專利名稱：釹鐵硼鐵氧體防腐的處理方法
技術領域：
本發(fā)明屬于磁性材料的表面處理技術領域，特別是指一種用于釹鐵硼鐵氧體防腐的處理方法。
背景技術：
釹鐵硼鐵氧體作為稀土永磁材料，具有優(yōu)異的磁性能，良好的機械加工特性和相對低廉的價格，在自動化、計算機、家電、通訊等領域得到廣泛的應用。但釹鐵硼鐵氧體材料化學穩(wěn)定性差，在使用環(huán)境中易于氧化，而且在濕熱條件下會發(fā)生嚴重的化學腐蝕，惡化磁性能并影響磁體的使用壽命。 目前解決釹鐵硼鐵氧體腐蝕問題的主要方法是在磁體表面沉積ー層防腐蝕層，主要的處理工藝有電鍍法或化學鍍等表面處理工藝，但這兩種エ藝均有明顯的缺陷，就是在生產過程中有大量的廢水產生，并且這類廢水的處理難度高危害大。使用電鍍時電能消耗大，不利于節(jié)能，不符合環(huán)保及節(jié)能要求。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種新的釹鐵硼鐵氧體防腐處理的新方法，該方法在生產過程中沒有大量的污水產生，并且同電鍍相比用電量要小。本發(fā)明是通過以下技術方案實現(xiàn)的釹鐵硼鐵氧體防腐的處理方法，其步驟是首先是前處理，將釹鐵硼鐵氧體進行除油，出光，漂洗、活化，再漂洗等處理，以保證釹鐵硼鐵氧體的外表面清潔和光滑。其次是在釹鐵硼鐵氧體表面采用離子注入方式注入防腐材質；然后在釹鐵硼鐵氧體表面形成金屬氧化層或鍍層或防腐層。所述的防腐材質為金屬鎳。所述離子注入用能量為42_45KeV量級；所述共絡層厚度為15_40nm。所述注入量為25mg/cm2-40mg/cm2。本發(fā)明技術方案同現(xiàn)有技術相比的有益效果是通過本處理工藝，通過將防腐蝕劑直接滲入到釹鐵硼鐵氧體的表面體內部，防腐層不會脫落，加上其它的防腐蝕方式，明顯提高釹鐵硼鐵氧體的耐腐蝕性能，并且在生產過程環(huán)境污染小，符合國家節(jié)能環(huán)保要求。
具體實施例方式以下具體描述本發(fā)明的實施方式。首先取釹鐵硼鐵氧體的坯體，也可以根據(jù)需要選取其它型號或形狀的釹鐵硼鐵氧體材料，對釹鐵硼鐵氧體的坯體進行前處理，將釹鐵硼鐵氧體進行除油，出光，漂洗、活化，再漂洗等處理，以保證釹鐵硼鐵氧體的外表面清潔和光滑。
其次是在釹鐵硼鐵氧體表面采用離子注入方式注入防腐材質；然后在釹鐵硼鐵氧體表面形成金屬氧化層或鍍層或防腐層。所述的防腐材質為金屬鎳。所述離子注入用能量為42_45KeV量級.。所述共絡層厚度為15_40nm。
所述注入量為25mg/cm2-40mg/cm2。本發(fā)明的所述離子注入用能量為42_45KeV量級；具體注入能量的選用是根據(jù)材料的用途或確定的注入厚度來選用的，在本發(fā)明中注入非晶態(tài)物質的厚度為15-40nm，當材料使用的環(huán)境不惡劣或要求等級不高時選擇注入的厚度低，因此注入用的能量也相應降低；當材料使用的環(huán)境惡劣，注入的厚度要厚，因此注入的能量也相應提高。在本發(fā)明中所使用的注入能量、注入厚度及単位用量均不是最終定量，只是相對較佳的數(shù)據(jù)，根據(jù)實際需要可以進行調整，比如注入能量可能會達到IOOKeV量級甚至是120KeV量級；注入厚度也可能會達到75nm ;單位注入用量也可能會達到80mg/cm2。但本專利所要求的最低數(shù)據(jù)為基本數(shù)據(jù)，若低于最低數(shù)據(jù)則防腐蝕性能無法達到最佳。以上的具體實施例僅能作為本發(fā)明的參考而不是對本發(fā)明的限制。
權利要求
1.釹鐵硼鐵氧體防腐的處理方法，其特征在于，其步驟包括 首先是前處理，將釹鐵硼鐵氧體進行除油，出光，漂洗、活化，再漂洗等處理，以保證釹鐵硼鐵氧體的外表面清潔和光滑； 其次是在釹鐵硼鐵氧體表面采用離子注入方式注入防腐材質； 然后在釹鐵硼鐵氧體表面形成金屬氧化層或鍍層或防腐層。
2.根據(jù)權利要求I所述的釹鐵硼鐵氧體防腐的處理方法，其特征在于，所述的防腐材質為金屬鎳。
3.根據(jù)權利要求I所述的釹鐵硼鐵氧體防腐的處理方法，其特征在于，所述離子注入用能量為42-45KeV量級。
4.根據(jù)權利要求I所述的釹鐵硼鐵氧體防腐的處理方法，其特征在于，所述共絡層厚度為 15_40nm。
5.根據(jù)權利要求I所述的釹鐵硼鐵氧體防腐的處理方法，其特征在于，所述注入量為25mg/cnr-40mg/cm2。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種釹鐵硼鐵氧體防腐的處理方法，其步驟包括首先是前處理，將釹鐵硼鐵氧體進行除油，出光，漂洗、活化，再漂洗等處理，以保證釹鐵硼鐵氧體的外表面清潔和光滑；其次是在釹鐵硼鐵氧體表面采用離子注入方式注入防腐材質；然后在釹鐵硼鐵氧體表面形成金屬氧化層或鍍層或防腐層。
文檔編號C23C14/48GK102864429SQ20121033423
公開日2013年1月9日 申請日期2012年9月10日 優(yōu)先權日2012年9月10日
發(fā)明者任靜兒 申請人:任靜兒