專利名稱：生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及太陽能光熱利用領域，特別涉及的是生產平板太陽能吸熱鍍膜板 的裝置。
技術背景太陽能資源是21世紀的新能源，太陽能制冷、太陽能熱水器、太陽能發電、海水凈 化等都是重要的應用領域。選擇性吸熱薄膜具有可見光_近紅外光區高吸收率、紅外光區 高反射率的性能優點，其生產方法及裝置成為太陽能利用技術的重要研究方向，目前所采 用太陽能選擇性吸熱薄膜的生產方法有以下幾種類型，且都具有相應的局限性玻璃管真空管型將直徑不同的兩個玻璃管的兩端封接在一起，兩管之間的空間 形成封接時抽成真空，內管的外壁沉積有太陽能吸熱涂層，吸收太能輻射能而使溫度升高， 內部通水帶走熱能，完成光熱轉換過程。其不足之處在于碰撞易碎，斷水時干燒易炸管，同 時在建筑節能一體化時不宜作為建筑外壁、房頂。普通平板吸熱涂層采用電鍍、刷涂等方式在金屬基片上形成吸熱涂層，其不足之 處在于外紅光發射率高，太陽能吸收率低，太陽能利用效率低，同時這種生產方式對環境有
一定污染。電子槍蒸發和離子源輔助的方式沉積太陽能吸熱涂層，這種方式具有沉積速率高 的優勢。其缺點是單個電子槍所獲得的鍍材的蒸發云不足以覆蓋基片的幅寬，需兩支電子 槍合并使用才能滿足寬度上的均勻性，同時由于沉積速率高，膜層厚度控制困難，對于沉積 金屬層厚度僅為IOnm左右的介質-金屬干涉膜組類型的太陽吸熱膜層，光學厚度精度在2 至3nm左右時的控制更難實現
實用新型內容
鑒于以上原因，本實用新型的目的是為了克服以上不足，提供一種能高效率的生 產膜層厚度控制方便、工藝實現靈活、大面積(單張鍍膜板的長度方向大于600毫米、寬度 方向大于300毫米)的平板太陽能吸熱鍍膜板，環境污染程度小的生產平板太陽能吸熱鍍 膜板的裝置。本實用新型的目的是這樣來實現的本實用新型生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，包括前真空鎖定室、前保持室、至 少有三組磁控濺射靶與相應的濺射腔室的能在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波 反射層/至少一組由金屬膜或金屬介質復合膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層、或者 在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/吸熱半導體材料膜或金屬介質復合 材料膜/減反射層、以此在基片上形成太陽能吸收功能膜的連續鍍膜室、后保持室、后真空 鎖定室，磁控濺射靶及靶材，電源，工藝氣體進氣管及控制系統，真空抽氣系統，基片傳送機 構，其特征是基片以斷續方式快速通過前保持室和前真空鎖定室和同樣以斷續方式快速通 過后保持室和后真空鎖定室的傳送機構是電機拖動轉動輥軸，輥軸表面摩擦傳送基片，在大氣與前真空鎖定室之間、后真空鎖定室與大氣之間有真空閥門，前真空鎖定室與前保持 室之間，后保持室與后真空鎖定室之間有真空閥門，前保持室與連續鍍膜室之間、連續鍍膜 室與后保持室之間有讓基片分批次按生產節奏進入連續鍍膜室或退出連續鍍膜室的真空 閥門。該裝置能在金屬基片上磁控濺射沉積太陽能吸收功能膜層，即從基片向外依次沉積 紅外光波反射層(金屬膜)/至少一組由金屬膜或金屬介質復合膜與介質膜組成的干涉膜 堆/減反射層(介質膜)，或者從基片向外依次沉積紅外光波反射層(金屬膜)/吸熱半導 體材料膜或金屬介質復合材料膜/減反射層(介質膜)。裝置包括至少五個鍍膜功能室， 分為前真空鎖定室、前保持室、連續鍍膜室(前、后部分別設有緩沖室)、后保持室、后真空 鎖定室，它們之間有真空閥門，這些閥門的開啟和關閉使各室都能建立起鍍膜工藝所需的 1-9X ICT1Pa真空度，在大氣與前(后)真空鎖定室之間，前(后)真空鎖定室與前(后)保 持室之間閥門開啟關閉，基片在轉動輥的傳送下呈一片一片的或一批一批的方式有節奏的 快速進入(退出)各室，前(后)保持室與連續鍍膜室之間的閥門開啟關閉，基片在轉動輥 的傳送下呈一片一片的或一批次多片一批次多片的方式有節奏的快速的進入(退出)連續 鍍膜室。上述的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，在前保持室與連續鍍膜室之間有基片 由按生產節奏的斷續快速的進片方式變為呈一片接一片的連續勻速行進方式進入連續鍍 膜室的前緩沖區(或稱前緩沖室)，基片上形成太陽能吸收功能膜后，連續鍍膜室與后保持 室之間有使基片呈一片接一片的連續勻速行進方式退出連續鍍膜室后形成按生產節奏的 斷續快速的出片方式的后緩沖區(或稱后緩沖室)。當基片快速進入連續鍍膜室之后，轉動 輥的傳動速度變為磁控濺射靶沉積工藝速度所需要的慢速的、連續的、勻速的基片運行速 度，使分批次快速進入連續鍍膜室的基片一片接一片或一批次接一批次的連續的經過磁控 濺射靶濺射沉積區，使片與片或批次與批次之間的距離變為盡可能的小，以使沉積不間斷、 不空濺射，提高效率，減少空濺時靶材的浪費以及時間的浪費，節約成本。上述的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，在低于轉動輥軸與基片接觸面的轉動 輥軸間布設托板或托條。為防止在轉動輥間隔大于一定距離時薄形金屬基片前端部掉入間 隔，在轉動輥之間低于輥上平面處設有托板或托條。上述的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，在鍍膜裝置至少5個功能室的閥門 處，設有隨閥門的開啟能上升或下降的基片傳送過渡輥軸或過渡墊板。在名室之間有幫助 基片跨越閥門與輥間距的隨閥門開啟關閉隨動的過渡墊板機構，也可以是墊輥、墊條、支撐 條、支撐網等。上述的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，連續鍍膜室至少3組磁控濺射靶及相 應的濺射腔室它們之間有隔板形成各自獨立腔室，配有獨立的抽真空系統，各自有獨立磁 控濺射電源、工藝充氣管路及控制單元系統，使靶、充氣管道、真空抽氣系統集成在一個靶 基座或腔室蓋板上成為一個單獨濺射模塊。單獨濺射模塊可以放在連續鍍膜室的任何工藝 需要的位置工作，以方便實現鍍制不同膜系的吸熱功能膜層。上述的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，至少三組濺射靶及相應的濺射腔室他 們之間至少有一個基片得以通過的有狹縫的真空抽氣室作為隔離腔室。濺射靶及相應的濺 射腔室他們之間至少有一個側壁開有狹縫(能通過基片)的真空抽氣室作為隔離腔室，不 設門閥，通過狹縫抽真空，若有2至3個隔離腔室，就可使濺射室之間真空度差一個數量級，以方便不同靶腔實現不同的充氣氣氛和工藝條件，鍍制不同材質的膜層。上述的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，磁控濺射靶是直流平面靶、直流柱形 靶、中頻交流平面靶、中頻交流柱形靶中的至少一種。因可以任意組合，方便實現鍍制不同 膜系的吸熱功能膜層，特別是干涉膜堆類型的膜系。上述的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，磁控濺射靶是中頻交流柱形旋轉靶。 可以采用不同金屬材料的靶材用不同氣氛氣體實現化學計量比材質的膜層，也可以用陶瓷 靶材直接鍍制介質膜。采用中頻交流柱形旋轉靶，可以提高濺射速率，提高生產效率，降低 成本。采用長度方向大于600毫米、寬度方向大于300毫米的大面積單張金屬片作為基 片，在本實用新型裝置上的連續鍍膜室中，基片從靶位下經過時依次沉積太陽能吸熱功能 膜中的紅外光反射層/吸熱功能層/減反射層等膜層，本實用新型裝置生產的吸熱鍍膜板 具有吸收率高、發射率低的優點，成本低。本實用新型裝置能高效率的生產膜層厚度控制方 便、工藝實現靈活、大面積的平板太陽能吸熱鍍膜板。

圖1為本實用新型裝置總體結構示意圖。圖2為本實用新型裝置傳送系統示意圖。圖3為本實用新型裝置真空閥關閉時傳送機構示意圖。圖4為本實用新型裝置真空閥開啟時傳動機構示意圖。圖5為基片傳送方式示意圖。圖6為基片另一傳送方式示意圖。圖7為濺射靶及對應的濺射腔室示意圖。圖8為圖7的俯視圖。圖9為本實用新型生產的平板太陽能吸熱鍍膜板結構示意圖。(基片上沉積了由 金屬膜組成的紅外光波反射層/金屬膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層)。圖10為本實用新型生產的另一平板太陽能吸熱鍍膜板結構示意圖(基片上沉積 了由金屬膜組成的紅外光波反射層/金屬介質復合材料膜/減反射層)。圖11為本實用新型生產的再一平板太陽能吸熱鍍膜板結構示意圖(基片上沉積 了由金屬膜組成的紅外光波反射層/吸熱半導體材料膜/減反射層)。圖12為本實用新型裝置另一總體結構示意圖。圖13為本實用新型裝置再一總體結構示意圖。
具體實施方式
實施例1 圖1 圖9給出了本實施例1圖。參看圖1，本實施例1中的裝置包括上片區1， 前真空鎖定室2，前保持室3，連續鍍膜室4，，后保持室5，后真空鎖定室6，下片區7，以及連 接各室的真空閥門8(8a、8b、8c、8d、8f)，其中8a、8f分別是前、后真空鎖定室與外界大氣之 間的真空閥門，在連續鍍膜室4的前、后端分別為前緩沖室4M、后緩沖室4N。在連續鍍膜 室4內，按照實現沉積圖9所示基片27上沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層28/金屬膜
530與介質膜29組成的干涉膜堆(兩組)/減反射層31 (本實施例1太陽能吸熱膜系具體 為基片/Al紅外光反射層/AlN-不銹鋼干涉復合膜(兩組)/AlN減反射層)，在濺射靶的 配置上，依次分布在8個磁控濺射靶及其相應的濺射腔室10a、10b、10c、10d、10e、IOf、10g、 IOh,依次為2個B革巴(10a、10b) /1個A靶(IOc) /1個B靶(IOd) /1個A靶(IOe) /1個B靶 (IOf)/2個A靶(10g、10h) (A靶為用于鍍制介質膜或金屬-介質復合膜或吸熱半導體膜的 中頻交流柱形旋轉靶或中頻交流平面靶，B靶位用于鍍制金屬膜層或紅外光波反射膜層的 直流平面靶)。各濺射腔室之間存在隔離腔室9(9a、9b、9C、9d、9e、9f、9g9h)以實現各濺射 腔室的工作氣氛環境的獨立。本裝置中還設有電源，工藝氣體進氣管及控制系統，真空抽氣 系統。圖2是本實施例裝置中傳送系統示意圖?；瑐魉拖到y是由減速機11通過鏈條 13帶動的輥軸12構成，輥軸12貫穿前后(上片區1開始，到下片區7)。減速機11 (11a、 llb、llc、lld、lle、llf、llg、llh、lli)的轉速可調，可各自單獨控制。圖3、圖4是傳送機構示意圖，減速機11 (Ila-Ili)與輥軸12通過鏈條(也可用齒 型帶)相連，各輥軸的兩端用軸承固定在腔室的底部。輥軸與輥軸之間設有托塊14，在真空 閥門8的兩側也設有托塊15，目的是使薄片基片在輥軸上行進時其前端不至于竄入輥軸之 下。隨真空閥門8的開閉(圖3為真空閥門8關閉，圖4為真空閥門8開啟時)而上升或 下降的過渡墊板機構16(兩端由短繩吊在真空閥門8上)配合墊板15，在基片27跨越真空 閥門8時幫助薄形金屬基片順利跨過。圖5、圖6為本實施例裝置的基片傳送方式示意圖，圖5為本實施例裝置所采用的 一片接一片傳送方式。基片27從上片區1進入前真空鎖定室2、前保持室3及從后保持室 5退出到后真空鎖定室6、下片區7，伴隨真空閥門8a、8b、8e、8f的開啟關閉，呈現出快速的、 斷續的、有節奏的傳送特點。而在前、后保持室(3和5)真空閥門(8c和8d)的開啟和關閉 時，基片快速的送人或退出連續鍍膜室內的緩沖區(4M和4N)，斷續的按節奏進入、退出的 基片在轉動軸的減速傳送下(傳送節奏、速度發生變化)，呈一片接一片連續勻速的進行均 勻的沉積膜層，片與片之間的距離為20毫米至500毫米。圖6是本實施例裝置可以采用的 另一種傳送方式，即一批接一批的方式，這種方式增加真空閥門8開啟、關閉時每一次進出 本實施例裝置的基片數目，提高生產效率。圖7、圖8為本實施例中連續電度膜室內濺射靶及對應的濺射腔室示意圖(圖7、 圖8分別為側視圖和俯視圖)。濺射靶23及相應的濺射腔室32之間由隔板17分割而形 成各自獨立的腔室，濺射腔室32之間有一個基片27得以通過的有狹縫33的真空抽氣室作 為隔離腔室34，可開啟的靶腔箱蓋18壓在腔室之上(壓力面有真空密封圈)。位于靶腔箱 蓋上面分子泵19由氣道20通入腔室，同時通過氣管21與機械泵(圖中未畫出)相連，構 成單獨的真空抽氣系統；兩根充氣管22橫貫位于濺射靶23兩側，縱貫這個腔室，其端頭經 過混氣箱24連接到分別控制沉積太陽能吸熱功能膜所需的工藝氣體氬氣、氮氣和氧氣的 三個氣體流量計25a、25b、25c的出口，形成了單獨的充氣控制系統。濺射靶23為直流平面 靶，通過靶腔箱蓋18上的電源接頭26連接到濺射電源，形成單獨的濺射靶系統。濺射靶23 還根據不同的需要采用為中頻交流柱形旋轉靶、中頻交流平面靶。上述真空抽氣系統、充氣 控制系統、濺射靶都集成在靶腔箱蓋(靶基座)18上，形成了一個獨立的濺射模塊，可按不 同膜系的工藝要求移動。[0036]本實施例裝置工作時，以大面積單張金屬片作為太陽能鍍膜板的基片27，基片27 以斷續方式通過臥式鍍膜裝置中的前真空鎖定室2、前保持室3、前緩沖區4M，進入到連續 鍍膜室4中，連續鍍膜室4有8組磁控濺射靶與相應的濺射腔室，基片進入連續鍍膜室由減 速機拖動的水平布置轉動輥軸12 —片接一片的、連續勻速的傳送，基片經過磁控濺射靶與 相應的濺射腔室，在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/金屬膜與介質膜組 成的干涉膜堆/減反射層，以此在基片上形成太陽能吸收功能膜，連續鍍膜室后有后緩沖 區4N、后保持室5和后真空鎖定室6，外界大氣與前真空鎖定室之間、前真空鎖定室與前保 持室之間、前保持室與連續鍍膜室之間、連續鍍膜室與后保持室之間、后保持室與后真空鎖 定室之間、后真空鎖定室與外界大氣之間設有真空閥門，當前后真空鎖定室和前后保持室 的真空度達到連續鍍膜室的鍍膜工作真空度1-9X ICT1Pa,各室與室之間的真空閥門開啟讓 基片分批次按節奏進入連續鍍膜室或退出連續鍍膜室，前后真空鎖定室與大氣之間的閥門 開閉一次進出鍍膜基片一批為一個生產節奏，片與片或批與批之間的距離為20毫米至500 毫米，基片上形成太陽能吸收功能膜后，依次從后緩沖區、后保持室和后真空鎖定室出來， 生產出平板太陽能吸熱鍍膜板。本實施例中，為了沉積圖9所示介質-金屬干涉疊堆類型的一種太陽能吸熱膜系 基片/Al紅外光反射層/兩組AlN介質層-不銹鋼干涉復合層/AlN介質反射層，在濺射靶 配置如下濺射靶10a、10b用于沉積采用直流平面靶，靶材為鋁，只充入濺射氣體Ar ；10c、 10e、10g、IOh采用中頻交流柱形旋轉靶，靶材為不銹鋼，充入濺射氣體Ar和反應氣體N2 ； IOcUlOf采用直流平面靶，只充入濺射氣體Ar。具體工藝如下
靶位本底真空度 (Pa)充氣(sccm) Ar/N2/ 02工作 真空度(Pa)減射功率 (KW)基片傳送 速 度 (m/min)10a、 IOb3 X10:i380/0/02-5X10"'250. 6IOc3 X IO"3210/100/02-5X10"'25IOd3 XlO"3210/0/02-5X10”3IOe3X10—:i215/90/02-5 X ICT128IOf3 X IO"3215/0/02-5 X IO"11. 510h、 IOg3X10":!206/125/02-5 X IO"114本實施例所獲得的“干涉膜堆”類型太陽能吸熱鍍膜板(膜系為基片/Al紅外光 反射層/AlN-不銹鋼干涉復合層(兩組)/AlN減反射層)的鍍膜層厚度依次為60-200nm、 20-80nm、10-20nm、20-80nm、6-12nm、20-80nm，優化厚度依次為 120-180nm、40_70nm、 12-18nm、40-70nm、6-10nm、40-70nm，經過光譜測試、計算，其太陽能吸收率為93%，發射率 為6%。實施例2 圖1 圖8、圖10、圖12給出了本實用新型實施例2圖。本實施例2基本與實施 例1同，不同處是本實例主要沉積圖10所示的氮氧化物的“吸熱半導體材料膜系”類型的一種太陽能吸熱鍍膜板，選用的膜系為基片27/A1紅外光反射層28/CrNiOyNx半導體吸收 層(吸熱半導體材料膜)35/SiN減反射層36，以2000 X 1000 X 0.2mm的鋁材為基片。本實 施例裝置的所采用的傳動系統、傳動機構、基片的傳送方式、濺射靶及其對應的濺射腔室的 結構都與實施例1中圖2、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8所示結構和方式一樣，只是根據所 沉積的太陽能吸收膜系的不同，連續鍍膜室內的濺射靶及其對應的腔室的配置做了調整， 參見圖12。圖12為本實施例裝置總體結構示意圖(俯視圖)，其包括的上片區1、前真空鎖 定室2、前保持室3、連續鍍膜室4、后保持室5、后真空鎖定室6、下片區7、真空閥8 (8a-8f) 以及連續鍍膜室4的前、后端的前、后緩沖室4M、4N都與實例一中圖1所示的一樣。在連 續鍍膜室4內，依據要沉積的基片/Al紅外光反射層/CrNiOyNx半導體吸收層/SiN減反 射層的膜系，其中CrNiOyNx中的0、N的含量在充氣時調整(可見下表內充氣一欄)，在濺 射靶的配置上，依次分布在7個濺射靶及其相應的濺射腔室10 (IOa-IOg)，依次為2個B靶 (10a、IOb)/3個A靶(10C、10d、10e)/2個A靶(IOfUOg)0各濺射腔室之間存在隔離腔室 9 (9a-9f)以實現各濺射腔室的工作氣氛環境的獨立。IOaUOb用于沉積在基片上的Al紅外光反射層，采用直流平面靶，鋁靶材，只充入 濺射氣體Ar ； 10c、IOcUlOe用于沉積CrNiOyNx半導體吸收層，其中CrNiOyNx中的0、N的含 量在充氣時調整(可見下表內充氣一欄)，采用中頻交流柱形旋轉靶，靶材為CrNi合金，充 入流量一樣濺射氣體Ar和反應氣體02、N2 ； 10g、IOh用于沉積SiN減反射層，采用中頻交流 平面靶，充入Ar、N2。具體工藝如下 濺射靶10c、10d、10e用于沉積同一種膜層，且工藝參數一樣，所以在本實例中的 IOcUOd,IOe之間不采用隔離腔室。本實例中所沉積的基片/Al紅外光反射層/CrNiOyNx半導體吸收層/SiN減 反射層這一膜系中鍍膜層厚度依次為80-200nm，60-160nm, 20-100nm,優化厚度依次為 100-160nm, 80-140nm, 40-80nm,經過光譜測試、計算，其太陽能吸收率為90. 5 %，發射率為9%。實施例3 圖1 圖8、圖11、圖13給出了本實施例3圖。本實施例3基本與實施例1同，不 同處是本實施例3主要沉積圖11所示的“金屬介質復合材料膜”(或稱為“摻雜金屬的介 質材料”)類型的一種太陽能吸熱鍍膜板，需用的膜系為基片27/A1紅外光反射層28/ΑΙΝχ 金屬_介質復合材料層37/AlNy金屬-介質復合材料層38/A1N減反射層39，其中AlNx中 Al的填充因子高于AlNy中Al的填充因子，同樣也采用以2000 X 1000 X 0. 2mm的鋁材為基
8片。本實施例裝置所采用的傳動系統、傳動機構、基片的傳送方式、濺射靶及其對應的 濺射腔室的結構都與實施例1圖2、圖3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8中所示結構和方式一樣， 只是根據所沉積的太陽能吸收功能膜系的不同，連續鍍膜室內的濺射靶及其對應的腔室的 配置做了調整，參見圖13。圖13為本實施例裝置總體結構示意圖(俯視圖)，其包括的上片區1、前真空鎖定 室2、前保持室3、連續鍍膜室4、后保持室5、后真空鎖定室6、下片區7、真空閥8 (8a-8f)以 及連續鍍膜室4的前、后端的前、后緩沖室4M、4N都與實施例1中圖1所示的一樣。在連續 鍍膜室4內，按所沉積基片/Al紅外光反射層/AlNx金屬-介質復合材料層/AlNy金屬-介 質復合材料層/AlN減反射層的膜系，在濺射靶的配置上，依次分布在8個濺射靶及其相應 的濺射腔室10 (IOa-IOh)，依次為2個B革巴(10a、10b) /2個A革巴(IOcUOd) /2個A革巴(10e、 IOf) /2個A靶(10g、IOh)。各濺射腔室之間存在隔離腔室9 (9a-9m)，以實現各濺射腔室的 工作氣氛環境的獨立。IOaUOb用于沉積在基片上的Al紅外光反射層，采用直流平面靶，鋁靶材，只充入 濺射氣體Ar ；IOcUOd用于沉積AlNx金屬-介質復合材料層，采用中頻交流柱形旋轉靶，靶 材為Al，充入流量一樣的濺射氣體Ar和反應氣體N2 ； IOeUOf用于沉積AlNy金屬-介質復 合材料層，采用中頻交流柱形旋轉靶，靶材為Al，充入濺射氣體Ar和反應氣體N2，但N2氣 氛比例更大(即Al由70%逐漸下降到30%，而N由30%逐漸上升到70%) ； 10g、10h用于 沉積AlN減反射層，采用中頻交流平面靶，充入Ar、N2。具體工藝如下 工作真空度(Pa)為2-5 X ΙΟ—1。本實施例中所沉積的基片/Al紅外光反射層/AlNx金屬-介質復合材料層/AlNy 金屬_介質復合材料層/AlN減反射層膜系的各層厚度依次為80-200nm、20-60nm、40-80nm、 50-90nm，優化厚度依次為120-170nm、30-50nm、50-70nm、60-80nm，經過光譜測試、計算，其 太陽能吸收率為95. 5%，發射率為8%。[0055] 上述各實施例是對本實用新型的上述內容作進一步的說明，但不應將此理解為本 實用新型上述主題的范圍僅限于上述實施例。凡基于上述內容所實現的技術均屬于本實用 新型的范圍。
權利要求生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，包括前真空鎖定室、前保持室、至少有三組磁控濺射靶與相應的濺射腔室的能在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/至少一組由金屬膜或金屬介質復合膜與介質膜組成的干涉膜堆/減反射層、或者在基片上依次沉積由金屬膜組成的紅外光波反射層/吸熱半導體材料膜或金屬介質復合材料膜/減反射層、以此在基片上形成太陽能吸收功能膜的連續鍍膜室、后保持室、后真空鎖定室，磁控濺射靶及靶材，電源，工藝氣體進氣管及控制系統，真空抽氣系統，基片傳送機構，其特征在于基片以斷續方式快速通過前保持室和前真空鎖定室和同樣以斷續方式快速通過后保持室和后真空鎖定室的傳送機構是電機拖動轉動輥軸，輥軸表面摩擦傳送基片，在大氣與前真空鎖定室之間、后真空鎖定室與大氣之間有真空閥門，前真空鎖定室與前保持室之間，后保持室與后真空鎖定室之間有真空閥門，前保持室與連續鍍膜室之間、連續鍍膜室與后保持室之間有讓基片分批次按生產節奏進入連續鍍膜室或退出連續鍍膜室的真空閥門。
2.如權利要求1所述的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，其特征在于在前保持室與 連續鍍膜室之間有基片由按生產節奏的斷續快速的進片方式變為呈一片接一片的連續勻 速行進方式進入連續鍍膜室的前緩沖區，基片上形成太陽能吸收功能膜后，連續鍍膜室與 后保持室之間有使基片呈一片接一片的連續勻速行進方式退出連續鍍膜室后形成按生產 節奏的斷續快速的出片方式的后緩沖區。
3.如權利要求1或2所述的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，其特征在于在低于轉 動輥軸與基片接觸面的轉動輥軸間布設托板或托條。
4.如權利要求1或2所述的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，其特征在于在鍍膜裝 置至少五個功能室的閥門處，設有隨閥門的開啟能上升或下降的基片傳送過渡輥軸或過渡 墊板。
5.如權利要求1或2所述的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，其特征在于連續鍍膜 室至少三組磁控濺射靶及相應的濺射腔室之間有隔板形成各自獨立腔室，配有獨立的抽真 空系統，各自有獨立磁控濺射電源、工藝充氣管路及控制單元系統，使靶、充氣管道、真空抽 氣系統集成在一個靶基座或腔室蓋板上成為一個單獨濺射模塊。
6.如權利要求1或2所述的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，其特征在于至少3組 濺射靶及相應的濺射腔室間至少有一個基片得以通過的有狹縫的真空抽氣室作為隔離腔 室。
7.如權利要求1或2所述的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，其特征在于磁控濺射 靶是直流平面靶、直流柱形靶、中頻交流平面靶、中頻交流柱形靶中的至少一種。
8.如權利要求7所述的生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，其特征在于磁控濺射靶是 中頻交流柱形旋轉靶。
專利摘要本實用新型生產平板太陽能吸熱鍍膜板的裝置，包括前保持室、前真空鎖定室、連續鍍膜室、后保持室和后鎖定室，基片以斷續方式快速通過前保持室和前真空鎖定室和同樣以斷續方式快速通過后保持室和后真空鎖定室的傳送機構是電機拖動轉動輥軸，輥軸表面摩擦傳送基片，本實用新型裝置生產的吸熱鍍膜板具有吸收率高、發射率低的優點。本實用新型生產效率高，成本低。
文檔編號C23C14/56GK201648513SQ20102014712
公開日2010年11月24日 申請日期2010年3月31日 優先權日2010年3月31日
發明者徐勝洋, 惠述偉, 甘國工 申請人:甘國工