專利名稱：Cvd機臺的晶圓傳送系統和晶圓傳送方法
技術領域：
本發明涉及一種CVD機臺的晶圓傳送系統及使用該CVD機臺的晶圓傳送系統的晶圓傳送方法，尤其涉及CVD機臺的晶圓傳送系統的晶圓位置偏差的檢測和校正技術。
背景技術：
化學氣相沉積(CVD)是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。CVD(Chemical VaporDeposition,化學氣相淀積),指把含有構成薄膜元素的氣態反應劑或液態反應劑的蒸氣及反應所需其它氣體引入反應室，在襯底表面發生化學反應生成薄膜的過程。在超大規模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經過CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強力鋼的彎曲，拉伸等成形時產生的刮痕。 CVD技術的淀積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時間成正比，均勻性，重復性好，臺階覆蓋性優良。在現實應用中多使用CVD機臺進行晶圓CVD處理，如CVD SEQUEL和CENTURA機臺。在機臺的晶圓傳送過程中，因Load lock(晶圓傳送區域)的傳送臂位置上下偏差、或晶圓翹曲變形而可能引起機臺撞片，導致晶圓CVD處理時出現錯誤，降低良品率。

發明內容
針對現有技術的不足，本發明目的在于提供一種CVD機臺的晶圓傳送系統及使用該CVD機臺的晶圓傳送系統的晶圓傳送方法。為解決上述技術問題，本發明提供了一種CVD機臺的晶圓傳送系統，包括淀積腔體，用于收容晶圓以進行化學氣相沉積；傳送臂，用于將晶圓傳送到淀積腔體；還包括光信號發生器，安裝在傳送臂上，用于向晶圓發射光信號；光傳感器，用于監測光信號發生器發出的光信號。優選的，所述淀積腔體包括用于暫時存放晶圓的中轉區域和進行淀積的反應區域，所述傳送臂將晶圓傳送到中轉區域。優選的，還包括控制裝置，所述控制裝置連接光傳感器，當光傳感器接收到光信號發生器發出的光信號時，控制裝置向CVD機臺發出停止機械動作的信號。優選的，當晶圓和傳送臂處于一種預設的相對位置關系時，所述光信號發生器發射的光信號穿過晶圓的空隙；當晶圓和傳送臂偏離前述預設的相對位置關系時，光信號投射到晶圓表面并被反射到光傳感器。優選的，所述光信號發生器為激光發生器，所述光傳感器為激光傳感器。優選的，所述傳送臂上安裝有兩個激光發生器。為解決上述技術問題，本發明還提供了一種使用上述晶圓傳送系統的CVD機臺的晶圓傳送方法，其特征在于，包括以下步驟第一步，提供待處理的晶圓；
第二步，使用傳送臂將晶圓向淀積腔體傳送；第三步，使用光信號發生器向晶圓發射光信號；第四步，在執行第三步的同時或者之后，使用光傳感器監測光信號；優選的，所述方法還包括以下步驟提供連接光傳感器的控制裝置，當光傳感器接受到光信號時，控制裝置向CVD機臺發出停止機械動作的信號。與現有技術相比，本發明的有益效果是通過設置光信號發生器和光傳感器，檢測晶圓和傳送臂的相對位置，避免將不符合要求的晶圓送入淀積腔體。



圖I是本發明的具體實施例的晶圓傳送系統的晶圓和傳送臂處于預設的相對位置的狀態圖。圖2是本發明的具體實施例的晶圓傳送系統的晶圓和傳送臂處于預設的相對位置的狀態圖。
具體實施例方式以下通過具體實施例說明本發明的思想。本發明的具體實施例的一種CVD機臺的晶圓傳送系統包括淀積腔體，包括用于暫時存放晶圓的中轉區域和進行淀積的反應區域；傳送臂，用于將晶圓傳送到淀積腔體，具體為傳送到中轉區域；還包括光信號發生器，安裝在傳送臂上，用于向晶圓發射光信號；光傳感器，用于監測光信號發生器發出的光信號。在CVD淀積過程中，由傳送臂將整批的晶圓分單片去表到淀積腔體的中轉區域，該區域業界通常會有兩種檢查方式用于避免撞片。一是在設備保養時通過假片的傳送，由設備人員來調整傳送位置，從而保證機臺傳送的正確性。二是在進入中轉區域時對整批晶圓進行片架掃描，但是在晶圓的實際傳送過程中，并不檢測晶圓是否翹曲或手臂的位置是否有偏移。為此，本實施例采用激光發生器為光信號發生器，作為信號源，將激光發生器固定在傳送臂上，優選的，傳送臂上安裝有兩個激光發生器。在傳送晶圓時，激光發生器向晶圓發射激光信號。當晶圓和傳送臂處于一種預設的相對位置關系時，所述光信號發生器發射的光信號穿過晶圓的空隙；當晶圓和傳送臂偏離前述預設的相對位置關系時，光信號投射到晶圓表面并被反射到光傳感器。具體實施例還提供一控制裝置，控制裝置連接光傳感器，當光傳感器接收到光信號發生器發出的光信號時，控制裝置向CVD機臺發出停止機械動作的信號。采用上述系統，CVD機臺的晶圓傳送方法包括以下步驟第一步，提供待處理的晶圓；第二步，使用傳送臂將晶圓向淀積腔體傳送；第三步，使用光信號發生器向晶圓發射光信號；第四步，在執行第三步的同時或者之后，使用光傳感器監測光信號；第五步，提供連接光傳感器的控制裝置，當光傳感器接受到光信號時，控制裝置向CVD機臺發出停止機械動作的信號。盡管為示例目的，已經公開了本發明的優選實施方式，但是本領域的普通技術人員將意識到，在不脫離由所附的權利要求書公開的本發明的范圍和精神的情況下，各種改進、增加以及取代是可能的。·
權利要求
1.一種CVD機臺的晶圓傳送系統,包括 淀積腔體，用于收容晶圓以進行化學氣相沉積； 傳送臂，用于將晶圓傳送到淀積腔體； 其特征在于，還包括 光信號發生器，安裝在傳送臂上，用于向晶圓發射光信號； 光傳感器，用于監測光信號發生器發出的光信號。
2.根據權利要求I所述的CVD機臺的晶圓傳送系統，其特征在于，所述淀積腔體包括用于暫時存放晶圓的中轉區域和進行淀積的反應區域，所述傳送臂將晶圓傳送到中轉區域。
3.根據權利要求I所述的CVD機臺的晶圓傳送系統，其特征在于，還包括控制裝置，所述控制裝置連接光傳感器，當光傳感器接收到光信號發生器發出的光信號時，控制裝置向CVD機臺發出停止機械動作的信號。
4.根據權利要求I所述的CVD機臺的晶圓傳送系統，其特征在于，當晶圓和傳送臂處于一種預設的相對位置關系時，所述光信號發生器發射的光信號穿過晶圓的空隙；當晶圓和傳送臂偏離前述預設的相對位置關系時，光信號投射到晶圓表面并被反射到光傳感器。
5.根據權利要求I所述的CVD機臺的晶圓傳送系統，其特征在于，所述光信號發生器為激光發生器，所述光傳感器為激光傳感器。
6.根據權利要求5所述的CVD機臺的晶圓傳送系統，其特征在于，所述傳送臂上安裝有兩個激光發生器。
7.—種CVD機臺的晶圓傳送方法，使用權利要求I所述的晶圓傳送系統，其特征在于，包括以下步驟 第一步，提供待處理的晶圓； 第二步，使用傳送臂將晶圓向淀積腔體傳送； 第三步，使用光信號發生器向晶圓發射光信號； 第四步，在執行第三步的同時或者之后，使用光傳感器監測光信號。
8.根據權利要求7所述的CVD機臺的晶圓傳送方法，其特征在于，還包括以下步驟 提供連接光傳感器的控制裝置，當光傳感器接受到光信號時，控制裝置向CVD機臺發出停止機械動作的信號。
全文摘要
本發明提供了一種CVD機臺的晶圓傳送系統，包括淀積腔體，用于收容晶圓以進行化學氣相沉積；傳送臂，用于將晶圓傳送到淀積腔體；還包括光信號發生器，安裝在傳送臂上，用于向晶圓發射光信號；光傳感器，用于監測光信號發生器發出的光信號。與現有技術相比，本發明的有益效果是通過設置光信號發生器和光傳感器，檢測晶圓和傳送臂的相對位置，避免將不符合要求的晶圓送入淀積腔體。
文檔編號C23C16/00GK102953042SQ20111023493
公開日2013年3月6日 申請日期2011年8月17日 優先權日2011年8月17日
發明者李晶 申請人:無錫華潤上華半導體有限公司, 無錫華潤上華科技有限公司