專利名稱：背接觸層結構及其制備方法、包括其的CdTe薄膜太陽能電池的制作方法
技術領域：
本發明總體上涉及太陽能光伏器件和半導體器件，更具體地涉及碲化鎘(CdTe)薄膜太陽能電池。
背景技術：
碲化鎘(CdTe)是一種II-VI族化合物P型半導體，作為一種具有應用前景的薄膜太陽能電池材料受到廣泛關注，這主要是由于CdTe的以下特性首先，其禁帶寬度為約I. 45eV，對太陽光譜的響應處在最理想的太陽光譜波段，以CdTe為吸收層的單結薄膜太陽能電池能獲得較高的光電轉換效率，其理論光電轉換效率高達30%，目前其實驗室最高 光電轉換效率達到16. 5% ;其次，CdTe的吸收系數在可見光范圍高達IO5enT1,太陽光中約99%能量高于CdTe禁帶寬度的光子可在約2微米厚的吸收層內被吸收，CdTe作為吸收層的太陽能電池，理論上該吸收層所需厚度在幾個微米左右，所以材料消耗極少，電池成本較低。已知的制備CdTe薄膜的方法有近空間升華法、電化學沉積法、氣相輸運沉積法、絲網印刷法和磁控濺射法等，用這些方法制備的CdTe薄膜電池均獲得了較高的轉換效率。然而，作為太陽能電池材料，CdTe也存在物理特性的不足一方面，CdTe具有強烈的自補償效應，很難像硅等半導體一樣通過摻入雜質元素來調控電學性能。由于CdTe載流子濃度低，薄膜電阻率大，因而影響電池的電流輸出。另一方面，CdTe的功函數高達約
5.5eV，與常用背電極金屬材料由于高接觸勢壘而難以形成低阻歐姆接觸。為了獲得良好的歐姆接觸，目前主要采取以下兩種方式一種是對CdTe薄膜表面進行化學蝕刻處理，利用腐蝕性溶液，如溴甲醇溶液和磷硝酸溶液等，使CdTe薄膜表面形成一層退化的P型富Te過渡層；另一種是在背電極中摻入諸如Cu、Hg、Zn等雜質原子，以實現在CdTe表面的重摻雜，從而獲得CdTe薄膜與背電極之間的低阻歐姆接觸。雖然這兩種方式可以降低CdTe薄膜和背電極之間的接觸勢壘，但是一方面，化學蝕刻處理是一個液相處理過程，這個過程對于真空下大規模流水線生產作業來說，無疑是一個重大障礙，并且大量使用腐蝕溶液造成的環境污染也是相當嚴重的；另一方面，摻入到背電極中的摻雜原子，在CdTe薄膜太陽能電池長時間工作中會發生擴散，會在電池中沿著晶界擴散到結區，造成電池性能的嚴重衰減。對于能夠與CdTe薄膜太陽能電池中的CdTe薄膜形成良好歐姆接觸的新型背接觸層結構及其設計和制備，以及包括該背接觸層結構的CdTe薄膜太陽能電池存在需要。另夕卜，鑒于環境保護、改善CdTe薄膜太陽能電池的性能和/或有效降低CdTe薄膜太陽能電池的成本，以實現大規模流水線生產，需要開發用于CdTe薄膜太陽能電池的背接觸層結構的新型結構設計和制造方法。

發明內容
為了解決現有CdTe薄膜太陽能電池應用存在的問題，形成了本發明。本發明的目的是提供一種與CdTe薄膜太陽能電池中的CdTe薄膜形成良好歐姆接觸的新型背接觸層結構及其制造方法。另外地，本發明的目的是提供低成本、高穩定性的CdTe薄膜太陽能電池的一種制備技術。因此，一方面，本發明提供了一種用于CdTe薄膜太陽能電池的背接觸層結構，其包括依次設置在CdTe薄膜上的MoO3背接觸緩沖層和金屬背電極層。
在一個優選實施方式中，MoO3緩沖層的厚度為10_60nm。在一個進一步優選的實施方式中，MoO3緩沖層的厚度為10_40nm。在一個優選實施方式中，金屬背電極層為金屬鑰(Mo)、鎳(Ni)或鶴(W)背電極層。在一個優選實施方式中，金屬背電極層的厚度為100_500nm。另一方面，本發明提供了一種制造上述背接觸層結構的方法，包括在氧氣和氬氣混合氣體或純氬氣的氣氛下，將金屬Mo或MoO3靶材磁控濺射到CdTe薄膜上以形成MoO3緩沖層；以及在氬氣氣氛中將用于金屬背電極層的金屬靶材磁控濺射到MoO3緩沖層上以形成金屬背電極層。在一個優選實施方式中，進一步包括，在形成MoO3緩沖層之前，對CdTe薄膜表面進行預處理。在一個進一步優選的實施方式中，該預處理是利用氬離子轟擊CdTe薄膜的表面。在一個實施方式中，進一步包括，在形成金屬背電極層之后對形成在CdTe薄膜上的背接觸層結構進行真空退火處理。在一個進一步優選的實施方式中，真空退火處理在150_250°C的溫度下進行10_50mino在一個優選實施方式中，MoO3緩沖層是通過在總壓強為O. 2-0. 5Pa的氣氛下預濺射Mo或MoO3祀材5_15min后、再生長10_30min而形成的。在一個優選實施方式中，金屬背電極層是通過在O. 2-0. 5Pa的氬氣氣氛下預濺射金屬祀材5_15min后、再生長10_30min而形成的。在一個優選實施方式中，所述方法在單生長室磁控濺射系統或雙生長室磁控濺射系統中進打。另一方面，本發明提供了一種CdTe薄膜太陽能電池，其包括前述的背接觸層結構或通過前述方法制造的背接觸層結構。在一個優選實施方式中，該CdTe薄膜太陽能電池包括透明襯底；設置在該透明襯底上的透明導電前電極；設置在該透明導電前電極上的CdS窗口層；設置在該CdS窗口層上的作為吸收層的CdTe薄膜；設置在該CdTe薄膜上的MoO3緩沖層；以及設置在該MoO3緩沖層上的金屬背電極層。本發明通過在CdTe薄膜上引入低成本、高功函數和高穩定性的背接觸層結構，提供了一種高效廉價且長期工作穩定性優良的CdTe薄膜太陽能電池器件。另外，由于本發明中不采用蝕刻處理等液相處理過程，不僅避免了環境污染，而且提高了電池器件生產的集約化程度，使得整個電池器件在無液相的真空系統內完成制造成為可能，并且成本得到有效控制。


圖I示出了根據本發明一個實施方式獲得的CdTe薄膜太陽能電池的結構示意圖。圖2示出了根據本發明制造背接觸層結構所使用的雙生長室直流磁控濺射系統的結構示意圖。圖3示出了本發明制得的CdTe薄膜太陽能電池在標準太陽光源(AM1. 5)下測得的I-V曲線圖。
具體實施例方式本發明提供了一種用于碲化鎘(CdTe)薄膜太陽能電池的新型背接觸層結構及其制備方法。本方法利用一套雙生長室磁控濺射系統或者單生長室磁控濺射系統，來實現該背接觸層結構的制造，使得該背接觸層結構與作為吸收層的CdTe薄膜的歐姆接觸勢壘低，導致電池效率高。同時由于背接觸層結構中的緩沖層的阻隔，使得電池電極中的雜質原子擴散減少，導致電池長時間工作的穩定性能也得到提升。 更具體地，本發明通過在作為吸收層的碲化鎘薄膜和金屬背電極之間加入一個高功函數的MoO3緩沖層，得到低能壘歐姆接觸的電池電極。本發明的背接觸層結構可以制備如下a.可選地，對在其上形成MoO3緩沖層的CdTe薄膜(作為吸收層)的表面進行預處理將經過CdCl2熱處理的CdTe薄膜(例如設置在襯底上的CdTe薄膜樣品)置于磁控濺射系統中，例如利用磁控濺射反向濺射功能，利用氬離子轟擊CdTe薄膜樣品表面以清潔該表面，除去樣品表面多余的CdCl2和熱處理過程中產生的氧化物。該過程可以在O. 2-0. 5Pa的純氬氣氛中進行，轟擊功率與樣品面積大小相關，對于面積IOOcm2的樣品，通常轟擊功率為60W左右。轟擊時間一般為約5-15min,例如為lOmin。應當注意,這里描述的預處理過程是一個可選步驟或優選步驟。即該預處理過程可以根據實際需要而實施或不實施，例如在所使用的CdTe薄膜已經過清潔處理，如水洗后或者該CdTe薄膜的表面無需進行預處理的情況下，就可以省略該預處理步驟。b.形成MoO3緩沖層利用金屬Mo或MoO3祀材進行磁控派射(例如直流反應磁控濺射或射頻磁控濺射)在CdTe薄膜上制備MoO3薄膜(緩沖層)。優選地，所使用的靶材是5N的Mo金屬靶材或者MoO3陶瓷靶材，磁控濺射氣氛是例如10-20%氧分壓的氧氣和氬氣混合氣體或者純氬氣氛，氣氛中氧氣和氬氣的比例以及總壓強通過質量流量計控制和調節。優選地，總壓強控制在約O. 2-0. 5Pa。濺射功率與樣品面積相關，對于面積IOOcm2的樣品，通常轟擊功率為IOOW左右。優選地，MoO3緩沖層是通過在總壓強為O. 2-0. 5Pa的氣氛下預派射Mo或MoO3祀材5_15min,例如約IOmin后，再生長10-30min,例如IOmin形成的。優選地，所獲得的MoO3緩沖層的厚度為10-60nm，優選為10_40nm，例如為20nm。c.形成金屬背電極層利用例如直流磁控濺射在MoO3緩沖層上形成金屬背電極層。用于形成金屬背電極的靶材，選用廉價、高功函數的高純金屬靶材，如鑰(Mo)、鎳(Ni)和鎢(W)等。濺射氣氛優選為純氬氣氣氛,濺射氣氛的壓強優選為O. 2-0. 5Pa，濺射功率同樣由樣品尺寸決定，對于面積IOOcm2的樣品，通常轟擊功率為IOOW左右。優選地，金屬背電極層是通過在O. 2-0. 5Pa的IS氣氣氛下預派射金屬革巴材5-20min,例如約15min后,再生長10-30min,例如15min而形成的。所獲得的金屬背電極層的厚度例如為約150nm。另外或優選地，在形成金屬背電極層之后，對所獲得的樣品(包括CdTe薄膜吸收層、MoO3緩沖層和金屬背電極層)在150-250°C，例如200°C的溫度下進行10_50min，例如30min的真空退火處理，以使背接觸層與CdTe吸收層之間形成更好的歐姆接觸。上述整個制造過程可以在以下描述的具有單個生長室的磁控濺射系統內完成，也可以在具有兩個生長室的磁控濺射系統內完成。利用以上所制造的背接觸層結構，本發明獲得的CdTe薄膜太陽能電池的結構如圖I所示。圖I示出了根據本發明一個實施方式獲得的CdTe薄膜太陽能電池的結構示意圖。如圖I所示，所獲得的CdTe薄膜太陽能電池包括透明襯底a，優選為玻璃襯底；透明導電前電極b ;CdS窗口層c ；CdTe吸收層d ;背接觸層結構MoO3/金屬，其包括MoO3緩沖層e和金屬背電極層f)。在使用中，太陽光從圖I中的箭頭所示方向入射。通過利用本發明的背接觸層結構及其制造方法，本發明具有以下幾方面的優點I.由于MoO3的功函數高達5. 3eV,使得CdTe薄膜吸收層上的MoO3緩沖層與同為 高功函數的P型CdTe具有良好的歐姆接觸。2.本發明通過提供MoO3緩沖層，不需要現有技術中制造CdTe薄膜太陽能電池中通常用到的液相蝕刻過程，不僅避免了環境污染，而且使得CdTe薄膜太陽能電池，在無液相的真空系統內完成規模化或流水線生產作業成為可能,成功省去液相蝕刻處理過程。3.本發明通過在作為吸收層的CdTe薄膜和金屬背電極之間提供MoO3緩沖層，不需要現有技術中制造CdTe薄膜太陽能電池中常用到的摻入諸如Cu、Hg、Zn等雜質原子，以實現在CdTe薄膜表面的重摻雜，從而有效防止了摻入到背電極中的摻雜原子，在CdTe薄膜太陽能電池長時間工作中擴散，造成的電池性能衰減。本發明中的MoO3緩沖層是一個氧化物層，其對于雜質原子的擴散也起到阻擋的作用，因而，擴散到CdTe薄膜吸收層中的雜質原子大大減少，這使得利用本發明的背接觸層結構的CdTe薄膜太陽能電池的性能，如穩定性能夠得到顯著提高。4.如上提及的，可選地，本發明利用磁控濺射的反向濺射來去除CdCl2熱處理后的CdTe表面的殘留物和氧化物，使得不需要現有技術中常用的液相去離子水清洗過程，這也使得通過本發明的CdTe薄膜太陽能電池的整個制造過程，完全在真空系統內一次完成，從而使得規模化或流水線生產作業成為可能。此外，如上提及的，CdTe薄膜太陽能電池制造過程中的兩個液相處理(即，液相蝕刻和水清洗過程)的消除，提高了 CdTe薄膜太陽能電池生產的集約化程度，提高了生產效率，這些都使得本發明制造的CdTe薄膜太陽能電池的成本能夠得到有效控制。下面通過具體實施例，并結合附圖來詳細描述本發明的背接觸層結構及其制造方法，以及所獲得的CdTe薄膜太陽能電池。應當理解，這樣的描述僅用于舉例說明目的，以便于充分理解本發明，但本發明不局限于此。實施例實施例I利用單生長室磁控濺射系統來制造本發明的背接觸層結構。利用單生長室磁控濺射系統的優點在于設備簡單，設備功能多樣化。借助于該單生長室磁控濺射系統，背接觸層結構的制造過程如下首先，進行CdTe薄膜表面的預處理打開磁控濺射系統的生長室閘門，將經過CdCl2熱處理的CdTe薄膜(支撐在玻璃襯底上)樣品通過傳送桿置于磁控濺射系統的生長室中，打開樣品擋板。該磁控濺射系統具備正向和反向濺射功能，在系統襯底盤上施加一個負電位(l_3kV)，利用磁控濺射系統的反向濺射功能，用氬離子轟擊樣品的表面，從而除去該表面上殘留的CdCl2和熱處理過程中產生的氧化物。濺射過程中產生的小顆粒和雜質均通過磁控濺射系統內的分子泵和機械泵抽走。該預處理過程在O. 3Pa的純氬氣氣氛中進行，對于面積IOOcm2的樣品,通常轟擊功率為60W左右。轟擊時間為約lOmin。在該預處理結束后，關閉樣品擋板。接著，形成MoO3緩沖層在CdTe薄膜樣品表面的預處理結束后，去除施加在系統襯底盤上的負電位，而將負電位施加在用于磁控濺射的Mo金屬靶材(5N純度)上。對該Mo金屬靶材進行直流反應磁控濺射以形成MoO3薄膜(即MoO3緩沖層)，同時向磁控濺射系統內通入氧氣和氬氣。氧氣和氬氣的比例和總壓強，通過磁控濺射系統的質量流量計控制和調節，使用的用于磁控濺射的氣氛為15%氧分壓的氧氣和氬氣混合氣體，總壓強控制在
O.4Pa，對于面積IOOcm2的樣品，通常轟擊功率為IOOW左右。之后，先預濺射約lOmin，然后打開擋板進行生長，生長時間約為lOmin。所獲得的MoO3薄膜的厚度為40nm。生長結束時關閉樣品擋板。接著，形成金屬背電極層在MoO3薄膜生長結束后，將質量流量計的氧氣流量調整為零，氬氣流量保持不變。在關閉樣品擋板的狀態下預濺射(用來清洗靶材和緩沖氣氛)IOmin,然后打開擋板開始派射金屬Mo電極。對于面積IOOcm2的樣品,通常轟擊功率為IOOW左右。濺射時間為約15min。濺射結束后關閉樣品擋板。所獲得的金屬背電極層的厚度為約150nm。
最后，進行退火處理在金屬背電極層形成之后，對所獲得的樣品(包括CdTe薄膜和背接觸層)進行30min的真空(約O. IPa)退火處理，退火處理溫度為200°C，從而使背接觸層與CdTe吸收層形成更好的歐姆接觸。退火處理結束后，打開閘門，利用傳送桿將所獲得的樣品送出。實施例2利用雙生長室磁控濺射系統來制造本發明的背接觸層結構。圖2示出了根據本發明制造背接觸層結構所使用的雙生長室直流磁控濺射系統的結構示意圖。該雙直流磁控濺射生長室系統包括磁控濺射第一生長室I、第一過渡室2、磁控濺射第二生長室3、第二過渡室4、第一生長室進樣閘門5、第一生長室出樣閘門6、第二生長室進樣閘門7、第二生長室出樣閘門8、第二過渡室出樣閘門9以及傳送桿10。使用這樣的雙生長室直流磁控濺射系統的優點是可以進行流水線作業，提高生產效率，并且相對于實施例1，所制得的CdTe薄膜太陽能電池的光電轉換效率更好。具體制造過程如下首先，進行CdTe薄膜表面的預處理打開磁控濺射系統第一生長室I的進樣閘門5，將經過CdCl2熱處理的CdTe薄膜(支撐在玻璃襯底上)樣品(未示出)通過傳送桿10置于磁控派射系統的第一生長室I內，該第一生長室I具備正向和反向派射功能。打開樣品擋板(未示出)，在系統襯底盤上施加一個負電位(l-3kV)，利用磁控濺射系統的反向濺射功能，用氬離子轟擊樣品的表面，從而除去表面殘留的CdCl2和熱處理過程中產生的氧化物。濺射過程中產生的小顆粒和雜質均被真空系統的分子泵和機械泵抽走。該過程是在
O.3Pa的氬氣氛中進行，對于面積IOOcm2的樣品，通常轟擊功率為60W左右，轟擊時間為約15min。該預處理結束后關閉樣品擋板。
接著，形成MoO3緩沖層預處理結束后，去除施加在系統襯底盤上的負電位，而將負電位施加在用于磁控濺射的Mo金屬靶材(5N純度)上。對該Mo金屬靶材進行直流反應濺射以形成MoO3薄膜(即MoO3緩沖層)，同時向磁控濺射系統內通入氧氣和氬氣。氧氣和氬氣的比例和總壓強通過磁控濺射系統的質量流量計控制和調節，使用的用于磁控濺射的氣氛為18%氧分壓的氧氣和IS氣混合氣體,總壓強控制在O. 3Pa,對于面積IOOcm2的樣品，通常轟擊功率為IOOW左右。之后,預派射15min,打開擋板,生長時間為約18min,所得薄膜厚度為30nm。生長結束后關閉樣品擋板。接著，形成金屬背電極層在MoO3薄膜生長結束后，打開第一生長室I的出樣閘門6，將樣品通過傳送桿10送出第一生長室1，到達過渡室2。關閉第一生長室I的出樣閘門
6。過渡室2是一個真空閘室，利用機械泵和分子泵保持其真空度。過渡室2主要用于避免第一生長室I和第二生長室3內的氣氛發生混合。在過渡室2抽真空后，打開第二生長室3的進樣閘門7，利用傳送桿10將樣品送入第二生長室3。將質量流量計的氧氣流量調整為零，氬氣流量保持不變。第二生長室3用于形成金屬背電極，濺射源為5N純度的金屬鎳(Ni)。在關閉樣品擋板的狀態下預濺射(清洗靶材)15min，濺射氣氛為純氬氣氛，壓強為
O.5Pa，通過質量流量計控制氬氣流量。然后打開擋板開始濺射金屬鎳(Ni)電極。對于面積IOOcm2的樣品，通常轟擊功率為IOOW左右。濺射時間約15min。濺射結束后關閉樣品擋板。所獲得的背電極層的厚度為約150nm。然后打開第二生長室3的出樣閘門8，利用傳送桿10將樣品送到第二過渡室4。最后，進行退火處理第二過渡室4用于對樣品進行真空退火處理同時避免第二生長室3的氣氛和大氣氣氛直接接觸。該第二過渡室4用機械泵保持真空(約O. IPa)。樣品到達該第二過渡室4后進行30min的真空退火處理，退火溫度為220°C，從而使背電極與CdTe吸收層形成更好的歐姆接觸。退火處理結束后，打開第二過渡室4的出樣閘門9，利用 傳送桿10將樣品送出。實施例3利用雙生長室磁控濺射系統來制造本發明的背接觸層。相對于實施例2，不同之處在于以MoO3靶材作為濺射源來制造MoO3薄膜(MoO3緩沖層)，因此，以下僅描述形成MoO3緩沖層的過程，而省去對其它相同步驟的描述。在可選地CdTe薄膜樣品的表面預處理結束后，去除施加在系統襯底盤上的負電位，而將負電位施加在用于磁控濺射的MoO3 (5N純度)靶材上，通過射頻濺射來形成MoO3薄膜。磁控濺射的氣氛為純氬氣氛，氬氣的流量和壓強通過磁控濺射系統的質量流量計控制和調節，壓強控制在O. 45Pa，對于面積IOOcm2的樣品，通常轟擊功率為IOOW左右。在預濺射IOmin后打開擋板,生長時間為約20min,所獲得的MoO3薄膜的厚度為30nm,生長結束時關閉樣品擋板。在如上所述的形成金屬背電極層并經過退火處理之后，利用傳送桿將所獲得的樣品送出。實施例4在獲得圖I所示的本發明的CdTe薄膜太陽能電池后，將透明導電前電極b和背電極用銀漿引出接線，在AMl. 5的太陽能模擬器下測量其光伏特性，測得的該CdTe薄膜太陽能電池的電流電壓曲線如圖3所示。在圖3中，橫軸為電壓V(mV)，縱軸為電流密度(mA/cm2)，從圖3可以看出，本發明制造的CdTe薄膜太陽能電池的開路電壓VOC為745mV，短路電流JsC為28. 8mA/cm2，填充因子FF為52.5%，并且光電轉換效率η達11.4%。由此可以看出，通過本發明獲得的CdTe薄膜太陽能電池具有上述有益的效果。 以上已對本發明進行了詳細描述，但本發明并不局限于本文所描述具體實施方式
。本領域技術人員理解，在不背離本發明范圍的情況下，可以作出其它更改和變形。本發明的范圍由所附權利要求限定。·
權利要求
1.一種用于CdTe薄膜太陽能電池的背接觸層結構，包括依次設置在CdTe薄膜上的MoO3背接觸緩沖層和金屬背電極層。
2.根據權利要求I所述的背接觸層結構，其中，所述MoO3緩沖層的厚度為10-60nm。
3.根據權利要求2所述的背接觸層結構，其中，所述MoO3緩沖層的厚度為10-40nm。
4.根據權利要求I所述的背接觸層結構，其中，所述金屬背電極層為金屬鑰(Mo)、鎳(Ni)或鎢(W)背電極層。
5.根據權利要求4所述的背接觸層結構，其中，所述金屬背電極層的厚度為100_500nmo
6.一種制備根據權利要求1-5中任一項所述的背接觸層結構的方法，包括 在氧氣和氬氣混合氣體或純氬氣的氣氛下，將金屬Mo或MoO3靶材磁控濺射到CdTe薄膜上以形成所述MoO3緩沖層；以及 在氬氣氣氛中將用于所述金屬背電極層的金屬靶材磁控濺射到所述MoO3緩沖層上以形成所述金屬背電極層。
7.根據權利要求6所述的方法，進一步包括在形成所述MoO3緩沖層之前，對所述CdTe薄膜的表面進行預處理。
8.根據權利要求6所述的方法，進一步包括在形成所述金屬背電極層之后，對所述CdTe薄膜上的所述背接觸層結構進行真空退火處理。
9.根據權利要求6所述的方法，其中，所述MoO3緩沖層是通過在總壓強為O.2-0. 5Pa的氣氛下預派射金屬Mo或MoO3祀材5-15min后、再派射生長10_30min而形成的。
10.根據權利要求6-9中任一項所述的方法，其中，所述方法在單生長室磁控濺射系統或雙生長室磁控濺射系統中進行。
11.一種CdTe薄膜太陽能電池，包括根據權利要求1-5中任一項所述的背接觸層結構或通過根據權利要求6-10中任一項所述的方法制造的背接觸層結構。
12.根據權利要求11所述的CdTe薄膜太陽能電池，包括 透明襯底； 設置在所述透明襯底上的透明導電前電極； 設置在所述透明導電前電極上的CdS窗口層； 設置在所述CdS窗口層上的作為吸收層的CdTe薄膜； 設置在所述CdTe薄膜上的MoO3緩沖層；以及 設置在所述MoO3緩沖層上的金屬背電極層。
全文摘要
本發明涉及新型CdTe薄膜太陽能電池。更具體地，本發明涉及一種用于CdTe薄膜太陽能電池的新型背接觸層結構，其中包括依次設置在CdTe薄膜上的MoO3背接觸緩沖層和金屬背電極層。本發明還涉及制造這樣的背接觸層結構薄膜的方法和利用這樣的背接觸層結構的CdTe薄膜太陽能電池器件。本發明能夠提供一種高效廉價且長期工作穩定性優良的CdTe薄膜太陽能電池器件。
文檔編號C23C14/35GK102779860SQ201210239698
公開日2012年11月14日 申請日期2012年7月11日 優先權日2012年7月11日
發明者王德亮, 白治中 申請人:中國科學技術大學