專利名稱：一種晶體硅太陽電池去磷硅清洗液及清洗方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽電池去磷硅清洗液及清洗方法，用于去除擴散后硅片表面產(chǎn)生的磷硅玻璃，以及花籃印、白線條、水痕印的去除，屬于太陽能晶硅電池片制造領域。
背景技術：
太陽能電池片生產(chǎn)過程中，將硅片在擴散后形成一層含有磷和二氧化硅的磷硅玻璃層徹底清洗干凈是提高晶體硅太陽電池效率的途徑之一，但現(xiàn)有的氫氟酸體系對磷硅玻璃的清洗過程中有很大不穩(wěn)定性，采用慢提拉處理的槽式去磷硅設備在硅片清洗過程中由于小花籃鋸齒處難以拉干，導致與花籃鋸齒處接觸的硅片表面附著水，在烘干時再次被氧化，形成花籃印，鍍膜后呈現(xiàn)明顯的花籃鋸齒狀印記。同時慢提拉拉不干還會導致硅片表面掛水從而產(chǎn)生白線條、水痕印的產(chǎn)生。這些因素會嚴重影響電池片成品外觀。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種晶體硅太陽電池去磷硅清洗液及清洗方法。本發(fā)明解決槽式去磷硅設備在PECVD等離子增強化學氣相沉積鍍膜后產(chǎn)生的花籃齒印及由于慢提拉拉不干引起的其他問題。本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽電池去磷硅清洗液，由氫氟酸和表面活性劑組成，將硅片表面磷硅玻璃完全去除干凈的同時可以避免花籃印、白線條、水痕印等不良片的產(chǎn)生。本發(fā)明的技術方案是，一種晶體硅太陽電池去磷硅清洗方法；含有以下步驟(1)配制晶體硅太陽電池去磷硅清洗液，由氫氟酸和表面活性劑組成；其中氫氟酸的體積分數(shù)為6% -10%，表面活性劑的體積分數(shù)為0. 016% -0. 04%，純水的體積分數(shù)為 89. 96% -93. 984% ；將所述的清洗液溫度控制在20_30°C之間，然后將硅片放入清洗液中的反應時間為200-400s ；(2)清水槽洗掉硅片上殘留的清洗液，工藝時間為20-50s ；(3)慢提拉脫水；(4)放入烘箱將硅片烘干。一種晶體硅太陽電池去磷硅清洗液，由氫氟酸和表面活性劑組成；其中氫氟酸的體積分數(shù)為6% -10%，表面活性劑的體積分數(shù)為0.016% -0. 04% ；純水的體積分數(shù)為 89. 96% —93. 984% ο所述的表面活性劑為烷基酚型表面活性劑或Ε0Ρ0Ε0型嵌段共聚物的一種或幾
種；如十二烷基酚聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚等。采用上述方法后，本發(fā)明與現(xiàn)有技術相比，具有一下顯著優(yōu)點因為加入了表面活性劑降低了溶液在硅片表面的表面張力，使磷硅玻璃清洗得更徹底。由于表面活性劑的加入，可以徹底去除硅片表面的磷硅玻璃，同時可以解決槽式去磷硅設備由于慢提拉拉不干引起的花籃印、白線條、水痕印等問題。
作為改進，所述去磷硅清洗液的溫度控制在20-30°C之間，在這個溫度范圍內使用本發(fā)明的清洗效果更好。作為進一步改進，所述的硅片去磷硅清洗液的清洗時間為200-400S，在這個時間區(qū)內使用本發(fā)明的清洗效果更好。本發(fā)明優(yōu)點提供一種穩(wěn)定的去磷硅玻璃清洗液，及解決槽式去磷硅設備在 PECVD鍍膜后產(chǎn)生的花籃齒印及由于慢提拉拉不干引起的其他問題，如白線條、水痕印等。 避免外觀不良、返工片的產(chǎn)生，提高生產(chǎn)效率。


當結合附圖考慮時，通過參照下面的詳細描述，能夠更完整更好地理解本發(fā)明以及容易得知其中許多伴隨的優(yōu)點，但此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解， 構成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構成對本發(fā)明的不當限定，其中圖1是表示作為本發(fā)明去磷硅工藝流程圖。
具體實施例方式參照圖1對本發(fā)明的實施例進行說明。顯然，本領域技術人員基于本發(fā)明的宗旨所做的許多修改和變化屬于本發(fā)明的保護范圍。本發(fā)明提供一種穩(wěn)定的去磷硅玻璃清洗液，由氫氟酸和表面活性劑組成；其中氫氟酸的體積分數(shù)為6% -10%，表面活性劑的體積分數(shù)為0. 016% -0. 04%;純水的體積分數(shù)為89. 96% -93. 984%。將所述的清洗液溫度控制在20_30°C之間，硅片在清洗液中的反應時間為200-400S。下面結合具體實例對本發(fā)明做進一步說明，但本發(fā)明不局限于一下實施例。如圖 1所示；一種晶體硅太陽電池去磷硅清洗方法。實施例1，(1)配制晶體硅太陽電池去磷硅清洗液，由氫氟酸和表面活性劑組成；其中氫氟酸的體積分數(shù)為10%，表面活性劑的體積分數(shù)為0. 016% ；純水的體積分數(shù)為89. 96%。將所述的清洗液溫度控制在20°C之間，然后將硅片放入清洗液中的反應時間為400s ；(2)清水槽洗掉硅片上殘留的清洗液，工藝時間為50s ；(3)慢提拉脫水；(4)放入烘箱將硅片烘干。實施例2，(1)配制晶體硅太陽電池去磷硅清洗液，由氫氟酸和表面活性劑組成；其中氫氟酸的體積分數(shù)為9%，表面活性劑的體積分數(shù)為0. 04%，純水的體積分數(shù)為93. 984%。將所述的清洗液溫度控制在30°C之間，然后將硅片放入清洗液中的反應時間為200s ；(2)清水槽洗掉硅片上殘留的清洗液，工藝時間為20s ；(3)慢提拉脫水；(4)放入烘箱將硅片烘干。
實施例3，(1)配制晶體硅太陽電池去磷硅清洗液，由氫氟酸和表面活性劑組成；其中氫氟酸的體積分數(shù)為6 %，表面活性劑的體積分數(shù)為0. 08 %，純水的體積分數(shù)為91.9%。將所述的清洗液溫度控制在25°C之間，然后將硅片放入清洗液中的反應時間為300s ；(2)清水槽洗掉硅片上殘留的清洗液，工藝時間為40s ；(3)慢提拉脫水；(4)放入烘箱將硅片烘干。如上所述，對本發(fā)明的實施例進行了詳細地說明，但是只要實質上沒有脫離本發(fā)明的發(fā)明點及效果可以有很多的變形，這對本領域的技術人員來說是顯而易見的。因此，這樣的變形例也全部包含在本發(fā)明的保護范圍之內。
權利要求
1.一種晶體硅太陽電池去磷硅清洗方法，其特征在于含有以下步驟(1)配制晶體硅太陽電池去磷硅清洗液，由氫氟酸和表面活性劑組成；其中氫氟酸的體積分數(shù)為6% -10%，表面活性劑的體積分數(shù)為0. 016% -0. 04%，純水的體積分數(shù)為 89. 96% -93. 984% ；將所述的清洗液溫度控制在20_30°C之間，然后將硅片放入清洗液中的反應時間為200-400s ；(2)清水槽洗掉硅片上殘留的清洗液，工藝時間為20-50s；(3)慢提拉脫水；(4)放入烘箱將硅片烘干。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種晶體硅太陽電池去磷硅清洗方法，其特征在于表面活性劑為烷基酚型表面活性劑或Ε0Ρ0Ε0型嵌段共聚物的一種或幾種。
3.一種晶體硅太陽電池去磷硅清洗液，其特征是由氫氟酸和表面活性劑組成；其中氫氟酸的體積分數(shù)為6% -10%,表面活性劑的體積分數(shù)為0. 016% -0. 04%,純水的體積分數(shù)為 89. 96% —93. 984% ο
4.根據(jù)權利3所述的晶體硅太陽電池去磷硅清洗液，其特征是所述的表面活性劑為烷基酚型表面活性劑或Ε0Ρ0Ε0型嵌段共聚物的一種或幾種。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種晶體硅太陽電池去磷硅清洗液及清洗方法，一種晶體硅太陽電池去磷硅清洗液由氫氟酸和表面活性劑組成；其中氫氟酸的體積分數(shù)為6％-10％，表面活性劑的體積分數(shù)為0.016％-0.04％；純水的體積分數(shù)為89.96％--93.984％。將所述的清洗液溫度控制在20-30℃之間，然后將硅片放入清洗液中的反應時間為200-400s。使用本發(fā)明方法能夠更好將擴散產(chǎn)生磷硅玻璃清洗干凈，并能夠通過化學方法徹底解決槽式去磷硅設備在PECVD鍍膜后產(chǎn)生的花籃齒印及由于慢提拉拉不干引起的其他問題。
文檔編號C23F1/24GK102560498SQ20121000245
公開日2012年7月11日 申請日期2012年1月5日 優(yōu)先權日2012年1月5日
發(fā)明者農(nóng)艷芬, 孫良欣, 陳壁濤 申請人:天長吉陽新能源有限公司