專利名稱：單晶測試樣片腐蝕溶液及腐蝕方法
技術領域：
本發明屬于單晶理化參數的檢測，特別是一種單晶測試樣片腐蝕溶液及腐蝕方法。
背景技術：
太陽能單晶測試樣片在測試各理化參數之前都需要經過化學藥液腐蝕去除表面的機械損傷層，然后用純水將樣片表面清洗干凈。目前常用的腐蝕藥液為混合酸(硝酸醋酸氫氟酸按照一定的比例混合)，其中硝酸的濃度達到70%，氫氟酸的濃度達到49%。如此 高濃度的混酸與硅反應劇烈產生大量的氮氧化合物，若泄漏于大氣中會對環境有一定的影響，且對于操作人員也可能產生一定的危害。

發明內容
本發明的目的在于提供一種降低對人的危害、對環境友好的單晶測試樣片腐蝕溶液及腐蝕方法。為解決上述技術問題，本發明氫氧化鈉溶液，所述氫氧化鈉溶液的濃度為6%。本發明單晶測試樣片腐蝕方法，包括如下步驟SI，利用氫氧化鈉溶液對硅片表面進行腐蝕，其中所述氫氧化鈉溶液的濃度為6% ;S2，用純凈水對硅片進行清洗。所述SI中腐蝕的溫度為75°C 85°C。所述SI中腐蝕的時間為55分鐘。所述S2中純凈水的電阻率大于等于1ΜΩ。所述S2分為S2. 1，用純凈水對硅片進行第一次清洗及S2. 2，用純凈水對硅片進行第二次清洗。所述S2. I中用純凈水對硅片進行第一次清洗的時間為30秒。所述S2. 2中用純凈水對硅片進行第二次清洗的時間為15分鐘。本發明單晶測試樣片腐蝕溶液及腐蝕方法將腐蝕單晶測試樣片的化學藥液用堿溶液來代替混酸溶液。堿溶液與硅反應時生成物為硅酸鹽及氫氣，硅酸鹽與氫氣對環境基本無影響，且反應時產生的氫氣對操作人員也沒什么危害。
具體實施例方式本發明單晶測試樣片腐蝕方法，首先利用濃度為6%的氫氧化鈉溶液對硅片表面進行腐蝕，腐蝕的溫度為75°C 85°C，時間為55分鐘；然后用純凈水對硅片進行清洗，清洗分為兩部分，第一次清洗的時間為30秒，第二次清洗的時間為15分鐘，其中純凈水的電阻率大于等于IM Ω。本發明單晶測試樣片腐蝕溶液及腐蝕方法將腐蝕單晶測試樣片的化學藥液用堿溶液來代替混酸溶液。堿溶液與硅反應時生成物為硅酸鹽及氫氣，硅酸鹽與氫氣對環境基本無影響，且反應時產生的氫氣對操作人員也沒什么危害。以上已對本發明創造的較佳實施例進行了具體說明，但本發明創造并不限于所述實施例，熟悉本領域的技術人員在不違背本發明創造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請權利要求所限定的范圍內。
權利要求
1.單晶測試樣片腐蝕溶液，其特征在于，包括氫氧化鈉溶液，所述氫氧化鈉溶液的濃度為6%。
2.單晶測試樣片腐蝕方法，其特征在于，包括如下步驟 SI，利用氫氧化鈉溶液對硅片表面進行腐蝕，其中所述氫氧化鈉溶液的濃度為6% ； S2，用純凈水對硅片進行清洗。
3.根據權利要求2所述的單晶測試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述SI中腐蝕的溫度為 75°C 85°C。
4.根據權利要求2所述的單晶測試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述SI中腐蝕的時間為55分鐘。
5.根據權利要求2所述的單晶測試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述S2中純凈水的電阻率大于等于IM Ω。
6.根據權利要求5所述的單晶測試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述S2分為S2.1，用純凈水對硅片進行第一次清洗及S2. 2，用純凈水對硅片進行第二次清洗。
7.根據權利要求6所述的單晶測試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述S2.I中用純凈水對硅片進行第一次清洗的時間為30秒。
8.根據權利要求6所述的單晶測試樣片腐蝕方法，其特征在于，所述S2.2中用純凈水對硅片進行第二次清洗的時間為15分鐘。
全文摘要
本發明氫氧化鈉溶液，所述氫氧化鈉溶液的濃度為6%。本發明單晶測試樣片腐蝕溶液及腐蝕方法將腐蝕單晶測試樣片的化學藥液用堿溶液來代替混酸溶液。堿溶液與硅反應時生成物為硅酸鹽及氫氣，硅酸鹽與氫氣對環境基本無影響，且反應時產生的氫氣對操作人員也沒什么危害。
文檔編號C23F1/32GK102925898SQ20121046227
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月16日 優先權日2012年11月16日
發明者周聰, 賀賢漢 申請人:上海申和熱磁電子有限公司