射腔室之間有隔板形成各自獨立腔室，配有獨立的抽真空系統，各自有獨立磁控濺射電源、工藝充氣管路及控制單元系統，使靶、充氣管道、真空抽氣系統集成在一個靶基座或腔室蓋板上成為一個單獨濺射模塊。
13.如權利要求10或11所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產裝置，其特征在于至少 3組磁控濺射靶及相應的濺射腔室間至少有一個基片得以通過的有狹縫的真空抽氣室作為隔離腔室。
14.如權利要求10或11所述的平板太陽能吸熱鍍膜板的生產裝置，其特征在于磁控濺射靶是直流平面靶、直流柱形靶、中頻交流平面靶、中頻交流柱形靶、中頻交流柱形旋轉靶中的至少一種。
全文摘要
本發明提供了平板太陽能吸熱鍍膜板的生產方法，采用大面積金屬片作為基片，基片放置在由玻璃板或金屬板制成的載片板上，在臥式鍍膜裝置上由減速機經過齒型帶或鏈條拖動的轉動輥軸系統來傳送載片板，隨著鍍膜裝置真空閥門的啟閉，載片板分批進入臥式鍍膜裝置，在連續鍍膜室中，基片經過按照膜系配置的多個濺射模塊，基片從靶位下經過時依次沉積太陽能吸熱功能膜中的紅外光反射層/吸熱功能層/減反射層等膜層。本發明還提供了平板太陽能吸熱鍍膜板的生產裝置，包括載片板、前真空鎖定室、前保持室、連續鍍膜室、后保持室和后鎖定室。本發明生產的吸熱鍍膜板具有吸收率高、發射率低的優點。本發明生產效率高，成本低。
文檔編號C23C14/35GK102220559SQ20101014716
公開日2011年10月19日 申請日期2010年4月15日 優先權日2010年4月15日
發明者甘國工 申請人:甘國工